JPWO2006046487A1 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
この発明の半導体装置は、ビア層を介さずに、連続して積層された3層以上の複数の配線層を備えている。前記複数の配線層の少なくとも1つの配線層に、配線と上下層に位置する配線間を接続する前記ビアとの両方を配置する。
Description
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、Cu(銅)配線を用いた半導体装置およびその製造方法に関する。
近年、半導体集積回路(LSI)の高集積化、及び高性能化に伴って新たな微細加工技術が開発されている。CMP(chemical mechanical polishing)法もその一つであり、LSI製造工程、特に多層配線形成工程における層間絶縁膜の平坦化、金属プラグ形成、或いは埋め込み工程において頻繁に利用されている技術である(たとえば、下記特許文献1参照)。
特に、最近はLSIの高速性能化を達成するために、配線技術を従来のAl(アルミニウム)合金から低抵抗のCu或いはCu合金(以下、まとめてCuと称する。)に代える動きが進んでいる。Cuは、従来用いられてきたAl系合金の材料と比べ、比抵抗が1.8μΩcmと低い。また、Al系合金の融点が600℃であるのに対し、Cuの融点は1080℃である。エレクトロマイグレーション耐性やストレスマイグレーション耐性は、材料の融点と相関があり、高い融点を有するCuは、Al系合金よりも高信頼性配線材料としてより優れている。実際、Cuを用いた場合のエレクトロマイグレーション耐性は、アルミニウム系合金を用いた場合のエレクトロマイグレーション耐性に比べて一桁程度高い。
Cuは、Al合金配線の形成において頻繁に用いられたドライエッチング法による微細加工が困難である。そのため、溝が形成された絶縁膜上にCu膜を堆積し、溝内に埋め込まれた部分以外のCu膜をCMP法で除去することにより、埋め込み配線を形成する、いわゆるダマシン(damascene)法が主に採用されている(たとえば、日本国特許庁により発行された下記特許文献2参照)。
Cu膜は、一般に、スパッタ法などで薄いシード層を形成した後、電解めっき法により数100nm程度の厚さの積層膜を積層することにより形成される。この際、通常、Cuの絶縁膜中への拡散を抑制するため、絶縁膜に溝およびホールを形成した後、高融点金属または高融点金属の化合物からなる薄い下敷き膜を形成し、その後にCu埋め込み配線の形成(Cuの埋め込み)を行う。このため、Cu埋め込み配線を形成した後、溝やホールの底面および側面は、バリアメタルと呼ばれる高融点金属または高融点金属の化合物からなる薄膜(前記下敷き膜)で覆われている。そして、Cuは、その側面および底面がバリアメタルと接している。
さらに、最近は、層間絶縁膜として、比誘電率の低いlow−k膜を用いることが検討されている。すなわち、比誘電率kが約4.2のシリコン酸化膜(SiO2膜)に代えて、比誘電率kがたとえば3.5以下のlow−k膜を用いることにより、配線間の寄生容量を低減することが試みられている。また、比誘電率kが2.5以下のlow−k膜材料の開発も進められており、これらは、材料中に空孔が入ったポーラス材料となっているものが多い。このようなlow−k膜(若しくはポーラスlow−k膜)とCu配線を組み合わせた多層配線構造を有する半導体装置の製造方法は次のようなものである。
図10は、従来のlow−k膜とCu配線を組み合わせた多層配線構造を有する半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、図10では、デバイス部分等の形成方法は省略している。
図10(a)において、シリコン基板による基体200上に、CVD(化学気層成長)法などにより第1の絶縁膜221を成膜する。
図10(a)において、シリコン基板による基体200上に、CVD(化学気層成長)法などにより第1の絶縁膜221を成膜する。
図10(b)において、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程により、Cu金属配線或いはCuコンタクトプラグを形成するための溝構造(開口部H)を第1の絶縁膜221に形成する。
図10(c)において、第1の絶縁膜221上に、バリアメタル膜240、Cuシード膜およびCu膜260をこの順に形成して、150℃から400℃の温度で約30分間アニール処理する。
図10(c)において、第1の絶縁膜221上に、バリアメタル膜240、Cuシード膜およびCu膜260をこの順に形成して、150℃から400℃の温度で約30分間アニール処理する。
図10(d)において、開口部H外のCu膜260およびバリアメタル膜240をCMP法で除去することにより、溝である開口部HにCu配線を形成する。
図10(e)において、Cu膜260の表面に拡散防止膜として窒化シリコン膜を形成し、多層Cu配線を形成する場合は、第2の絶縁膜281をさらに成膜する。
図11は、多層配線化した半導体装置の断面を示す図である。
図10(e)において、Cu膜260の表面に拡散防止膜として窒化シリコン膜を形成し、多層Cu配線を形成する場合は、第2の絶縁膜281をさらに成膜する。
図11は、多層配線化した半導体装置の断面を示す図である。
図11に示すように、多層配線を形成する場合、第1配線層と第2配線層との間には、第1配線層の配線91と第2配線層の配線92の両配線を接続するためのビア93が形成された第1ビア層が独立して形成される。さらに、多層化していく場合には、配線層とビア層とを交互に形成していくことになる。
その他、日本国特許庁により発行された下記特許文献2には、ビア層に、上層に形成された配線同士を接続するヒューズを配置する技術が開示されている。このようなヒューズには、タングステン(W)やタンタル(Ta)などの高融点金属や高融点金属のシリサイドが材料として用いられる。
その他、日本国特許庁により発行された下記特許文献2には、ビア層に、上層に形成された配線同士を接続するヒューズを配置する技術が開示されている。このようなヒューズには、タングステン(W)やタンタル(Ta)などの高融点金属や高融点金属のシリサイドが材料として用いられる。
半導体装置の高集積化・高速化に伴い、配線構造は単層構造から多層化がすすみ、5層以上の金属配線構造を有する半導体装置も開発生産されている。しかし、高集積化が進むにつれて、いわゆる配線間寄生容量と配線抵抗とに起因する信号伝達遅延が問題となっている。近年、多層化に伴い、配線構造に起因する信号伝達遅延が半導体装置の高速化に与える影響が増大しており、その回避策として様々な方法が取られている。
一般的に、信号伝達遅延は、配線間寄生容量と配線抵抗との積で示すことができる。配線抵抗の低減に対しては、従来のAl配線から抵抗の低いCu配線へ移行が進んでいるが、Al配線であってもCu配線であっても、各配線層において隣り合う配線間には、所定の距離を設ける必要がある。図11に示すように、最小配線ピッチAで配線91を形成し、配線91間に配線間距離Bの間隔を設ける必要がある。したがって、従来のような配線構造では、低抵抗材料を用いても、その材料に応じた所定の距離を確保しなければならない。また、多層化のためには、配線層とビア層とを交互に形成しなければならず、配線層を1層形成するために、ビア層を1層形成することになる。そのため、配線層の数の2倍の層が形成されることになり、集積度を上げることが困難であった。
米国特許第4944836号公報
特開平9−45782号公報
そこで、本発明は、多層配線構造の半導体装置における配線の集積度を向上させることを目的とする。
本発明の半導体装置は、ビア層を介さずに、連続して積層された3層以上の複数の配線層を備え、前記3層以上の配線層のうちの少なくとも1つの配線層には、配線と、上下層に位置する配線間を接続するビアとの両方が配置されたことを特徴とする。
本発明の半導体装置は、ビア層を介さずに、連続して積層された3層以上の複数の配線層を備え、前記3層以上の配線層のうちの少なくとも1つの配線層には、配線と、上下層に位置する配線間を接続するビアとの両方が配置されたことを特徴とする。
ビア層を介さずに、配線とビアとの両方が配置された配線層により多層化していくことにより、配線形成の自由度を向上させることができる。すなわち、配線層とビア層との区別をなくすことができ、配線形成の自由度を向上させることができる。配線形成の自由度を向上させることができるので、配線の集積度を向上させることができる。さらに、ビア層という配線層間の単独層を不要にすることができる。
前記配線の厚さは、当該配線が配置された配線層の厚さと同一であることが好ましい。配線の厚さを配線層の厚さと同一にすることにより、上下層に配置されたビア或いは配線と接続することができる。さらに、製造工程においては、配線を形成する際、途中でエッチングを停止させる必要がなく、エッチング工程の制御性を向上させることができる。
また、前記少なくとも1つの配線層において、当該配線層に配置された前記配線と前記ビアとが、配線のみを配列する場合の配線ピッチで配置されていることが好ましい。1つの配線層において、前記配線と前記ビアとが、配線のみを配列する場合の配線ピッチで配置されることにより、前記ビアの上層或いは下層において接続された配線と、前記ビアと同じ層に配置された配線と、の配線間ピッチを、小さくすることができる。配線間ピッチを小さくすることができるので、配線の集積度を上げることができる。たとえば、前記ビアの上層或いは下層において接続された配線の幅方向のエッジに対して、ビアのエッジが当該配線の内側に位置する場合、前記ビアが、前記配線幅より小さい幅で形成されても、太く形成されてもよい。
また、前記少なくとも1つの配線層において、当該配線層に配置された前記配線と前記ビアとが、配線のみを配列する場合の配線ピッチで配置されていることが好ましい。1つの配線層において、前記配線と前記ビアとが、配線のみを配列する場合の配線ピッチで配置されることにより、前記ビアの上層或いは下層において接続された配線と、前記ビアと同じ層に配置された配線と、の配線間ピッチを、小さくすることができる。配線間ピッチを小さくすることができるので、配線の集積度を上げることができる。たとえば、前記ビアの上層或いは下層において接続された配線の幅方向のエッジに対して、ビアのエッジが当該配線の内側に位置する場合、前記ビアが、前記配線幅より小さい幅で形成されても、太く形成されてもよい。
或いは、前記3層以上の配線層のうち、隣接する少なくとも2つの配線層において、それらの配線層の配線が、配線層において配線のみを配列する場合の配線ピッチで配置されることが好ましい。
隣接する少なくとも2つの配線層において、それらの配線層の配線同士が、各配線層において配線のみを配列する場合の配線ピッチで配置されることにより、隣接する配線層の配線同士の配線間距離を大きくすることができる。配線間距離を大きくすることができるので、配線間の寄生容量を低下させることができる。
隣接する少なくとも2つの配線層において、それらの配線層の配線同士が、各配線層において配線のみを配列する場合の配線ピッチで配置されることにより、隣接する配線層の配線同士の配線間距離を大きくすることができる。配線間距離を大きくすることができるので、配線間の寄生容量を低下させることができる。
本発明の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜に前記絶縁膜を貫通する配線用開口部と前記絶縁膜を貫通するビア用開口部とを開口する開口部形成工程と、前記配線用開口部とビア用開口部とに導電性材料を堆積させる堆積工程と、を備えたことを特徴とする。
前記絶縁膜に前記絶縁膜を貫通する配線用開口部と前記絶縁膜を貫通するビア用開口部とを開口し、そこに導電性材料を堆積させることにより、配線とビアとを混在させることができる。配線とビアとを混在させることができるので、配線形成の自由度を向上させることができる。
前記絶縁膜に前記絶縁膜を貫通する配線用開口部と前記絶縁膜を貫通するビア用開口部とを開口し、そこに導電性材料を堆積させることにより、配線とビアとを混在させることができる。配線とビアとを混在させることができるので、配線形成の自由度を向上させることができる。
高集積化に伴い採用された絶縁材料として、前記絶縁膜形成工程において、比誘電率が3.5以下の低誘電率材料膜を形成すると特に有効である。
同様に、高集積化に伴い採用された配線材料として、前記堆積工程において、導電性材料として、銅(Cu)を用いると特に有効である。
本発明における上述の、または他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。
同様に、高集積化に伴い採用された配線材料として、前記堆積工程において、導電性材料として、銅(Cu)を用いると特に有効である。
本発明における上述の、または他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。
図1は、この発明の第1実施形態に係る半導体装置の断面図である。
図1に示すように、基体200上に、SiO2膜210が配置され、その上に、第1配線層、第2配線層、第3配線層、第4配線層および第5配線層がこの順に配置される。この実施形態では、第1〜第5配線層を備えているが、さらに多くの配線層を備えることにより多層化されてもよい。
図1に示すように、基体200上に、SiO2膜210が配置され、その上に、第1配線層、第2配線層、第3配線層、第4配線層および第5配線層がこの順に配置される。この実施形態では、第1〜第5配線層を備えているが、さらに多くの配線層を備えることにより多層化されてもよい。
第1配線層は、第1の絶縁膜として、下地膜となるSiC膜212とその上のlow−k膜220とキャップ膜となるSiO2膜222により構成される。この第1配線層には、配線101として、Cu膜260が配置されている。また、バリアメタル膜240が、Cu配線となるCu膜260の側面と底面とに接するように設けられている。この第1配線層には、ビアが配置されていないが、これに限るものではない。
第2配線層は、第2の絶縁膜として、下地膜となるSiC膜275とその上のlow−k膜280とキャップ膜となるSiO2膜282により構成される。この第2配線層には、Cu膜262からなる配線102とビア103とが混在して配置されている。また、バリアメタル膜242が、Cu膜262の側面と底面とに接するように設けられている。配線102は、第1配線層の配線101と第3配線層のビア104とに接続されている。また、ビア103は、第1配線層の配線101と第3配線層の配線105とに接続されている。
第3配線層は、第3の絶縁膜として、下地膜となるSiC膜284とその上のlow−k膜285とキャップ膜となるSiO2膜290により構成される。この第3配線層には、Cu膜264からなる配線105とビア104とが混在して配置されている。また、バリアメタル膜244が、Cu膜264の側面と底面とに接するように設けられている。配線105は、第2配線層のビア103と第4配線層のビア106とに接続されている。また、ビア104は、第2配線層の配線102と第4配線層の配線107とに接続されている。
第4配線層は、第4の絶縁膜として、下地膜となるSiC膜292とその上のlow−k膜295とキャップ膜となるSiO2膜297により構成される。この第4配線層には、Cu膜266からなる配線107とビア106とが混在して配置されている。また、バリアメタル膜246が、Cu配線およびCuビアとなるCu膜266の側面と底面とに接するように設けられている。配線107は、第3配線層のビア104と第5配線層の配線108とに接続されている。また、ビア106は、第3配線層の配線105と第5配線層の配線108とに接続されている。
第5配線層は、第5の絶縁膜として、下地膜となるSiC膜312とその上のlow−k膜314とキャップ膜となるSiO2膜316により構成される。この第5配線層には、Cu膜268からなる配線108が配置されている。また、バリアメタル膜248が、Cu配線となるCu膜268の側面と底面とに接するように設けられている。
第5配線層の上には、さらに、第6の絶縁膜として、下地膜となるSiC膜322とその上のlow−k膜324とが積層されている。
第5配線層の上には、さらに、第6の絶縁膜として、下地膜となるSiC膜322とその上のlow−k膜324とが積層されている。
以上のように、ビア層を介さずに、配線とビアとの両方が配置された配線層を上下に積層して多層化することにより、配線形成の自由度を向上させることができる。さらに、ビア層という配線層間の単独層を不要にすることができる。特に、3層以上の配線層を有する多層化配線において、配線とビアとが混在する場合に有効である。また、配線とビアとが混在した配線層における配線は、従来技術のようなヒューズではなく、完成されたチップにおいて、レーザを照射して溶断するものではない。そのため、チップを上から見た場合に、配線とビアとが混在した配線層における配線が、上層配線層における配線やビアによって隠れてしまっても構わない。言い換えれば、配線とビアとが混在した配線層における配線は、配線長や上層或いは下層との接続等に依存せず、所望する配線に対して適用することができる。
ここで、本発明に係る半導体装置は、図1に示すようなレイアウトに限定されるものではなく、配線がないビア単独のビア層を介さずに、配線とビアとの両方が配置された配線層により多層化していく構成であれば構わない。ビア層を介さずに、配線とビアとの両方が配置された配線層により多層化していくことにより、配線形成の自由度を向上させることができる。さらに、ビア層という配線層間の単独層を不要にすることができる。
さらに、前記配線の厚さは、当該配線が配置された配線層の厚さと同一に形成する。配線の厚さを配線層の厚さと同一にすることにより、その層の配線と上下層に配置されたビア或いは配線とを接続することができる。さらに、製造工程においては、配線を形成する際、途中でエッチングを停止させる必要がなく、エッチング工程の制御性を向上させることができる。よって、エッチング精度を向上させることができる。
以下、第1配線層および第2配線層の製造方法の要部について図面を用いて説明する。
図2は、図1に示す半導体装置の製造方法の要部を工程順に示すフローチャートである。
第1配線層および第2配線層を形成するために、SiO2膜210を形成するSiO2膜形成工程(S102)と、第1配線層の絶縁膜形成工程と、開口部を形成する開口部形成工程(S112)と、導電性材料を堆積させる導電性材料堆積工程(第1配線形成工程)と、平坦化工程(S120)と、第2配線層の絶縁膜形成工程と、開口部を形成する開口部形成工程(S130)と、導電性材料を堆積させる導電性材料堆積工程(ビア、第2配線形成工程)と、平坦化工程(S138)とからなる一連の工程が実施される。
図2は、図1に示す半導体装置の製造方法の要部を工程順に示すフローチャートである。
第1配線層および第2配線層を形成するために、SiO2膜210を形成するSiO2膜形成工程(S102)と、第1配線層の絶縁膜形成工程と、開口部を形成する開口部形成工程(S112)と、導電性材料を堆積させる導電性材料堆積工程(第1配線形成工程)と、平坦化工程(S120)と、第2配線層の絶縁膜形成工程と、開口部を形成する開口部形成工程(S130)と、導電性材料を堆積させる導電性材料堆積工程(ビア、第2配線形成工程)と、平坦化工程(S138)とからなる一連の工程が実施される。
第1配線層の絶縁膜形成工程では、SiC膜212を形成するSiC膜形成工程(S104)、多孔質の絶縁性材料を用いたlow−k膜220を形成するlow−k膜形成工程(S106)、low−k膜表面をプラズマ処理するヘリウム(He)プラズマ処理工程(S108)およびSiO2膜222を形成するSiO2膜形成工程(S110)が行われる。
第1配線層形成工程における導電性材料堆積工程では、バリアメタル膜形成工程(S114)、シード膜形成工程(S116)およびめっき工程(S118)が行われる。
第2配線層の絶縁膜形成工程では、SiC膜275を形成するSiC膜形成工程(S122)、多孔質の絶縁性材料を用いたlow−k膜280を形成するlow−k膜形成工程(S124)、low−k膜表面をプラズマ処理するヘリウム(He)プラズマ処理工程(S126)およびSiO2膜282を形成するSiO2膜形成工程(S128)が行われる。
第2配線層の絶縁膜形成工程では、SiC膜275を形成するSiC膜形成工程(S122)、多孔質の絶縁性材料を用いたlow−k膜280を形成するlow−k膜形成工程(S124)、low−k膜表面をプラズマ処理するヘリウム(He)プラズマ処理工程(S126)およびSiO2膜282を形成するSiO2膜形成工程(S128)が行われる。
第2配線層形成工程における導電性材料堆積工程では、バリアメタル膜形成工程(S132)、シード膜形成工程(S134)およびめっき工程(S136)が行われる。
図3は、SiO2膜形成工程(S102)からlow−k膜上にSiO2膜を形成するSiO2膜形成工程(S110)までの各工程を説明するための断面図である。
図3(a)に示すように、SiO2膜形成工程(S102)では、基体200上に、CVD法によって、たとえば、膜厚200nmのSiO2膜210を形成する。ここでは、CVD法によって成膜しているが、その他の方法を用いても構わない。基体200として、たとえば、直径300ミリのシリコンウェハ等の基板を用いる。図3では、デバイス部分の形成を省略している。SiO2膜210の代わりに、コンタクトプラグ等のデバイス部分を有する層が形成されても構わない。或いは、その他の種類の層が形成されていても構わない。また、基体200に、コンタクトプラグ等のデバイス部分を有する層が形成されていても構わない。或いは、その他の種類の層が形成されていても構わない。
図3は、SiO2膜形成工程(S102)からlow−k膜上にSiO2膜を形成するSiO2膜形成工程(S110)までの各工程を説明するための断面図である。
図3(a)に示すように、SiO2膜形成工程(S102)では、基体200上に、CVD法によって、たとえば、膜厚200nmのSiO2膜210を形成する。ここでは、CVD法によって成膜しているが、その他の方法を用いても構わない。基体200として、たとえば、直径300ミリのシリコンウェハ等の基板を用いる。図3では、デバイス部分の形成を省略している。SiO2膜210の代わりに、コンタクトプラグ等のデバイス部分を有する層が形成されても構わない。或いは、その他の種類の層が形成されていても構わない。また、基体200に、コンタクトプラグ等のデバイス部分を有する層が形成されていても構わない。或いは、その他の種類の層が形成されていても構わない。
図3(b)に示すように、SiC膜形成工程(S104)では、SiO2膜210の上に、CVD法によって、たとえば、膜厚30nmのSiC膜212を形成する。ここでは、CVD法によって成膜しているが、その他の方法を用いても構わない。SiC膜212は、エッチングストッパとしての機能も有する。SiC膜を生成するのは難しいため、SiC膜の代わりにSiOC膜を用いても構わない。或いは、SiCN膜、SiN膜を用いることができる。
図3(c)に示すように、low−k膜形成工程(S106)では、SiC膜212の上に、多孔質の絶縁性材料を用いたlow−k膜220を、たとえば200nmの厚さで形成する。low−k膜220を形成することで、比誘電率kが3.5よりも低い層間絶縁膜を得ることができる。low−k膜220の材料としては、たとえば、多孔質のMSQ(methyl silsequioxane)を用いることができる。また、その形成方法としては、たとえば、溶液をスピンコートした後、熱処理して、薄膜を形成するSOD(spin on dielectic coating)法を用いることができる。この実施形態では、たとえば、スピンナーの回転数は、900min-1(900rpm)である。ホットプレート上にウエハを載置して、窒素雰囲気中250℃の温度でベークを行い、最終的に窒素雰囲気中450℃の温度で10分間のキュアを行なう。MSQの材料や形成条件などを適宜調節することにより、所定の物性値を有する多孔質の絶縁膜が得られる。たとえば、low−k膜220は、密度が0.7g/cm3で、比誘電率kが1.8となる。また、low−k膜220におけるSiとOとCの組成比は、Siが25から35%の範囲、Oが45から57%の範囲、Cが13から24%の範囲となる。
Heプラズマ処理工程(S108)では、CVD装置内で、low−k膜220の表面をヘリウム(He)プラズマ照射によって改質する。Heプラズマ照射によって表面が改質されることで、low−k膜220とlow−k膜220上に形成されるキャップ膜としてのCVD−SiO2膜222との接着性を改善することができる。たとえば、ガス流量は1.7Pa・m3/s(1000sccm)、ガス圧力は1000Pa、高周波パワーは500W、低周波パワーは400W、温度は400℃とする。キャップ膜(CVD−SiO2膜222)をlow−k膜220上に成膜する際は、low−k膜220の表面にプラズマ処理を施すことがキャップ膜との接着性を改善する上で有効である。プラズマガスの種類としては、アンモニア(NH3)、亜酸化窒素(N2O)、水素(H2)、He、酸素(O2)、シラン(SiH4)、アルゴン(Ar)、窒素(N2)などがあり、これらの中で、Heプラズマは、low−k膜へのダメージが少ないために特に有効である。また、プラズマガスは、これらのガスを混合したものでもよい。たとえば、Heガスは、他のガスと混合して用いると効果的である。
図3(d)に示すように、SiO2膜形成工程(S110)では、Heプラズマ処理の後、CVD法によってlow−k膜220上にSiO2を、たとえば膜厚50nm堆積することで、キャップ膜としてのSiO2膜222を形成する。SiO2膜222を形成することで、リソグラフィ法により直接的にパターニングすることができないlow−k膜220を保護し、low−k膜220にパターンを形成することができる。キャップ膜としては、SiO2膜、SiC膜、SiOC膜、SiCN膜などがあるが、ダメージ低減の観点からはSiO2膜が優れ、低誘電率化の観点からはSiOC膜が優れ、耐圧向上の観点からはSiC膜やSiCN膜が優れている。さらに、SiO2膜とSiC膜との積層膜、もしくはSiO2膜とSiCO膜との積層膜、もしくはSiO2膜とSiCN膜との積層膜を用いることができる。さらに、キャップ膜の一部、もしくは全てが後述する平坦化工程においてCMPにより除去されてもよい。キャップ膜を除去することにより、誘電率をさらに低減することができる。キャップ膜の厚さとしては、10nmから150nmが良く、10nmから50nmが実効的な比誘電率を低減する上で効果的である。
以上の説明において、下層配線における層間絶縁膜は、比誘電率が3.5以下のlow−k膜でなくても構わないが、low−k膜を含む場合に特に有効である。low−k膜を含むことにより、より配線間の寄生容量を低減することができ、高集積化を図ることができる。
図4は、開口部形成工程(S112)からめっき工程(S118)までの各工程を説明するための断面図である。
図4は、開口部形成工程(S112)からめっき工程(S118)までの各工程を説明するための断面図である。
図4(a)に示すように、開口部形成工程(S112)では、リソグラフィ工程およびドライエッチング工程により、SiO2膜222とlow−k膜220とSiC膜212内に、ダマシン配線を作製するための配線溝構造である開口部150を形成する。具体的には、レジスト塗布工程および露光工程等を含むリソグラフィ工程を経て、SiO2膜222の上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜から露出するSiO2膜222とその下層に位置するlow−k膜220とを、SiC膜212をエッチングストッパとして異方性エッチング法により除去し、その後、SiC膜212をエッチングして開口部150を形成すればよい。異方性エッチング法を用いることで、基体200の表面に対し、略垂直に開口部150を形成することができる。たとえば、一例として、反応性イオンエッチング法により、開口部150を形成すればよい。
図4(b)に示すように、バリアメタル膜形成工程(S114)では、開口部形成工程(S112)により形成された開口部150およびSiO2膜222表面に、バリアメタル材料を用いたバリアメタル膜240を形成する。たとえば、PVD(physical vapor deposition)法の1つであるスパッタ法を用いるスパッタリング装置内で、窒化タンタル(TaN)膜とタンタル(Ta)膜との積層膜を膜厚13nm堆積することにより、バリアメタル膜240を形成する。TaN膜とTa膜とを積層することで、TaN膜によりCuのlow−k膜220への拡散防止を図り、Ta膜によりCuの密着性向上を図ることができる。バリアメタル材料の堆積方法としては、PVD法以外に、たとえば、原子層気相成長(atomic layer deposition:ALD法、あるいは、atomic layer chemical vapor deposition:ALCVD法)やCVD法などを用いることができる。これらの方法を用いた場合、PVD法を用いる場合より被覆率をよくすることができる。
図4(c)に示すように、シード膜形成工程(S116)では、スパッタ等の物理気相成長(PVD)法により、次の工程である電解めっき工程(S118)のカソード極となるCu薄膜を、シード膜250として、バリアメタル膜240が形成された開口部150の内壁および基体200の表面に堆積(形成)させる。ここでは、たとえば、膜厚75nmのシード膜250を堆積させる。
図4(d)に示すように、めっき工程(S118)として、シード膜250をカソード極として、電解めっき等の電気化学成長法により、Cu膜260を開口部150の内壁および基体200の表面に堆積させる。ここでは、たとえば、膜厚300nmのCu膜260を堆積させ、その後に、アニール工程として、アニール処理を250℃の温度で30分間行なう。
図5は、平坦化工程(S120)から第2配線層形成工程におけるSiO2膜形成工程(S128)までを示す工程断面図である。
図5(a)に示すように、平坦化工程(S120)では、CMP法によってSiO2膜222の表面に堆積されたCu膜260、シード膜250およびバリアメタル膜240を研磨除去することにより、埋め込み構造を形成する。この実施形態では、CMP装置として、たとえば、オービタル方式のものが用いられる。このオービタル方式のCMP装置としては、たとえば、ノベラスシステムズ社のMomentum300を用いることができる。また、たとえば、CMP荷重は1.03×104Pa(1.5psi)、オービタル回転数は600min-1(600rpm)、ヘッド回転数は24min-1(24rpm)、スラリー供給速度は0.3L/min(300cc/分)、研磨パッドは発泡ポリウレタン製の単層パッド(ロデール社のIC1000)とする。さらに、CMPスラリーとしては、Cu用に砥粒フリースラリー(日立化成工業製のHS−C430−TU)を用い、バリアメタル用にコロイダルシリカ砥粒スラリー(日立化成工業製のHS−T605−8)を用いる。このような条件でCMPを行い、溝外部のCu膜とバリアメタル膜を除去してダマシンCu配線を形成する。
図5(a)に示すように、平坦化工程(S120)では、CMP法によってSiO2膜222の表面に堆積されたCu膜260、シード膜250およびバリアメタル膜240を研磨除去することにより、埋め込み構造を形成する。この実施形態では、CMP装置として、たとえば、オービタル方式のものが用いられる。このオービタル方式のCMP装置としては、たとえば、ノベラスシステムズ社のMomentum300を用いることができる。また、たとえば、CMP荷重は1.03×104Pa(1.5psi)、オービタル回転数は600min-1(600rpm)、ヘッド回転数は24min-1(24rpm)、スラリー供給速度は0.3L/min(300cc/分)、研磨パッドは発泡ポリウレタン製の単層パッド(ロデール社のIC1000)とする。さらに、CMPスラリーとしては、Cu用に砥粒フリースラリー(日立化成工業製のHS−C430−TU)を用い、バリアメタル用にコロイダルシリカ砥粒スラリー(日立化成工業製のHS−T605−8)を用いる。このような条件でCMPを行い、溝外部のCu膜とバリアメタル膜を除去してダマシンCu配線を形成する。
続いて、次の層となる第2配線層を形成する。
図5(b)に示すように、SiC膜形成工程(S122)として、第1配線層の上に、図3(b)を参照しつつ説明した内容と同様、CVD法によって、たとえば膜厚30nmのSiC膜275を形成する。ここでは、CVD法によって成膜しているが、その他の方法を用いても構わない。SiC膜275は、Cuの拡散防止膜として機能する。また、エッチングストッパとしての機能も有する。SiC膜を生成するのは難しいため、SiC膜の代わりにSiOC膜を用いても構わない。或いは、SiCN膜、SiN膜を用いることもできる。
図5(b)に示すように、SiC膜形成工程(S122)として、第1配線層の上に、図3(b)を参照しつつ説明した内容と同様、CVD法によって、たとえば膜厚30nmのSiC膜275を形成する。ここでは、CVD法によって成膜しているが、その他の方法を用いても構わない。SiC膜275は、Cuの拡散防止膜として機能する。また、エッチングストッパとしての機能も有する。SiC膜を生成するのは難しいため、SiC膜の代わりにSiOC膜を用いても構わない。或いは、SiCN膜、SiN膜を用いることもできる。
図5(c)に示すように、low−k膜形成工程(S124)として、SiC膜275の上に、多孔質の絶縁性材料を用いたlow−k膜280を、たとえば200nmの厚さで形成する。その他、この工程は、図3(c)を参照しつつ説明した内容と同様の内容でよいため、その具体的な説明を省略する。
Heプラズマ処理工程(S126)では、CVD装置内で、low−k膜280の表面をヘリウム(He)プラズマ照射によって改質する。その他、この工程は、図3(c)を参照しつつ説明した内容と同様の内容でよいため、その具体的な説明を省略する。
Heプラズマ処理工程(S126)では、CVD装置内で、low−k膜280の表面をヘリウム(He)プラズマ照射によって改質する。その他、この工程は、図3(c)を参照しつつ説明した内容と同様の内容でよいため、その具体的な説明を省略する。
図5(d)に示すように、SiO2膜形成工程(S128)では、Heプラズマ処理(S126)の後、CVD法によってlow−k膜280上にSiO2を、たとえば、膜厚50nm堆積することで、キャップ膜としてのSiO2膜282を形成する。この工程は、図3(d)を参照しつつ説明した内容と同様の内容でよいため、その具体的な説明を省略する。
図6は、第2配線層形成工程における開口部形成工程(S130)からシード膜形成工程(S134)までを示す工程断面図である。
図6(a)に示すように、開口部形成工程(S130)では、リソグラフィ工程およびドライエッチング工程により、SiO2膜282、low−k膜280およびSiC膜275内に、ダマシン配線を作製するための配線溝構造である開口部154とビア孔構造である開口部152とを形成する。開口部154および開口部152を、SiO2膜282、low−k膜280およびSiC膜275に貫通して形成し、SiO2膜282、low−k膜280およびSiC膜275の合計膜厚と同じ膜厚とすることにより、エッチングストッパとなるSiC膜275でエッチング深さを調整することができ、幅等のサイズの異なる配線溝とビア孔でも開口形成しやすくすることができる。その他、この工程は、図4(a)を参照しつつ説明した内容と同様の内容でよいため、その具体的な説明を省略する。
図6(a)に示すように、開口部形成工程(S130)では、リソグラフィ工程およびドライエッチング工程により、SiO2膜282、low−k膜280およびSiC膜275内に、ダマシン配線を作製するための配線溝構造である開口部154とビア孔構造である開口部152とを形成する。開口部154および開口部152を、SiO2膜282、low−k膜280およびSiC膜275に貫通して形成し、SiO2膜282、low−k膜280およびSiC膜275の合計膜厚と同じ膜厚とすることにより、エッチングストッパとなるSiC膜275でエッチング深さを調整することができ、幅等のサイズの異なる配線溝とビア孔でも開口形成しやすくすることができる。その他、この工程は、図4(a)を参照しつつ説明した内容と同様の内容でよいため、その具体的な説明を省略する。
図6(b)に示すように、バリアメタル膜形成工程(S132)では、開口部152、開口部154およびSiO2膜282の表面に、バリアメタル材料を用いたバリアメタル膜242を形成する。その他、この工程は、図4(b)を参照しつつ説明した内容と同様の内容でよいため、その具体的な説明を省略する。
図6(c)に示すように、シード膜形成工程(S134)では、スパッタ等の物理気相成長(PVD)法により、次の工程である電解めっき工程のカソード極となるCu薄膜を、シード膜252として、バリアメタル膜242が形成された開口部152および開口部154の各内壁および各底面、ならびに基体200の表面に堆積(形成)させる。その他、この工程は、図4(c)を参照しつつ説明した内容と同様の内容でよいため、その具体的な説明を省略する。
図6(c)に示すように、シード膜形成工程(S134)では、スパッタ等の物理気相成長(PVD)法により、次の工程である電解めっき工程のカソード極となるCu薄膜を、シード膜252として、バリアメタル膜242が形成された開口部152および開口部154の各内壁および各底面、ならびに基体200の表面に堆積(形成)させる。その他、この工程は、図4(c)を参照しつつ説明した内容と同様の内容でよいため、その具体的な説明を省略する。
図7は、第2配線層形成工程におけるめっき工程(S136)から第3配線層のlow−k膜を形成する工程までを示す工程断面図である。
図7(a)に示すように、めっき工程(S136)では、シード膜252をカソード極として、電解めっき等の電気化学成長法によりCu膜262を、開口部152、開口部154および基体200の表面に堆積させる。その他、この工程は、図4(d)を参照しつつ説明した内容と同様の内容でよいため、その具体的な説明を省略する。ここでは、径の小さなビア孔と広い幅および長さを持つ配線溝とを同時に埋め込んでいく。まず、ビア孔にボイドが形成されないめっき条件でめっきを行い、ビア孔を埋め込んだ後、めっき電流を上昇させることにより、効率よく径の小さなビア孔と広い幅および長さを持つ配線溝とを同時に埋め込むことができる。
図7(a)に示すように、めっき工程(S136)では、シード膜252をカソード極として、電解めっき等の電気化学成長法によりCu膜262を、開口部152、開口部154および基体200の表面に堆積させる。その他、この工程は、図4(d)を参照しつつ説明した内容と同様の内容でよいため、その具体的な説明を省略する。ここでは、径の小さなビア孔と広い幅および長さを持つ配線溝とを同時に埋め込んでいく。まず、ビア孔にボイドが形成されないめっき条件でめっきを行い、ビア孔を埋め込んだ後、めっき電流を上昇させることにより、効率よく径の小さなビア孔と広い幅および長さを持つ配線溝とを同時に埋め込むことができる。
図7(b)に示すように、平坦化工程(S138)では、CMP法によってSiO2膜282の表面に堆積されたCu膜262、シード膜252およびバリアメタル膜242を研磨除去することにより、埋め込み構造を形成する。その他、この工程は、図5(a)を参照しつつ説明した内容と同様の内容でよいため、その具体的な説明を省略する。
続いて、次の層となる第3配線層を形成する。
続いて、次の層となる第3配線層を形成する。
図7(c)に示すように、第2配線層の上に、図3(b)を参照しつつ説明した内容と同様にして、CVD法によって、たとえば膜厚30nmのSiC膜284を形成する。そして、SiC膜284の上に、多孔質の絶縁性材料を用いたlow−k膜285を形成し、順次、上述した各工程と同様な内容の工程を繰り返すことにより配線層を多層化していけばよい。各配線層を形成していく場合には、ビアと配線とを必要に応じてレイアウトしていけばよい。
図8は、配線とビアとを最小配線ピッチで配置した半導体装置の断面図である。
図8(a)に示すように、配線層とビア層とが完全に分かれている従来の構成と、図8(b)に示すように、少なくとも1つの配線層(たとえば、第3配線層)において、その配線層に配置された配線105とビア104とが、配線層に配線のみを配列する場合の最小配線ピッチAで配置される構成とを比較する。この場合、配線105とビア104とが最小配線間ピッチAで配置されていても、ビア104の上層或いは下層において接続された配線(たとえば、配線107)と当該ビア104と同じ配線層に配置された配線105との間で、それらの配線間のピッチA’を最小配線ピッチAより小さくすることができる。配線間ピッチを小さくすることができるので、配線密度を向上させることができる。その結果、配線の集積度を上げることができる。配線間ピッチを小さくすることができるので、配線の集積度を上げることができる。図8(b)では、隣り合う配線が1段ずつ段違いにずれたように各層に配置したことにより、上下に隣り合う配線間において配線間ピッチA’を最小配線ピッチAより小さくすることができる。
図8(a)に示すように、配線層とビア層とが完全に分かれている従来の構成と、図8(b)に示すように、少なくとも1つの配線層(たとえば、第3配線層)において、その配線層に配置された配線105とビア104とが、配線層に配線のみを配列する場合の最小配線ピッチAで配置される構成とを比較する。この場合、配線105とビア104とが最小配線間ピッチAで配置されていても、ビア104の上層或いは下層において接続された配線(たとえば、配線107)と当該ビア104と同じ配線層に配置された配線105との間で、それらの配線間のピッチA’を最小配線ピッチAより小さくすることができる。配線間ピッチを小さくすることができるので、配線密度を向上させることができる。その結果、配線の集積度を上げることができる。配線間ピッチを小さくすることができるので、配線の集積度を上げることができる。図8(b)では、隣り合う配線が1段ずつ段違いにずれたように各層に配置したことにより、上下に隣り合う配線間において配線間ピッチA’を最小配線ピッチAより小さくすることができる。
図9は、上下に隣り合う配線間において最小配線ピッチで配置した半導体装置の断面図である。
図9(a)に示すように、配線層とビア層とが完全に分かれている従来の構成と比べ、図9(b)に示すように、上下に隣接する少なくとも2つの配線層において、隣り合う配線層の配線同士(たとえば、配線105と配線107)が、同じ配線層で配線のみを配列する場合の最小配線ピッチAで配置される構成では、配線105と配線107との最小配線間距離X’を従来の最小配線間距離Xより大きくすることができる。最小配線間距離X’を従来の最小配線間距離X’よりも大きくすることができるので、配線間の面同士で考慮する必要のある配線間の寄生容量Cを低減させることができる。図9(b)では、隣り合う配線が1段ずつ段違いにずれたように各層に配置したことにより、上下に隣り合う配線層における最小配線間距離X’を従来の最小配線間距離Xより大きくすることができる。
図9(a)に示すように、配線層とビア層とが完全に分かれている従来の構成と比べ、図9(b)に示すように、上下に隣接する少なくとも2つの配線層において、隣り合う配線層の配線同士(たとえば、配線105と配線107)が、同じ配線層で配線のみを配列する場合の最小配線ピッチAで配置される構成では、配線105と配線107との最小配線間距離X’を従来の最小配線間距離Xより大きくすることができる。最小配線間距離X’を従来の最小配線間距離X’よりも大きくすることができるので、配線間の面同士で考慮する必要のある配線間の寄生容量Cを低減させることができる。図9(b)では、隣り合う配線が1段ずつ段違いにずれたように各層に配置したことにより、上下に隣り合う配線層における最小配線間距離X’を従来の最小配線間距離Xより大きくすることができる。
前記各実施の形態において、比誘電率kが2.6以下の場合、low−k膜の側壁が、20nm以下の膜厚のCVD膜で被覆されていることが望ましい。その理由は、比誘電率が2.6以下の場合は、ポーラス膜であることが多く、ポアシーリングをCu配線の側壁で行う必要があるからである。前述のALD法やCVD法によってバリアメタル膜を成膜する場合は特に有効である。ポアシーリング用のCVD膜の種類としては、SiC膜、SiCN膜、SiCO膜、SiN膜が望ましい。特に、低誘電率の観点からSiC膜が最適である。
また、配線ピッチが小さくなるほど、それ以上の高集積化が難しくなるため、前記実施の形態は、配線ピッチが小さくなるほど有効となる。
また、バリアメタルとして、Ta、TaNに限らず、TaCN(炭化窒化タンタル)、WN(窒化タングステン)、WCN(炭化窒化タングステン)、TiN(窒化チタン)等の高融点金属の窒化物であっても構わない。或いはTi、WSiN等であっても構わない。
また、バリアメタルとして、Ta、TaNに限らず、TaCN(炭化窒化タンタル)、WN(窒化タングステン)、WCN(炭化窒化タングステン)、TiN(窒化チタン)等の高融点金属の窒化物であっても構わない。或いはTi、WSiN等であっても構わない。
さらにまた、上記各実施の形態における配線層の材料として、Cu以外に、Cu−Sn合金、Cu−Ti合金、Cu−Al合金等の、半導体産業で用いられるCuを主成分とする材料を用いても同様の効果が得られる。
また、多孔質絶縁膜の材料としては、多孔質誘電体薄膜材料としてのMSQに限らず、他の多孔質無機絶縁体膜材料、多孔質有機絶縁体膜材料を用いても同様の効果を得ることができる。
また、多孔質絶縁膜の材料としては、多孔質誘電体薄膜材料としてのMSQに限らず、他の多孔質無機絶縁体膜材料、多孔質有機絶縁体膜材料を用いても同様の効果を得ることができる。
特に、多孔質の低誘電率材料に上記各実施の形態を適用した場合には、上述の如く顕著な効果が得られる。上記各実施の形態において、多孔質絶縁膜の材料として用いることができるものとしては、たとえば、各種のシルセスキオキサン化合物、ポリイミド、炭化フッ素(fluorocarbon)、パリレン(parylene)、ベンゾシクロブテンをはじめとする各種の絶縁性材料を挙げることができる。
さらに、層間絶縁膜の膜厚や、開口部のサイズ、形状、数などについても、半導体集積回路や各種の半導体素子において必要とされるものを適宜選択して用いることができる。
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての半導体装置の製造方法は、本発明の範囲に包含される。
また、説明の簡便化のために、半導体産業で通常用いられる手法、たとえば、フォトリソグラフィプロセス、処理前後のクリーニング等は省略しているが、それらの手法が含まれることは言うまでもない。
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての半導体装置の製造方法は、本発明の範囲に包含される。
また、説明の簡便化のために、半導体産業で通常用いられる手法、たとえば、フォトリソグラフィプロセス、処理前後のクリーニング等は省略しているが、それらの手法が含まれることは言うまでもない。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明してきたが、これらは本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の精神および範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。
この出願は、2004年10月26日に日本国特許庁に提出された特願2004−310735号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれるものとする。
この出願は、2004年10月26日に日本国特許庁に提出された特願2004−310735号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれるものとする。
Claims (5)
- ビア層を介さずに、連続して積層された3層以上の配線層を備え、
前記3層以上の配線層のうちの少なくとも1つの配線層には、配線と上下層に位置する配線間を接続する前記ビアとの両方が配置されたことを特徴とする半導体装置。 - 前記少なくとも1つの配線層において、当該配線層に配置された前記配線と前記ビアとが、配線のみを配列する場合の配線ピッチで配置されたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記3層以上の配線層のうち、隣接する少なくとも2つの配線層において、それらの配線層の配線同士が、各配線層において配線のみを配列する場合の配線ピッチで配置されたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜に前記絶縁膜を貫通する配線用開口部と前記絶縁膜を貫通するビア用開口部とを開口する開口部形成工程と、
前記配線用開口部とビア用開口部とに導電性材料を堆積させる堆積工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁膜形成工程において、比誘電率が3.5以下の低誘電率材料膜を形成することを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
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