JPS62193263A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS62193263A JPS62193263A JP61033755A JP3375586A JPS62193263A JP S62193263 A JPS62193263 A JP S62193263A JP 61033755 A JP61033755 A JP 61033755A JP 3375586 A JP3375586 A JP 3375586A JP S62193263 A JPS62193263 A JP S62193263A
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Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
樹脂封止された半導体チップのコーナーにダミーパター
ンを配設することによって内部パターンのずれを防止し
、内部パターンのカバー膜等を保護する。
ンを配設することによって内部パターンのずれを防止し
、内部パターンのカバー膜等を保護する。
本発明は樹脂封止型半導体装置に係り、特にICチップ
等のコーナ一部の新規構造に姦するものである。
等のコーナ一部の新規構造に姦するものである。
集積海路(IC)用の半導体チップ、すなわちICチッ
プ等は半導体装置の集積度向上のみならず電気的特性の
向上にも大きく貢献している。通常ICチップはシリコ
ン等の半導体単結晶が使用されており、チップ表面には
アルミニウム等の金属からなる配線層が基板とのコンタ
クトを含めて形成されている。
プ等は半導体装置の集積度向上のみならず電気的特性の
向上にも大きく貢献している。通常ICチップはシリコ
ン等の半導体単結晶が使用されており、チップ表面には
アルミニウム等の金属からなる配線層が基板とのコンタ
クトを含めて形成されている。
このようなICチップを封止する封止パッケージをより
封止度を高めるために第3図に示すようにエポキシ、シ
リコーン等の樹脂15でICチップ16をコートするこ
とが知られている。第3図で17はリード線、18はリ
ードである。
封止度を高めるために第3図に示すようにエポキシ、シ
リコーン等の樹脂15でICチップ16をコートするこ
とが知られている。第3図で17はリード線、18はリ
ードである。
上記半導体チップはICの作動時にかなりの温度上昇が
発生し、封止用樹脂からのストレスを受ける。
発生し、封止用樹脂からのストレスを受ける。
特にチップの周辺部の配線、コーナ一部が特に樹脂から
のストレスを受けやすい。
のストレスを受けやすい。
上記問題点は本発明によれば、樹脂封止された半導体チ
ップのコーナーに該半導体チップの基板と電気的に接続
するダミーパターンを配設したことを特徴とする半導体
チップによって解決される。
ップのコーナーに該半導体チップの基板と電気的に接続
するダミーパターンを配設したことを特徴とする半導体
チップによって解決される。
すなわち、本発明によれば、半導体チップのコーナーに
該半導体チップの基板と電気的に接続するダミーパター
ンを設けているため、咳ダミーパターンに熱歪等のスト
レスが吸収され、該ダミーパターン近傍の配線パターン
への熱的影響が減少せしめられる。
該半導体チップの基板と電気的に接続するダミーパター
ンを設けているため、咳ダミーパターンに熱歪等のスト
レスが吸収され、該ダミーパターン近傍の配線パターン
への熱的影響が減少せしめられる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明に係るダミーパターンのICチップコー
ナーへの配設状況を示した概略平面図であり、第2図は
第1図のA−A断面図である。
ナーへの配設状況を示した概略平面図であり、第2図は
第1図のA−A断面図である。
第1図において、SiO□層(図示せず)で被覆された
ICチップのシリコンN−基板l上にアルミニウム配線
2.及び3が形成されている。シリコン基板1 (IC
チップ)のコーナーではアルミニウム配線2,3がほぼ
90°に方向を変えており、ICチップの作動時に特に
熱歪の影響が高くなる。
ICチップのシリコンN−基板l上にアルミニウム配線
2.及び3が形成されている。シリコン基板1 (IC
チップ)のコーナーではアルミニウム配線2,3がほぼ
90°に方向を変えており、ICチップの作動時に特に
熱歪の影響が高くなる。
そこでシリコン基板のコーナ一部に該アルミニウム配線
まがいの例えばアルミニウムからなるダミーパターン4
が設けられている。ダミーパターン4にはシリコン基板
1とコンタクトをとる位置5が例示されている。110
部はアルミニウム配線層2.3と電気的に接続されてお
り、パッド6から他に電気的に接続可能となっている。
まがいの例えばアルミニウムからなるダミーパターン4
が設けられている。ダミーパターン4にはシリコン基板
1とコンタクトをとる位置5が例示されている。110
部はアルミニウム配線層2.3と電気的に接続されてお
り、パッド6から他に電気的に接続可能となっている。
本実施例のダミーパターン断面を示す第2図ではシリコ
ンN−基板1上に5iOz層12、更にその上に三層の
ガラス層13a、13b及び13cが形成されており、
該ガラス層133.13b内にはシリコン基板l・と電
気的に接続するアルミニウムN14が形成されており、
更にアルミニウム層14と電気的に接続するアルミニウ
ムダミーパターン4がガラスl113bと13c内に形
成されている。
ンN−基板1上に5iOz層12、更にその上に三層の
ガラス層13a、13b及び13cが形成されており、
該ガラス層133.13b内にはシリコン基板l・と電
気的に接続するアルミニウムN14が形成されており、
更にアルミニウム層14と電気的に接続するアルミニウ
ムダミーパターン4がガラスl113bと13c内に形
成されている。
アルミニウム層14とダミーパターン4はシリコンN−
基板1と単に電気的に接続されてICチップの作動中の
熱歪を吸収する。
基板1と単に電気的に接続されてICチップの作動中の
熱歪を吸収する。
なおダミーパターンの材料は該ダミーパターン近傍の配
線層の材料と同一のものを使用することが熱膨張を同一
に制御しうるので好ましい。
線層の材料と同一のものを使用することが熱膨張を同一
に制御しうるので好ましい。
以上説明したように、本発明によれば熱歪をより受ける
コーナ一部の配線への熱量をダミーで吸収するため熱歪
量を低下させ、それによって配線層のズレ、クラック等
を防止することができる。
コーナ一部の配線への熱量をダミーで吸収するため熱歪
量を低下させ、それによって配線層のズレ、クラック等
を防止することができる。
第1図は本発明に係るダミーパターンのICチップコー
ナーへの配設状況を示した概略平面図であり、第2図は
第1図のA−A断面図であり、第3図は従来技術を説明
するための概略断面図である。 1・・・シリコンN−基板、2.3・・・アルミニウム
配線、4・・・ダミーパターン、5・・・基板との接続
位置、6・・・バッド、122−5in層、13a、1
3b。 13c・・・ガラス層、14・・・アルミニウム第1層
、15・・・樹脂、16・・・ICチップ、17・・・
リード線、18・・・リード。
ナーへの配設状況を示した概略平面図であり、第2図は
第1図のA−A断面図であり、第3図は従来技術を説明
するための概略断面図である。 1・・・シリコンN−基板、2.3・・・アルミニウム
配線、4・・・ダミーパターン、5・・・基板との接続
位置、6・・・バッド、122−5in層、13a、1
3b。 13c・・・ガラス層、14・・・アルミニウム第1層
、15・・・樹脂、16・・・ICチップ、17・・・
リード線、18・・・リード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体チップのコーナーに該半導体チップの基板と
接続するダミーパターンを配設したことを特徴とする樹
脂封止型半導体装置。 2、前記ダミーパターンが該ダミーパターン近傍の配線
層の材料からなる特許請求の範囲第1項記載の半導体チ
ップ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61033755A JPS62193263A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61033755A JPS62193263A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62193263A true JPS62193263A (ja) | 1987-08-25 |
Family
ID=12395241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61033755A Pending JPS62193263A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62193263A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0371630U (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-19 | ||
EP0707341A1 (en) * | 1994-10-06 | 1996-04-17 | Altera Corporation | Integrated circuit die comprising of metal patterns at the corners |
CN1049762C (zh) * | 1994-06-27 | 2000-02-23 | 现代电子产业株式会社 | 一种制造半导体器件的方法 |
JP2006332344A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
WO2013140654A1 (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
KR20180096392A (ko) * | 2017-02-21 | 2018-08-29 | 삼성전기주식회사 | 팬-아웃 반도체 패키지 |
-
1986
- 1986-02-20 JP JP61033755A patent/JPS62193263A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0371630U (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-19 | ||
CN1049762C (zh) * | 1994-06-27 | 2000-02-23 | 现代电子产业株式会社 | 一种制造半导体器件的方法 |
EP0707341A1 (en) * | 1994-10-06 | 1996-04-17 | Altera Corporation | Integrated circuit die comprising of metal patterns at the corners |
US5572067A (en) * | 1994-10-06 | 1996-11-05 | Altera Corporation | Sacrificial corner structures |
JP2006332344A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP4675159B2 (ja) * | 2005-05-26 | 2011-04-20 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
WO2013140654A1 (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
KR20180096392A (ko) * | 2017-02-21 | 2018-08-29 | 삼성전기주식회사 | 팬-아웃 반도체 패키지 |
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