JPS62193264A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS62193264A JPS62193264A JP3375686A JP3375686A JPS62193264A JP S62193264 A JPS62193264 A JP S62193264A JP 3375686 A JP3375686 A JP 3375686A JP 3375686 A JP3375686 A JP 3375686A JP S62193264 A JPS62193264 A JP S62193264A
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- Japan
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- interconnections
- power supply
- substrate
- wiring
- semiconductor substrate
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔４既 要〕
樹脂封止型の例えばＬＳＩチップが封止用樹脂から加わ
るストレスによって生じる配線ズレ、断線、カバー膜の
クラック等を防止するために該配線の少な（とも一部の
配線部と、一定条件下の該配線と同電位の半導体基板等
に接続する。
るストレスによって生じる配線ズレ、断線、カバー膜の
クラック等を防止するために該配線の少な（とも一部の
配線部と、一定条件下の該配線と同電位の半導体基板等
に接続する。
（産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に係り、特に封止用樹脂
からのストレスの影響を減少せしめた樹脂封止型半導体
装置に関する。
からのストレスの影響を減少せしめた樹脂封止型半導体
装置に関する。
大規模集積回路＜Ｌｓｌ）用のチップすなわちＬＳＩチ
ップは半導体装置の集積度向上のみならず、電気的特性
の向上にも大きく貢献している。通常ＬＳＩチップはシ
リコン等の半導体単結晶が使用されており、該チップ表
面にはアルミニウム等の金属からなる配線が形成されて
いる。このようなＬＳＩチップを封止する封止パッケー
ジをより封止度を高めるために第７図に示すようにエポ
キシ、シリコーン等の樹脂２０でＬＳＩチップ２１をコ
ートすることが知られている。第７図において２２はリ
ート線、２３はリードである。
ップは半導体装置の集積度向上のみならず、電気的特性
の向上にも大きく貢献している。通常ＬＳＩチップはシ
リコン等の半導体単結晶が使用されており、該チップ表
面にはアルミニウム等の金属からなる配線が形成されて
いる。このようなＬＳＩチップを封止する封止パッケー
ジをより封止度を高めるために第７図に示すようにエポ
キシ、シリコーン等の樹脂２０でＬＳＩチップ２１をコ
ートすることが知られている。第７図において２２はリ
ート線、２３はリードである。
従来第７閏に示す樹脂封止ＬＳＩチップの周辺コーナー
パターンでは人、出力バソハア部間をアルミニウム配線
のみで電気的に接続したり、該ＬＳＩチップの中央部で
は１つのパッドから他のパッド名人いアルミニウム配線
により電気的に接続していた。
パターンでは人、出力バソハア部間をアルミニウム配線
のみで電気的に接続したり、該ＬＳＩチップの中央部で
は１つのパッドから他のパッド名人いアルミニウム配線
により電気的に接続していた。
しかしながら該ＬＳＩチップの動作時に該ＬＳＩチップ
は封止樹脂とシリコンチップの膨張率の違いによりスト
レスを受ける。このストレスは極端に大きくなると配線
パターンを移動させカバー膜にクランクを生せしめる。
は封止樹脂とシリコンチップの膨張率の違いによりスト
レスを受ける。このストレスは極端に大きくなると配線
パターンを移動させカバー膜にクランクを生せしめる。
またＬＳＩチップの電源配線において、周辺電源母線で
ある太い配線から内部への電源技線部である細い配線に
おいて、上記と同様な熱歪等の外部環境によって電源枝
線電源母線との接続部にストレスが集中し、配線ズレ、
断線、カバー膜クラックが発生しやすい。
ある太い配線から内部への電源技線部である細い配線に
おいて、上記と同様な熱歪等の外部環境によって電源枝
線電源母線との接続部にストレスが集中し、配線ズレ、
断線、カバー膜クラックが発生しやすい。
（問題点を解決するための手段〕
上記問題点は本発明によれば、半導体基板内に形成した
配線を、該配線を介して、電源電圧又は信号を供給され
る回路部以外の部分で該配線と同電位の該半導体基板又
は該半導体基板内に形成された電気的にフローティング
状態の領域に接続し、封止用樹脂から加わるストレスに
耐える様にしたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置
によって解決される。
配線を、該配線を介して、電源電圧又は信号を供給され
る回路部以外の部分で該配線と同電位の該半導体基板又
は該半導体基板内に形成された電気的にフローティング
状態の領域に接続し、封止用樹脂から加わるストレスに
耐える様にしたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置
によって解決される。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
（実施例１）
第１図は本発明に係るＬＳＩ周辺コーナーの配線パター
ンを示す模式平面図であり、第２図は第１図のＡ−Ａ断
面図である。
ンを示す模式平面図であり、第２図は第１図のＡ−Ａ断
面図である。
第１図においてＬＳ ＩＮ−基板１上にアルミニウム電
源配！１１２．３が形成されており、該アルミニウム電
源配線はその下方のＮ−基板ｌと電気的に接続する多数
のコンタクト部５を具備している。
源配！１１２．３が形成されており、該アルミニウム電
源配線はその下方のＮ−基板ｌと電気的に接続する多数
のコンタクト部５を具備している。
アルミニウム電源配線２．３上には端部にパッド４を有
するｌ１０（入出力）部６が形成されている。図中線７
の内側は倫理回路である。
するｌ１０（入出力）部６が形成されている。図中線７
の内側は倫理回路である。
第２図ではＮ−基板ｌ上に第１層目のアルミニウム配線
２ａ 、 ２ｂ及び該アルミニウム配線２ａ 、 ２ｂ
と接続する第２層目のアルミニウム電源配線２．３がそ
れぞれコンタクト部５を有して設けられている。アルミ
ニウム電源配線２，３は接地線と例えば＋５■という様
な関係なので一方を（図では該配線３を）基板のＮ″領
域９にコンタクトし他方を（図では該配′ａ２を）基板
と反対導電型のＰ型ウェル１０中のＰ１領域１１とコン
タクトされる。
２ａ 、 ２ｂ及び該アルミニウム配線２ａ 、 ２ｂ
と接続する第２層目のアルミニウム電源配線２．３がそ
れぞれコンタクト部５を有して設けられている。アルミ
ニウム電源配線２，３は接地線と例えば＋５■という様
な関係なので一方を（図では該配線３を）基板のＮ″領
域９にコンタクトし他方を（図では該配′ａ２を）基板
と反対導電型のＰ型ウェル１０中のＰ１領域１１とコン
タクトされる。
なお、第２図で１２はＳｉＯ□層、１３および１４はガ
ラス層である。
ラス層である。
（実施例２）
第３図はシリコン基板の中央部に形成された本発明に係
る長いアルミニウム配線パターンを示す模式平面図であ
り、第４図は第３図の配線パターンとシリコン基板との
コンタクトを示す一例の第３図のＢ−Ｂ断面図である。
る長いアルミニウム配線パターンを示す模式平面図であ
り、第４図は第３図の配線パターンとシリコン基板との
コンタクトを示す一例の第３図のＢ−Ｂ断面図である。
第３図においてパッド４を電気的に接続する幅の太い且
つ長いアルミニウム配線１５がシリコンＮ−基板１に配
設されており、該アルミニウム配線１５はコンタクト部
５を介してシリコンＮ−基板１に電気的に接続せしめら
れる。この時アルミニウム配線１５が信号線の場合は基
板に直接コンタクトさせるわけにはいかないので第４図
に示すように、アルミニウム配線１５がコンタクト部に
基板と反対導電型領域：Ｐ″領域１１を作る。この領域
１１は電気的にフローティング状態なのでこ＼にアルミ
ニウム信号線１５を接続する。
つ長いアルミニウム配線１５がシリコンＮ−基板１に配
設されており、該アルミニウム配線１５はコンタクト部
５を介してシリコンＮ−基板１に電気的に接続せしめら
れる。この時アルミニウム配線１５が信号線の場合は基
板に直接コンタクトさせるわけにはいかないので第４図
に示すように、アルミニウム配線１５がコンタクト部に
基板と反対導電型領域：Ｐ″領域１１を作る。この領域
１１は電気的にフローティング状態なのでこ＼にアルミ
ニウム信号線１５を接続する。
一方アルミニウム電源配線１５が第３図に示すようにチ
ップ内に延在している場合は第２図で説明したように電
源配線と同電位の基板又はウェルにコンタクトさせる。
ップ内に延在している場合は第２図で説明したように電
源配線と同電位の基板又はウェルにコンタクトさせる。
コンタクト部の大きさ、個数等はアルミニウム配線１５
の幅、長さにより適宜選択される。第４図において１２
はＳｉＯ□層、１３及び１４はガラス層である。
の幅、長さにより適宜選択される。第４図において１２
はＳｉＯ□層、１３及び１４はガラス層である。
（実施例３）、
第５図及び第６図は本発明に係るＬＳＩチップの周辺電
源母線とそれに接続された電源枝線パターンを説明する
ための模式平面図であり、特に第６図は第５図Ｃ部の拡
大図である。
源母線とそれに接続された電源枝線パターンを説明する
ための模式平面図であり、特に第６図は第５図Ｃ部の拡
大図である。
第５図においてＬＳＩの基板１上の周辺に電源母線１７
とそれに接続された基板内部への電源枝線１８が設けら
れている。第５図において例えば電源枝線の根え０部に
ストレスが集中する。そこで第６図に示すように特にＣ
部近傍にコンタクト部５を設は熱を逃がす。
とそれに接続された基板内部への電源枝線１８が設けら
れている。第５図において例えば電源枝線の根え０部に
ストレスが集中する。そこで第６図に示すように特にＣ
部近傍にコンタクト部５を設は熱を逃がす。
以上説明したように、本発明によれば封止樹脂のストレ
スの影響を、配線パターンを堅固に設定することにより
、軽微にすることができるので配線ズレ、断線等、が防
止されると共に、配線パターンを被覆するカバー膜クラ
ックの発生も防止し得る。
スの影響を、配線パターンを堅固に設定することにより
、軽微にすることができるので配線ズレ、断線等、が防
止されると共に、配線パターンを被覆するカバー膜クラ
ックの発生も防止し得る。
第１図は本発明に係るＬＳＩ周辺コーナーの配線パター
ンを示す模式平面図であり、第２図は第１図のＡ−Ａ断
面図であり、第３図はシリコン基板の中央部に形成され
た本発明に係る長いアルミニウム配線パターンを示す模
式平面図であり、第４図は第３図における配線パターン
とシリコン基板とのコンタクトを示す一例の第３図のＢ
−Ｂ断面図であり、第５図及び第６図は本発明に係るＬ
ＳＩチップの周辺電源母線とそれに接続された電源枝線
パターンを説明するための模式平面図であり、特に第６
図は第５図Ｃ部の拡大図であり第７図は従来技術を説明
するための概略断面図である。 １．１１・・・Ｎ−基板、 ２．３・・・アルミニウム電源配線、 １５・・・アルミニウム配線、 ４・・・パッド、 ５・・・コンタクト部、１７
・・・電源母線、 １８・・・電源支線、２０・・・樹
脂、 ２１・・・ＬＳＩチップ、２３・・・リー
ド。 第１図 、、２ 図 第３図 第４図 １・−Ｎ−基板 ５・・・ コンタクト部
ンを示す模式平面図であり、第２図は第１図のＡ−Ａ断
面図であり、第３図はシリコン基板の中央部に形成され
た本発明に係る長いアルミニウム配線パターンを示す模
式平面図であり、第４図は第３図における配線パターン
とシリコン基板とのコンタクトを示す一例の第３図のＢ
−Ｂ断面図であり、第５図及び第６図は本発明に係るＬ
ＳＩチップの周辺電源母線とそれに接続された電源枝線
パターンを説明するための模式平面図であり、特に第６
図は第５図Ｃ部の拡大図であり第７図は従来技術を説明
するための概略断面図である。 １．１１・・・Ｎ−基板、 ２．３・・・アルミニウム電源配線、 １５・・・アルミニウム配線、 ４・・・パッド、 ５・・・コンタクト部、１７
・・・電源母線、 １８・・・電源支線、２０・・・樹
脂、 ２１・・・ＬＳＩチップ、２３・・・リー
ド。 第１図 、、２ 図 第３図 第４図 １・−Ｎ−基板 ５・・・ コンタクト部
Claims (1)
- １、半導体基板上に形成した配線を、該配線を介して、
電源電圧又は信号を供給される回路部以外の部分で該配
線と同電位の該半導体基板又は該半導体基板内に形成さ
れた電気的にフローティング状態の領域に接続し、封止
用樹脂から加わるストレスに耐える様にしたことを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3375686A JPS62193264A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3375686A JPS62193264A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193264A true JPS62193264A (ja) | 1987-08-25 |
Family
ID=12395271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3375686A Pending JPS62193264A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62193264A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05136136A (ja) * | 1991-09-11 | 1993-06-01 | Yamaha Corp | 半導体装置 |
| US5391920A (en) * | 1991-07-09 | 1995-02-21 | Yamaha Corporation | Semiconductor device having peripheral metal wiring |
-
1986
- 1986-02-20 JP JP3375686A patent/JPS62193264A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5391920A (en) * | 1991-07-09 | 1995-02-21 | Yamaha Corporation | Semiconductor device having peripheral metal wiring |
| US5491352A (en) * | 1991-07-09 | 1996-02-13 | Yamaha Corporation | Semiconductor device having peripheral metal wiring |
| JPH05136136A (ja) * | 1991-09-11 | 1993-06-01 | Yamaha Corp | 半導体装置 |
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