JPS5848932A - 半導体装置の製法 - Google Patents

半導体装置の製法

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JPS5848932A
JPS5848932A JP14909981A JP14909981A JPS5848932A JP S5848932 A JPS5848932 A JP S5848932A JP 14909981 A JP14909981 A JP 14909981A JP 14909981 A JP14909981 A JP 14909981A JP S5848932 A JPS5848932 A JP S5848932A
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JP
Japan
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substrate
resin
chip
wiring conductor
bump
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JP14909981A
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Yoshio Okajima
良男 岡嶋
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製法、特に半導体素子性として半
導体集積回路素子）の実装に関するものであり、その目
的とするところは、基板ヘボンディングされた不良半導
体素子の交換を容易に行わしめるにある。
従来、例えば液晶表示セルを構成する、二枚のガラス板
の少なくとも一方を延長し、この延長部分にＬｓｉチッ
プを実装したり、或いは各種の回路基板上にＬｓｉチッ
プがしばしば実装される。
この場合、第１図に示す如く一般に従来の実装法は、Ｌ
ｓｉチップ３に設けた複数個のバンプ４と基板１上の配
線導体２とを同時にボンディングし、然る後、Ｌｓｉチ
ップ３を樹脂封止する方法が採られている。
しかし、特に１枚の基板上へ多数のＬｓｉチップを実装
する（マルチ・チップ化）場合、不良チップの交換が必
要となり、従来方法では封止樹脂と基板とが接着してい
る為、Ｌｓｉチップの取り換えに際して、ガラスなどの
基板や基板上の部品に対して損傷を与えることが多く、
かつ取り換えに時間を要し、Ｌｓｌチップ取り換え後、
破損あるいは亀裂した基板や部品を再度使用することは
できず、不良チップの場合、基板ごとに捨てる結果とな
り基板の歩溜りが著しく低下するなどの欠点があった。
本発明は上記従来の欠点を除去するためになされたもの
で、特に配線導体を除く基板上に半導体素子を封止する
樹脂と接着しないもしくは接着しにくい物質を被覆せし
めることによって、チップ交換がボンディング方式でも
フラットパッケージと同様に容易（で行うことができる
半導体装置の製法を提供せんとするものである。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第２図は本発明の一実施例を示し、図において第１図と
同一部分には同一符号を付して示す。
まず、複数個の電極接続用のバンプ４を有する半導体素
子例えばＬｓｉチップ３を、配線導体２が形成された電
極基板Ｉ上に載置し、上記バンプ４と配線導体２とを同
時にボンディングし、然る後、上記Ｌｓｉチップ３を樹
脂５（例えば、エポキシ系樹脂など）によシ封止するも
のであるが、本発明によれば基板１と封止樹脂５との間
に、封止樹脂と接着しないもしくはしにくい物質６、例
えばシリコン系樹脂などを基板の電極パターン等を構成
する配線導体を除いてコーティングしたものである。
このように構成すれば、封止樹脂５は基板１の面に接着
せず、Ｌｓｉチップ３と基板ｌとはバンプ４と配線導体
２とにより電気的に接続されている、から、バンプと導
体との接合部分に熱などを加えることにより容易に不良
Ｌｓｉチップの交換が行える。したがって、液晶表示セ
ルの基板上に設けたＬｓｉチップが不良の場合、基板を
破損することなくチップの取換えができるから、基板の
歩溜りが向上する。換言すれば、不良Ｌｓｉチップの場
合、その基板をも放棄する必要がないから、基板の良品
率が上がることになる。
以上説明したように本発明によれば、半導体素子（Ｌｓ
ｉチップなど）の交換が容易どなり、基板としての歩溜
りが向上し、低コストの装置を製造できるなどの利点が
ある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の断面図、第２図は本発明に
よる半導体装置の一例の断面図を表わす。 図中、１：基板、２：配線導体、３ＨＬｓｉチツプ、４
：バンプ、５：封止樹脂、６：封止樹脂と接着しない物
質。 代理人　弁理士　福　士　愛　彦 １１図 １２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、複数個の電極接続用のバンプを有する半導体素子を
    、配線導体が形成された電極基板上に載置し、上記複数
    個のバンプと配線導体とを同時にボンディングし、然る
    後、上記半導体素子を樹脂封止する半導体装置の製法に
    おいて、配線導体を除く上記基板上に上記封止樹脂と接
    着しないもしくはしにくい物質を設けたことを特徴とす
    る半導体装置の製法。
JP14909981A 1981-09-18 1981-09-18 半導体装置の製法 Pending JPS5848932A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59201483A (ja) * 1983-04-29 1984-11-15 株式会社デンソー 混成集積回路装置の製造方法
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