JP2004015017A - マルチチップモジュールおよびその製造方法 - Google Patents
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- H01L2924/301—Electrical effects
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Abstract
【解決手段】例えば2個の集積回路チップ24,24が、それぞれの上面が同一平面内に位置するように基板21上に配置され、集積回路チップ24,24と同等の熱膨張率を有するスペーサ25が集積回路チップ24,24の間に配置され、配線26がスペーサ25の上にリソグラフィ技術によって形成されている。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、少なくとも複数の集積回路チップ間の配線がリソグラフィ技術によって形成されて成るマルチチップモジュールおよびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種のマルチチップモジュールおよびその製造方法は、例えば特開平8−62604号公報、特開2001−35993号公報などに開示されている。そして、これらの公報に記載されているマルチチップモジュールの配線は、フォトレジスト塗り、フォトマスク合せ、露光、現像、エッチング、フォトレジスト除去などを含むリソグラフィ技術によって形成されている。
【0003】
図15は特開平8−162604号公報に開示されている従来のマルチチップモジュールの断面図であり、図において、1はシリコンから成る構造基板、2は基板1の上面に塗布されたポリイミド(またはスピンオンガラスなど)の平坦化材、3は平坦化材2に埋め込まれた複数のICチップ、4はICチップ3の表面側、5はICチップ3の表面側4に塗布されたポリイミド(またはスピンオンガラスなど)から成る層間膜、6はリソグラフィ技術によって形成されたチップ配線取出し部、7はリソグラフィ技術によって加工されたアルミニウム配線、8はポリイミド(またはスピンオンガラスなど)から成る保護膜である。
【0004】
図16は特開2001−35993号公報に開示されているマルチチップモジュールの断面図であり、図において、11は図示しないリードフレームの中央に位置するアイランド、12はアイランド11の表面にそれぞれ接着されたDRAMチップおよびロジック回路チップ、13はチップ12の全面に形成されたポリイミド(またはスピンオンガラスなど)の層間絶縁膜、14は層間絶縁膜13にリソグラフィ工程によって形成された接続孔、15は接続孔14にそれぞれ埋め込まれたWプラグ、16は内側のWプラグ15に接続されたAlから成るチップ間配線、17は外側のWプラグ15に接続されたAlから成るボンディングパッド、18はチップ間配線16とボンディングパッド17の全面に形成されたパッシベーション膜である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従来のマルチチップモジュールは以上のように構成されているとともに、−40〜+100℃という過酷な温度の変化に対応できるように構成されている。ところが、チップ3,12とポリイミド(またはスピンオンガラスなど)が接しているので、それらの熱膨張率の差に基づいてチップ3,12とポリイミド(またはスピンオンガラスなど)との間に歪が発生し、最悪の場合にはチップ3,12や配線7,16が破損することが考えられる。
【0006】
また、従来のマルチチップモジュールでは、複数のチップ3が基板1の上に水平方向に並べられ、あるいは複数のチップ12がアイランド11の上に水平方向に並べられているので、基板1に対する複数のチップ3の水平方向に占める容積、あるいはアイランド11に対する複数のチップ12の水平方向に占める容積が多くなり、基板1に対する複数のチップ3の実装面積、あるいはアイランド11に対する複数のチップ12の実装面積が多くなるという課題があった。
【0007】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、温度の変化に対して信頼性を向上させることができるマルチチップモジュールおよびその製造方法を得ることを目的とする。
また、この発明は基板に対する実装面積を減少させることができるマルチチップモジュールを得ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るマルチチップモジュールは、集積回路チップと同等の熱膨張率を有する材料が集積回路チップ間に配置され、配線が材料の上に形成されていることを特徴とするものである。
【0009】
この発明に係るマルチチップモジュールは、材料の上面が同一平面内に位置することを特徴とするものである。
【0010】
この発明に係るマルチチップモジュールは、材料と集積回路チップの間に隙間が存在しないことを特徴とするものである。
【0011】
この発明に係るマルチチップモジュールは、材料が集積回路チップとは別体であることを特徴とするものである。
【0012】
この発明に係るマルチチップモジュールは、材料が集積回路チップの一部であることを特徴とするものである。
【0013】
この発明に係るマルチチップモジュールは、材料が断面矩形のスペーサであることを特徴とするものである。
【0014】
この発明に係るマルチチップモジュールは、材料が断面三角形のスペーサであることを特徴とするものである。
【0015】
この発明に係るマルチチップモジュールは、基板に内部配線が備えられているとともに、材料にスルーホールが設けられ、配線と内部配線がスルーホールを利用して接続されていることを特徴とするものである。
【0016】
この発明に係るマルチチップモジュールは、複数の集積回路チップが基板に対して垂直方向に積層されていることを特徴とするものである。
【0017】
この発明に係るマルチチップモジュールの製造方法は、集積回路チップと同等の熱膨張率を有する材料が集積回路チップ間に配置される工程と、配線が材料の上に形成される工程とが含まれていることを特徴とするものである。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1によるマルチチップモジュールの部分断面図であり、図において、21はシリコンなどから成る基板、22は基板21の内部に設けられた内部配線、23は基板21の下面に配置されたボールグリッドアレイ(BGA)のバンプ、24は基板21の上面に接着された機能の異なる例えば2個の集積回路チップ、25は集積回路チップ24,24の間において基板21の上面に接着された断面方形のスペーサ(材料)、26は集積回路チップ24,24を電気的に接続するためのアルミニウムなどの微細な配線、27は内部配線22と集積回路チップ24,24を電気的に接続する金などから成るボンディングワイヤである。なお、配線26には明示のための斜線を施してある。
【0019】
集積回路チップ24,24とスペーサ25の厚みは同じとされ、それらの上面は同一平面内に位置付けられている。スペーサ25の両端面は、それぞれ集積回路チップ24,24の端面に当接されている。そして、集積回路チップ24,24、スペーサ25、および配線26は、図示しないパッシベーション膜などによって保護されている。
【0020】
ここで、スペーサ25は集積回路チップ24,24と同等の熱膨張率を有する材料から形成されている。そして、配線26は集積回路製造プロセスやプリント基板製造プロセスと同様なプロセス、つまりリソグラフィ技術によって形成されている。このリソグラフィ技術には、酸化、フォトレジスト塗布、フォトマスク合せ、露光、現像、エッチング、フォトレジスト除去などの工程が含まれている。
【0021】
次にこのマルチチップモジュールの製造方法について説明する。
図2に示すように、先ず基板21の上面の所定位置に集積回路チップ24,24とスペーサ25を蜜に並べ、それらの下面を基板21に接着する。そして、集積回路チップ24,24とスペーサ25の上面に感光性のフォトレジストを塗布し、フォトレジスト膜28を形成する。
【0022】
続いて、配線26のパターンを有する図示しないフォトマスクの位置合せを行い、そのフォトマスクを介して光をフォトレジスト膜28に照射し、フォトレジスト膜28に配線26のパターンを焼き付ける。これにより、フォトレジスト膜28の感光した部分が変質し、特定の溶剤に溶けなくなる。したがって、フォトレジスト膜28を現像すると、図3に示すように、感光していない部分が溶けてなくなり、配線26を形成するための配線用孔29が現れる。
【0023】
次に、配線用孔29に配線26の材料である例えばアルミニウムを蒸着、メッキなどによって充填し、フォトレジスト膜28をエッチングによって除去すると、図4に示すように集積回路チップ24,24を電気的に接続する微細な配線26のみが残る。そして、集積回路チップ24,24、スペーサ25、および配線26を図示しないパッシベーション膜で保護するとともに、内部配線22と集積回路チップ24,24をボンディングワイヤ27で電気的に接続する。
【0024】
以上のように、この実施の形態1によれば、集積回路チップ24,24の間にそれらと同等の熱膨張率を有するスペーサ25が配置されているので、温度が変化しても集積回路チップ24とスペーサ25の間に歪が発生することはない。したがって、集積回路チップ24や配線26が破損することはなく、温度の変化に対して信頼性が向上するなどの効果が得られる。そして、集積回路チップ24,24が基板21に接着された状態の従来のものに対しても、スペーサ25のみを集積回路チップ24,24の間に配置するだけで容易に対応できるという効果が得られる。
【0025】
また、集積回路チップ24,24とスペーサ25の上面が同一平面内に位置付けられ、スペーサ25の両端面がそれぞれ集積回路チップ24,24の端面に当接されているので、フォトレジストが集積回路チップ24,24の間に流れ込むことがない。したがって、フォトレジスト膜28の表面の平坦化が容易となり、配線26の精度が向上するなどの効果も得られる。
【0026】
また、配線26をリソグラフィ技術によって形成したので、従来のワイヤ配線の場合よりも配線26の数が著しく増加し、配線26の負荷容量が低減し、集積回路チップ24,24の間を一般的なIO回路の代りにバッファなどの回路で駆動できる。したがって、バッファ回路は集積回路チップ24の内部素子と同等の回路で構成でき、極めて高度な集積化が可能となる。そして、集積回路チップ24,24間の信号の速度が集積回路チップ24内の信号の速度と同等なレベルまで向上するばかりでなく、IO回路を使用した場合と比較して消費電力が低減する。
【0027】
さらに、集積回路チップ24は個々に製造できるので、1チップ構成の場合よりも歩留まり率が著しく向上し、製造コストが低減する。すなわち、集積回路チップ24がDRAMチップ、ロジック回路チップ、アナログ回路チップなどである場合に、DRAMチップは高価なプロセスを使用することなく製造でき、ロジック回路チップは最先端の微細化されたプロセスを使用して製造でき、アナログ回路チップは安価で高電圧に耐えることができ旧プロセスを使用して製造できるので、歩留まり、性能などに最適な方法で安価に製造できる。
【0028】
実施の形態2.
図5はこの発明の実施の形態2によるマルチチップモジュールの部分断面図であり、実施の形態1の断面方形のスペーサ25の代りに、断面直角三角形の1対のスペーサ(材料)30,30が互いに離されて左右対称に配置されている。そして、スペーサ30,30と基板21の上面に配線31がリソグラフィ技術によって形成され、その他は実施の形態1と同様とされている。
【0029】
スペーサ30,30は実施の形態1のスペーサ25と同様な材料から形成されている。スペーサ30の垂直面は集積回路チップ24の端面に同じ高さで当接され、スペーサ30の斜面は下方に緩やかに傾斜するように形成されている。そして、配線31は一方のスペーサ30の斜面、基板21の上面、および他方のスペーサ30の斜面に渡って形成されている。
【0030】
以上のように、この実施の形態2によれば、スペーサ30が実施の形態1のスペーサ25と同様な材料から形成されているので、温度が変化しても集積回路チップ24とスペーサ30の間に歪が発生することはない。したがって、集積回路チップ24や配線26が破損することはなく、温度の変化に対して信頼性が向上するなどの効果が得られる。また、実施の形態1の場合と同様に、集積回路チップ24,24が基板21に接着された状態の従来のものに対しても、スペーサ30,30のみを集積回路チップ24,24の間に配置するだけで容易に対応できるという効果が得られる。
【0031】
実施の形態3.
図6はこの発明の実施の形態3によるマルチチップモジュールの部分断面図であり、実施の形態2の断面方形のスペーサ30,30の代りに、それらと同様な形状のスペーサ部(材料)24a,24aが、それぞれ集積回路チップ24,24にそれらと同様な材料で予め一体に設けられている。そして、スペーサ部24a,24aと基板21の上面に実施の形態2と同様な配線31がリソグラフィ技術によって形成され、その他は実施の形態2と同様とされている。
【0032】
以上のように、この実施の形態3によれば、スペーサ部24a,24aが集積回路チップ24,24に予め一体に設けられているので、温度が変化しても集積回路チップ24,24に歪が発生することはなく、実施の形態2と同様な効果が得られる。また、実施の形態2におけるスペーサ25を配置するための作業が不要となり、実施の形態2の場合よりも生産性が向上するという効果が得られる。
【0033】
実施の形態4.
図7はこの発明の実施の形態4によるマルチチップモジュールの部分断面図であり、基板21の左右のほぼ中央に内部配線22とバンプ23が設けられているとともに、実施の形態1のスペーサ25の代りに、そのスペーサ25と同様な外形でスルーホール32aを有するスペーサ32が配置されている。スルーホール32aにはプラグ33が形成され、このプラグ33は中央の内部配線22の上端に接続されている。そして、スペーサ32の上面には、実施の形態1と同様な配線26がリソグラフィ技術によって形成され、この配線26はプラグ33に電気的に接続されている。
【0034】
以上のように、この実施の形態4によれば、実施の形態1と同様な効果が得られる上に、スルーホール32aを有するスペーサ32を集積回路チップ24,24の間に配置したので、スルーホール32aに形成したプラグ33と基板21の内部に設けた内部配線22とを介して配線26をバンプ23に接続することが可能となり、通常の集積回路チップ24,24のIOバッファを含めて配線できるという効果が得られる。
【0035】
実施の形態5.
図8はこの発明の実施の形態5によるマルチチップモジュールの部分断面図であり、図において、41は実施の形態1の基板21と同様な基板、42は実施の形態1の内部配線22と同様な内部配線、43は実施の形態1のバンプ23と同様なバンプ、44は基板41の上面に接着などによって固定された実施の形態1の一方の集積回路チップ24と同様な第1の集積回路チップ、45は第1の集積回路チップ44の上面に形成された絶縁層、46は絶縁層45の内部と上面に内部配線42と接続するようにリソグラフィ技術によって形成された配線、47は絶縁層45と配線46の上面に形成された絶縁層である。
【0036】
また、48は絶縁層47の上面に配置された実施の形態1の他方の集積回路チップ24と同様な第2の集積回路チップ、49は第2の集積回路チップ48の上面に形成された絶縁層、50は絶縁層49の内部と上面に下層の配線46と接続するようにリソグラフィ技術によって形成された配線、51は絶縁層49と配線50の上面に形成された絶縁層である。
【0037】
そして、52は絶縁層51の上面に配置された第1の集積回路チップ44と第2の集積回路チップ48とは異なる機能の第3の集積回路チップ、53は第3の集積回路チップ52の上面に形成された絶縁層、54は絶縁層53の内部と上面に下層の配線50と接続するようにリソグラフィ技術によって形成された配線、55は絶縁層53の上面において配線54に接続されたパッド、56は絶縁層53と配線54の上面に形成された絶縁層、57はパッド55に接続されたボンディングワイヤである。
【0038】
次にこのマルチチップモジュールの製造方法について説明する。
図9に示すように、基板41の上面の所定位置に第1の集積回路チップ44を接着する。次に、図10に示すように、第1の集積回路チップ44の上面に絶縁層45を塗布する。そして、図11に示すように、絶縁層45の上に感光性のフォトレジストを塗布し、フォトレジスト膜45aを形成する。
【0039】
続いて、配線46のパターンを有する図示しないフォトマスクの位置合せを行い、そのフォトマスクを介して光をフォトレジスト膜45aに照射し、フォトレジスト膜45aに配線46のパターンを焼き付ける。そして、フォトレジスト膜45aを現像すると、図12に示すように、フォトレジスト膜45aの感光していない部分が溶けてなくなり、配線46を形成するための配線用孔45bが現れる。
【0040】
その後に、配線用孔45bに配線46の材料である例えばアルミニウムを蒸着、メッキなどによって充填する。さらに、フォトレジスト膜45aをエッチングによって除去すると、図13に示すように、第1の集積回路チップ44と内部配線42を電気的に接続する微細な配線46のみが残る。そして、図14に示すように、絶縁層45と配線46を絶縁層47で保護する。
【0041】
第2の集積回路チップ48と第3の集積回路チップ52も、上述と同様なリソグラフィ技術を用いながら実装する。すなわち、絶縁層47の上面に第2の集積回路チップ48を接着し、この第2の集積回路チップ48の上面に絶縁層49を塗布し、この絶縁層49の内部と上面に配線50を形成し、絶縁層49と配線50を絶縁層51で保護する。そして、絶縁層51の上面に第3の集積回路チップ52を接着し、この第3の集積回路チップ52の上面に絶縁層53を塗布し、この絶縁層53の内部と上面に配線54とパッド55を形成し、絶縁層53とパッド55を絶縁層56で保護し、パッド55にボンディングワイヤ57を接続する。
【0042】
以上のように、この実施の形態5によれば、集積回路チップ44、48、52が基板41に垂直な方向に実装されているので、集積回路チップ44、48、52の基板41に対する実装面積が減少し、設計の自由度が向上するという効果が得られる。そして、実施の形態1のスペーサ25の及ぼす効果を除いて実施の形態1と同様な効果が得られる。
【0043】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、集積回路チップと同等の熱膨張率を有する材料が集積回路チップ間に配置され、配線が材料の上に形成されているように構成したので、極めて多数の微細な配線を形成できるという本来の効果が得られる。そのうえに、温度が変化しても集積回路チップと材料の間に歪が発生しないので、集積回路チップや配線が破損することはなく、温度の変化に対して信頼性が向上するという効果が得られる。
【0044】
この発明によれば、材料の上面が同一平面内に位置するように構成したので、リソグラフィ技術におけるフォトレジスト膜の平坦化が容易になり、配線の精度が向上するという効果が得られる。
【0045】
この発明によれば、材料と集積回路チップの間に隙間が存在しないように構成したので、リソグラフィ技術におけるフォトレジストの無駄がなくなるうえに、フォトレジスト膜の平坦化が容易となり、配線の精度が向上するという効果が得られる。
【0046】
この発明によれば、材料が集積回路チップとは別体であるように構成したので、集積回路チップが基板に固定された状態の従来のものにも容易に対応できるという効果が得られる。
【0047】
この発明によれば、材料が集積回路チップの一部であるように構成したので、材料を配置するための作業が不要となり、生産性が向上するという効果が得られる。
【0048】
この発明によれば、材料が断面矩形のスペーサであるように構成したので、集積回路チップ同士を接続する配線を形成するために好適であるという効果が得られる。
【0049】
この発明によれば、材料が断面三角形のスペーサであるように構成したので、集積回路チップと基板を接続する配線を形成するために好適であるという効果が得られる。
【0050】
この発明によれば、基板に内部配線が備えられているとともに、材料にスルーホールが設けられ、配線と内部配線がスルーホールを利用して接続されているように構成したので、通常のIOバッファを含めて配線できるという効果が得られる。
【0051】
この発明によれば、複数の集積回路チップが基板に対して垂直方向に積層されているように構成したので、複数の集積回路チップの基板に対する実装面積が減少し、設計の自由度が向上するという効果が得られる。
【0052】
この発明によれば、集積回路チップと同等の熱膨張率を有する材料が集積回路チップ間に配置される工程と、配線が材料の上に形成される工程とが含まれているように構成したので、極めて多数の微細な配線を形成できるという本来の効果が得られる。そのうえに、温度が変化しても集積回路チップと材料の間に歪が発生しないので、集積回路チップや配線が破損することはなく、温度の変化に対して信頼性が向上するという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1によるマルチチップモジュールを示す部分断面図である。
【図2】この発明の実施の形態1によるマルチチップモジュールの製造工程の説明図である。
【図3】この発明の実施の形態1によるマルチチップモジュールの製造工程の説明図である。
【図4】この発明の実施の形態1によるマルチチップモジュールの製造工程の説明図である。
【図5】この発明の実施の形態2によるマルチチップモジュールを示す部分断面図である。
【図6】この発明の実施の形態3によるマルチチップモジュールを示す部分断面図である。
【図7】この発明の実施の形態4によるマルチチップモジュールを示す部分断面図である。
【図8】この発明の実施の形態5によるマルチチップモジュールを示す部分断面図である。
【図9】この発明の実施の形態5によるマルチチップモジュールの製造工程の説明図である。
【図10】この発明の実施の形態5によるマルチチップモジュールの製造工程の説明図である。
【図11】この発明の実施の形態5によるマルチチップモジュールの製造工程の説明図である。
【図12】この発明の実施の形態5によるマルチチップモジュールの製造工程の説明図である。
【図13】この発明の実施の形態5によるマルチチップモジュールの製造工程の説明図である。
【図14】この発明の実施の形態5によるマルチチップモジュールの製造工程の説明図である。
【図15】従来の技術によるマルチチップモジュールを示す断面図である。
【図16】従来の技術によるマルチチップモジュールを示す断面図である。
【符号の説明】
21 基板、22 内部配線、23 バンプ、24,44,48,52 集積回路チップ、24a スペーサ部(材料)、25,30,32 スペーサ(材料)、26,31,46,50,54 配線、27,57 ボンディングワイヤ、32a スルーホール。
Claims (10)
- 複数の集積回路チップが、それぞれの上面が同一平面内に位置するように基板上に配置され、少なくとも前記複数の集積回路チップ間の配線がリソグラフィ技術によって形成されて成るマルチチップモジュールにおいて、前記集積回路チップと同等の熱膨張率を有する材料が前記集積回路チップ間に配置され、前記配線が前記材料の上に形成されていることを特徴とするマルチチップモジュール。
- 材料の上面が同一平面内に位置することを特徴とする請求項1記載のマルチチップモジュール。
- 材料と集積回路チップの間に隙間が存在しないことを特徴とする請求項1または請求項2記載のマルチチップモジュール。
- 材料が集積回路チップとは別体であることを特徴とする請求項1記載のマルチチップモジュール。
- 材料が集積回路チップの一部であることを特徴とする請求項1記載のマルチチップモジュール。
- 材料が断面矩形のスペーサであることを特徴とする請求項1記載のマルチチップモジュール。
- 材料が断面三角形のスペーサであることを特徴とする請求項1記載のマルチチップモジュール。
- 基板に内部配線が備えられているとともに、材料にスルーホールが設けられ、配線と前記内部配線が前記スルーホールを利用して接続されていることを特徴とする請求項1記載のマルチチップモジュール。
- 複数の集積回路チップが、それぞれの上面が同一平面内に位置するように基板上に配置され、少なくとも前記複数の集積回路チップ間の配線がリソグラフィ技術によって形成されて成るマルチチップモジュールにおいて、前記複数の集積回路チップが前記基板に対して垂直方向に積層されていることを特徴とするマルチチップモジュール。
- 複数の集積回路チップが、それぞれの上面が同一平面内に位置するように基板上に配置され、少なくとも前記集積回路チップ間の配線がリソグラフィ技術によって形成されて成るマルチチップモジュールの製造方法において、前記集積回路チップと同等の熱膨張率を有する材料が前記集積回路チップ間に配置される工程と、前記配線が前記材料の上に形成される工程とが含まれていることを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
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