JP7472366B2 - 半導体装置、及び電子機器 - Google Patents
半導体装置、及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7472366B2 JP7472366B2 JP2023074475A JP2023074475A JP7472366B2 JP 7472366 B2 JP7472366 B2 JP 7472366B2 JP 2023074475 A JP2023074475 A JP 2023074475A JP 2023074475 A JP2023074475 A JP 2023074475A JP 7472366 B2 JP7472366 B2 JP 7472366B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- guard ring
- semiconductor device
- unit
- semiconductor substrate
- present technology
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 816
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 265
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 15
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 229
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 216
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 92
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 90
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 72
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 51
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 35
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 28
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 27
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 18
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 18
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 15
- 101100135609 Arabidopsis thaliana PAP10 gene Proteins 0.000 description 12
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 12
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000002674 endoscopic surgery Methods 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 8
- 210000001519 tissue Anatomy 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 102400000704 Intracellular domain 1 Human genes 0.000 description 6
- 101800001559 Intracellular domain 1 Proteins 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910018565 CuAl Inorganic materials 0.000 description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000001356 surgical procedure Methods 0.000 description 4
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000010336 energy treatment Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 210000004204 blood vessel Anatomy 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- MOFVSTNWEDAEEK-UHFFFAOYSA-M indocyanine green Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CCCCN1C2=CC=C3C=CC=CC3=C2C(C)(C)C1=CC=CC=CC=CC1=[N+](CCCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=C(C=CC=C3)C3=C2C1(C)C MOFVSTNWEDAEEK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229960004657 indocyanine green Drugs 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 101100085225 Homo sapiens PTPRN gene Proteins 0.000 description 1
- 102400000705 Intracellular domain 2 Human genes 0.000 description 1
- 101800001556 Intracellular domain 2 Proteins 0.000 description 1
- 101100271175 Oryza sativa subsp. japonica AT10 gene Proteins 0.000 description 1
- 102100034091 Receptor-type tyrosine-protein phosphatase-like N Human genes 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- -1 and for example Substances 0.000 description 1
- 238000002583 angiography Methods 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002406 microsurgery Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 210000004400 mucous membrane Anatomy 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 210000004761 scalp Anatomy 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/585—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries comprising conductive layers or plates or strips or rods or rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05541—Structure
- H01L2224/05547—Structure comprising a core and a coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05623—Magnesium [Mg] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05647—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05649—Manganese [Mn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0605—Shape
- H01L2224/06051—Bonding areas having different shapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/061—Disposition
- H01L2224/0612—Layout
- H01L2224/0616—Random array, i.e. array with no symmetry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0651—Function
- H01L2224/06515—Bonding areas having different functions
- H01L2224/06517—Bonding areas having different functions including bonding areas providing primarily mechanical bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
- H01L2224/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/081—Disposition
- H01L2224/0812—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/08121—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the connected bonding areas being not aligned with respect to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
- H01L2224/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/081—Disposition
- H01L2224/0812—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/08135—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/08145—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
- H01L2224/09—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0951—Function
- H01L2224/09515—Bonding areas having different functions
- H01L2224/09517—Bonding areas having different functions including bonding areas providing primarily mechanical support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/8034—Bonding interfaces of the bonding area
- H01L2224/80357—Bonding interfaces of the bonding area being flush with the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/808—Bonding techniques
- H01L2224/80894—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces
- H01L2224/80895—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces between electrically conductive surfaces, e.g. copper-copper direct bonding, surface activated bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/808—Bonding techniques
- H01L2224/80894—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces
- H01L2224/80896—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces between electrically insulating surfaces, e.g. oxide or nitride layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
- H01L24/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
第2の半導体基板と、
第1のガードリングと、第2のガードリングと、第3のガードリングとを有する少なくとも1つのガードリングユニットと、を備え、
前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とが、前記第1の半導体基板の第1の接合面と前記第2の半導体基板の第2の接合面とによって接合され、
前記第1のガードリングが、前記第1の半導体基板に形成され、
前記第2のガードリングが、前記第2の半導体基板に形成され、
前記第3のガードリングが、前記第1の接合面と前記第2の接合面とに形成される、半導体装置を提供する。
当該半導体装置が、
第1の半導体基板と、
第2の半導体基板と、
第1のガードリングと、第2のガードリングと、第3のガードリングとを有する少なくとも1つのガードリングユニットと、を備え、
前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とが、前記第1の半導体基板の第1の接合面と前記第2の半導体基板の第2の接合面とによって接合され、
前記第1のガードリングが、前記第1の半導体基板に形成され、
前記第2のガードリングが、前記第2の半導体基板に形成され、
前記第3のガードリングが、前記第1の接合面と前記第2の接合面とに形成される、電子機器を提供する。
1.本技術の概要
2.第1の実施形態(半導体装置の例1)
3.第2の実施形態(半導体装置の製造方法の例1)
4.第3の実施形態(半導体装置の例2)
5.第4の実施形態(半導体装置の例3)
6.第5の実施形態(半導体装置の例4)
7.第6の実施形態(半導体装置の例5)
8.第7の実施形態(半導体装置の製造方法の例2)
9.第8の実施形態(半導体装置の例6)
10.第9の実施形態(半導体装置の例7)
11.第10の実施形態(半導体装置の例8)
12.電子装置に関する第11の実施形態
13.本技術を適用した半導体装置の使用例
14.内視鏡手術システムへの応用例
15.移動体への応用例
本技術は、2つの半導体基板が積層された半導体装置において、半導体装置のダイシングや半導体装置の検査に関する。本技術によれば、半導体装置の品質の向上を図ることができる。
み出し動作において、1回目の読み出し動作時にダウンカウントを行うことにより1回目の読み出し時の比較時間を計測し、2回目の読み出し動作時にアップカウントを行うことにより2回目の読み出し時の比較時間を計測する。
ダウンカウンタq32のカウント結果を、転送スイッチq33を介して選択的にメモリ装置q34に転送することができるため、アップ/ダウンカウンタq32のカウント動作と、当該アップ/ダウンカウンタq32のカウント結果の水平出力線q17への読み出し動作とを独立して制御することが可能である。
[第1の実施形態の半導体装置の構成]
本技術に係る第1の実施形態の半導体装置は、第1の半導体基板と、第2の半導体基板と、第1のガードリングと、第2のガードリングと、第3のガードリングとを有する少なくとも1つのガードリングユニットと、を備え、第1の半導体基板と第2の半導体基板とが、第1の半導体基板の第1の接合面と第2の半導体基板の第2の接合面とによって接合され、第1のガードリングが、第1の半導体基板に形成され、第2のガードリングが、第2の半導体基板に形成され、第3のガードリングが、第1の接合面と第2の接合面とに形成される、半導体装置である。
以上説明したように、本技術に係る第1の実施形態の半導体装置1は、第1のガードリング11と、第2のガードリング21と、第3のガードリング31とを有する少なくとも1つのガードリングユニット30と、を備えている。第1の半導体基板10と第2の半導体基板20とが、第1の半導体基板10の第1の接合面FSと第2の半導体基板20の第2の接合面SSとによって接合され、第3のガードリング31が、第1の接合面FSと第2の接合面SSとに形成されている。
本技術に係る第2の実施形態の半導体装置の製造方法は、第1の半導体基板と第2の半導体基板とが対向するように接合させることと、第1の半導体基板の第1の接合面と第2の半導体基板の第2の接合面とに第3のガードリングを形成することと、第1のガードリング11と、第2のガードリング21と、第3のガードリング31とにより、ガードリングユニット30を形成することと、を含む、半導体装置の製造方法である。
本技術に係る第3の実施形態の半導体装置は、第1の実施形態の半導体装置において、ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの内側に設けられ、第3のガードリングが、非連続的に形成される、半導体装置である。この場合、第3のガードリングは、例えば、スクライブラインに沿って、スクライブラインの方向に所定の間隔で形成されるようにすることができる。
本技術に係る第4の実施形態の半導体装置は、第1の実施形態の半導体装置において、少なくとも1つのCuダミー(第1のCuダミー)を更に備え、Cuダミーが、ガードリングユニットの外周に形成され、第1の接合面と第2の接合面とに形成される、半導体装置である。
本技術に係る第5の実施形態の半導体装置は、第1の実施形態の半導体装置において、スリットを更に備え、スリットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインとその内側に形成されるガードリングユニットとの間に設けられ、ダイシングする方向に沿って第1の接合面と第2の接合面とを貫通する、半導体装置である。
本技術に係る第6の実施形態の半導体装置は、第1の実施形態の半導体装置において、スリットと、少なくとも1つのCuダミー(第1のCuダミー)と、を更に備え、Cuダミー(第1のCuダミー)が、ガードリングユニットの外周に沿って形成され、第1の接合面と第2の接合面とに形成されるとともに、スリットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインとその内側に形成されるガードリングユニットとの間に設けられ、ダイシングする方向に沿って第1の接合面と第2の接合面とを貫通する、半導体装置である。
本技術に係る第7の実施形態の半導体装置の製造方法は、第1の半導体基板と第2の半導体基板とが対向するように接合させることと、第1の半導体基板の第1の接合面と第2の半導体基板の第2の接合面とに、第3のガードリングを形成することと、第1の半導体基板と第2の半導体基板とを接合してから第1のガードリングを形成すること、を含む、半導体装置の製造方法である。
本技術に係る第8の実施形態の半導体装置は、第1の実施形態の半導体装置において、ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの内側に設けられ、第1のガードリングが、非連続的に形成される、半導体装置である。この場合、第1のガードリングは、例えば、スクライブラインに沿って、所定の間隔で形成されるようにすることができる。
本技術に係る第9の実施形態の半導体装置は、第1の実施形態の半導体装置であって、左右に互い隣り合う少なくとも2つのガードリングユニットを備え、少なくとも2つのガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの方向に沿ってその内側に並列し、隣り合うガードリングユニットの第3のガードリングが、スクライブラインに沿って非連続的に形成され、左右の隣り合う第3のガードリング同士が、非対称である、半導体装置である。
本技術に係る第10の実施形態の半導体装置は、第9の実施形態の半導体装置において、ガードリングユニットとスクライブラインとの間に、第4のガードリングと第5のガードリングと、を更に備え、第4のガードリングが、第1の接合面と第2の接合面とに形成され、第5のガードリングが、第2の半導体基板に形成され、第1のガードリングと、第4のガードリングと、第5のガードリングとが、この順で階段状に形成され、第5のガードリングが、第1のガードリングよりもスクライブラインの近い位置に形成される、半導体装置である。
本技術に係る第11の実施形態の電子機器は、半導体装置が搭載されて、当該半導体装置が、第1の半導体基板と、第2の半導体基板と、第1のガードリングと、第2のガードリングと、第3のガードリングとを有する少なくとも1つのガードリングユニットと、を備え、第1の半導体基板と第2の半導体基板とが、第1の半導体基板の第1の接合面と第2の半導体基板の第2の接合面とによって接合され、第1のガードリングが、第1の半導体基板に形成され、第2のガードリングが、第2の半導体基板に形成され、第3のガードリングが、第1の接合面と第2の接合面とに形成される、電子機器である。また、本技術に係る第11の実施形態の電子機器は、本技術に係る第1乃至第10の実施形態の半導体装置が搭載された電子機器でもよい。
図56は、イメージセンサとしての本技術に係る第1から第10の実施形態の半導体装置の使用例を示す図である。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
(1)第1の半導体基板と、
第2の半導体基板と、
第1のガードリングと、第2のガードリングと、第3のガードリングとを有する少なくとも1つのガードリングユニットと、を備え、
前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とが、前記第1の半導体基板の第1の接合面と前記第2の半導体基板の第2の接合面とによって接合され、
前記第1のガードリングが、前記第1の半導体基板に形成され、
前記第2のガードリングが、前記第2の半導体基板に形成され、
前記第3のガードリングが、前記第1の接合面と前記第2の接合面とに形成される、半導体装置。
(2)前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの内側に設けられ、
前記第3のガードリングが、連続的に形成される、前記(1)に記載の半導体装置。
(3)少なくとも2つの前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部に形成される、少なくとも1つの電源パッドの開口部を囲うように設けられる、前記(1)又は(2)に記載の半導体装置。
(4)少なくとも3つの前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成される、前記(1)乃至(3)のいずれか1つに記載の半導体装置。(5)前記ガードリングユニットが、メタルで形成されている、前記(1)乃至(4)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(6)前記ガードリングユニットが、配線層を覆っている、前記(1)乃至(5)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(7)前記第1のガードリングが、溝部を有し、
前記溝部が、溝状に形成され、
前記溝部の内側にバリアメタル材料が施されている、前記(1)乃至(6)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(8)少なくとも1つのCuダミーを更に備え、
前記Cuダミーが、前記ガードリングユニットの外周に形成され、前記第1の接合面と前記第2の接合面とに形成される、前記(1)乃至(7)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(9)スリットを更に備え、
前記スリットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインとその内側に形成される前記ガードリングユニットとの間に設けられ、ダイシングする方向に沿って前記第1の接合面と前記第2の接合面とを貫通する、前記(1)乃至(8)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(10)スリットと、
少なくとも1つのCuダミーと、を更に備え、
前記Cuダミーが、前記ガードリングユニットの外周に沿って形成され、前記第1の接合面と前記第2の接合面とに形成されるとともに、
前記スリットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインとその内側に形成される前記ガードリングユニットとの間に設けられ、ダイシングする方向に沿って前記第1の接合面と前記第2の接合面とを貫通する、前記(1)乃至(7)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(11)前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの内側に沿って設けられ、
前記第3のガードリングが、非連続的に形成される、前記(1)乃至(10)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(12)前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの内側に設けられ、
前記第1のガードリングが、非連続的に形成される、前記(1)乃至(11)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(13)左右に互い隣り合う少なくとも2つの前記ガードリングユニットを備え、
前記少なくとも2つの前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの方向に沿ってその内側に並列し、
前記隣り合うガードリングユニットの前記第3のガードリングが、前記スクライブラインに沿って非連続的に形成され、
左右の隣り合う前記第3のガードリング同士が、非対称である、前記(1)乃至(12)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(14)前記ガードリングユニットと前記スクライブラインとの間に、第4のガードリングと第5のガードリングと、を更に備え、
前記第4のガードリングが、前記第1の接合面と前記第2の接合面とに形成され、
前記第5のガードリングが、前記第2の半導体基板に形成され、
前記第1のガードリングと、前記第4のガードリングと、前記第5のガードリングとが、この順で階段状に形成され、
前記第5のガードリングが、前記第1のガードリングよりも前記スクライブラインの近い位置に形成される、前記(1)乃至(13)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(15)前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板に、
前記スクライブラインの内側に形成された第1の領域と、
前記スクライブラインの内側に形成されるとともに前記第1の領域の外側に形成された第2の領域とが、設けられ、
前記第1の領域又は前記第2の領域の少なくともいずれか一方に、前記隣り合うガードリングユニットが形成される、前記(1)乃至(14)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(16)半導体装置が搭載されて、
当該半導体装置が、
第1の半導体基板と、
第2の半導体基板と、
第1のガードリングと、第2のガードリングと、第3のガードリングとを有する少なくとも1つのガードリングユニットと、を備え、
前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とが、前記第1の半導体基板の第1の接合面と前記第2の半導体基板の第2の接合面とによって接合され、
前記第1のガードリングが、前記第1の半導体基板に形成され、
前記第2のガードリングが、前記第2の半導体基板に形成され、
前記第3のガードリングが、前記第1の接合面と前記第2の接合面とに形成される、電子機器。
10 第1の半導体基板
11 第1のガードリング
20 第2の半導体基板
21 第2のガードリング
30 ガードリングユニット
31 第3のガードリング
40、41、41a 電源パッド
70、71 層間絶縁膜
AT1、AT2、AT3、AT4、AT5 開口部
CS クラックストッパー領域
DT1、DT2、DT3 溝部
DP1、DP2、DP3 Cuダミー
GR ガードリング領域
FS 第1の接合面
SS 第2の接合面
SR シールリング領域
ST スリット
SL、SL1、SL2 スクライブライン
Claims (16)
- 第1の半導体基板と、
第2の半導体基板と、
第1の配線部と、第2の配線部と、第3の配線部とを有する領域と、を備え、
前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とが、前記第1の半導体基板の第1の面と前記第2の半導体基板の第2の面とによって接合され、
前記第1の配線部が、前記第1の半導体基板に形成され、
前記第2の配線部が、前記第2の半導体基板に形成され、
前記第3の配線部が、
前記第1の面側に形成された第1の部分と、
前記第2の面側に形成され前記第1の部分と接合された第2の部分と、
を有し、
スリットを更に備え、
前記スリットが、少なくとも、半導体装置の側面と前記領域との間で前記第1及び第2の半導体基板の接合界面を貫通し、
前記第1の配線部は、第1のガードリングであり、
前記第2の配線部は、第2のガードリングであり、
前記第3の配線部は、第3のガードリングである、半導体装置。 - 前記側面が、スクライブラインと一致する、請求項1に記載の半導体装置。
- 少なくとも1つの配線部を更に備え、
前記配線部は、
前記第1の面側に形成された第1の部分と、
前記第2の面側に形成され該第1の部分と接合された第2の部分と、
を有する、請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記配線部は、ダミー配線部である、請求項3に記載の半導体装置。
- 前記配線部は、Cuからなる、請求項3又は4に記載の半導体装置。
- 前記領域は、前記第1~第3のガードリングを含むガードリングユニットを少なくとも1つ有する、請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの内側に設けられ、
前記第3のガードリングが、連続的に形成される、請求項6に記載の半導体装置。 - 少なくとも2つの前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部に形成される、少なくとも1つの電源パッドの開口部を囲うように設けられる、請求項6に記載の半導体装置。
- 少なくとも3つの前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成される、請求項6に記載の半導体装置。
- 前記ガードリングユニットが、メタルで形成されている、請求項6に記載の半導体装置。
- 前記ガードリングユニットが、配線層を覆っている、請求項6に記載の半導体装置。
- 前記第1のガードリングが、溝部を有し、
前記溝部が、溝状に形成され、
前記溝部の内側にバリアメタル材料が施されている、請求項6に記載の半導体装置。 - 少なくとも1つのCuダミーを更に備え、
前記Cuダミーが、前記ガードリングユニットの外周に形成され、前記第1の面と前記第2の面とに形成される、請求項6に記載の半導体装置。 - 前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの内側に沿って設けられ、
前記第3のガードリングが、非連続的に形成される、請求項6に記載の半導体装置。 - 前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの内側に設けられ、
前記第1のガードリングが、非連続的に形成される、請求項6に記載の半導体装置。 - 請求項1~15のいずれか1項に記載の半導体装置が搭載されている、電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023074475A JP7472366B2 (ja) | 2018-12-04 | 2023-04-28 | 半導体装置、及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018227498A JP7273488B2 (ja) | 2018-12-04 | 2018-12-04 | 半導体装置、及び電子機器 |
JP2023074475A JP7472366B2 (ja) | 2018-12-04 | 2023-04-28 | 半導体装置、及び電子機器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018227498A Division JP7273488B2 (ja) | 2018-12-04 | 2018-12-04 | 半導体装置、及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023100787A JP2023100787A (ja) | 2023-07-19 |
JP7472366B2 true JP7472366B2 (ja) | 2024-04-22 |
Family
ID=69056093
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018227498A Active JP7273488B2 (ja) | 2018-12-04 | 2018-12-04 | 半導体装置、及び電子機器 |
JP2023074475A Active JP7472366B2 (ja) | 2018-12-04 | 2023-04-28 | 半導体装置、及び電子機器 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018227498A Active JP7273488B2 (ja) | 2018-12-04 | 2018-12-04 | 半導体装置、及び電子機器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11869853B2 (ja) |
JP (2) | JP7273488B2 (ja) |
CN (1) | CN112655084A (ja) |
TW (1) | TW202029849A (ja) |
WO (1) | WO2020116449A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112368821A (zh) * | 2018-06-29 | 2021-02-12 | 索尼半导体解决方案公司 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 |
JP7273488B2 (ja) | 2018-12-04 | 2023-05-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置、及び電子機器 |
JP7417393B2 (ja) * | 2019-09-27 | 2024-01-18 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体ウエハ |
KR20220022504A (ko) * | 2020-08-18 | 2022-02-28 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
KR20220029987A (ko) * | 2020-09-02 | 2022-03-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 3차원 구조의 반도체 장치 |
WO2024042996A1 (ja) * | 2022-08-26 | 2024-02-29 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 積層基板及び半導体装置 |
WO2024185480A1 (ja) * | 2023-03-08 | 2024-09-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006332344A (ja) | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2009021528A (ja) | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2010161367A (ja) | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | ダイ、スタック構造、及びシステム |
US20110068435A1 (en) | 2009-09-18 | 2011-03-24 | Russell Hudson | Semiconductor Chip with Crack Deflection Structure |
JP2012033894A (ja) | 2010-06-30 | 2012-02-16 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP2015029047A (ja) | 2013-07-05 | 2015-02-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
WO2016185883A1 (ja) | 2015-05-18 | 2016-11-24 | ソニー株式会社 | 半導体装置および撮像装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7445966B2 (en) | 2005-06-24 | 2008-11-04 | International Business Machines Corporation | Method and structure for charge dissipation during fabrication of integrated circuits and isolation thereof |
JP5156324B2 (ja) | 2007-10-10 | 2013-03-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5235378B2 (ja) | 2007-10-24 | 2013-07-10 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
JP5532867B2 (ja) | 2009-11-30 | 2014-06-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに固体撮像素子の製造方法及び半導体装置 |
JP2012178496A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-13 | Sony Corp | 固体撮像装置、電子機器、半導体装置、固体撮像装置の製造方法 |
JP5919653B2 (ja) | 2011-06-09 | 2016-05-18 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
JP2015032663A (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-16 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
US9972603B2 (en) * | 2015-12-29 | 2018-05-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Seal-ring structure for stacking integrated circuits |
JP6444914B2 (ja) | 2016-03-02 | 2018-12-26 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置 |
JP2019153675A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US10629592B2 (en) * | 2018-05-25 | 2020-04-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Through silicon via design for stacking integrated circuits |
JP7273488B2 (ja) | 2018-12-04 | 2023-05-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置、及び電子機器 |
-
2018
- 2018-12-04 JP JP2018227498A patent/JP7273488B2/ja active Active
-
2019
- 2019-12-03 CN CN201980055411.1A patent/CN112655084A/zh active Pending
- 2019-12-03 US US17/297,247 patent/US11869853B2/en active Active
- 2019-12-03 WO PCT/JP2019/047234 patent/WO2020116449A1/en active Application Filing
- 2019-12-04 TW TW108144282A patent/TW202029849A/zh unknown
-
2023
- 2023-04-28 JP JP2023074475A patent/JP7472366B2/ja active Active
- 2023-09-15 US US18/368,882 patent/US20240006349A1/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006332344A (ja) | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2009021528A (ja) | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2010161367A (ja) | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | ダイ、スタック構造、及びシステム |
US20110068435A1 (en) | 2009-09-18 | 2011-03-24 | Russell Hudson | Semiconductor Chip with Crack Deflection Structure |
JP2012033894A (ja) | 2010-06-30 | 2012-02-16 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP2015029047A (ja) | 2013-07-05 | 2015-02-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
WO2016185883A1 (ja) | 2015-05-18 | 2016-11-24 | ソニー株式会社 | 半導体装置および撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023100787A (ja) | 2023-07-19 |
US20220028804A1 (en) | 2022-01-27 |
WO2020116449A1 (en) | 2020-06-11 |
JP2020092146A (ja) | 2020-06-11 |
JP7273488B2 (ja) | 2023-05-15 |
US20240006349A1 (en) | 2024-01-04 |
TW202029849A (zh) | 2020-08-01 |
US11869853B2 (en) | 2024-01-09 |
CN112655084A (zh) | 2021-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7472366B2 (ja) | 半導体装置、及び電子機器 | |
KR102625900B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 및 전자 기기 | |
US11616090B2 (en) | Solid-state imaging element and imaging device | |
US11069637B2 (en) | Semiconductor device, manufacturing method, and electronic device | |
US11804502B2 (en) | Solid-state imaging element and imaging device | |
JP7544602B2 (ja) | 撮像素子 | |
US11784147B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device | |
US11329092B2 (en) | Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic equipment | |
US20220231057A1 (en) | Imaging device | |
US20230261016A1 (en) | Solid-state imaging device and manufacturing method therefor | |
US20200235141A1 (en) | Imaging element, method of manufacturing imaging element, and electronic apparatus | |
JP7372258B2 (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
US20230238407A1 (en) | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic device | |
US20230117904A1 (en) | Sensor package, method of manufacturing the same, and imaging device | |
JP7520499B2 (ja) | 半導体素子および電子機器 | |
WO2024024573A1 (ja) | 撮像装置及び電子機器 | |
WO2022201815A1 (ja) | 半導体チップおよびその製造方法、半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
US20240213290A1 (en) | Semiconductor chip, method for manufacturing the same, and electronic device | |
WO2024071309A1 (ja) | 撮像素子、電子機器 | |
WO2024157747A1 (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240115 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240312 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240410 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7472366 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |