WO2024071309A1 - 撮像素子、電子機器 - Google Patents

Abstract

本技術は、製造時に行う検査に掛かる手間や時間を低減させることができるようにする撮像素子、電子機器に関する。 光電変換素子を含む画素が２次元的に配列された画素アレイ部と、画素アレイ部が設けられている第１の面側に開口部を有するパッドと、パッドの底部に露出された状態で設けられている電極と、第１の面と逆側の第２の面に開口部を有する貫通電極と、第２の面に積層された再配線層とを備え、貫通電極内は空洞である。本技術は、例えば、WLCSP（Wafer-Level Chip Size Package）の撮像素子に適用できる。

Description

撮像素子、電子機器

　本技術は、撮像素子、電子機器に関し、例えば、小型化ができる撮像素子、電子機器に関する。

　従来、受光面の受光領域及び周辺回路領域の全体に透明接着剤を塗布して透明部材を載置固定した撮像素子が提案されている（特許文献１乃至３参照）。

特開２００４－２０７４６１号公報 特開２００８－２７０６５０号公報 特開２０１２－１７５４６１号公報

　撮像素子には更なる低背化（小型化）の要請があり、上述した従来の撮像素子は、各部を薄くするための工夫の余地があった。また例えば、製造時に撮像素子の特性を検査する場合に、その検査にかかる手間や時間を軽減することが望まれている。

　本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、撮像素子をさらに小型化でき、または／および検査に掛かる手間や時間が軽減できるようにするものである。

　本技術の一側面の第１の撮像素子は、光電変換素子を含む画素が２次元的に配列された画素アレイ部と、前記画素アレイ部が設けられている第１の面側に開口部を有するパッドと、前記パッドの底部に露出された状態で設けられている電極と、前記第１の面と逆側の第２の面に開口部を有する貫通電極と、前記第２の面に積層された再配線層とを備え、前記貫通電極内は空洞である撮像素子である。

　本技術の一側面の第２の撮像素子は、光電変換素子を含む画素が２次元的に配列された画素アレイ部と、前記画素アレイ部からの信号を処理する回路と接続され、撮像素子の側面において露出している配線と、前記配線の一部に設けられたヒューズとを備える撮像素子である。

　本技術の一側面の電子機器は、光電変換素子を含む画素が２次元的に配列された画素アレイ部と、前記画素アレイ部が設けられている第１の面側に開口部を有するパッドと、前記パッドの底部に露出された状態で設けられている電極と、前記第１の面と逆側の第２の面に開口部を有する貫通電極と、前記第２の面に積層された再配線層とを備え、前記貫通電極内は空洞である撮像素子と、前記撮像素子からの信号を処理知る処理部とを備える電子機器である。

　本技術の一側面の第１の撮像素子においては、光電変換素子を含む画素が２次元的に配列された画素アレイ部と、前記画素アレイ部が設けられている第１の面側に開口部を有するパッドと、前記パッドの底部に露出された状態で設けられている電極と、前記第１の面と逆側の第２の面に開口部を有する貫通電極と、前記第２の面に積層された再配線層とが備えられ、前記貫通電極内は空洞である。

　本技術の一側面の第２の撮像素子においては、光電変換素子を含む画素が２次元的に配列された画素アレイ部と、前記画素アレイ部からの信号を処理する回路と接続され、撮像素子の側面において露出している配線と、前記配線の一部に設けられたヒューズとが備えられる。

　本技術の一側面の電子機器においては、前記第１の撮像素子が備えられる。

　なお、電子機器は、独立した装置であっても良いし、１つの装置を構成している内部ブロックであっても良い。

本技術を適用した撮像素子の一実施の形態における構成を示す図である。 画素の回路構成例を示す図である。 パッドの配置について説明するための図である。 第１の実施の形態における撮像素子の構成例を示す図である。 第２の実施の形態における撮像素子の構成例を示す図である。 パッドと貫通電極との位置関係について説明するための図である。 パッドと貫通電極との位置関係について説明するための図である。 撮像素子の製造について説明するための図である。 第３の実施の形態における撮像素子の構成例を示す図である。 第３の実施の形態における撮像素子の構成例を示す図である。 第４の実施の形態における撮像素子の構成例を示す図である。 パッドと貫通電極７６間の距離について説明するための図である。 第４の実施の形態における撮像素子の構成例を示す図である。 第５の実施の形態における撮像素子の構成例を示す図である。 第６の実施の形態における撮像素子の構成例を示す図である。 電極における反射光について説明するための図である。 第７の実施の形態におけるパッドの構成例を示す図である。 第８の実施の形態におけるパッドの構成例を示す図である。 第８の実施の形態における撮像素子の構成例を示す図である。 第９の実施の形態における撮像素子の構成例を示す図である。 第１０の実施の形態における撮像素子の構成例を示す図である。 第１１の実施の形態における撮像素子の平面構成例を示す図である。 第１１の実施の形態における撮像素子の断面構成例を示す図である。 第１１の実施の形態における撮像素子の他の構成例を示す図である。 撮像素子に対する検査時の針の位置について説明するための図である。 第１１の実施の形態における撮像素子の他の平面構成例を示す図である。 第１１の実施の形態における撮像素子の他の断面構成例を示す図である。 撮像素子の製造について説明するための図である。 撮像素子の製造について説明するための図である。 第１１の実施の形態における引き出し配線の構成例を示す図である。 第１１の実施の形態における引き出し配線の構成例を示す図である。 第１１の実施の形態における撮像素子の他の平面構成例を示す図である。 第１１の実施の形態における撮像素子の他の断面構成例を示す図である。 第１２の実施の形態における撮像素子の構成例を示す図である。 ダイシングラインの位置について説明するための図である。 ダイシングラインの位置について説明するための図である。 第１２の実施の形態における撮像素子の他の断面構成例を示す図である。 第１２の実施の形態における撮像素子の他の平面構成例を示す図である。 電子機器の構成例を示す図である。 内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。 カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。

　以下に、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態という）について説明する。

　＜撮像素子の概略構成例＞
　図１は、本技術の実施の形態に適用されるCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）撮像素子の一例の概略構成例を示している。

　図１に示されるように、撮像素子（素子チップ）１は、半導体基板１１（例えばシリコン基板）に複数の光電変換素子を含む画素２が規則的に２次元的に配列された画素アレイ部３（画素領域、いわゆる撮像領域）と、周辺回路領域とを有して構成される。

　画素２は、光電変換素子（例えば、PD(Photo Diode)）と、複数の画素トランジスタ（いわゆるMOSトランジスタ）を有してなる。複数の画素トランジスタは、例えば、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、および増幅トランジスタの３つのトランジスタで構成することができ、さらに選択トランジスタを追加して４つのトランジスタで構成することもできる。

　また、画素２は、画素共有構造とすることもできる。画素共有構造は、複数のフォトダイオード、複数の転送トランジスタ、共有される１つのフローティングディフュージョン、および、共有される１つずつの他の画素トランジスタから構成される。フォトダイオードは、光電変換素子である。

　周辺回路領域は、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、水平駆動回路６、出力回路７、および制御回路８から構成される。

　制御回路８は、入力クロックや、動作モード等を指令するデータを受け取り、また、撮像素子１の内部情報等のデータを出力する。具体的には、制御回路８は、垂直同期信号、水平同期信号、およびマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、および水平駆動回路６の動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。制御回路８は、これらの信号を垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、および水平駆動回路６に入力する。

　垂直駆動回路４は、例えばシフトレジスタによって構成され、画素駆動配線を選択し、選択された画素駆動配線に画素２を駆動するためのパルスを供給し、行単位で画素２を駆動する。具体的には、垂直駆動回路４は、画素アレイ部３の各画素２を行単位で順次垂直方向に選択走査し、垂直信号線９を通して各画素２の光電変換素子において受光量に応じて生成した信号電荷に基づいた画素信号をカラム信号処理回路５に供給する。

　カラム信号処理回路５は、画素２の例えば列毎に配置されており、１行分の画素２から出力される信号を画素列毎にノイズ除去等の信号処理を行う。具体的には、カラム信号処理回路５は、画素２固有の固定パターンノイズを除去するためのCDS（Correlated Double Sampling）や、信号増幅、A/D（Analog/Digital）変換等の信号処理を行う。カラム信号処理回路５の出力段には、水平選択スイッチ（図示せず）が水平信号線１０との間に接続されて設けられる。

　水平駆動回路６は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路５の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路５の各々から画素信号を水平信号線１０に出力させる。

　出力回路７は、カラム信号処理回路５の各々から水平信号線１０を通して順次に供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。出力回路７は、例えば、バッファリングだけを行う場合もあるし、黒レベル調整、列ばらつき補正、各種デジタル信号処理等を行う場合もある。

　入出力端子１２は、外部と信号のやりとりをするために設けられる。

　＜画素の回路構成＞
　図３は、画素２の回路構成を説明する図である。同図には、一般的な４トランジスタ方式の構成の画素の等価回路を示してある。同図に示す画素は、フォトダイオード２１と、４つのトランジスタ（転送トランジスタ２２、リセットトランジスタ２４、増幅トランジスタ２５、選択トランジスタ２６）とを備えている。

　フォトダイオード２１は、受光した光量に応じた電流を光電変換によって発生させる。フォトダイオード２１のアノードはグランドに接続され、そのカソードは転送トランジスタ２２のドレインに接続される。画素２には、垂直駆動回路４のリセット信号生成回路や各種ドライバから、各種の制御信号が入力される。

　転送トランジスタ２２のゲートには、転送ゲート信号を伝送するための信号線が接続される。転送トランジスタ２２のソースは、リセットトランジスタ２４のソースと、増幅トランジスタ２５のゲートとの接続点に対して接続される。この接続点は信号電荷を蓄積する容量であるフローティングディフュージョン２３を構成する。

　転送トランジスタ２２は、ゲートに信号線を通じて転送信号が入力されるとオンし、フォトダイオード２１の光電変換によって蓄積された信号電荷（ここでは、光電子）をフローティングディフュージョン２３に転送する。

　リセットトランジスタ２４のゲートには、リセット信号を伝送するための信号線が接続され、ドレインに定電圧源ＶＤＤが接続される。リセットトランジスタ２４は、信号線を通じてゲートにリセット信号が入力されるとオンし、フローティングディフュージョン２３を定電圧源ＶＤＤの電圧にリセットする。一方、信号線を通じてゲートにリセット信号が入力されていない場合は、リセットトランジスタ２４はオフし、フローティングディフュージョン２３と定電圧源ＶＤＤとの間に所定のポテンシャル障壁を形成する。

　増幅トランジスタ２５は、ゲートをフローティングディフュージョン２３に接続され、ドレインを定電圧源ＶＤＤに接続され、ソースを選択トランジスタ２６のドレインに接続されたソースフォロワを構成している。

　選択トランジスタ２６は、ゲートに選択信号の信号線が接続され、ソースが垂直信号線９に接続される。選択トランジスタ２６は、信号線を通じてゲートに制御信号（アドレス信号またはセレクト信号）を入力されるとオンし、信号線を通じてゲートにこの制御信号を入力されていない場合はオフする。

　選択トランジスタ２６がオンすると、増幅トランジスタ２５は、フローティングディフュージョン２３の電圧を増幅して垂直信号線９に出力する。垂直信号線９を通じて各画素から出力された電圧は、カラム信号処理回路５に入力される。

　なお、画素の回路構成は、図２に示した構成のみならず、３トランジスタ方式の構成や、他の４トランジスタ方式の構成等、公知の種々の構成を採用可能である。例えば、他の４トランジスタ方式の構成としては、増幅トランジスタ２５と定電圧源ＶＤＤとの間に選択トランジスタ２６を配置した構成が挙げられる。

　＜画素の平面構成例＞
　図３は、撮像素子１の平面構成例を示す図である。図３には、撮像素子１の光入射面側から見たときの平面構成例を示す。画素２の中央領域には、画素アレイ部３が設けられている。画素アレイ部３の外周領域には、パッド５１－１乃至５１－８が設けられている。

　画素アレイ部３の図中左側には、パッド５１－１乃至５１－４が設けられ、図中右側には、パッド５１－５乃至５１－８が設けられている。以下の説明において、パッド５１－１乃至５１－８を個々に区別する必要がない場合、単にパッド５１と記載する。他の部分についても同様の記載を行う。

　パッド５１は、例えば製造時に撮像素子１を検査するときに、検査用の針が落とされる部分である。ここでは、検査用の針が落とされる部分であるとして説明を続けるが、例えば外部の回路と接続される端子として用いられたり、他の用途で用いられたりする構成とすることもできる。

　＜画素の断面構成例＞
　図４は、第１の実施の形態における撮像素子１ａの断面構成例を示す図である。撮像素子１ａは、被写体から入射する光を受光して光電変換し、光量に応じた電気信号を出力する。撮像素子１ａは、ウェハ（シリコンウェハ）を切り出す前に端子の形成や配線などを行ってからウェハのダイシングを行う方法によって形成されたWLCSP（Wafer-Level Chip Size Package）とすることができる。

　撮像素子１ａは、半導体基板８０の表面側（光入射面と逆側の面側、図中下側）と裏面側（光入射面側、図中上側）にそれぞれ１又は複数の層が形成されている。これらの層は、化学気相成長法、物理気相成長法、スピンコート法等の塗布法、リソグラフィ技術、支持基板や別途製造された周辺回路基板等の貼着、等により形成される。半導体基板８０の受光面である裏面側には、カラーフィルタ８２とオンチップレンズ８３が積層されている。

　半導体基板８０には、パッド５１が開口されている。パッド５１は、半導体基板８０を略貫通する程度の深さまで形成され、その底部には電極５２が形成されている。電極５２は、露出した状態で形成されている。パッド５１は、上記したように、検査時に針が落とされる、換言すれば、検査装置と接続される部分であり、検査時の針が、電極５２と接続されるように構成されている。

　半導体基板８０の表面側には、配線層８１が積層されている。配線層８１の更に表側であり支持基板７１の表側には再配線層７０が設けられている。なお、半導体基板８０の各面に積層される各層の間に他の層を積層して介在させてもよい。半導体基板８０には、例えばシリコンウェハ等の半導体基板が用いられる。

　撮像素子１ａの種類は特に限定されず、表面照射型でも裏面照射型でもよい。撮像素子１ａは、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）又は他の方式のいずれでもよい。表面照射型の撮像素子の場合、配線層８１は半導体基板８０とカラーフィルタ８２の間に形成されることになる。なお、以下では、WLCSPの撮像素子１ａとして裏面照射型のＣＭＯＳイメージセンサを例に挙げ説明を行う。

　半導体基板８０は、画素アレイ部３に該当する領域に光電変換素子としての複数のフォトダイオード２１が並設されている。半導体基板８０の画素アレイ部３の表面に沿う内部には、図示はしないが、画素トランジスタ（転送トランジスタ、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ、選択トランジスタ）も設けられている。画素トランジスタは基本的に各画素にそれぞれ設けられる。ただし、フローティングディフュージョン（ＦＤ）を複数画素で共有するＦＤ共有方式の場合は、転送トランジスタは各画素にそれぞれ設けられるが、それ以外の画素トランジスタはＦＤ毎に設けられる。

　半導体基板８０は、その表面に積層された配線層８１を構成する画素駆動線や垂直信号線を介して周辺回路と接続されている。周辺回路は、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、水平駆動回路６、制御回路８等の一部又は全部を含んで構成される。周辺回路は、画素アレイ部３の外側に設けられる周辺回路領域や周辺回路基板に形成される。

　半導体基板８０の裏面の上には、フォトダイオード２１の各位置に対応するように複数のカラーフィルタ８２が積層されている。カラーフィルタ８２の上には、カラーフィルタ８２の各位置に対応させて複数のオンチップレンズ８３が積層されている。オンチップレンズ８３は、例えば、ＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）、ＳｉＯＮ膜（シリコン窒化酸化膜）、ＳｉＯ膜（シリコン酸化膜）等の高屈折率の無機膜を用いて形成され、エッチバック法により形成することができる。これらの膜は屈折率１．４～２．０程度である。

　半導体基板８０の表面には、上述したように配線層８１が積層されている。周辺回路基板を別途製造してイメージセンサに３次元積層して一体化する場合、配線層８１の表側に周辺回路基板が貼着される。配線層８１の更に表側又は周辺回路基板の表側には、バルクシリコン等の支持基板７１が貼着される。

　撮像素子１ａには、この支持基板７１を表面（半導体基板８０に対向しない側面）から裏面に向けて貫通する貫通電極（例えばＴＳＶ（Through Silicon Via））７６が形成されている。貫通電極７６は、支持基板７１を貫通して設けられている。

　支持基板７１の表面には再配線層７０が積層される。再配線層７０は、支持基板７１の表面側に形成される金属配線としての再配線７４と、これを覆うソルダーレジスト７５と、撮像素子１ａの接続端子となるランド７４’とで構成される。図４に示した例では、さらに再配線７４の図中上側にバリアメタル７３が形成され、さらにバリアメタル７３の図中上側に絶縁膜７２が形成されている。

　絶縁膜７２は、例えばＳｉＯ（酸化シリコン）で形成される。バリアメタル７３は、例えば、Ｔｉ（チタン）で形成される。再配線７４は、例えば、Ｃｕ（銅）で形成される。絶縁膜７２、バリアメタル７３、および再配線７４は、貫通電極７６内の側壁および底部（図中、パッド５１側）にも形成されている。再配線７４は、撮像素子１ａ内の配線と支持基板７１の表面に設けられるランド７４’とを電気的に接続する。

　ランド７４’は、撮像素子１ａの実装先になる基板の接続端子に対応する位置に形成されており、基板の接続端子はランド７４’に接続されることで再配線７４を介して貫通電極７６と接続されている配線に接続される。貫通電極７６及び再配線７４は、ランド７４’を除いてソルダーレジスト７５で覆われて絶縁されている。なお、本実施の形態ではLGA（Land Grid Array）構造を例に取り説明したが、ランド７４’に半田ボールを形成してBGA（Ball Grid Array）構造としてもよい。また、ランド７４’上に金属のポストを立てた構造でも良い。

　この貫通電極７６を介した再配線層７０を採用することにより、撮像素子１ａの側面を回り込むように金属配線（ワイヤ）を引き回す必要がなくなり、モジュールの実装面積が縮小し、部品点数の削減、製造工程の効率化等のメリットがある。また、金属配線を引き回す必要がなくなるから、配線長が短縮されるため電気的特性が向上するとともに、微細且つ自由な設計が可能になる。これにより、信号の伝送品質を向上することが可能であり、モジュールの出力信号を利用した後段の各種信号処理の品質（例えば画像処理における画質）を向上することができる。

　図４に示した撮像素子１ａは、撮像素子１ａの光入射面側（オンチップレンズ８３が形成されている側）には、ガラス基板が積層されていない構成とすることができる。ガラス基板を積層しない構造とすることで、撮像素子１ａをより低背化（薄型化）することができる。

　図４に示した撮像素子１のパッド５１と貫通電極７６は、テーパ状に形成されている。図４に示した例では、開口部が広く、底部が狭く形成されている。なお、ここでは、テーパ上の開口部が広い方を開口部とし、開口部が狭い方を底部とする。

　パッド５１は、図中上側の開口部が広く、電極５２が設けられている底部側が狭く形成されている。貫通電極７６は、ソルダーレジスト７５が形成されている側の開口部が広く、パッド５１側が形成されている底部側の開口部が狭く形成されている。

　パッド５１と貫通電極７６の断面視における形状は、テーパ状（台形形状）であっても良いし、テーパ状以外の形状、例えば、長方形であっても良い。

　パッド５１の底部に設けられる電極５２は、露出された状態で設けられている。貫通電極７６は、空間を有する構造とされている。貫通電極７６の底部と開口部（ソルダーレジスト７５）との間は、空洞とされている。空洞が設けられた構成によれば、その空洞の部分に材料を充填しない分だけ、用いる材料の量を低減することができる。

　パッド５１と貫通電極７６は、図４に示した断面構造において、縦方向（図中上下方向）に一直線上に配置されている。断面視において、パッド５１の中心軸と、貫通電極７６の中心軸は、ほぼ直線（多少のずれが生じている場合も含む）上に位置するように構成されている。図示はしないが、平面視においては、パッド５１と貫通電極７６は、重畳した領域がある状態で形成されている。

　電極５２が露出した構成であるため、例えば、製造時の検査時に検査用の針を電極５２に落とし、検査装置と接続し、撮像素子１aの検査を行うことができる。

　＜第２の実施の形態における撮像素子の構成例＞
　図５は、第２の実施の形態における撮像素子１ｂの断面構成例を示す図である。第２の実施の形態における撮像素子１ｂ（図５）と、第１の実施の形態における撮像素子１ａ（図４）において、同一の部分には同一の符号を付し、適宜、その説明は省略する。

　図５に示した撮像素子１ｂと、図４に示した撮像素子１ａを比較するに、撮像素子１ｂは、貫通電極７６ｂが形成されている位置が、内側に形成されている点が、撮像素子１ａと異なり、他の点は同様である。

　図５に示した撮像素子１ｂは、貫通電極７６ｂが内側に移動したため、パッド５１と貫通電極７６ｂは、ずれた位置に形成された構造とされている。例えば、図５中、左側にあるパッド５１と貫通電極７６ｂの位置関係は、パッド５１よりも、貫通電極７６ｂが、撮像素子１ｂの中央側に近い位置に形成されている。同じく図５中、右側にあるパッド５１と貫通電極７６ｂの位置関係は、パッド５１よりも、貫通電極７６ｂが、撮像素子１ｂの中央側に近い位置に形成されている。

　図４を再度参照する。図４に示した撮像素子１ａにおいては、パッド５１と貫通電極７６ａ（貫通電極７６ｂと区別するため、貫通電極７６ａと記述する）は、縦方向（図中上下方向）において、一直線上に配置されている。これに対して、図５に示した撮像素子１ｂにおいては、パッド５１と貫通電極７６ｂは、縦方向（図中上下方向）において、直線上に配置されておらず、パッド５１の中心線と貫通電極７６ｂの中心線がずれた位置にあるように形成されている。

　図４に示した撮像素子１ａにおいては、パッド５１と貫通電極７６ａが一直線上に形成されているため、パッド５１の底部と貫通電極７６ａの底部との距離が短くなる。すなわち、パッド５１と貫通電極７６ａとの間の基板の厚さが薄くなる。検査時に、パッド５１の電極５２に、検査用の針が落とされる、換言すれば、基板が薄い部分に針が落とされるため、その薄い部分にクラックなどが発生してしまう恐れがある。このような恐れがある場合、他の方法、例えば、ウェハから個片化された撮像素子１aを取り出し、ランド７４’に検査用の針を接続して検査するなどの検査方法で検査を行う必要があり、検査に掛かる手間、時間などが増えてしまう可能性ある。

　図５に示した撮像素子１ｂにおいては、パッド５１と貫通電極７６ｂが一直線上には形成されていないため、パッド５１の底部（電極５２）下側には、貫通電極７６ｂは位置せず、空洞の領域が存在していない。よって、パッド５１の部分の強度は保たれ、検査時に、パッド５１の電極５２に、検査用の針が落とされても、その部分が破損してしまうようなことを防ぐことができる。よって、検査時に、ウェハ状態で、撮像素子１ｂを検査することができ、検査に掛かる手間、時間を軽減することが可能となる。

　撮像素子１ｂの構造においては、電極５２が露出した構成であるため、例えば、製造時の検査時に検査用の針を電極５２に落とし、検査装置と接続し、撮像素子１ｂの検査を行うことができる。

　また、電極５２が設けられている領域の強度は、検査時に針が落とされるときに掛かる力に十分耐えられる強度とすることができ、電極５２や電極５２下部の配線層間の膜などにクラックなどが発生するようなことを防ぐことができる。パッド５１の導通性や安定した接続抵抗を得ることができる。

　図５に示した撮像素子１ｂの構造においても、ガラス基板が配置されず、ランド７４’が形成されているなど、撮像素子１ａ（図４）と同等の構成を有するため、撮像素子１ｂを薄型化（小型化）することも可能となる。

　図６を参照し、パッド５１と貫通電極７６ｂのずれについて説明を加える。図６のＡに示した例は、パッド５１と貫通電極７６ｂは、ずれた位置にあるが、一部重なりがある状態を示している。このように重なりがあると、その重なりがある部分の基板が薄くなり、強度的に弱くなる可能性があるため、このような重なりがない位置にパッド５１と貫通電極７６ｂは形成される。

　ずなわち、図６のＢに示すように、パッド５１と貫通電極７６ｂは、ずれた位置にあり、かつ、重なる部分がない状態で形成されている。パッド５１と貫通電極７６ｂをテーパ状に形成した場合、パッド５１の開口部の端と貫通電極７６ｂの開口部の端とが重ならない位置に、パッド５１と貫通電極７６ｂは形成される。このように重なりが無い状態にパッド５１と貫通電極７６ｂを形成することで、強度的に弱くなるような部分がない構成とすることができる。

　このように、パッド５１と貫通電極７６ｂに重なる部分がないように構成した場合、平面構成例としては、図７に示したようになる。図７を参照するに、撮像素子１ｂをパッド５１側から見た場合、パッド５１の左側または右側に貫通電極７６ｂ（の空洞の部分）が形成され、パッド５１と貫通電極７６ｂは、平面視において重畳する領域がないように形成されている。

　このように、平面視において、パッド５１と貫通電極７６ｂは、ずれた位置に配置され、重なる部分がない位置にそれぞれ形成されている。

　＜撮像素子の製造について＞
　図８を参照し、図６に示した断面構成を有する撮像素子１ｂの製造に関して説明する。

　工程Ｓ１１において、半導体基板８０の画素アレイ部３に、半導体基板８０の表面の側から、複数の単位画素２の構成要素（素子分離、フォトダイオード２１、画素トランジスタのソース領域／ドレイン領域、等）が、例えばイオン注入により二次元マトリクス状の二次元配列で形成される。

　半導体基板８０の表面の上に、層間絶縁膜を介して複数層の配線を配置した配線層８１が積層される。配線層８１には、信号をチップ外へ出力するためのパッド５１が開口され、パッド５１の底部に電極５２が形成される。配線層８１の上にはＳｉＯ２膜等の層間絶縁膜が積層され、この層間絶縁膜がＣＭＰ（化学的機械研磨）で平坦化され、配線層８１の表面が略平坦面に形成される。

　配線層８１の略平坦面に対し、支持基板７１が貼り合されて補強される。支持基板７１には、例えばバルクシリコン等の半導体基板が用いられる。

　半導体基板８０の裏面の上に透明な平坦化膜（不図示）及びカラーフィルタ８２が形成される。平坦化膜は、例えば、熱可塑性樹脂をスピンコート法によって成膜した後、熱硬化処理を行うことにより形成される。この平坦化膜上に、緑色、赤色、青色からなる原色系フィルタとして、例えばベイヤー配列のカラーフィルタ８２が形成される。このカラーフィルタ８２は、各単位画素２に対応させて形成され、例えば、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタの３色のカラーフィルタからなる。上記カラーフィルタ８２は上記光の３原色に限らず、補色系カラーフィルタを用いたり、白色カラーフィルタを組み合わせて用いたりすることもできる。カラーフィルタ８２の上面には、必要に応じて更に平坦化膜を設けてもよい。

　カラーフィルタ８２上に、オンチップレンズ８３が形成される。オンチップレンズ８３は、例えば、アクリル系樹脂材料、スチレン系樹脂材料、エポキシ系樹脂材料等の熱硬化透明樹脂材料をスピンコートし熱硬化、ＳｉＯやＳｉＮ、ＳｉＯＮの無機材料をプラズマCVD法で成膜した後レンズ形状にしたレジストをパターニングしエッチバックする方法で形成される。

　画素アレイ部３の外周の周辺回路領域に、半導体基板８０を貫通し、配線層８１又は周辺回路基板に形成された電極５２まで貫通する貫通孔がドライエッチング等で形成されることで、パッド５１となる部分が開口される。このパッド５１に検査用の針(プローブ)を挿入し電極５２に接触させることで、周辺回路の動作確認等の検査を行うことができる。後述するように、この検査は、ダイシング後に、ダイシングリング上にチップ（撮像素子１ｂ）がある状態で、換言すれば、ウェハの状態を維持した状態で行うことができる。

　工程Ｓ１２において、支持基板７１を貼り付けた半導体基板８０が表裏反転され、半導体基板８０の裏面が上面とされる。上面とされた半導体基板８０の裏面に、接着層１１１が形成される。例えば、スピンコート法を用いて接着材料を塗布し、成膜することにより、接着層１１１が形成される。この接着材料は、上述した貫通孔（パッド５１）の内部に侵入して充填固化する。すなわち、仮基板１１２との間を接着固化する接着材料は、その一部がパッド５１の内部に向けて突出する突起形状を有することになる。

　仮基板１１２が接着層１１１を介して半導体基板８０に接合される。半導体基板８０に仮基板１１２が接合されることで、作製中の撮像素子１が補強され、全体として剛性が向上し、反りや撓みに対する耐性が向上する。仮基板１１２で補強した半導体基板８０や支持基板７１は、全体が表裏反転され、支持基板７１の表面が上方に配向された状態にされる。これにより、支持基板７１の表面側に再配線層７０を形成する加工を行うことが可能となる。

　工程Ｓ１３において、支持基板７１をその表面側からバックグラインドやＣＭＰ等により研磨・研削して薄化する。これにより、貫通電極７６を形成する加工が容易になり、また、撮像素子１を全体的に低背化することができる。薄化された支持基板７１の表面上に再配線層７０が形成される。

　再配線層７０の形成は、支持基板７１を貫通する貫通孔が形成され、その内部にＣｕメッキ等の金属を成膜することで行われる。貫通電極７６となる貫通孔は、図４に示した撮像素子１ａのように、パッド５１と一直線上にあるように形成する場合、パッド５１と一直線となる位置に形成される。また、貫通電極７６となる貫通孔は、図５に示した撮像素子１ｂのように、パッド５１とずれた位置にあるように形成する場合、パッド５１に対してずれた位置に形成される。

　貫通電極７６の内部および支持基板７１の底面は、図４を参照して説明したように、絶縁膜７２、バリアメタル７３、再配線７４が形成されているため、この順でそれぞれの層が形成される。

　支持基板７１の表面にフォトリソグラフィ技術で、ランド７４’が形成される。その後、ランド７４’以外の部位がソルダーレジスト７５で覆われる。ランド７４’には半田ボール（不図示）が形成されてBGA構造に形成されてもよい。貫通電極７６の接続先は、撮像素子１の周辺回路において外部へ信号の入出力を行う端子として用いることができる。

　工程Ｓ１４において、再配線層７０の表面側にダイシングリング１１３が貼り付けられて、全体が表裏反転される。これにより、再び仮基板１１２が上方に配向した状態となる。

　工程Ｓ１５において、仮基板１１２が撮像素子１から剥がすデボンドが行われ、オンチップレンズ８３などの表面やパッド５１内に付着残存する接着層１１１が、有機溶剤にて溶解させるかケミカルエッチング法により化学的に除去される。デボンドには、機械的デボンド、レーザ照射によるデボンド、熱ブローによるデボンド、等がある。これによりオンチップレンズ８３やパッド５１（電極５２）が表出する。

　工程Ｓ１６において、撮像素子１が、スクライブラインに沿ってダイシングされ、個片化されることにより、上述した撮像素子１が得られる。

　工程Ｓ１６の状態は、個片化された撮像素子１（チップ）がダイシングリング１１３にある状態である。換言すれば、ウェハの状態が維持されている状態である。このようなウェハの状態で、撮像素子１の撮像特性を、電気測定することができる。

　図５に示した撮像素子１ｂは、パッド５１と貫通電極７６ｂがずれた位置に配置されているため、パッド５１の部分が強度的に弱くなることはなく、検査用の針を電極５２に落としても破損するような可能性は低い。

　よって、ダイシングリング１１３上に個片化された撮像素子１ｂが貼り付けられている状態で、撮像素子１ｂの撮像特性を測定することができる。ウェハの状態で、個々の撮像素子１を検査することができるため、検査に掛かる手間や時間を軽減することが可能となる。

　後述する撮像素子１は、パッド５１と貫通電極７６が一直線上に形成されていても、強度的に弱くならない構造を有しているため、工程Ｓ１６において、撮像特性を測定することができる。

　＜第３の実施の形態における撮像素子の構成例＞
　図９は、第３の実施の形態における撮像素子１ｃの断面構成例を示す図である。第３の実施の形態における撮像素子１ｃ（図９）と、第１の実施の形態における撮像素子１ａ（図４）において、同一の部分には同一の符号を付し、適宜、その説明は省略する。

　図９に示した撮像素子１ｃと、図４に示した撮像素子１ａを比較するに、撮像素子１ｃは、貫通電極７６ｃ内に所定の材料が充填され、補強膜２１１が設けられている点が、撮像素子１ａと異なり、他の点は同様である。

　撮像素子１ａの貫通電極７６ａ（図４）は、空洞を有する構成とされていたが、撮像素子１ｃの貫通電極７６ｃ（図９）の空洞に該当する部分には、所定の材料が充填され、空洞がないように補強膜２１１が形成されている。

　撮像素子１ｃの貫通電極７６ｃ内は、例えば、ＳｉＯ（酸化シリコン）等の無機材料が充填され、補強膜２１１が形成されている。図９に示した撮像素子１ｃは、第１の実施の形態における撮像素子１ａに対して補強膜２１１が形成された構成となっている。

　撮像素子１ｃは、パッド５１と貫通電極７６ｃが直線上に配置されているが、貫通電極７６ｃ内に補強膜２１１が形成されているため、パッド５１と貫通電極７６ｃとの間の部分の強度が補うことができる。すなわち、撮像素子１ｃにおいては、パッド５１と貫通電極７６ｃとの間の部分が強度的に弱くなるようことはなく、強度が保たれた撮像素子１ｃとすることができる。

　補強膜２１１の材料としては、上記したように、酸化シリコンを用いることができる。また酸化シリコンと同程度の硬度を有する材料を用いることもできる。また有機材料であっても良い。

　補強膜２１１を有機材料で構成した場合、ソルダーレジスト７５と同じ材料を用い、ソルダーレジスト７５の形成時に、貫通電極７６内（貫通孔内）の補強膜２１１も形成することができる。

　図９に示した撮像素子１ｃは、図４に示した第１の実施の形態における撮像素子１ａに対して第３の実施の形態を適用した場合の構成を示している。図１０に示すように、図５に示した第２の実施の形態における撮像素子１ｂに対して第３の実施の形態を適用することもできる。

　図１０に示した撮像素子１ｃは、パッド５１と貫通電極７６ｃがずれた位置に配置され、かつ貫通電極７６ｃ内に補強膜２１１が形成された構成とされている。この場合、貫通電極７６ｃの領域において強度が落ちるような可能性をより低減することができ、撮像素子１ｃとしての強度を向上させることができる。

　＜第４の実施の形態における撮像素子の構成例＞
　図１１は、第４の実施の形態における撮像素子１ｄの断面構成例を示す図である。第４の実施の形態における撮像素子１ｄ（図１１）と、第１の実施の形態における撮像素子１ａ（図４）において、同一の部分には同一の符号を付し、適宜、その説明は省略する。

　図１１に示した撮像素子１ｄと、図４に示した撮像素子１ａを比較するに、撮像素子１ｄは、貫通電極７６ｃ内のパッド５１側に補強膜２２１が設けられている点が、撮像素子１ａと異なり、他の点は同様である。図９に示した撮像素子１ｃと比較した場合、図９に示した撮像素子１ｃは、貫通電極７６ｃ内に空洞が無い状態で補強膜２１１が形成されている構成であるのに対して、図１１に示した撮像素子１ｄは、貫通電極７６ｄ内のパッド５１側には空洞が無い状態で補強膜２２１が形成され、パッド５１とは離れている側（ソルダーレジスト７５側）には、空洞が存在している構成とされている。

　このように、補強膜２２１を、貫通電極７６ｄの底部側に、所定の深さ（厚み）で形成することで、パッド５１の部分の強度を確保することができる。パッド５１の部分の強度を確保するために、図１２に示すように、パッド５１の底部（電極５２）と貫通電極７６ｄの空洞の底部は、距離ａ以上離れるように補強膜２２１は形成される。

　補強膜２２１を形成することで、パッド５１の底部（電極５２）と貫通電極７６ｄの空洞の底部を、距離ａ以上離すことができるため、パッド５１の部分の強度が落ちるようなことを防ぐ構造とすることができる。

　補強膜２２１の材料としては、酸化シリコンを用いることができる。また酸化シリコンと同程度の硬度を有する無機材料を用いることもできる。また有機材料であっても良い。

　図１１に示した撮像素子１ｄは、図４に示した第１の実施の形態における撮像素子１ａに対して第４の実施の形態を適用した場合の構成を示している。図１３に示すように、図５に示した第２の実施の形態における撮像素子１ｂに対して第４の実施の形態を適用することもできる。

　図１３に示した撮像素子１ｄは、パッド５１と貫通電極７６ｃがずれた位置に配置され、かつ貫通電極７６ｄ内のパッド５１側に所定の厚さ（深さ）で補強膜２２１が形成された構成とされている。この場合、貫通電極７６ｄにより強度が落ちるような可能性をより低減することができ、撮像素子１ｄとしての強度を向上させることができる。

　＜第５の実施の形態における撮像素子の構成例＞
　図１４は、第５の実施の形態における撮像素子１ｅの断面構成例を示す図である。第１乃至第４の実施の形態は、撮像素子１上にガラス基板が配置されていないガラスレス構造である場合を示したが、ガラス基板が配置された構成とすることもできる。

　図１４に示した撮像素子１ｅは、第２の実施の形態における撮像素子１ｂ（図５）上に、台座２５１を介してガラス基板２５２が配置されている。台座２５１は、パッド５１の開口部と重なる部分がない位置に配置されている。ガラス基板２５２も、パッド５１と重なる部分がないように配置され、画素アレイ部３上（有効画素領域上）に位置するように配置されている。

　パッド５１に掛からない位置に台座２５１を配置することで、パッド５１にガラス基板２５２の重みが掛からないようにすることができる。また、パッド５１の開口部を防ぐような構造ではないため、ガラス基板２５２を配置した後にも、パッド５１を用いることができる。

　図１４に示した撮像素子１ｅは、第２の実施の形態における撮像素子１ｂ（図５）上に、台座２５１を介してガラス基板２５２が配置されている例を示したが、第１の実施の形態における撮像素子１ａ（図４）上、第３の実施の形態における撮像素子１ｃ（図９、図１０）上、第４の実施の形態における撮像素子１ｄ（図１１、図１３）上に、台座２５１を介してガラス基板２５２が配置されている構成とすることも可能である。

　＜第６の実施の形態における撮像素子の構成例＞
　図１５は、第６の実施の形態における撮像素子１ｆの断面構成例を示す図である。図１５に示した撮像素子１ｆも、第５の実施の形態における撮像素子１ｅと同じく、ガラス基板が配置された構成とされている。

　図１５に示した撮像素子１ｆは、第２の実施の形態における撮像素子１ｂ（図５）上に、台座２６１を介してガラス基板２６２が配置されている。台座２６１とガラス基板２６２には、パッド５１の開口部と同程度の大きさの開口部が形成されている。台座２６１とガラス基板２６２は、パッド５１と重なる部分がないように配置され、画素アレイ部３上（有効画素領域上）と周辺回路領域上に存在する、換言すれば、ガラス基板２６２は、撮像素子１ｆの光入射面側を覆う大きさ、位置に配置されている。

　パッド５１に掛かる領域がないように台座２６１とガラス基板２６２に、パッド５１の開口部と同程度またはパッド５１の開口部よりも大きい開口部（貫通孔）を設けることで、パッド５１に台座２６１やガラス基板２６２の重みが掛からないようにすることができる。また、パッド５１の開口部を防ぐような構造ではないため、ガラス基板２６２を配置した後にも、パッド５１を用いることができる。

　図１５に示した撮像素子１ｆは、第２の実施の形態における撮像素子１ｂ（図５）上に、台座２６１を介してガラス基板２６２が配置されている例を示したが、第１の実施の形態における撮像素子１ａ（図４）上、第３の実施の形態における撮像素子１ｃ（図９、図１０）上、第４の実施の形態における撮像素子１ｄ（図１１、図１３）上に、台座２６１を介してガラス基板２６２が配置されている構成とすることも可能である。

　＜第７の実施の形態における撮像素子の構成例＞
　第１乃至第６の実施の形態における撮像素子１は、パッド５１が開口され、電極５２が露出された状態である。電極５２が露出した状態だと、図１６を参照して説明するように、電極５２による反射による影響で、フレアなどが発生する可能性がある。

　図１６は、１つのパッド５１の電極５２の部分を拡大した図であり、図１６中、矢印は、入射光または反射光を表している。図１６中、左斜め上方向から入射した入射光が電極５２で反射し、その反射光が、半導体基板８０の側面（パッド５１の側面）に当たり、さらに反射する可能性がある。

　図３を参照して説明したように、パッド５１は、画素アレイ部３の周囲に、複数配置されているため、各パッド５１において、このような反射が起こる可能性がある。パッド５１の電極５２において鏡面反射が特定の方向に強いフレアを引き起こす可能性がある。

　そこで、図１７に示すように、パッド５１ｇの開口部を加工する。図１７を参照するに、パッド５１ｇの開口部が四角形状である場合、少なくともその１辺が、凹凸形状で形成され、ギザギザとなる形状で形成される。パッド５１ｇを囲む半導体基板８０の一辺を凹凸形状とすることで、電極５２で反射された反射光が、パッド５１ｇの側面にあたったとしても、その反射光をさまざまな方向に散らすことができ、フレアなどが発生することを抑制することができる。

　図１７に示したパッド５１ｇの開口部は、１辺に凹凸形状を有する場合を例に挙げて説明したが、開口部の４辺のうちの２辺、３辺、または４辺が凹凸形状を有するように構成することも可能である。

　このような開口部に凹凸形状を有するパッド５１ｇを備える撮像素子１ｇによれば、パッド５１ｇの電極５２により鏡面反射が起きたとしても、その反射光を散らすことができ、フレアの発生を抑制することができる。

　第７の実施の形態は、第１乃至第６の実施の形態のいずれか１つまたは複数と組み合わせて実施することができる。

　＜第８の実施の形態における撮像素子の構成例＞
　図１８は、第８の実施の形態における撮像素子１ｈに設けられるパッド５１ｈの断面構成例を示す図である。

　図１８に示したパッド５１ｈは、パッド５１ｈを囲む４辺の側面のうち少なくとも１辺の側面が形成されていない形状とされている。図１８に示したパッド５１ｈにおいては、図中、右側にある側壁は除去された形状とされている。換言すれば、図１８に示したパッド５１ｈの右側には側壁がなく、開放された状態とされている。パッド５１ｈの右側の側壁（半導体基板８０）を除去した形状とすることで、図１８に矢印で示したように、電極５２において反射した光は、半導体基板８０の側壁がないため、半導体基板８０で反射することなく、抜けていく。

　開放状態で形成される半導体基板８０の側壁は、画素アレイ部３から離れた位置にある側壁である。図１８に示した例では、図中右側の側壁が開放されている構成であり、この場合、図中左側に画素アレイ部３（不図示）が位置している。

　図１９は、図１８に示したパッド５１ｈを備える撮像素子１ｈの断面構成例を示す図である。画素アレイ部３は、撮像素子１ｈの中央部分に形成されている。パッド５１ｈは、画素アレイ部３の図中左側と右側にそれぞれ設けられている。

　図中左側に示したパッド５１ｈ－１を参照するに、パッド５１ｈ－１に対して画素アレイ部３は、右側に位置している。パッド５１ｈ－１の図中左側に位置する辺に該当する半導体基板８０の側壁は、開放された構成とされている。パッド５１ｈ－１の左側の開放されている辺は、画素アレイ部３から一番離れた位置にある辺である。

　図中右側に示したパッド５１ｈ－２を参照するに、パッド５１ｈ－２に対して画素アレイ部３は、左側に位置している。パッド５１ｈ－２の図中右側に位置する辺に該当する半導体基板８０の側壁は、開放された構成とされている。パッド５１ｈ－２の右側の開放されている辺は、画素アレイ部３から一番離れた位置にある辺である。

　図１８、図１９に示したパッド５１ｈの開口部は、１辺の側壁が開放された形状である場合を例に挙げて説明したが、開口部の４辺のうちの２辺、３辺、または４辺の側壁が開放された構成であっても良い。

　パッド５１ｈを囲む側壁が開放されるとは、図１８や図１９に示したように存在しないような形状、換言すれば、半導体基板８０がない形状にすることを含む。またパッド５１ｈを囲む側壁が開放されているとは、パッド５１ｈの電極５２の所定の辺から、所定の距離以上離れた位置に半導体基板８０の側壁があるような場合も含まれる。所定の距離とは、電極５２で反射された反射光が当たらない程度（反射光による影響が出ない程度）の距離とすることができる。

　このように、パッド５１ｈを囲む４辺のうち、少なくとも１辺の辺に位置する半導体基板８０の側壁を開放した構成とすることで、フレアの発生を抑制することができる。

　第８の実施の形態は、第１乃至第７の実施の形態のいずれか１つまたは複数と組み合わせて実施することができる。

　第７の実施の形態と第８の実施の形態を組み合わせ、パッド５１を囲む４辺の側壁のうち、１乃至３辺の側壁を凹凸形状とし、１乃至３辺の側壁が削除された構成とすることもできる。

　＜第９の実施の形態における撮像素子の構成例＞
　図２０は、第９の実施の形態における撮像素子１ｉの断面構成例を示す図である。図２０に示した撮像素子１ｉは、画素アレイ部３の下側の支持基板７１内に、複数の貫通電極７６が形成されている点が、上述した実施の形態と異なり、他の点は同様である。

　図２０に示した撮像素子１ｉは、断面視において、５本の貫通電極７６ｉ－１乃至７６ｉ－５が設けられている。貫通電極７６は、パッド５１の近傍にのみあるのではなく、近傍以外の支持基板７１内にも複数設けられている構成であっても良い。

　撮像素子１ｉが、複数の貫通電極７６ｉを備える場合、第１乃至第８の実施の形態が適用される撮像素子１の貫通電極７６は、パッド５１の一番近くに位置する貫通電極７６ｉである。例えば、図２０に示した例においては、パッド５１ｉ－１の近傍に位置するのは、貫通電極７６ｉ－１であり、この貫通電極７６ｉ－１に対して第１乃至第８の実施の形態における貫通電極７６の構成が適用される。

　図２０に示した例においては、例えば、パッド５１ｉ－１と貫通電極７６ｉ－１が近傍に位置する関係にあり、このパッド５１ｉ－１と貫通電極７６ｉ－１に対して第２の実施の形態が適用され、パッド５１ｉ－１と貫通電極７６ｉ－１がずれた位置に配置されている関係にある。

　第９の実施の形態は、第１乃至第８の実施の形態のいずれか１つまたは複数と組み合わせて実施することができる。

　なお、第１乃至第９の実施の形態においては、パッド５１に対して貫通電極７６がずれた位置にある場合、貫通電極７６は、内側に位置する（画素アレイ部３側に位置する）場合を例に挙げて説明した。第１乃至第９の実施の形態において、パッド５１に対して貫通電極７６がずれた位置にある場合に貫通電極７６が、外側に位置する（画素アレイ部３と離れる方向に位置する）ように構成することもでき、このような構成にした場合も、本技術の適用範囲内である。

　＜第１０の実施の形態における撮像素子の構成例＞
　図２１は、第１０の実施の形態における撮像素子１ｊの断面構成例を示す図である。図２１に示した撮像素子１ｊは、レンズバレル３１２が搭載された構成とされている点が、上述した実施の形態と異なる。

　レンズバレル３１２の内側には、複数のレンズ（図２１に示した例では、３枚のレンズ）が組み込まれ、レンズバレル３１２は、それらのレンズを保持する構成とされている。レンズバレル３１２は、アクチュエータ（不図示）に内包される構成とすることができる。アクチュエータを備え、レンズバレル３１２が図中、上下方向に可動するように構成し、オートフォーカス（ＡＦ：Auto-Focus）が行えように構成することができる。

　レンズバレル３１２は、台座３１１を介して撮像素子１と接続されている。台座３１１は、パッド５１内にも形成され、例えば、パッド５１内に所定の材料が充填されることで形成されている。

　パッド５１（電極５２）は、製造時の検査用として設けられ、製造後（検査後）には必要ない場合などには、電極５２が露出した状態にせずに、台座３１１で保護するような構成とすることができる。このような構成とすることで、パッド５１に台座３１１を形成できるため、撮像素子１ｊを小型化でき、電極５２を保護する構成とすることができる。

　図２１に示した例は、第２の実施の形態における撮像素子１ｂ上に、レンズバレル３１２が搭載されている例を示したが第１乃至第９のいずれかの撮像素子１上に、レンズバレル３１２を搭載した構成とすることもできる。第１０の実施の形態は、第１乃至第９の実施の形態のいずれか１つまたは複数と組み合わせて実施することができる。

　＜第１１の実施の形態における撮像素子の構成例＞
　図２２は、第１１の実施の形態における撮像素子１ｋの平面構成例を示す図であり、図２３は、図２２の線分Ｘ－Ｘ’における断面構成例を示す図である。図２２、図２３に示した撮像素子１ｋは、電極５２の部分に、引き出し配線４１１が設けられている点が、第１乃至第１０の実施の形態と異なり、他の点は基本的に同様である。

　図２２は、撮像素子１kの光入射面側から見たときの平面構成例を示す図であり、基本的な構成は、図３に示した平面構成例と同じである。画素２の中央領域には、画素アレイ部３が設けられている。画素アレイ部３の外周領域には、パッド５１－１乃至５１－８が設けられている。

　画素アレイ部３の図中左側には、パッド５１－１乃至５１－４が設けられ、図中右側には、パッド５１－５乃至５１－８が設けられている。パッド５１－１乃至５１－８のそれぞれに引き出し配線４１１－１乃至４１１－８が設けられている。

　引き出し配線４１１は、パッド５１を覆い、撮像素子１の側面まで形成されている。図２３の断面構成例を参照するに、引き出し配線４１１－４は、パッド５１－４に材料が充填され、さらに半導体基板８０の裏面（光入射面）上にも断面視において四角形状で形成されている。引き出し配線４１１－４の図中左側は、撮像素子１の側面に該当し、露出した状態で構成されている。

　引き出し配線４１１－８も、引き出し配線４１１－４と同じく、パッド５１－８内に材料が充填され、さらに半導体基板８０の裏面（光入射面）上にも断面視において四角形状で形成されている。引き出し配線４１１－８の図中右側は、撮像素子１の側面に該当し、露出した状態で構成されている。

　引き出し配線４１１－１乃至４１１－８も、引き出し配線４１１－４，４１１－８と同じ構成とされている。引き出し配線４１１と半導体基板８０の界面、およびパッド５１内の側面には、バリアメタル４１３が形成されている。

　パッド５１内に形成されている電極５２と引き出し配線４１１は、導通する状態で形成されている。電極５２は、撮像素子１ｋ内の回路と接続されているため、引き出し配線４１１は、電極５２を介して、撮像素子１ｋ内の回路と接続された構成とされている。

　引き出し配線４１１－４を例に挙げて説明を続ける。図２３に示した例では、引き出し配線４１１－４は、半導体基板８０の裏面側に形成された四角形状の部分において、側面と上面が露出した状態である。この場合、露出しているどの面に対しても、検査用の針４４１（図２５）を落とし、所定の検査を実行することができる。

　引き出し配線４１１は、導電性の高い金属で形成される。引き出し配線４１１の材料は、例えば、Ｃｕ（銅）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）等を用いることができる。引き出し配線４１１を設けることで、また引き出し配線４１１を金属など熱伝導率が高い材料で構成することで、撮像素子１内で発生した熱を、撮像素子１外に放出することができる。

　バリアメタル４１３は、絶縁膜への金属（引き出し配線４１１）の染み出しを防ぐために設けられ、例えば、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ｔａ（タンタル）、ＴａＮ（窒化タンタル）、Ｒｕ（ルテニウム）等の金属を用いることができる。

　図２３に示した撮像素子１kは、ガラスなどが積層されていないガラスレス構造の場合を示したが、図２４に示すように、ガラス基板が積層された構成とすることもできる。図２４のＡは、図２２の線分Ｘ－Ｘ’における撮像素子１ｋの断面構成例を示し、図２４のＢは、図２２の線分Ｙ－Ｙ’における撮像素子１ｋの断面構成例を示す。

　図２４に示した撮像素子１ｋは、図２３に示した撮像素子１ｋ上に、接合樹脂４２１を介してガラス基板４２３が配置されている。引き出し配線４１１は、接合樹脂４２１に覆われているが、撮像素子１ｋの側面に該当する面にある引き出し配線４１１は、露出した状態とされている。このように、引き出し配線４１１の一部が露出した状態で形成されていることで、図２５に示すように、ガラス基板４２３が積層され、個片化された後の撮像素子１ｋにおいても、引き出し配線４１１に針４４１を当て、撮像素子１ｋに対して所定の検査を行うことが可能となる。

　接合樹脂４２１やガラス基板４２３を積層する前後で撮像素子１ｋの特性が変化する可能性がある。このような場合であっても、引き出し配線４１１を設けることで、接合樹脂４２１やガラス基板４２３を積層する前の時点と、積層した後の時点の両方で、引き出し配線４１１を用いた検査を行うことが可能となる。

　図２４のＢを参照するに、撮像素子１ｋの断面視において、露出している引き出し配線４１１は、所定の大きさの四角形状で形成されている。撮像素子１ｋの側面において引き出し配線４１１は、所定の大きさの四角形状で露出した部分があるように形成されている。この露出している領域に針４４１が当てられるため、針４４１が当てやすい大きさで、引き出し配線４１１の露出部分は形成されている。

　図２４のＢに示すように、引き出し配線４１１の露出している部分の縦方向の厚さを厚さａ、横方向の幅を幅ｂ、接合樹脂４２１の厚さを厚さｃとする。接合樹脂の厚さｃが、例えば５０μｍである場合、引き出し配線４１１の厚さａは、３０乃至５０μｍ、幅ｂは、３０乃至１００μｍで形成することができる。引き出し配線４１１の露出している部分の大きさは、撮像素子１ｋ（チップ）全体の構成、検査時の針４４１（図２５）の先端の径、装置のアライメント精度などに応じて、適宜変更可能であり、ここで示した数値は一例であり、限定を示すものではない。

　引き出し配線４１１が設けられている部分においては、接合樹脂４２１の厚さが薄くなる。換言すれば、引き出し配線４１１とガラス基板４２３との間は、引き出し配線４１１がない部分とガラス基板４２３との間よりも、接合樹脂４２１の量が少なくなる。接合樹脂４２１の厚さが薄いことで、その部分の接着力が低下する可能性があるような場合、図２６、図２７に示すように、引き出し配線４１１を構成することもできる。

　図２６は、撮像素子１ｋの他の平面構成例を示す図であり、図２７は、撮像素子１ｋの他の断面構成例を示す図である。図２６、図２７に示した引き出し配線４１１は、ガラス基板４２３が積層される側の面であり、接合樹脂４２１と接する面に凹凸を有する。引き出し配線４１１に凹凸を設けることで、接合樹脂４２１と接合する面積を拡大することができる。引き出し配線４１１と接合樹脂４２１が接する面積が大きくなることで、接着力が向上し、ガラス基板４２３が剥離しづらい構造とすることができる。

　＜撮像素子１ｋの製造について＞
　図２８、図２９を参照し、図２４に示した撮像素子１ｋの製造について説明する。

　工程Ｓ１０１において、パッド５１や貫通電極７６が形成されている撮像素子１ｋが用意される。工程Ｓ１０１で用意される撮像素子１ｋは、図５に示した撮像素子１ｂであり、図８に示した工程Ｓ１１乃至Ｓ１５で製造された撮像素子１ｋである。工程Ｓ１０１では、個片化される前の状態、すなわちウェハ状態の撮像素子１ｋである。

　工程Ｓ１０１における撮像素子１ｋは、パッド５１が開口され、電極５２が設けられている状態であるため、所定の検査を、電極５２に針４４１を落とすことで実行することができる。

　工程Ｓ１０２において、パッド５１が開口されている側の面（図中上側の面）に、バリアメタル４１３と、めっき用のシードメタル４５１がスパッタで成膜される。

　工程Ｓ１０３において、めっきをしない箇所、換言すれば引き出し配線４１１を形成しない部分に、フォトレジスト膜４５３が成膜される。フォトレジスト膜４５３の成膜後、セミアディティブ法で電解めっきが実行されることで、引き出し配線４１１となる部分が形成される。

　工程Ｓ１０４（図２９）において、フォトレジスト膜４５３が除去され、余分なバリアメタル４１３とシードメタル４５１が所定の薬液が用いられて除去される。工程Ｓ１０４における撮像素子１ｋは、電極５２に接続されている引き出し配線４１１が形成されている状態であるため、所定の検査を、引き出し配線４１１に針４４１を落とすことで実行することができる。

　工程Ｓ１０５において、接合樹脂４２１が塗布され、その上にガラス基板４２３が接合される。

　工程Ｓ１０６において、ガラス基板４２３が所望の厚さになるまで研磨される。この後個片化が実行されることで撮像素子１ｋが製造される。

　個片化された撮像素子１ｋにおいても、引き出し配線４１１が撮像素子１ｋの所定の側面に露出しているため、所定の検査を、露出されている引き出し配線４１１に針４４１を落とすことで実行することができる。

　引き出し配線４１１を設けることで、個片化の前後において引き出し配線４１１を用いた検査を行うことが可能となる。引き出し配線４１１を設けることで、撮像素子１ｋ内の熱を、引き出し配線４１１を介して、外部に放出することも可能な構成となり、放熱性能を高めることができる。

　引き出し配線４１１は、検査時に用いられだけでなく、他の回路や他の撮像素子などと接続される端子として用いることもできる。

　＜引き出し配線の他の構成＞
　図３０は、引き出し配線４１１の他の構成例を示す図である。基本的な構成は、図２２に示した引き出し配線４１１－１乃至４１１－８と同様であるが、角の部分に位置する引き出し配線４１１の構成が異なる。

　図中左上に位置する引き出し配線４１１－１、左下に位置する引き出し配線４１１－４、右上に位置する引き出し配線４１１－５、および右下に位置する引き出し配線４１１－８は、他の引き出し配線４１１よりも大きく形成され、２つの側面が、露出した状態で形成されている。例えば、図中左上に位置する引き出し配線４１１－１は、図中左側の側面と上側の側面が、露出した状態で形成されている。

　このように、撮像素子１ｋの四隅に位置する引き出し配線４１１は、２面が露出した状態で形成される構成とすることで、放熱性能をより高めることが可能となる。また、検査時の針４４１を当てる面が２面となることで、検査時の針４４１の位置に関する自由度を高めることが可能となる。

　図３１は、引き出し配線４１１の他の構成例を示す図である。基本的な構成は、図２２に示した引き出し配線４１１－１乃至４１１－８と同様であるが、角の部分に位置する引き出し配線４１１が、異なる方向を向いて設けられている点が異なる。

　図中左上に位置する引き出し配線４１１－１は、図中上方向に向いて形成され、上側の面が露出された状態で形成されている。引き出し配線４１１－２と引き出し配線４１１－３は、図中左方向に向いて形成され、左側の面が露出された状態で形成されている。図中左下に位置する引き出し配線４１１－４は、図中下方向に向いて形成され、下側の面が露出された状態で形成されている。

　引き出し配線４１１－１と引き出し配線４１１－４に対して、引き出し配線４１１－２と引き出し配線４１１－３は、９０度のなす角を有して配置されている。

　図中右上に位置する引き出し配線４１１－５は、図中上方向に向いて形成され、上側の面が露出された状態で形成されている。引き出し配線４１１－６と引き出し配線４１１－７は、図中右方向に向いて形成され、右側の面が露出された状態で形成されている。図中右下に位置する引き出し配線４１１－８は、図中下方向に向いて形成され、下側の面が露出された状態で形成されている。

　引き出し配線４１１－５と引き出し配線４１１－８に対して、引き出し配線４１１－６と引き出し配線４１１－７は、９０度のなす角を有して配置されている。

　引き出し配線４１１の一例の構成を、図３０、図３１に示したが、示していない構成を本技術に適用することもできる。

　＜撮像素子１ｋのさらに他の構成＞
　図３２、図３３は、撮像素子１ｋのさらに他の構成について説明するための図である。図３２、図３３に示した撮像素子１ｋは、図２４に示した撮像素子１ｋと同じく、撮像素子１上にガラス基板が配置されている構成であるが、接合樹脂４２１ないキャビティ構造の撮像素子１である場合を示している。

　撮像素子１ｋは、台座４７１を介してガラス基板４２３が配置されている。台座４７１は、引き出し配線４１１を覆うように形成されているが、撮像素子１ｋの側面において露出している部分は、露出した状態が保たれるように形成されている。台座４７１は、画素領域上には存在していない構成とされるため、換言すれば、画素領域を囲むように台座４７１が形成されているため、画素領域は空隙となるキャビティ構造とすることができる。

　このような構成の場合も、個片化された撮像素子１ｋにおいて、引き出し配線４１１は撮像素子１ｋの所定の側面で露出しているため、所定の検査を、露出されている引き出し配線４１１に針４４１を落とすことで実行することができる。

　引き出し配線４１１を設けることで、個片化の前後において検査を行うことが可能となる。引き出し配線４１１を設けることで、撮像素子１ｋ内の熱を、引き出し配線４１１を介して、外部に放出することも可能な構成となり、放熱性能を高めることができる。

　引き出し配線４１１は、検査時に用いられだけでなく、他の回路や他の撮像素子などと接続される端子として用いることもできる。

　引き出し配線４１１の形状としては、図３０、図３１に示した形状を適用することもできる。

　第１乃至第１０の実施の形態のいずれか、または複数と、第１２の実施の形態を組み合わせて適用することもできる。すなわち、第１乃至第１０の実施の形態におけるいずれかの撮像素子１に引き出し配線４１１を設けた構成とすることもできる。

　＜第１２の実施の形態における撮像素子の構成例＞
　図３４は、第１２の実施の形態における撮像素子１ｍの断面構成例を示す図である。図３４には、個片化前の撮像素子１ｍのパッド５１の部分を拡大し、簡略化した図を示している。なお、図示していない撮像素子１ｍの構成は、第１乃至第１１の撮像素子の構成を適宜適用できる。

　図３４には、個片化前の隣接している撮像素子１ｍ－１と撮像素子１ｍ－２を示している。個片化前の撮像素子１ｍ－１と撮像素子１ｍ－２の間には、ダイシング領域が設けられている。このダイシング領域でダイシングが行われることで、撮像素子１ｍ－１と撮像素子１ｍ－２にそれぞれ個片化される。図中、チップ領域とチップ領域との間に、ダイシング領域が設けられ、チップ領域には、撮像素子１ｍが含まれ、ガードリング（不図示）も含まれる。

　撮像素子１ｍ－２には、パッド５１が設けられ、そのパッド５１に電極５２が設けられている。この電極５２には、撮像素子１ｍ－２内の回路と接続されている配線５０２が接続されている。配線５０２の一部には、ヒューズ（FUSE）５０１が設けられている。ヒューズ５０１は、電極５２と撮像素子１ｍ－２内の回路を電気的に切り離すために設けられている。回路は、画素アレイ部３からの信号を処理する回路などである。

　個片化後も電極５２と撮像素子１ｍ－２内の回路は配線５０２により接続されている。露出している電極５２に回路に悪影響を及ぼす原因となるような現象が起きた場合などに、撮像素子１ｍ－２内の回路に影響が及ばないように、そのような現象が起きたときにはヒューズ５０１が切れるような仕組みを設けても良い。また個片化後には、ヒューズ５０１は切れ、電極５２と回路の電気的な接続が切り離される構成としても良い。

　このように、パッド５１を残して個片化する場合、図３５に示すような位置でダイシングが行われる。図３５では、ウェハ上に形成されている２×２の撮像素子１ｍ－１乃至１ｍ－４を示している。撮像素子１ｍ－１と撮像素子１ｍ－２の間、および撮像素子１ｍ－３と撮像素子１ｍ－４の間は、図中縦方向のダイシングライン５１１でダイシングされる。撮像素子１ｍ－１と撮像素子１ｍ－３の間、および撮像素子１ｍ－２と撮像素子１ｍ－４の間は、図中横方向のダイシングライン５１１でダイシングされる。

　ダイシングライン５１１は、撮像素子１ｍ－２のパッド５１の外側に設定されているため、個片化後の撮像素子１ｍ－２には、パッド５１と電極５２が残り、チップ内にあるヒューズ５０１も残っている状態で個片化される。

　図３６に示すように、パッド５１のところをダイシングライン５１１としても良い。図３６に示した例では、撮像素子１ｍ－１と撮像素子１ｍ－２の間、および撮像素子１ｍ－３と撮像素子１ｍ－４の間は、図中縦方向のダイシングライン５１１でダイシングされるが、このダイシングライン５１１は、パッド５１（電極５２）上に設定されている。

　図３７は、パッド５１上にダイシングライン５１１が設定されている場合の個片化前の撮像素子１ｍのパッド５１の部分を拡大した図である。

　図３７には、個片化前の隣接している撮像素子１ｍ－１と撮像素子１ｍ－２を示している。個片化前の撮像素子１ｍ－１と撮像素子１ｍ－２の間には、ダイシング領域が設けられている。このダイシング領域にダイシングライン５１１が設定されているため、個片化された後の撮像素子１ｍ－２には、配線５０２が側面に露出した状態であり、ヒューズ５０１が内部にある状態である。

　ダイシングの幅が細い場合など、個片化後の撮像素子１ｍの側面には、電極５２の一部が残っていたり、配線５０２の一部が残っていたりする場合もある。

　ヒューズ５０１は、ダイシング時の熱などにより切れるように構成されていても良い。ヒューズ５０１が切れていることで、配線５０２と回路が電気的に切り離されている状態とし、露出している配線５０２に回路に悪影響を及ぼすような現象が起きた場合などに回路に影響が及ぶことがないようにすることができる。

　パッド５１のところで個片化することで、パッド５１の部分を除去できるため、個片化後の撮像素子１ｍを小型化することができる。

　個片化後の撮像素子１ｍの平面構成例を図３８に示す。図３８の上図は、ＲＤＬ（Redistribution Layer：再配線）面側の平面構成例を示し、下図は、集光面側の平面構成例を示す。

　ＲＤＬ面には、複数のランド７４と、複数の貫通電極７６が設けられている。集光面には、画素アレイ部３と、画素アレイ部３の図中左側に、ヒューズ５０１が設けられている。図３８には、ヒューズ５０１に接続されている電極５２も示したが、電極５２は個片化後にはないため、撮像素子１ｍ外に示している。図３８に示したように、貫通電極７６と電極５２（パッド５１）は、ずれた位置にそれぞれ設けられている。

　個片化前までは、パッド５１を用いた検査を行うことができ、個片化後は、ランド７４を用いて検査を行うことができる。個片化後の撮像素子１ｍの側面に、絶縁膜や防湿膜などを成膜した構成としても良い。

　ヒューズ５０１を設ける構成は、第１乃至第１１の実施の形態における撮像素子１に対しても適用できる。また第１乃至第１１の実施の形態における撮像素子１のパッド５１の部分をダイシング領域としてダイシングが行われ、個片化されるようにすることもできる。

　＜電子機器への適用例＞
　本技術は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に撮像素子を用いる複写機など、画像取込部（光電変換部）に撮像素子を用いる電子機器全般に対して適用可能である。撮像素子は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。

　図３９は、本技術を適用した電子機器としての、撮像装置の構成例を示すブロック図である。

　図３９の撮像素子１０００は、レンズ群などからなる光学部１００１、撮像素子（撮像デバイス）１００２、およびカメラ信号処理回路であるDSP(Digital Signal Processor)回路１００３を備える。また、撮像素子１０００は、フレームメモリ１００４、表示部１００５、記録部１００６、操作部１００７、および電源部１００８も備える。DSP回路１００３、フレームメモリ１００４、表示部１００５、記録部１００６、操作部１００７および電源部１００８は、バスライン１００９を介して相互に接続されている。

　光学部１００１は、被写体からの入射光（像光）を取り込んで撮像素子１００２の撮像面上に結像する。撮像素子１００２は、光学部１００１によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。

　表示部１００５は、例えば、LCD(Liquid Crystal Display)や有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイ等の薄型ディスプレイで構成され、撮像素子１００２で撮像された動画または静止画を表示する。記録部１００６は、撮像素子１００２で撮像された動画または静止画を、ハードディスクや半導体メモリ等の記録媒体に記録する。

　操作部１００７は、ユーザによる操作の下に、撮像素子１０００が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源部１００８は、DSP回路１００３、フレームメモリ１００４、表示部１００５、記録部１００６および操作部１００７の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。

　図３９に示した撮像装置の一部に、第１乃至第１０の実施の形態における撮像素子１を適用することができる。

　＜内視鏡手術システムへの応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。

　図４０は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。

　図４０では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。

　内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。

　鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。

　カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ: Camera Control Unit）１１２０１に送信される。

　ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。

　表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。

　光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（light emitting diode）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。

　入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。

　処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。

　なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。

　また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。

　また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Narrow Band Imaging）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ICG）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。

　図４１は、図４０に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。

　カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。

　レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。

　撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（dimensional）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。

　また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。

　駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。

　通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。

　また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。

　なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Auto Exposure）機能、ＡＦ（Auto Focus）機能及びＡＷＢ（Auto White Balance）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。

　カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。

　通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。

　また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。

　画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。

　制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。

　また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。

　カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。

　ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。

　＜移動体への応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。

　図４２は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図４２に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（Interface）１２０５３が図示されている。

　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。

　撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。

　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced Driver Assistance System）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０３０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図４２の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

　図４３は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。

　図４３では、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５を有する。

　撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２、１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。

　なお、図４３には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。

　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０km/h以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。

　本明細書において、システムとは、複数の装置により構成される装置全体を表すものである。

　なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。

　なお、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。

　なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
　光電変換素子を含む画素が２次元的に配列された画素アレイ部と、
　前記画素アレイ部が設けられている第１の面側に開口部を有するパッドと、
　前記パッドの底部に露出された状態で設けられている電極と、
　前記第１の面と逆側の第２の面に開口部を有する貫通電極と、
　前記第２の面に積層された再配線層と
　を備え、
　前記貫通電極内は空洞である
　撮像素子。
（２）
　平面視において、前記パッドの開口部と、前記パッドに隣接する前記貫通電極の開口部が、重畳する領域がない位置に、前記パッドと前記貫通電極は配置されている
　前記（１）に記載の撮像素子。
（３）
　断面視において、前記パッドの中心軸と、前記パッドに隣接する前記貫通電極の中心軸は、ずれた位置に位置するように、前記パッドと前記貫通電極は配置されている
　前記（１）または（２）に記載の撮像素子。
（４）
　前記パッドは、針当て測定に用いられるパッドである
　前記（１）乃至（３）のいずれかに記載の撮像素子。
（５）
　前記再配線層は、再配線と、前記再配線を覆うソルダマスクと、前記再配線に接続され前記ソルダマスクから露出したランドと、を有し、
　前記ソルダマスクの表面と前記ランドの面とが面一に設けられ、
　前記再配線層は、前記貫通電極と前記ランドを電気的に接続する
　前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の撮像素子。
（６）
　前記貫通電極の前記パッド側には、有機材料、酸化シリコン、または酸化シリコンと同程度の硬度を有する材料が、所定の厚さで充填されている
　前記（１）乃至（５）のいずれかに記載の撮像素子。
（７）
　前記パッドの側壁の少なくとも１辺は、凹凸形状を有する
　前記（１）乃至（６）のいずれかに記載の撮像素子。
（８）
　前記パッドの側壁の少なくとも１辺は、開放されている
　前記（１）乃至（７）のいずれかに記載の撮像素子。
（９）
　前記画素アレイ部を少なくとも覆い、光入射面側に配置されたガラス基板と、
　前記ガラス基板と前記第１の面との間に設けられた台座と
　をさらに備え、
　前記台座は、前記パッドの開口部と重なる領域がない位置に配置されている
　前記（１）乃至（８）のいずれかに記載の撮像素子。
（１０）
　光入射面側に配置されたガラス基板と、
　前記ガラス基板と、前記第１の面との間に設けられた台座と
　をさらに備え、
　前記パッドの開口部と重なる位置に、前記ガラス基板と前記台座は、前記パッドの開口部と同程度の貫通孔を有する
　前記（１）乃至（９）のいずれかに記載の撮像素子。
（１１）
　レンズバレルと、
　前記レンズバレルと前記第１の面とを接合する台座と
　をさらに備え、
　前記台座の一部は、前記パッド内に形成されている
　前記（１）乃至（１０）のいずれかに記載の撮像素子。
（１２）
　前記電極と接続され、一部が露出している配線をさらに備える
　前記（１）乃至（１１）のいずれかに記載の撮像素子。
（１３）
　光入射面側に配置されたガラス基板と、
　前記ガラス基板と、前記第１の面との間に設けられ、前記ガラス基板を接合する接合樹脂と
　をさらに備え、
　前記配線は、前記接合樹脂と接する面に凹凸を有する
　前記（１２）に記載の撮像素子。
（１４）
　光入射面側に配置されたガラス基板と、
　前記ガラス基板と、前記第１の面との間に設けられた台座と
　をさらに備え、
　前記配線は、前記台座に含まれている
　前記（１２）に記載の撮像素子。
（１５）
　前記電極と撮像素子内の回路とを接続する配線の一部にヒューズをさらに備える
　前記（１）乃至（１４）のいずれかに記載の撮像素子。
（１６）
　光電変換素子を含む画素が２次元的に配列された画素アレイ部と、
　前記画素アレイ部からの信号を処理する回路と接続され、撮像素子の側面において露出している配線と、
　前記配線の一部に設けられたヒューズと
　を備える撮像素子。
（１７）
　前記画素アレイ部が設けられている第１の面側に開口部を有するパッドの底部に露出された状態で設けられ、前記配線に接続されている電極と、
　前記第１の面と逆側の第２の面に開口部を有する貫通電極と、
　前記第２の面に積層された再配線層と
　をさらに備え、
　前記貫通電極内は空洞である
　前記（１６）に記載の撮像素子。
（１８）
　前記ヒューズは、前記配線と前記回路を電気的に切り離している
　前記（１６）または（１７）に記載の撮像素子。
（１９）
　光電変換素子を含む画素が２次元的に配列された画素アレイ部と、
　前記画素アレイ部が設けられている第１の面側に開口部を有するパッドと、
　前記パッドの底部に露出された状態で設けられている電極と、
　前記第１の面と逆側の第２の面に開口部を有する貫通電極と、
　前記第２の面に積層された再配線層と
　を備え、
　前記貫通電極内は空洞である
　撮像素子と、
　前記撮像素子からの信号を処理知る処理部と
　を備える電子機器。

　１　撮像素子，　２　画素，　３　画素アレイ部，　４　垂直駆動回路，　５　カラム信号処理回路，　６　水平駆動回路，　７　出力回路，　８　制御回路，　９　垂直信号線，　１０　水平信号線，　１１　半導体基板，　１２　入出力端子，　２１　フォトダイオード，　２２　転送トランジスタ，　２３　フローティングディフュージョン，　２４　リセットトランジスタ，　２５　増幅トランジスタ，　２６　選択トランジスタ，　５１　パッド，　５２　電極，　７０　再配線層，　７１　支持基板，　７２　絶縁膜，　７３　バリアメタル，　７４　再配線，　７５　ソルダーレジスト，　７６　貫通電極，　８０　半導体基板，　８１　配線層，　８２　カラーフィルタ，　８３　オンチップレンズ，　１１１　接着層，　１１２　仮基板，　１１３　ダイシングリング，　２１１　補強膜，　２２１　補強膜，　２５１　台座，　２５２　ガラス基板，　２６１　台座，　２６２　ガラス基板，　３１１　台座，　３１２　レンズバレル

Claims (19)

1. 　光電変換素子を含む画素が２次元的に配列された画素アレイ部と、
   　前記画素アレイ部が設けられている第１の面側に開口部を有するパッドと、
   　前記パッドの底部に露出された状態で設けられている電極と、
   　前記第１の面と逆側の第２の面に開口部を有する貫通電極と、
   　前記第２の面に積層された再配線層と
   　を備え、
   　前記貫通電極内は空洞である
   　撮像素子。
2. 　平面視において、前記パッドの開口部と、前記パッドに隣接する前記貫通電極の開口部が、重畳する領域がない位置に、前記パッドと前記貫通電極は配置されている
   　請求項１に記載の撮像素子。
3. 　断面視において、前記パッドの中心軸と、前記パッドに隣接する前記貫通電極の中心軸は、ずれた位置に位置するように、前記パッドと前記貫通電極は配置されている
   　請求項１に記載の撮像素子。
4. 　前記パッドは、針当て測定に用いられるパッドである
   　請求項１に記載の撮像素子。
5. 　前記再配線層は、再配線と、前記再配線を覆うソルダマスクと、前記再配線に接続され前記ソルダマスクから露出したランドと、を有し、
   　前記ソルダマスクの表面と前記ランドの面とが面一に設けられ、
   　前記再配線層は、前記貫通電極と前記ランドを電気的に接続する
   　請求項１に記載の撮像素子。
6. 　前記貫通電極の前記パッド側には、有機材料、酸化シリコン、または酸化シリコンと同程度の硬度を有する材料が、所定の厚さで充填されている
   　請求項１に記載の撮像素子。
7. 　前記パッドの側壁の少なくとも１辺は、凹凸形状を有する
   　請求項１に記載の撮像素子。
8. 　前記パッドの側壁の少なくとも１辺は、開放されている
   　請求項１に記載の撮像素子。
9. 　前記画素アレイ部を少なくとも覆い、光入射面側に配置されたガラス基板と、
   　前記ガラス基板と前記第１の面との間に設けられた台座と
   　をさらに備え、
   　前記台座は、前記パッドの開口部と重なる領域がない位置に配置されている
   　請求項１に記載の撮像素子。
10. 　光入射面側に配置されたガラス基板と、
    　前記ガラス基板と、前記第１の面との間に設けられた台座と
    　をさらに備え、
    　前記パッドの開口部と重なる位置に、前記ガラス基板と前記台座は、前記パッドの開口部と同程度の貫通孔を有する
    　請求項１に記載の撮像素子。
11. 　レンズバレルと、
    　前記レンズバレルと前記第１の面とを接合する台座と
    　をさらに備え、
    　前記台座の一部は、前記パッド内に形成されている
    　請求項１に記載の撮像素子。
12. 　前記電極と接続され、一部が露出している配線をさらに備える
    　請求項１に記載の撮像素子。
13. 　光入射面側に配置されたガラス基板と、
    　前記ガラス基板と、前記第１の面との間に設けられ、前記ガラス基板を接合する接合樹脂と
    　をさらに備え、
    　前記配線は、前記接合樹脂と接する面に凹凸を有する
    　請求項１２に記載の撮像素子。
14. 　光入射面側に配置されたガラス基板と、
    　前記ガラス基板と、前記第１の面との間に設けられた台座と
    　をさらに備え、
    　前記配線は、前記台座に含まれている
    　請求項１２に記載の撮像素子。
15. 　前記電極と撮像素子内の回路とを接続する配線の一部にヒューズをさらに備える
    　請求項１に記載の撮像素子。
16. 　光電変換素子を含む画素が２次元的に配列された画素アレイ部と、
    　前記画素アレイ部からの信号を処理する回路と接続され、撮像素子の側面において露出している配線と、
    　前記配線の一部に設けられたヒューズと
    　を備える撮像素子。
17. 　前記画素アレイ部が設けられている第１の面側に開口部を有するパッドの底部に露出された状態で設けられ、前記配線に接続されている電極と、
    　前記第１の面と逆側の第２の面に開口部を有する貫通電極と、
    　前記第２の面に積層された再配線層と
    　をさらに備え、
    　前記貫通電極内は空洞である
    　請求項１６に記載の撮像素子。
18. 　前記ヒューズは、前記配線と前記回路を電気的に切り離している
    　請求項１６に記載の撮像素子。
19. 　光電変換素子を含む画素が２次元的に配列された画素アレイ部と、
    　前記画素アレイ部が設けられている第１の面側に開口部を有するパッドと、
    　前記パッドの底部に露出された状態で設けられている電極と、
    　前記第１の面と逆側の第２の面に開口部を有する貫通電極と、
    　前記第２の面に積層された再配線層と
    　を備え、
    　前記貫通電極内は空洞である
    　撮像素子と、
    　前記撮像素子からの信号を処理知る処理部と
    　を備える電子機器。

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