JP7419476B2 - 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 104
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 190
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 117
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 117
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 48
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 44
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 36
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 31
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 30
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 20
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 19
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 19
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000002408 directed self-assembly Methods 0.000 description 12
- 238000002674 endoscopic surgery Methods 0.000 description 12
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 10
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 10
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 238000001356 surgical procedure Methods 0.000 description 5
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 208000005646 Pneumoperitoneum Diseases 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010336 energy treatment Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 210000004204 blood vessel Anatomy 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- MOFVSTNWEDAEEK-UHFFFAOYSA-M indocyanine green Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CCCCN1C2=CC=C3C=CC=CC3=C2C(C)(C)C1=CC=CC=CC=CC1=[N+](CCCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=C(C=CC=C3)C3=C2C1(C)C MOFVSTNWEDAEEK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229960004657 indocyanine green Drugs 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000002073 fluorescence micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
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Description
1.第1実施の形態(エアギャップを有する半導体装置の基本構成例)
2.半導体装置の製造方法
3.第2実施の形態(複数層のエアギャップを有する半導体装置の構成例)
4.第3実施の形態(一部の領域のみにエアギャップを有する半導体装置の構成例)
5.変形例
6.固体撮像装置への適用例
7.内視鏡手術システムへの応用例
8.移動体への応用例
図1は、本技術を適用した半導体装置の第1実施の形態の構成例を示す断面図である。
次に、図4乃至図6を参照して、図1の半導体装置1の製造方法について説明する。
図7は、本技術を適用した半導体装置の第2実施の形態の構成例を示す断面図である。
図8は、本技術を適用した半導体装置の第3実施の形態の構成例を示す断面図である。
図11は、上述した各実施の形態の第1の変形例を示す断面図である。
半導体装置1は、少なくとも1層の配線層(配線層11)において、上述したエアギャップ34および保護膜35のようなエアギャップ構造を備える装置であり、例えば、通信装置、制御装置、固体撮像装置など、配線層を有する任意の装置または電子機器として構成することができる。
図14は、本技術を適用した固体撮像装置の概略構成を示している。
図15は、固体撮像装置201で採用されている共有画素構造の回路図を示している。
図14の固体撮像装置201は、図17のAに示されるように、1枚の半導体基板212に、複数の画素202が配列されている画素領域321と、画素202を制御する制御回路322と、画素信号の信号処理回路を含むロジック回路323とが形成された構成とされている。この場合、本技術のエアギャップ構造は、1枚の半導体基板212の配線層の全面に形成することができる。画素領域321は、図14の画素領域203に対応する領域である。
図17のAに示した1枚の半導体基板212を用いた固体撮像装置201の例を用いて、配線層の一部の領域にエアギャップ構造を持たない例について説明する。
図19は、固体撮像装置が、図17のBおよびCに示したように、2枚の半導体基板を接合して構成される場合の、固体撮像装置の詳細断面図である。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
(1)
金属膜を含む第1の配線層と第2の配線層が、前記金属膜の拡散を防止する拡散防止膜を介して積層されており、
前記拡散防止膜は、第1の膜に形成された多数の孔に第2の膜を埋め込んで構成され、
少なくとも前記第1の配線層は、前記金属膜と、エアギャップと、前記エアギャップの内周面に前記第2の膜で形成された保護膜とを有し、
前記エアギャップの開口幅が、前記第1の膜に形成された前記孔の開口幅と同じか、または、前記孔の開口幅より大きく構成された
半導体装置。
(2)
前記第1の配線層は、隣接する2つの前記金属膜の間に、複数の前記エアギャップを有する
前記(1)に記載の半導体装置。
(3)
前記第1の配線層は、隣接する2つの前記エアギャップの間に絶縁膜をさらに有する
前記(1)または(2)に記載の半導体装置。
(4)
前記第1の配線層は、隣接する2つの前記金属膜の間の全ての領域に、前記エアギャップを有する
前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の半導体装置。
(5)
前記第1の配線層は、隣接する2つの前記金属膜の間に、前記エアギャップが形成されず、絶縁膜が形成された領域を有する
前記(1)乃至(4)のいずれかに記載の半導体装置。
(6)
前記第1の配線層は、前記金属膜と前記絶縁膜との間、および、前記金属膜と前記拡散防止膜との間に、保護膜をさらに有する
前記(3)または(5)に記載の半導体装置。
(7)
前記第1の配線層は、隣接する2つの前記金属膜の間に、1つの前記エアギャップと、前記エアギャップの内周面に前記第2の膜で成膜された保護膜とを有する
前記(1)、(4)、または(6)に記載の半導体装置。
(8)
前記第2の配線層も、前記エアギャップと、前記エアギャップの内周面に前記第2の膜で形成された前記保護膜とを有する
前記(1)乃至(7)のいずれかに記載の半導体装置。
(9)
前記第1の膜と前記第2の膜は、同じ材料の膜である
前記(1)乃至(8)のいずれかに記載の半導体装置。
(10)
金属膜が形成された配線層の上面に、前記金属膜の拡散を防止する拡散防止膜としての第1の膜を形成し、
前記第1の膜に、多数の孔を形成し、
前記多数の孔の下の前記配線層に、前記孔の開口幅よりも広い開口幅のエアギャップを形成し、
前記エアギャップの内周面に第2の膜を形成するとともに、前記多数の孔を前記第2の膜で埋め込む
半導体装置の製造方法。
(11)
前記第1の膜の上面に自己組織化膜を塗布し、パターニングすることにより、前記多数の孔を形成する
前記(10)に記載の半導体装置の製造方法。
(12)
前記多数の孔が形成された前記第1の膜をマスクとして前記配線層の絶縁膜をエッチングすることにより、前記多数の孔の下の前記絶縁膜に前記エアギャップを形成する
前記(10)または(11)に記載の半導体装置の製造方法。
(13)
前記多数の孔が形成された前記第1の膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチングすることにより前記孔の開口幅と同一の溝を形成した後、さらに幅方向にエッチングすることにより、前記エアギャップの開口幅を、前記孔の開口幅よりも広く形成する
前記(12)に記載の半導体装置の製造方法。
(14)
金属膜を含む第1の配線層と第2の配線層が、前記金属膜の拡散を防止する拡散防止膜を介して積層されており、
前記拡散防止膜は、第1の膜に形成された多数の孔に第2の膜を埋め込んで構成され、
少なくとも前記第1の配線層は、エアギャップと、前記エアギャップの内周面に前記第2の膜で成膜された保護膜とを有し、
前記エアギャップの開口幅が、前記第1の膜に形成された前記孔の開口幅と同じか、または、前記孔の開口幅より大きく構成された
半導体装置
を備える電子機器。
Claims (11)
- 第1の配線と第1の膜とを含む第1の層と、
第2の配線と第2の膜を含む第2の層と、
前記第1の層と前記第2の層との間に配置され、第3の膜と第4の膜とを含む第3の層と
を有し、
前記第1の層は、
前記第1の膜の第1部分と前記第1の膜の第2部分との間に配置されたエアギャップと、
前記第1の膜の前記第1部分と前記エアギャップとの間に、前記第4の膜と同一材料で配置され、前記第4の膜に接続されている第5の膜と
をさらに含み、
前記第3の層の前記第4の膜は、前記第1の層の前記エアギャップと重畳する位置に配置され、
前記第3の層は、前記第3の膜に形成された多数の孔の内部に前記第4の膜が埋め込まれて構成されている
半導体装置。 - 第1の配線と第1の膜とを含む第1の層と、
第2の配線と第2の膜を含む第2の層と、
前記第1の層と前記第2の層との間に配置され、第3の膜と第4の膜とを含む第3の層と
を有し、
前記第1の層は、
前記第1の膜の第1部分と前記第1の膜の第2部分との間に配置されたエアギャップと、
前記第1の膜の前記第1部分と前記エアギャップとの間に、前記第4の膜と同一材料で配置された第5の膜と
をさらに含み、
前記第3の層の前記第4の膜は、前記第1の層の前記エアギャップと重畳する位置に配置され、
前記エアギャップの平面方向の幅は、前記第4の膜の平面方向の幅と同じか、または、前記第4の膜の平面方向の幅より大きく形成された
半導体装置。 - 前記第3の層の前記第4の膜は、さらに、前記第1の配線と重畳する位置に配置される
請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第2の層の前記第2の配線は、前記第3の層を貫通し、前記第1の層の前記第1の配線と接続されている
請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第1の層は、隣接する2つの前記第1の配線の間の全ての領域に、前記エアギャップを有する
請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第1の層は、隣接する2つの前記第1の配線の間に、前記エアギャップが形成されず、前記第1の膜が形成された領域を有する
請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第1の層は、前記第1の配線と前記第1の膜との間、および、前記第1の配線と前記第3の層との間に、保護膜をさらに有する
請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第3の膜と前記第4の膜は、同じ材料の膜である
請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第2の層は、
前記第2の膜の第1部分と前記第2の膜の第2部分との間に配置された第2エアギャップと、
前記第2の膜の前記第1部分と前記第2エアギャップとの間に、前記第4の膜と同一材料で配置された第6の膜と
をさらに含む
請求項1または2に記載の半導体装置。 - 第1の配線と第1の膜とを含む第1の層と、
第2の配線と第2の膜を含む第2の層と、
前記第1の層と前記第2の層との間に配置され、第3の膜と第4の膜とを含む第3の層と
を形成し、
前記第1の層は、
前記第1の膜の第1部分と前記第1の膜の第2部分との間に配置されたエアギャップと、
前記第1の膜の前記第1部分と前記エアギャップとの間に、前記第4の膜と同一材料で配置され、前記第4の膜に接続されている第5の膜と
をさらに含み、
前記第3の層の前記第4の膜は、前記第1の層の前記エアギャップと重畳する位置に配置され、
前記第3の層は、前記第3の膜に形成された多数の孔の内部に前記第4の膜が埋め込まれて構成されている
半導体装置の製造方法。 - 第1の配線と第1の膜とを含む第1の層と、
第2の配線と第2の膜を含む第2の層と、
前記第1の層と前記第2の層との間に配置され、第3の膜と第4の膜とを含む第3の層と
を有し、
前記第1の層は、
前記第1の膜の第1部分と前記第1の膜の第2部分との間に配置されたエアギャップと、
前記第1の膜の前記第1部分と前記エアギャップとの間に、前記第4の膜と同一材料で配置され、前記第4の膜に接続されている第5の膜と
をさらに含み、
前記第3の層の前記第4の膜は、前記第1の層の前記エアギャップと重畳する位置に配置され、
前記第3の層は、前記第3の膜に形成された多数の孔の内部に前記第4の膜が埋め込まれて構成されている
半導体装置
を備える電子機器。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018002368 | 2018-01-11 | ||
JP2018002368 | 2018-01-11 | ||
JP2019564646A JP7158415B2 (ja) | 2018-01-11 | 2018-12-28 | 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
PCT/JP2018/048419 WO2019138924A1 (ja) | 2018-01-11 | 2018-12-28 | 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019564646A Division JP7158415B2 (ja) | 2018-01-11 | 2018-12-28 | 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022179641A JP2022179641A (ja) | 2022-12-02 |
JP7419476B2 true JP7419476B2 (ja) | 2024-01-22 |
Family
ID=67218305
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019564646A Active JP7158415B2 (ja) | 2018-01-11 | 2018-12-28 | 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2022163098A Active JP7419476B2 (ja) | 2018-01-11 | 2022-10-11 | 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019564646A Active JP7158415B2 (ja) | 2018-01-11 | 2018-12-28 | 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11264272B2 (ja) |
JP (2) | JP7158415B2 (ja) |
CN (1) | CN111602236A (ja) |
WO (1) | WO2019138924A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11508615B2 (en) * | 2020-07-30 | 2022-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device structure and methods of forming the same |
FR3134478A1 (fr) * | 2022-04-06 | 2023-10-13 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Substrat comprenant des vias et procédés de fabrication associés |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004214648A (ja) | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ブリッジ後メタライゼーション形成手順を用いた強固な超低誘電率の相互接続構造 |
JP2005136152A (ja) | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2009094378A (ja) | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009123776A (ja) | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2009123775A (ja) | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2009302545A (ja) | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Applied Materials Inc | パターン形成キャップを用いるエアギャップ形成と一体化 |
JP2012134422A (ja) | 2010-12-24 | 2012-07-12 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2013165147A (ja) | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2014175525A (ja) | 2013-03-11 | 2014-09-22 | Ps4 Luxco S A R L | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2015167153A (ja) | 2014-02-12 | 2015-09-24 | 株式会社東芝 | 集積回路装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0521617A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH1126575A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2971454B2 (ja) | 1997-08-21 | 1999-11-08 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
EP0924760A3 (en) | 1997-12-19 | 2001-05-16 | Texas Instruments Incorporated | Address transition detection circuit |
JP2004072018A (ja) | 2002-08-09 | 2004-03-04 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009123743A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Panasonic Corp | 半導体装置の製造方法 |
US9496169B2 (en) * | 2015-02-12 | 2016-11-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of forming an interconnect structure having an air gap and structure thereof |
KR102449199B1 (ko) * | 2015-12-14 | 2022-09-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 이의 제조 방법 |
JP6329199B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2018-05-23 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US9892961B1 (en) * | 2016-08-09 | 2018-02-13 | International Business Machines Corporation | Air gap spacer formation for nano-scale semiconductor devices |
-
2018
- 2018-12-28 US US16/959,723 patent/US11264272B2/en active Active
- 2018-12-28 CN CN201880084219.0A patent/CN111602236A/zh active Pending
- 2018-12-28 JP JP2019564646A patent/JP7158415B2/ja active Active
- 2018-12-28 WO PCT/JP2018/048419 patent/WO2019138924A1/ja active Application Filing
-
2022
- 2022-02-01 US US17/590,257 patent/US11990366B2/en active Active
- 2022-10-11 JP JP2022163098A patent/JP7419476B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004214648A (ja) | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ブリッジ後メタライゼーション形成手順を用いた強固な超低誘電率の相互接続構造 |
JP2005136152A (ja) | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2009094378A (ja) | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009123776A (ja) | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2009123775A (ja) | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2009302545A (ja) | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Applied Materials Inc | パターン形成キャップを用いるエアギャップ形成と一体化 |
JP2012134422A (ja) | 2010-12-24 | 2012-07-12 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2013165147A (ja) | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2014175525A (ja) | 2013-03-11 | 2014-09-22 | Ps4 Luxco S A R L | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2015167153A (ja) | 2014-02-12 | 2015-09-24 | 株式会社東芝 | 集積回路装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220230907A1 (en) | 2022-07-21 |
US11990366B2 (en) | 2024-05-21 |
US11264272B2 (en) | 2022-03-01 |
US20200350198A1 (en) | 2020-11-05 |
WO2019138924A1 (ja) | 2019-07-18 |
JP7158415B2 (ja) | 2022-10-21 |
JP2022179641A (ja) | 2022-12-02 |
JPWO2019138924A1 (ja) | 2021-01-07 |
CN111602236A (zh) | 2020-08-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
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