JP7143329B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7143329B2 JP7143329B2 JP2019563944A JP2019563944A JP7143329B2 JP 7143329 B2 JP7143329 B2 JP 7143329B2 JP 2019563944 A JP2019563944 A JP 2019563944A JP 2019563944 A JP2019563944 A JP 2019563944A JP 7143329 B2 JP7143329 B2 JP 7143329B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- film
- interlayer film
- wiring
- interlayer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 186
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 208
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 123
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 114
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 84
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 68
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 67
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 46
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 40
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 36
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 31
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 23
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 22
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 10
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 324
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 92
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 description 40
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 29
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 29
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 27
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 22
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 20
- 230000006870 function Effects 0.000 description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 14
- 238000001727 in vivo Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000002674 endoscopic surgery Methods 0.000 description 11
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000001356 surgical procedure Methods 0.000 description 4
- 208000005646 Pneumoperitoneum Diseases 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010336 energy treatment Methods 0.000 description 3
- -1 tantalum (Ta) Chemical class 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 210000004204 blood vessel Anatomy 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- MOFVSTNWEDAEEK-UHFFFAOYSA-M indocyanine green Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CCCCN1C2=CC=C3C=CC=CC3=C2C(C)(C)C1=CC=CC=CC=CC1=[N+](CCCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=C(C=CC=C3)C3=C2C1(C)C MOFVSTNWEDAEEK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229960004657 indocyanine green Drugs 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 1
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N dinuclear copper ion Chemical compound [Cu].[Cu] ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000002073 fluorescence micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 210000000936 intestine Anatomy 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002406 microsurgery Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002572 peristaltic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76804—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics by forming tapered via holes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/7682—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing the dielectric comprising air gaps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5222—Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5226—Via connections in a multilevel interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
- H01L23/53228—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being copper
- H01L23/53238—Additional layers associated with copper layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
- H01L23/53257—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being a refractory metal
- H01L23/53266—Additional layers associated with refractory-metal layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/5329—Insulating materials
- H01L23/53295—Stacked insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
1.第1の実施形態
1.1.構成例
1.2.製造方法
1.3.変形例
2.第2の実施形態
2.1.構成例
2.2.製造方法
2.3.変形例
3.第3の実施形態
4.応用例
4.1.第1の応用例
4.2.第2の応用例
4.3.第3の応用例
(1.1.構成例)
まず、図1を参照して、本開示の第1の実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。図1は、本実施形態に係る半導体装置を積層方向に切断した断面図である。なお、図1は、本実施形態に係る半導体装置1の断面の一部を示したものであり、半導体装置1は、図示しない範囲にも延伸していることは言うまでもない。
次に、図2A~図2Gを参照して、本実施形態に係る半導体装置1の製造方法について説明する。図2A~図2Gは、本実施形態に係る半導体装置1の製造方法の一工程を示す断面図である。
次に、図3~図6を参照して、本実施形態に係る半導体装置1の変形例について説明する。図3は、第1の変形例に係る半導体装置11を積層方向に切断した断面図であり、図4は、第2の変形例に係る半導体装置12を積層方向に切断した断面図であり、図5A~図5Cは、第3の変形例に係る半導体装置13A~13Cを積層方向に切断した断面図であり、図6は、第4の変形例に係る半導体装置14を積層方向に切断した断面図である。なお、図3~図6は、半導体装置の断面の一部を示したものであり、半導体装置は、図示しない範囲にも面内方向に延伸していることは言うまでもない。
図3に示すように、第1の変形例に係る半導体装置11では、空隙530によって露出した面に保護膜540が形成されてもよい。具体的には、空隙530によって露出されたコンタクトビア610、第0配線620、層間膜100、拡散防止膜200、配線300及び貫通ビア400の各面には、保護膜540が形成されてもよい。なお、その他の構成については、図1を参照して説明したとおりであるため、ここでの説明は省略する。
次に、図4に示すように、第2の変形例に係る半導体装置12では、層間膜100が複数の異なる材料で形成されてもよい。具体的には、ビア絶縁層600、第1層間膜110及び第2層間膜120は、第1材料で形成され、第3層間膜131は、第1材料とは異なる第2材料で形成されてもよい。例えば、ビア絶縁層600、第1層間膜110及び第2層間膜120は、SiOxなどの第1材料で形成されてもよく、第3層間膜131は、第1材料のSiOxよりも比誘電率が低い第2材料(いわゆる、上述したlow-k材料)で形成されてもよい。なお、その他の構成については、図1を参照して説明したとおりであるため、ここでの説明は省略する。
続いて、図5A~図5Cに示すように、第3の変形例に係る半導体装置13A~13Cでは、4層以上の層間膜100及び拡散防止膜200が積層されてもよく、空隙530が1層~3層の層間膜100に形成されてもよい。
さらに、図6に示すように、第4の変形例に係る半導体装置14では、第1層間膜110の間にさらに拡散防止膜211が設けられてもよい。具体的には、第1層間膜110に設けられた第1配線310とコンタクトビア610との間には、拡散防止膜211がさらに設けられてもよい。
(2.1.構成例)
次に、図7を参照して、本開示の第2の実施形態に係る半導体装置2の構成について説明する。図7は、本実施形態に係る半導体装置を積層方向に切断した断面図である。なお、図7は、本実施形態に係る半導体装置2の断面の一部を示したものであり、半導体装置2は、図示しない範囲にも延伸していることは言うまでもない。
続いて、図8A~図8Eを参照して、本実施形態に係る半導体装置2の製造方法について説明する。図8A~図8Eは、本実施形態に係る半導体装置2の製造方法の一工程を示す断面図である。
さらに、図9を参照して、本実施形態に係る半導体装置2の変形例について説明する。図9は、本変形例に係る半導体装置21を積層方向に切断した断面図である。なお、図9は、半導体装置の断面の一部を示したものであり、半導体装置は、図示しない範囲にも面内方向に延伸していることは言うまでもない。
続いて、図10~図13Cを参照して、本開示の第3の実施形態に係る半導体装置3の構成について説明する。図10は、本実施形態に係る半導体装置を積層方向に切断した断面図である。
(4.1.第1の応用例)
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
Processing Unit)等によって構成され、内視鏡11100及び表示装置11202の動作を統括的に制御する。さらに、CCU11201は、カメラヘッド11102から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理(デモザイク処理)等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
Processing Unit)等のプロセッサによって構成され、撮像部10112によって生成された画像信号に対して各種の信号処理を行う。画像処理部10113は、信号処理を施した画像信号を、RAWデータとして無線通信部10114に提供する。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
(1)
複数の層間膜と複数の拡散防止膜とが交互に積層され、前記層間膜の内部に配線が設けられた多層配線層と、
前記多層配線層の一面に設けられたビア絶縁層を貫通して設けられ、前記多層配線層の前記配線と電気的に接続されたコンタクトビアと、
前記多層配線層の一面と対向する他面から前記層間膜及び前記拡散防止膜を少なくとも1つ以上貫通して設けられたスルーホールと、
前記スルーホールと接続し、前記コンタクトビアを露出させるように、少なくとも1つ以上の前記層間膜に設けられた空隙と、
を備える、半導体装置。
(2)
前記ビア絶縁層の前記多層配線層が設けられた一面と対向する他面には、半導体基板がさらに設けられる、前記(1)に記載の半導体装置。
(3)
前記半導体基板には、フォトダイオードが設けられる、前記(2)に記載の半導体装置。
(4)
前記空隙は、前記フォトダイオードから読み出された信号電荷を蓄積するFD配線に接する領域に設けられる、前記(3)に記載の半導体装置。
(5)
前記空隙は、前記フォトダイオードからの信号電荷の読み出しを制御する転送トランジスタのゲートと電気的に接続するTG制御線に接する領域にさらに設けられる、前記(3)又は(4)に記載の半導体装置。
(6)
前記コンタクトビアは、前記転送トランジスタのゲートと電気的に接続する、前記(5)に記載の半導体装置。
(7)
前記空隙は、前記フォトダイオードから読み出された信号電荷を画素信号に変換する画素回路と電気的に接続する垂直信号線又は電源線に接する領域にさらに設けられる、前記(3)~(6)のいずれか一項に記載の半導体装置。
(8)
前記多層配線層の前記他面側には、前記半導体基板と対向する基板がさらに設けられる、前記(2)~(7)のいずれか一項に記載の半導体装置。
(9)
前記コンタクトビアは、前記多層配線層の前記ビア絶縁層側に設けられた前記層間膜の内部に突出して設けられる、前記(1)~(8)のいずれか一項に記載の半導体装置。
(10)
前記空隙は、少なくとも1つ以上の前記層間膜にさらに設けられる、前記(1)~(9)のいずれか一項に記載の半導体装置。
(11)
前記空隙は、複数の前記層間膜にさらに設けられ、
前記空隙が設けられた前記層間膜の間の前記拡散防止膜には、一部に開口が設けられる、前記(10)に記載の半導体装置。
(12)
前記層間膜の各々は、第1材料又は前記第1材料よりも比誘電率が低い第2材料にて形成され、
前記空隙は、前記第1材料にて形成された前記層間膜に設けられる、前記(11)に記載の半導体装置。
(13)
前記配線は、第1金属にて形成され、前記コンタクトビアは、前記第1金属と異なる第2金属にて形成される、前記(1)~(12)のいずれか一項に記載の半導体装置。
(14)
前記層間膜の内部には、前記コンタクトビアと接続し、前記第2金属にて形成された配線がさらに設けられる、前記(13)に記載の半導体装置。
(15)
前記第1金属は、銅であり、前記第2金属は、タングステンである、前記(13)又は(14)に記載の半導体装置。
(16)
前記第2金属にて形成された前記コンタクトビア及び前記配線の表面は、保護層で覆われている、前記(14)又は(15)に記載の半導体装置。
(17)
前記スルーホールの内側には、保護側壁がさらに設けられる、前記(1)~(16)のいずれか一項に記載の半導体装置。
(18)
前記拡散防止膜及び前記保護側壁は、それぞれ前記層間膜よりもフッ素化合物に対するエッチング耐性が高い材料で形成される、前記(17)に記載の半導体装置。
100 層間膜
101 多層配線層
200 拡散防止膜
300 配線
400 貫通ビア
510 スルーホール
520 保護側壁
530 空隙
600 ビア絶縁層
610 コンタクトビア
620 第0配線
710、720 基板
Claims (14)
- 複数の層間膜と複数の拡散防止膜とが交互に積層され、前記層間膜の内部に配線が設けられた多層配線層と、
前記多層配線層の一面に設けられたビア絶縁層を貫通して設けられ、前記多層配線層の前記配線と電気的に接続されたコンタクトビアと、
前記多層配線層の一面と対向する他面から前記層間膜及び前記拡散防止膜を少なくとも1つ以上貫通して設けられたスルーホールと、
前記スルーホールと接続し、前記コンタクトビアを露出させるように、少なくとも1つ以上の前記層間膜に設けられた空隙と、
を備え、
前記ビア絶縁層の前記多層配線層が設けられた一面と対向する他面には、半導体基板がさらに設けられ、
前記半導体基板には、フォトダイオードが設けられ、
前記空隙は、前記フォトダイオードからの信号電荷の読み出しを制御する転送トランジスタのゲートと電気的に接続するTG制御線に接する領域にさらに設けられ、
前記コンタクトビアは、前記転送トランジスタのゲートと電気的に接続する、
半導体装置。 - 前記空隙は、前記フォトダイオードから読み出された信号電荷を蓄積するFD配線に接する領域に設けられる、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記空隙は、前記フォトダイオードから読み出された信号電荷を画素信号に変換する画素回路と電気的に接続する垂直信号線又は電源線に接する領域にさらに設けられる、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記多層配線層の前記他面側には、前記半導体基板と対向する基板がさらに設けられる、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記コンタクトビアは、前記多層配線層の前記ビア絶縁層側に設けられた前記層間膜の内部に突出して設けられる、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記空隙は、少なくとも1つ以上の前記層間膜にさらに設けられる、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記空隙は、複数の前記層間膜にさらに設けられ、
前記空隙が設けられた前記層間膜の間の前記拡散防止膜には、一部に開口が設けられる、請求項6に記載の半導体装置。 - 前記層間膜の各々は、第1材料又は前記第1材料よりも比誘電率が低い第2材料にて形成され、
前記空隙は、前記第1材料にて形成された前記層間膜に設けられる、請求項7に記載の半導体装置。 - 前記配線は、第1金属にて形成され、前記コンタクトビアは、前記第1金属と異なる第2金属にて形成される、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記層間膜の内部には、前記コンタクトビアと接続し、前記第2金属にて形成された配線がさらに設けられる、請求項9に記載の半導体装置。
- 前記第1金属は、銅であり、前記第2金属は、タングステンである、請求項9に記載の半導体装置。
- 前記第2金属にて形成された前記コンタクトビア及び前記配線の表面は、保護層で覆われている、請求項10に記載の半導体装置。
- 前記スルーホールの内側には、保護側壁がさらに設けられる、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記拡散防止膜及び前記保護側壁は、それぞれ前記層間膜よりもフッ素化合物に対するエッチング耐性が高い材料で形成される、請求項13に記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018000630 | 2018-01-05 | ||
JP2018000630 | 2018-01-05 | ||
PCT/JP2018/044305 WO2019135333A1 (ja) | 2018-01-05 | 2018-11-30 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019135333A1 JPWO2019135333A1 (ja) | 2020-12-17 |
JP7143329B2 true JP7143329B2 (ja) | 2022-09-28 |
Family
ID=67143646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019563944A Active JP7143329B2 (ja) | 2018-01-05 | 2018-11-30 | 半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11271027B2 (ja) |
JP (1) | JP7143329B2 (ja) |
CN (1) | CN111542917A (ja) |
DE (1) | DE112018006764T5 (ja) |
WO (1) | WO2019135333A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11309266B2 (en) * | 2020-05-28 | 2022-04-19 | Nanya Technology Corporation | Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same |
JP2022147587A (ja) * | 2021-03-23 | 2022-10-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001110745A (ja) | 1999-10-13 | 2001-04-20 | Applied Materials Inc | 半導体集積回路を製造する方法 |
JP2001217312A (ja) | 2000-02-07 | 2001-08-10 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002353303A (ja) | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014154886A (ja) | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2015038931A (ja) | 2013-08-19 | 2015-02-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
WO2016158440A1 (ja) | 2015-03-31 | 2016-10-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3962443B2 (ja) * | 1997-03-05 | 2007-08-22 | 富士通株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
JP2962272B2 (ja) | 1997-04-18 | 1999-10-12 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2002353305A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2006019401A (ja) | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US7453109B2 (en) * | 2004-09-03 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor and imaging system |
JP4534062B2 (ja) * | 2005-04-19 | 2010-09-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
FR2911432A1 (fr) * | 2007-01-11 | 2008-07-18 | Stmicroelectronics Crolles Sas | Interconnexions d'un circuit electronique integre |
US7871923B2 (en) * | 2007-01-26 | 2011-01-18 | Taiwan Semiconductor Maufacturing Company, Ltd. | Self-aligned air-gap in interconnect structures |
JP5235378B2 (ja) * | 2007-10-24 | 2013-07-10 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
JP2012109496A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-07 | Sony Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、および電子機器 |
JP2013232613A (ja) * | 2012-04-05 | 2013-11-14 | Sony Corp | 配線基板及び電子機器 |
JP6856974B2 (ja) | 2015-03-31 | 2021-04-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
JP2017005227A (ja) * | 2015-06-16 | 2017-01-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US10910416B2 (en) * | 2016-08-25 | 2021-02-02 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor device, image pickup device, and method for manufacturing semiconductor device |
-
2018
- 2018-11-30 DE DE112018006764.5T patent/DE112018006764T5/de active Pending
- 2018-11-30 JP JP2019563944A patent/JP7143329B2/ja active Active
- 2018-11-30 CN CN201880083706.5A patent/CN111542917A/zh active Pending
- 2018-11-30 US US16/958,481 patent/US11271027B2/en active Active
- 2018-11-30 WO PCT/JP2018/044305 patent/WO2019135333A1/ja active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001110745A (ja) | 1999-10-13 | 2001-04-20 | Applied Materials Inc | 半導体集積回路を製造する方法 |
JP2001217312A (ja) | 2000-02-07 | 2001-08-10 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002353303A (ja) | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014154886A (ja) | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2015038931A (ja) | 2013-08-19 | 2015-02-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
WO2016158440A1 (ja) | 2015-03-31 | 2016-10-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019135333A1 (ja) | 2019-07-11 |
DE112018006764T5 (de) | 2020-09-10 |
US20210066380A1 (en) | 2021-03-04 |
CN111542917A (zh) | 2020-08-14 |
JPWO2019135333A1 (ja) | 2020-12-17 |
US11271027B2 (en) | 2022-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110520997B (zh) | 半导体器件、半导体器件制造方法及电子设备 | |
JP7037547B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器 | |
TWI782058B (zh) | 固體攝像裝置 | |
JP2023057137A (ja) | 固体撮像装置、及び電子機器 | |
JP7128178B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器 | |
JP7274477B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP7419476B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
TW202101537A (zh) | 攝像元件及攝像元件之製造方法 | |
WO2018186198A1 (ja) | 固体撮像装置、及び電子機器 | |
JP7143329B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN111133581B (zh) | 摄像元件、其制造方法和电子设备 | |
US20240096919A1 (en) | Semiconductor device, imaging device, and manufacturing method | |
JP7136800B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法、並びに撮像装置 | |
WO2023074136A1 (ja) | 半導体装置、機器及び半導体装置の製造方法 | |
WO2023119840A1 (ja) | 撮像素子、撮像素子の製造方法、電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220809 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220823 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220914 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7143329 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |