JP7273488B2 - 半導体装置、及び電子機器 - Google Patents
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Description
第2の半導体基板と、
第1のガードリングと、第2のガードリングと、第3のガードリングとを有する少なくとも1つのガードリングユニットと、を備え、
前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とが、前記第1の半導体基板の第1の接合面と前記第2の半導体基板の第2の接合面とによって接合され、
前記第1のガードリングが、前記第1の半導体基板に形成され、
前記第2のガードリングが、前記第2の半導体基板に形成され、
前記第3のガードリングが、前記第1の接合面と前記第2の接合面とに形成される、半導体装置を提供する。
当該半導体装置が、
第1の半導体基板と、
第2の半導体基板と、
第1のガードリングと、第2のガードリングと、第3のガードリングとを有する少なくとも1つのガードリングユニットと、を備え、
前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とが、前記第1の半導体基板の第1の接合面と前記第2の半導体基板の第2の接合面とによって接合され、
前記第1のガードリングが、前記第1の半導体基板に形成され、
前記第2のガードリングが、前記第2の半導体基板に形成され、
前記第3のガードリングが、前記第1の接合面と前記第2の接合面とに形成される、電子機器を提供する。
1.本技術の概要
2.第1の実施形態(半導体装置の例1)
3.第2の実施形態(半導体装置の製造方法の例1)
4.第3の実施形態(半導体装置の例2)
5.第4の実施形態(半導体装置の例3)
6.第5の実施形態(半導体装置の例4)
7.第6の実施形態(半導体装置の例5)
8.第7の実施形態(半導体装置の製造方法の例2)
9.第8の実施形態(半導体装置の例6)
10.第9の実施形態(半導体装置の例7)
11.第10の実施形態(半導体装置の例8)
12.電子装置に関する第11の実施形態
13.本技術を適用した半導体装置の使用例
14.内視鏡手術システムへの応用例
15.移動体への応用例
本技術は、2つの半導体基板が積層された半導体装置において、半導体装置のダイシングや半導体装置の検査に関する。本技術によれば、半導体装置の品質の向上を図ることができる。
[第1の実施形態の半導体装置の構成]
本技術に係る第1の実施形態の半導体装置は、第1の半導体基板と、第2の半導体基板と、第1のガードリングと、第2のガードリングと、第3のガードリングとを有する少なくとも1つのガードリングユニットと、を備え、第1の半導体基板と第2の半導体基板とが、第1の半導体基板の第1の接合面と第2の半導体基板の第2の接合面とによって接合され、第1のガードリングが、第1の半導体基板に形成され、第2のガードリングが、第2の半導体基板に形成され、第3のガードリングが、第1の接合面と第2の接合面とに形成される、半導体装置である。
以上説明したように、本技術に係る第1の実施形態の半導体装置1は、第1のガードリング11と、第2のガードリング21と、第3のガードリング31とを有する少なくとも1つのガードリングユニット30と、を備えている。第1の半導体基板10と第2の半導体基板20とが、第1の半導体基板10の第1の接合面FSと第2の半導体基板20の第2の接合面SSとによって接合され、第3のガードリング31が、第1の接合面FSと第2の接合面SSとに形成されている。
本技術に係る第2の実施形態の半導体装置の製造方法は、第1の半導体基板と第2の半導体基板とが対向するように接合させることと、第1の半導体基板の第1の接合面と第2の半導体基板の第2の接合面とに第3のガードリングを形成することと、第1のガードリング11と、第2のガードリング21と、第3のガードリング31とにより、ガードリングユニット30を形成することと、を含む、半導体装置の製造方法である。
本技術に係る第3の実施形態の半導体装置は、第1の実施形態の半導体装置において、ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの内側に設けられ、第3のガードリングが、非連続的に形成される、半導体装置である。この場合、第3のガードリングは、例えば、スクライブラインに沿って、スクライブラインの方向に所定の間隔で形成されるようにすることができる。
本技術に係る第4の実施形態の半導体装置は、第1の実施形態の半導体装置において、少なくとも1つのCuダミー(第1のCuダミー)を更に備え、Cuダミーが、ガードリングユニットの外周に形成され、第1の接合面と第2の接合面とに形成される、半導体装置である。
本技術に係る第5の実施形態の半導体装置は、第1の実施形態の半導体装置において、スリットを更に備え、スリットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインとその内側に形成されるガードリングユニットとの間に設けられ、ダイシングする方向に沿って第1の接合面と第2の接合面とを貫通する、半導体装置である。
本技術に係る第6の実施形態の半導体装置は、第1の実施形態の半導体装置において、スリットと、少なくとも1つのCuダミー(第1のCuダミー)と、を更に備え、Cuダミー(第1のCuダミー)が、ガードリングユニットの外周に沿って形成され、第1の接合面と第2の接合面とに形成されるとともに、スリットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインとその内側に形成されるガードリングユニットとの間に設けられ、ダイシングする方向に沿って第1の接合面と第2の接合面とを貫通する、半導体装置である。
本技術に係る第7の実施形態の半導体装置の製造方法は、第1の半導体基板と第2の半導体基板とが対向するように接合させることと、第1の半導体基板の第1の接合面と第2の半導体基板の第2の接合面とに、第3のガードリングを形成することと、第1の半導体基板と第2の半導体基板とを接合してから第1のガードリングを形成すること、を含む、半導体装置の製造方法である。
本技術に係る第8の実施形態の半導体装置は、第1の実施形態の半導体装置において、ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの内側に設けられ、第1のガードリングが、非連続的に形成される、半導体装置である。この場合、第1のガードリングは、例えば、スクライブラインに沿って、所定の間隔で形成されるようにすることができる。
本技術に係る第9の実施形態の半導体装置は、第1の実施形態の半導体装置であって、左右に互い隣り合う少なくとも2つのガードリングユニットを備え、少なくとも2つのガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの方向に沿ってその内側に並列し、隣り合うガードリングユニットの第3のガードリングが、スクライブラインに沿って非連続的に形成され、左右の隣り合う第3のガードリング同士が、非対称である、半導体装置である。
本技術に係る第10の実施形態の半導体装置は、第9の実施形態の半導体装置において、ガードリングユニットとスクライブラインとの間に、第4のガードリングと第5のガードリングと、を更に備え、第4のガードリングが、第1の接合面と第2の接合面とに形成され、第5のガードリングが、第2の半導体基板に形成され、第1のガードリングと、第4のガードリングと、第5のガードリングとが、この順で階段状に形成され、第5のガードリングが、第1のガードリングよりもスクライブラインの近い位置に形成される、半導体装置である。
本技術に係る第11の実施形態の電子機器は、半導体装置が搭載されて、当該半導体装置が、第1の半導体基板と、第2の半導体基板と、第1のガードリングと、第2のガードリングと、第3のガードリングとを有する少なくとも1つのガードリングユニットと、を備え、第1の半導体基板と第2の半導体基板とが、第1の半導体基板の第1の接合面と第2の半導体基板の第2の接合面とによって接合され、第1のガードリングが、第1の半導体基板に形成され、第2のガードリングが、第2の半導体基板に形成され、第3のガードリングが、第1の接合面と第2の接合面とに形成される、電子機器である。また、本技術に係る第11の実施形態の電子機器は、本技術に係る第1乃至第10の実施形態の半導体装置が搭載された電子機器でもよい。
図56は、イメージセンサとしての本技術に係る第1から第10の実施形態の半導体装置の使用例を示す図である。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
(1)第1の半導体基板と、
第2の半導体基板と、
第1のガードリングと、第2のガードリングと、第3のガードリングとを有する少なくとも1つのガードリングユニットと、を備え、
前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とが、前記第1の半導体基板の第1の接合面と前記第2の半導体基板の第2の接合面とによって接合され、
前記第1のガードリングが、前記第1の半導体基板に形成され、
前記第2のガードリングが、前記第2の半導体基板に形成され、
前記第3のガードリングが、前記第1の接合面と前記第2の接合面とに形成される、半導体装置。
(2)前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの内側に設けられ、
前記第3のガードリングが、連続的に形成される、前記(1)に記載の半導体装置。
(3)少なくとも2つの前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部に形成される、少なくとも1つの電源パッドの開口部を囲うように設けられる、前記(1)又は(2)に記載の半導体装置。
(4)少なくとも3つの前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成される、前記(1)乃至(3)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(5)前記ガードリングユニットが、メタルで形成されている、前記(1)乃至(4)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(6)前記ガードリングユニットが、配線層を覆っている、前記(1)乃至(5)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(7)前記第1のガードリングが、溝部を有し、
前記溝部が、溝状に形成され、
前記溝部の内側にバリアメタル材料が施されている、前記(1)乃至(6)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(8)少なくとも1つのCuダミーを更に備え、
前記Cuダミーが、前記ガードリングユニットの外周に形成され、前記第1の接合面と前記第2の接合面とに形成される、前記(1)乃至(7)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(9)スリットを更に備え、
前記スリットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインとその内側に形成される前記ガードリングユニットとの間に設けられ、ダイシングする方向に沿って前記第1の接合面と前記第2の接合面とを貫通する、前記(1)乃至(8)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(10)スリットと、
少なくとも1つのCuダミーと、を更に備え、
前記Cuダミーが、前記ガードリングユニットの外周に沿って形成され、前記第1の接合面と前記第2の接合面とに形成されるとともに、
前記スリットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインとその内側に形成される前記ガードリングユニットとの間に設けられ、ダイシングする方向に沿って前記第1の接合面と前記第2の接合面とを貫通する、前記(1)乃至(7)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(11)前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの内側に沿って設けられ、
前記第3のガードリングが、非連続的に形成される、前記(1)乃至(10)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(12)前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの内側に設けられ、
前記第1のガードリングが、非連続的に形成される、前記(1)乃至(11)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(13)左右に互い隣り合う少なくとも2つの前記ガードリングユニットを備え、
前記少なくとも2つの前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの方向に沿ってその内側に並列し、
前記隣り合うガードリングユニットの前記第3のガードリングが、前記スクライブラインに沿って非連続的に形成され、
左右の隣り合う前記第3のガードリング同士が、非対称である、前記(1)乃至(12)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(14)前記ガードリングユニットと前記スクライブラインとの間に、第4のガードリングと第5のガードリングと、を更に備え、
前記第4のガードリングが、前記第1の接合面と前記第2の接合面とに形成され、
前記第5のガードリングが、前記第2の半導体基板に形成され、
前記第1のガードリングと、前記第4のガードリングと、前記第5のガードリングとが、この順で階段状に形成され、
前記第5のガードリングが、前記第1のガードリングよりも前記スクライブラインの近い位置に形成される、前記(1)乃至(13)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(15)前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板に、
前記スクライブラインの内側に形成された第1の領域と、
前記スクライブラインの内側に形成されるとともに前記第1の領域の外側に形成された第2の領域とが、設けられ、
前記第1の領域又は前記第2の領域の少なくともいずれか一方に、前記隣り合うガードリングユニットが形成される、前記(1)乃至(14)のいずれか1つに記載の半導体装置。
(16)半導体装置が搭載されて、
当該半導体装置が、
第1の半導体基板と、
第2の半導体基板と、
第1のガードリングと、第2のガードリングと、第3のガードリングとを有する少なくとも1つのガードリングユニットと、を備え、
前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とが、前記第1の半導体基板の第1の接合面と前記第2の半導体基板の第2の接合面とによって接合され、
前記第1のガードリングが、前記第1の半導体基板に形成され、
前記第2のガードリングが、前記第2の半導体基板に形成され、
前記第3のガードリングが、前記第1の接合面と前記第2の接合面とに形成される、電子機器。
10 第1の半導体基板
11 第1のガードリング
20 第2の半導体基板
21 第2のガードリング
30 ガードリングユニット
31 第3のガードリング
40、41、41a 電源パッド
70、71 層間絶縁膜
AT1、AT2、AT3、AT4、AT5 開口部
CS クラックストッパー領域
DT1、DT2、DT3 溝部
DP1、DP2、DP3 Cuダミー
GR ガードリング領域
FS 第1の接合面
SS 第2の接合面
SR シールリング領域
ST スリット
SL、SL1、SL2 スクライブライン
Claims (15)
- 第1の半導体基板と、
第2の半導体基板と、
第1のガードリングと、第2のガードリングと、第3のガードリングとを有する少なくとも1つのガードリングユニットと、を備え、
前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とが、前記第1の半導体基板の第1の接合面と前記第2の半導体基板の第2の接合面とによって接合され、
前記第1のガードリングが、前記第1の半導体基板に形成され、
前記第2のガードリングが、前記第2の半導体基板に形成され、
前記第3のガードリングが、前記第1の接合面と前記第2の接合面とに形成され、
スリットを更に備え、
前記スリットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインとその内側に形成される前記ガードリングユニットとの間に設けられ、ダイシングする方向に沿って前記第1の接合面と前記第2の接合面とを貫通する、半導体装置。 - 第1の半導体基板と、
第2の半導体基板と、
第1のガードリングと、第2のガードリングと、第3のガードリングとを有する少なくとも1つのガードリングユニットと、を備え、
前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とが、前記第1の半導体基板の第1の接合面と前記第2の半導体基板の第2の接合面とによって接合され、
前記第1のガードリングが、前記第1の半導体基板に形成され、
前記第2のガードリングが、前記第2の半導体基板に形成され、
前記第3のガードリングが、前記第1の接合面と前記第2の接合面とに形成され、
スリットと、
少なくとも1つのCuダミーと、を更に備え、
前記Cuダミーが、前記ガードリングユニットの外周に沿って形成され、前記第1の接合面と前記第2の接合面とに形成されるとともに、
前記スリットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインとその内側に形成される前記ガードリングユニットとの間に設けられ、ダイシングする方向に沿って前記第1の接合面と前記第2の接合面とを貫通する、半導体装置。 - 第1の半導体基板と、
第2の半導体基板と、
第1のガードリングと、第2のガードリングと、第3のガードリングとを有する少なくとも1つのガードリングユニットと、を備え、
前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とが、前記第1の半導体基板の第1の接合面と前記第2の半導体基板の第2の接合面とによって接合され、
前記第1のガードリングが、前記第1の半導体基板に形成され、
前記第2のガードリングが、前記第2の半導体基板に形成され、
前記第3のガードリングが、前記第1の接合面と前記第2の接合面とに形成され、
左右に互い隣り合う少なくとも2つの前記ガードリングユニットを備え、
前記少なくとも2つの前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの方向に沿ってその内側に並列し、
前記隣り合うガードリングユニットの前記第3のガードリングが、前記スクライブラインに沿って非連続的に形成され、
左右の隣り合う前記第3のガードリング同士が、非対称である、半導体装置。 - 前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの内側に設けられ、
前記第3のガードリングが、連続的に形成される、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 少なくとも2つの前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部に形成される、少なくとも1つの電源パッドの開口部を囲うように設けられる、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 少なくとも3つの前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成される、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記ガードリングユニットが、メタルで形成されている、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記ガードリングユニットが、配線層を覆っている、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第1のガードリングが、溝部を有し、
前記溝部が、溝状に形成され、
前記溝部の内側にバリアメタル材料が施されている、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 少なくとも1つのCuダミーを更に備え、
前記Cuダミーが、前記ガードリングユニットの外周に形成され、前記第1の接合面と前記第2の接合面とに形成される、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの内側に沿って設けられ、
前記第3のガードリングが、非連続的に形成される、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記ガードリングユニットが、半導体装置の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されるスクライブラインの内側に設けられ、
前記第1のガードリングが、非連続的に形成される、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記ガードリングユニットと前記スクライブラインとの間に、第4のガードリングと第5のガードリングと、を更に備え、
前記第4のガードリングが、前記第1の接合面と前記第2の接合面とに形成され、
前記第5のガードリングが、前記第2の半導体基板に形成され、
前記第1のガードリングと、前記第4のガードリングと、前記第5のガードリングとが、この順で階段状に形成され、
前記第5のガードリングが、前記第1のガードリングよりも前記スクライブラインの近い位置に形成される、請求項3に記載の半導体装置。 - 前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板に、
前記スクライブラインの内側に形成された第1の領域と、
前記スクライブラインの内側に形成されるとともに前記第1の領域の外側に形成された第2の領域とが、設けられ、
前記第1の領域又は前記第2の領域の少なくともいずれか一方に、前記隣り合うガードリングユニットが形成される、請求項3に記載の半導体装置。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置が搭載されている、電子機器。
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