JPH0373558A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野） 本発明は半導体装置に関し、特に配線用導体膜の応力緩
和構造を有する樹脂封止型の半導体装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の半導体装置は第４図および第５図に示す
ように、半導体基板１０の一主面に半導体素子領域１が
形成され層間絶縁膜６を介してアルミなどの配線用導体
［２をポンディングパッド３となる部分を含めて形成し
、ＰＳＧ、ＳｉＮ膜等の保護用絶縁Ｊｌｉ７で覆った後
、ポンディングパッド３のみをエツチングして露出させ
る構造となっていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

このような従来の半導体装置は、モールド樹脂にて封止
を行った場合、モールド樹脂、ＰＳＧ。

ＳｉＮ等の保護膜、アルミ等の導体膜など、それぞれの
膨張率の差から応力が発生し、特に、半導体装置のコー
ナ一部においては、幅広の導体膜を囲む保護膜や導体膜
の下層となる絶縁膜にクラックが発生し、配線の信頼性
を低下させるような欠点があった。

本発明の目的は、配線の信頼性の高い半導体装置を提供
することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、半導体基板上の一主面に形成された素子領域
上に絶縁膜を介して配線層となる配線用導体膜を形成す
る樹脂封止型の半導体装置において、前記半導体基板上
の４隅を含むコーナー周辺部に配置される配線層となる
前記配線用導体膜の外側と内側とのいずれか一方の側に
隣接してダミー用導体膜を配置し、かつ、前記ダミー用
導体膜が前記配線用導体膜より前記半導体基板上の表面
側に形成されている。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例につき図面を参照して説明する。

第１図は本発明の第１の実施を示す要部平面図である。

図において、１０は半導体基板、１は半導体素子領域、
２は半導体装置周辺部の配線用導体膜、３は配線用導体
膜で形成されたポンディングパッド、４は半導体内部の
配線用導体膜、５はダミー用の導体膜である。

本発明の実施にあたっては、周知の従来技術をもって実
施しうるちのでありダミー用導体膜５のパターンは、配
線用導体膜２，４のパターンの形成と同時に形成可能で
ある。

第２図は第１図のＡ−Ａ’線断面の部分拡大断面図であ
る。

図において、１０は半導体基板、２は半導体装置周辺部
の配線用導体膜、５はダミー用導体膜、６は眉間絶縁膜
、７は保護用絶縁膜、８はダミー用導体膜を半導体基板
表面側に形成するための段差形成膜で本実施例ではポリ
シリコンを用いている。この段差形成膜８は、ダミー用
の導体ｉ１５と同様に、他のポリシリコン導体膜の形成
（本図には示していない〉と同時に形成可能な為、段差
形成膜８を形成することによる工程数の増加は考えなく
てもよい。

一般に、モールド樹脂で封止された半導体装置は、半導
体装置のコーナ一部から半導体装置の中心へ向って応力
が発生することが知られている。

このとき、第４図のごとく、半導体装置のコーナ一部に
配線用導体膜２がおかれた場合−第５図よりも明らかな
ように、配線用導体膜２に直接応力が加わり保護用絶縁
膜７や眉間絶縁膜６にクラックが発生する。

一方、第２図のごとく、半導体装置のコーナー部に配置
される半導体装置周辺部の配線用導体膜２の外側に段差
形成膜８を形成し、さらに、上層にダミー用導体膜５を
設置することにより、モールド樹脂による応力は、ダミ
ー用導体膜５に加わるようになり、ダミー用導体膜５が
緩衝材の役目をしてゐ力を緩和するだけでなく、応力の
ほとんどがダミー用導体膜５に加わり、配線用導体膜２
には影響を与えない。

実際に形成されるダミー用導体膜５の幅と保護する配線
用導体膜２との間隔については、導体膜の材質がアルミ
の場合は幅４間隔とも５〜２０μｍ程度が適当であり効
果も大きい。

また、実施例には示していないが、ダミー用導体膜を複
数設けることにより、応力を一層緩和することができさ
らに効果的となる。

第３図は本発明の第２の実施例を示す要部断面図である
。

第３図は第２図と同様に第１図のＡ−Ａ’線断面図を拡
大したものである。

本実施例では、段差形成膜を作らずに半導体装置周辺部
の配線用導体膜２の形成される部分のみフィールド絶縁
膜９を形成しないでおくことにより８等価的にダミー用
導体膜５を半導体基板１０表面側に形成されるようにし
たものである。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、半導体基板上に絶縁膜を
介して形成される配線用導体膜に対し、ダミーとなる導
体膜を配線用導体膜の外側あるいは内側に配線用導体膜
より半導体基板の表面側に形成することにより、モール
ド樹脂の封入によって発生する応力を緩和できるだけで
なく、発生した応力を直接配線用導体膜に加わらなくす
ることができる為、配線用導体膜をとりまく保護用絶縁
膜や眉間絶縁膜にクラックがはいることを防止し、配線
の信頼性を著しく向上させることができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例を示す要部平面図、第２
図は第１図のＡ−Ａ’線断面の部分拡大断面図、第３図
は本発明の第・２の実施例を示す要部断面図、第４図は
従来の半導体装置の一例を示す要部平面図、第５図は第
４図のＢ−Ｂ’線断面の部分拡大断面図である。 １・・・半導体素子領域、２．４・・・配線用導体膜、
３・・・ポンディングパッド、５・・・ダミー用導体膜
、６・・・層間絶縁膜、７・・・保護用絶縁膜、８・・
・段差形成膜、９・・・フィールド絶縁膜、１０・・・
半導体基板。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板上の一主面に形成された素子領域上に絶縁膜
   を介して配線層となる配線用導体膜を形成する樹脂封止
   型の半導体装置において、前記半導体基板上の４隅を含
   むコーナー周辺部に配置される配線層となる前記配線用
   導体膜の外側と内側とのいずれか一方の側に隣接してダ
   ミー用導体膜を配置し、かつ、前記ダミー用導体膜が前
   記配線用導体膜より前記半導体基板上の表面側に形成さ
   れることを特徴とする半導体装置。