JP2533293B2 - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JP2533293B2 JP2533293B2 JP6142055A JP14205594A JP2533293B2 JP 2533293 B2 JP2533293 B2 JP 2533293B2 JP 6142055 A JP6142055 A JP 6142055A JP 14205594 A JP14205594 A JP 14205594A JP 2533293 B2 JP2533293 B2 JP 2533293B2
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- semiconductor substrate
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板の周辺部に幅
広い導体膜を有する樹脂封止型半導体装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】論理回路を含むＬＳＩ等において、図
１，図２に示すように半導体基板（チップ）１の一主面
にアクティブ領域を構成する半導体素子領域２が形成さ
れ、基板周辺部表面の絶縁膜３上にアルミニウム膜から
なる配線４、ボンディングパッド５とその外側に反転層
防止のためのガードリング６を設けてこれをグランドラ
インＧＮＤに接続し、上記パッド部５を露出するように
チップ表面をリンシリケートガラス（ＰＳＧ）、シリコ
ンナイトライド膜等のパッシベーションで覆った構造が
知られている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】このような構造の半導
体素子をレジンで封止した場合、モールドレジンによる
強い応力が特にチップ周辺の四隅部に大きい（強い）応
力が加わりガードリング６上及び周辺でパッシベーショ
ン膜のクラックが生ずることがわかった。 【０００４】特に、パッシベーション膜をプラズマ生成
シリコンナイトライド膜（Ｐ−ＳｉＮ膜）で構成した場
合、Ｐ−ＳｉＮ膜が機械的強度に優れていることから、
そのパッシベーション膜にクラックが発生しないものと
信じられていたが、チップ周辺の幅広い導体膜上に発生
することを確認した。 【０００５】また、かかる構造の半導体素子を高温高湿
雰囲気中で耐湿テストを行った場合に、層間絶縁膜であ
るＰＳＧ（リン酸化物含有シリケート・ガラス）膜のリ
ン溶出を生じ、被覆パッシベーション膜の剥離を起こ
し、アルミニウム配線の腐食がチップのアクティブ領域
まで到達し、特性劣化の原因となることもわかった。 【０００６】本願発明者は前記したチップコーナー部の
ガードリング上及び周辺のパッシベーション膜クラック
等の欠陥がアルミニウムからなるガードリングの幅に関
係することに着目して上記欠点の改良を行なった。した
がって本発明の目的とするところは樹脂封止型半導体装
置における特性不良の改善、耐湿性の向上にある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明によれば半導体基
板の一主面に形成された素子領域と、基板周辺部の絶縁
膜上に形成された導体膜と、上記導体膜上に形成された
保護絶縁膜とを有し、上記基板と樹脂体により封止した
半導体装置において、上記導体膜の実質な幅を限定する
ように上記導体膜の延在方向にスリット又は孔の列を設
け、上記導体膜上の保護絶縁膜としてプラズマ生成した
シリコンナイトライド膜を用いたことを特徴とする。 【０００８】以下本発明をいくつかの実施例にそって具
体的に説明する。 【０００９】 【実施例】図３，図４は本発明による樹脂封止型半導体
装置の一つの望ましい実施形態を示すものである。 【００１０】同図において、１はシリコン半導体基板、
２は基板の一主面に形成された半導体素子領域で例えば
基板と異なる導電型の不純物が拡散等の手段により導入
され形成されたものである。３はフィールド絶縁膜で例
えば厚い半導体酸化膜（ＳｉＯ2膜）からなる。８は第
１の表面絶縁膜で例えば薄いＳｉＯ2膜からなる。９は
第２の表面絶縁膜で例えばＰＳＧ（リン酸化物含有シリ
ケート・ガラス）膜から形成されリンが外部より侵入す
るナトリウム等の不純物のゲッタの役目を有する。１０
はアルミニウム（Ａl）配線でＰＳＧ膜９及びＳｉＯ2膜
８のスルーホール（透孔）を通して半導体領域２にオー
ミックコンタクトする。５はアルミニウム配線の外端子
として形成されたボンディングパッド、６は基板周辺部
にそって形成されたガードリングでアルミニウム膜から
なる。上記基板の隅部（コーナー）上のガードリングに
コーナーにそった「 状のスリット１０が設けられる。
７はパッシベーション膜としての絶縁膜でプラズマ生成
シリコンナイトライド（Ｐ−ＳｉＮ）からなる。 【００１１】かかる構造において、ガードリングにスリ
ットを設けることにより下記の理由でパッシベーション
膜クラック等の欠陥を防止できる。 【００１２】樹脂封止された半導体チップ周辺部上のガ
ードリングにパッシベーション膜クラック等の発生する
原因としては、図５に示すようにチップの中心より端
部、特に隅部（コーナー）にストレスが集中する傾向に
あり、又、ガードリングのアルミニウム膜の幅が大きい
ほど著しいことが実験的に確かめられた。又、種々の実
験によってガードリングのコーナー部にスリットを形成
するとスリットの幅だけガードリングの幅が少なくな
り、クラック発生の原因が取除かれることが確認され
た。しかしガードリングのアルミニウム膜の配線として
の抵抗の増大を防ぐためにはスリットの幅はある程度小
さい面積にしなければならない。このためスリットはア
ルミニウムのリングの中央より外側に約１０μｍの幅で
かつ内側コーナーをカバーする長さとすることが適当で
ある。ガードリングのコーナー部の幅を限定する手段と
してスリット以外に小孔の配列、あるいはコーナーの内
側又は外側にテーパ部を設けるという手段でもよい。小
孔の場合１０μｍ角の小孔を複数個並べると特によい。 【００１３】ガードリングのコーナー部の形状とコーナ
ー部欠陥発生率の関係を下記の各実験例によって示す。 【００１４】図６はコーナーを加工しないガードリング
上のパッシベーション膜クラックのＡl（アルミニウ
ム）幅依存性を示す。この場合、チップ寸法は４.７×
４.７ｍｍ2、温度サイクルは−５５℃〜１５０℃で２０
回とする。パッシベーション膜にはＰＳＧ／Ｐ−ＳｉＮ
／ＰＳＧ＝０.８５／１.１／０.２（μｍ）３層構造及
びＰ−ＳｉＮ／ＰＳＧ＝１.１μｍ／０.２μｍの２層構
造を用いる。図７はガードリングのコーナーの形状及び
Ａl膜の幅Ｌを示す。図６に示すようにコーナー部欠陥
率−Ａl幅の関係において、Ｌが小さいほど欠陥率が小
さいことが明らかである。 【００１５】図８はガードリングのコーナー部に図９で
示すように「 状のスリットを形成した場合のガードリ
ング部パッシベーション膜クラックのＡl膜中スリット
幅Ｗ依存性を示す。この場合のパッシベーション膜は○
−○曲線がＰ−ＳｉＮ／ＰＳＧ＝１.１μｍ／０.２μｍ
の２層膜、△…△曲線がＰＳＧ／Ｐ−ＳｉＮ／ＰＳＧ＝
０.８５μｍ／１.１μｍ／０.２μｍの３層膜である。
図８によればスリット幅２０μｍ〜４０μｍでコーナー
部欠陥率が著しく低下することが明らかである。 【００１６】図１０はガードリングコーナーに図１１
（Ａ）（Ｂ）…（Ｅ）に示した各種形状のスリット,孔
列を形成した場合（形成しない場合も含む）についての
ガードリング部パッシベーション膜クラックのＡl膜中
のスリット及び孔列の形態依存性を示す。この場合の半
導体ペレットは４.７×４.７ｍｍ角、温度サイクルは−
５５℃〜１５０℃２０回である。パッシベーション膜は
図８の例の場合と同じである。 【００１７】図１１において、（Ａ）はスリット等を全
く加工しない場合、（Ｂ）は長いスリット（１１）１本
の場合、（Ｃ）は短いスリット（１１ａ，１１ｂ，１１
ｃ）、３本の場合、（Ｄ）は孔の列１２が１列の場合、
（Ｅ）は孔の列（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）が３列の場
合の各ガードリングコーナー部の形状を示す。図１０か
らわかるようにスリット及び孔列を形成した場合にコー
ナー部の欠陥率が低下するのが明らかである。 【００１８】 【発明の効果】以上のように、本発明によれば、Ｐ−Ｓ
ｉＮ膜を含むパッシベーション膜のクラック発生をより
完全に防止することができる。従来、このＰ−ＳｉＮ膜
は緻密な膜で機械的強度が強いものと信じられ、特に、
樹脂封止型半導体装置の耐湿性を向上せしめるパッシベ
ーション膜として有効なものと信じられてきた。しか
し、上述せるように本願発明者の実験検討によって、幅
広い導体膜上では、まだクラックが発生することを発見
した。この対策として上述した本発明のようにスリット
又は孔の列を導体膜に形成することによって、Ｐ−Ｓｉ
Ｎ膜の耐湿性の効果を一層完全なものとすることができ
る。これによって、本発明によれば、高信頼性の半導体
装置を得ることができる。 【００１９】本発明は、上記実施例のみに限定されるも
のではない。例えば、Ａlガードリング上に形成される
パッシベーション膜の構成、形状は適宜に変形できる。
ガードリング自体の形状は内部回路やボンディングパッ
ドの配置によって変形することがありうる。樹脂封止体
に関しては、ガードリング部の表面に直接塗布するアン
ダコーティング樹脂を包含することもありうる。 【００２０】本発明はＰ−ＳｉＮ膜をパッシベーション
膜として使用する全ての半導体装置、特にプラスチック
封止型、ＬＳＩ等に適用し、耐湿性向上に有効である。
広い導体膜を有する樹脂封止型半導体装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】論理回路を含むＬＳＩ等において、図
１，図２に示すように半導体基板（チップ）１の一主面
にアクティブ領域を構成する半導体素子領域２が形成さ
れ、基板周辺部表面の絶縁膜３上にアルミニウム膜から
なる配線４、ボンディングパッド５とその外側に反転層
防止のためのガードリング６を設けてこれをグランドラ
インＧＮＤに接続し、上記パッド部５を露出するように
チップ表面をリンシリケートガラス（ＰＳＧ）、シリコ
ンナイトライド膜等のパッシベーションで覆った構造が
知られている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】このような構造の半導
体素子をレジンで封止した場合、モールドレジンによる
強い応力が特にチップ周辺の四隅部に大きい（強い）応
力が加わりガードリング６上及び周辺でパッシベーショ
ン膜のクラックが生ずることがわかった。 【０００４】特に、パッシベーション膜をプラズマ生成
シリコンナイトライド膜（Ｐ−ＳｉＮ膜）で構成した場
合、Ｐ−ＳｉＮ膜が機械的強度に優れていることから、
そのパッシベーション膜にクラックが発生しないものと
信じられていたが、チップ周辺の幅広い導体膜上に発生
することを確認した。 【０００５】また、かかる構造の半導体素子を高温高湿
雰囲気中で耐湿テストを行った場合に、層間絶縁膜であ
るＰＳＧ（リン酸化物含有シリケート・ガラス）膜のリ
ン溶出を生じ、被覆パッシベーション膜の剥離を起こ
し、アルミニウム配線の腐食がチップのアクティブ領域
まで到達し、特性劣化の原因となることもわかった。 【０００６】本願発明者は前記したチップコーナー部の
ガードリング上及び周辺のパッシベーション膜クラック
等の欠陥がアルミニウムからなるガードリングの幅に関
係することに着目して上記欠点の改良を行なった。した
がって本発明の目的とするところは樹脂封止型半導体装
置における特性不良の改善、耐湿性の向上にある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明によれば半導体基
板の一主面に形成された素子領域と、基板周辺部の絶縁
膜上に形成された導体膜と、上記導体膜上に形成された
保護絶縁膜とを有し、上記基板と樹脂体により封止した
半導体装置において、上記導体膜の実質な幅を限定する
ように上記導体膜の延在方向にスリット又は孔の列を設
け、上記導体膜上の保護絶縁膜としてプラズマ生成した
シリコンナイトライド膜を用いたことを特徴とする。 【０００８】以下本発明をいくつかの実施例にそって具
体的に説明する。 【０００９】 【実施例】図３，図４は本発明による樹脂封止型半導体
装置の一つの望ましい実施形態を示すものである。 【００１０】同図において、１はシリコン半導体基板、
２は基板の一主面に形成された半導体素子領域で例えば
基板と異なる導電型の不純物が拡散等の手段により導入
され形成されたものである。３はフィールド絶縁膜で例
えば厚い半導体酸化膜（ＳｉＯ2膜）からなる。８は第
１の表面絶縁膜で例えば薄いＳｉＯ2膜からなる。９は
第２の表面絶縁膜で例えばＰＳＧ（リン酸化物含有シリ
ケート・ガラス）膜から形成されリンが外部より侵入す
るナトリウム等の不純物のゲッタの役目を有する。１０
はアルミニウム（Ａl）配線でＰＳＧ膜９及びＳｉＯ2膜
８のスルーホール（透孔）を通して半導体領域２にオー
ミックコンタクトする。５はアルミニウム配線の外端子
として形成されたボンディングパッド、６は基板周辺部
にそって形成されたガードリングでアルミニウム膜から
なる。上記基板の隅部（コーナー）上のガードリングに
コーナーにそった「 状のスリット１０が設けられる。
７はパッシベーション膜としての絶縁膜でプラズマ生成
シリコンナイトライド（Ｐ−ＳｉＮ）からなる。 【００１１】かかる構造において、ガードリングにスリ
ットを設けることにより下記の理由でパッシベーション
膜クラック等の欠陥を防止できる。 【００１２】樹脂封止された半導体チップ周辺部上のガ
ードリングにパッシベーション膜クラック等の発生する
原因としては、図５に示すようにチップの中心より端
部、特に隅部（コーナー）にストレスが集中する傾向に
あり、又、ガードリングのアルミニウム膜の幅が大きい
ほど著しいことが実験的に確かめられた。又、種々の実
験によってガードリングのコーナー部にスリットを形成
するとスリットの幅だけガードリングの幅が少なくな
り、クラック発生の原因が取除かれることが確認され
た。しかしガードリングのアルミニウム膜の配線として
の抵抗の増大を防ぐためにはスリットの幅はある程度小
さい面積にしなければならない。このためスリットはア
ルミニウムのリングの中央より外側に約１０μｍの幅で
かつ内側コーナーをカバーする長さとすることが適当で
ある。ガードリングのコーナー部の幅を限定する手段と
してスリット以外に小孔の配列、あるいはコーナーの内
側又は外側にテーパ部を設けるという手段でもよい。小
孔の場合１０μｍ角の小孔を複数個並べると特によい。 【００１３】ガードリングのコーナー部の形状とコーナ
ー部欠陥発生率の関係を下記の各実験例によって示す。 【００１４】図６はコーナーを加工しないガードリング
上のパッシベーション膜クラックのＡl（アルミニウ
ム）幅依存性を示す。この場合、チップ寸法は４.７×
４.７ｍｍ2、温度サイクルは−５５℃〜１５０℃で２０
回とする。パッシベーション膜にはＰＳＧ／Ｐ−ＳｉＮ
／ＰＳＧ＝０.８５／１.１／０.２（μｍ）３層構造及
びＰ−ＳｉＮ／ＰＳＧ＝１.１μｍ／０.２μｍの２層構
造を用いる。図７はガードリングのコーナーの形状及び
Ａl膜の幅Ｌを示す。図６に示すようにコーナー部欠陥
率−Ａl幅の関係において、Ｌが小さいほど欠陥率が小
さいことが明らかである。 【００１５】図８はガードリングのコーナー部に図９で
示すように「 状のスリットを形成した場合のガードリ
ング部パッシベーション膜クラックのＡl膜中スリット
幅Ｗ依存性を示す。この場合のパッシベーション膜は○
−○曲線がＰ−ＳｉＮ／ＰＳＧ＝１.１μｍ／０.２μｍ
の２層膜、△…△曲線がＰＳＧ／Ｐ−ＳｉＮ／ＰＳＧ＝
０.８５μｍ／１.１μｍ／０.２μｍの３層膜である。
図８によればスリット幅２０μｍ〜４０μｍでコーナー
部欠陥率が著しく低下することが明らかである。 【００１６】図１０はガードリングコーナーに図１１
（Ａ）（Ｂ）…（Ｅ）に示した各種形状のスリット,孔
列を形成した場合（形成しない場合も含む）についての
ガードリング部パッシベーション膜クラックのＡl膜中
のスリット及び孔列の形態依存性を示す。この場合の半
導体ペレットは４.７×４.７ｍｍ角、温度サイクルは−
５５℃〜１５０℃２０回である。パッシベーション膜は
図８の例の場合と同じである。 【００１７】図１１において、（Ａ）はスリット等を全
く加工しない場合、（Ｂ）は長いスリット（１１）１本
の場合、（Ｃ）は短いスリット（１１ａ，１１ｂ，１１
ｃ）、３本の場合、（Ｄ）は孔の列１２が１列の場合、
（Ｅ）は孔の列（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）が３列の場
合の各ガードリングコーナー部の形状を示す。図１０か
らわかるようにスリット及び孔列を形成した場合にコー
ナー部の欠陥率が低下するのが明らかである。 【００１８】 【発明の効果】以上のように、本発明によれば、Ｐ−Ｓ
ｉＮ膜を含むパッシベーション膜のクラック発生をより
完全に防止することができる。従来、このＰ−ＳｉＮ膜
は緻密な膜で機械的強度が強いものと信じられ、特に、
樹脂封止型半導体装置の耐湿性を向上せしめるパッシベ
ーション膜として有効なものと信じられてきた。しか
し、上述せるように本願発明者の実験検討によって、幅
広い導体膜上では、まだクラックが発生することを発見
した。この対策として上述した本発明のようにスリット
又は孔の列を導体膜に形成することによって、Ｐ−Ｓｉ
Ｎ膜の耐湿性の効果を一層完全なものとすることができ
る。これによって、本発明によれば、高信頼性の半導体
装置を得ることができる。 【００１９】本発明は、上記実施例のみに限定されるも
のではない。例えば、Ａlガードリング上に形成される
パッシベーション膜の構成、形状は適宜に変形できる。
ガードリング自体の形状は内部回路やボンディングパッ
ドの配置によって変形することがありうる。樹脂封止体
に関しては、ガードリング部の表面に直接塗布するアン
ダコーティング樹脂を包含することもありうる。 【００２０】本発明はＰ−ＳｉＮ膜をパッシベーション
膜として使用する全ての半導体装置、特にプラスチック
封止型、ＬＳＩ等に適用し、耐湿性向上に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体装置のチップ表面の一部を示す平
面図、 【図２】図１におけるＡ−Ａ視断面図である。 【図３】本発明の一実施例による半導体装置の一部を示
す平面図、 【図４】図３におけるＡ−Ａ視断面図である。 【図５】樹脂モールドストレスの分布状態を示す曲線
図、 【図６】パッシベーション膜クラックのＡl幅依存性を
示す曲線図、 【図７】図６のために用いられるコーナー形状を示すガ
ードリングの一部平面図である。 【図８】ガードリング部パッシベーション膜・クラック
のＡl膜中スリット幅依存性を示す曲線図、 【図９】図８のために用いられるコーナー形状を示す平
面図、 【図１０】ガードリング部パッシベーション膜・クラッ
クのＡl膜中のスリット及び孔列の形態依存性を示す曲
線図、 【図１１】図１０のために用いられるコーナー形状を示
す各平面図である。 【符号の説明】 １…半導体基板（チップ）、２…半導体素子領域、３…
絶縁膜、４…配線、５…ボンディングパッド、６…ガー
ドリング、７…パッシベーション膜、８…第１の表面絶
縁膜、９…第２の表面絶縁膜、１０…Ａl配線、１１…
スリット、１２…孔。
面図、 【図２】図１におけるＡ−Ａ視断面図である。 【図３】本発明の一実施例による半導体装置の一部を示
す平面図、 【図４】図３におけるＡ−Ａ視断面図である。 【図５】樹脂モールドストレスの分布状態を示す曲線
図、 【図６】パッシベーション膜クラックのＡl幅依存性を
示す曲線図、 【図７】図６のために用いられるコーナー形状を示すガ
ードリングの一部平面図である。 【図８】ガードリング部パッシベーション膜・クラック
のＡl膜中スリット幅依存性を示す曲線図、 【図９】図８のために用いられるコーナー形状を示す平
面図、 【図１０】ガードリング部パッシベーション膜・クラッ
クのＡl膜中のスリット及び孔列の形態依存性を示す曲
線図、 【図１１】図１０のために用いられるコーナー形状を示
す各平面図である。 【符号の説明】 １…半導体基板（チップ）、２…半導体素子領域、３…
絶縁膜、４…配線、５…ボンディングパッド、６…ガー
ドリング、７…パッシベーション膜、８…第１の表面絶
縁膜、９…第２の表面絶縁膜、１０…Ａl配線、１１…
スリット、１２…孔。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 戸谷 達郎
東京都小平市上水本町1479番地 日立マ
イクロコンピュータエンジニアリング株
式会社内
(56)参考文献 特開 昭63−211648（ＪＰ，Ａ)
特開 昭52−104063（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．次の工程から成る樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 （１）半導体基板主面に半導体酸化膜より成るフィール
ド絶縁膜を選択的に形成する工程、 （２）前記フィールド絶縁膜に囲まれた半導体基板主面
に半導体素子領域を形成する工程、 （３）前記フィールド絶縁膜上に、前記半導体素子領域
に対して電気的に接続される所定の幅を有する配線層、
ボンディングパッド及び前記配線層よりも実質的に幅広
く、かつ半導体基板のコーナー部に沿って設けられ、そ
のコーナー部において配線幅を実質的に限定するスリッ
ト乃至それと等価な複数の孔の列が設けられた配線層を
形成する工程、 （４）前記所定幅を有する配線層、ボンディングパッド
及び前記スリット乃至それと等価な複数の孔の列が設け
られた配線層を覆うようにしてＰＳＧ及びそのＰＳＧ膜
よりも厚いプラズマ生成によるシリコンナイトライドか
らなる積層保護膜を形成する工程、 （５）前記積層保護膜を選択的に除去することで、前記
所定幅を有する配線層及び前記スリット乃至それと等価
な複数の孔の列が設けられた配線層を覆い、前記ボンデ
ィングパッドの一部を露出させる工程、 （６）前記積層保護膜が形成された半導体基板を樹脂体
によりモールドする工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6142055A JP2533293B2 (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6142055A JP2533293B2 (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63017091A Division JPH0815150B2 (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161880A JPH07161880A (ja) | 1995-06-23 |
| JP2533293B2 true JP2533293B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=15306371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6142055A Expired - Lifetime JP2533293B2 (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2533293B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100219490B1 (ko) * | 1996-10-16 | 1999-09-01 | 윤종용 | 반도체소자의 가드링 패턴 |
| JP5228123B1 (ja) | 2011-11-28 | 2013-07-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52104063A (en) * | 1976-02-27 | 1977-09-01 | Hitachi Ltd | Production of surface protection film in electronic parts |
| JPH0815150B2 (ja) * | 1988-01-29 | 1996-02-14 | 株式会社日立製作所 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-06-23 JP JP6142055A patent/JP2533293B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07161880A (ja) | 1995-06-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960514 |