JP2830564B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2830564B2 JP2830564B2 JP3354265A JP35426591A JP2830564B2 JP 2830564 B2 JP2830564 B2 JP 2830564B2 JP 3354265 A JP3354265 A JP 3354265A JP 35426591 A JP35426591 A JP 35426591A JP 2830564 B2 JP2830564 B2 JP 2830564B2
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- JP
- Japan
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- pellet
- region
- semiconductor device
- internal circuit
- stress
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Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、とく
にそのモールド樹脂封入による応力による影響の改善に
関するものである。 【従来の技術】半導体装置のペレットはその面積を小さ
くする為にペレット有効領域ギリギリまで動作領域を使
用している事と、外部接続の為のリード端子を持つリー
ドフレームのリードフレームのリード端子の配置により
従来の半導体装置ペレットは角部にまで動作領域があっ
た。今日の様に半導体デバイス技術が進歩し、その半導
体装置機能の高級化が要求され、ペレット面積はますま
す増大している。しかしペレット面積が増大すると、モ
ールド樹脂の封入時の加熱や、低温−高温の温度サイク
ルによる樹脂の膨張・収縮・硬化収縮により、応力の影
響を受けやすくなる欠点があった。ペレット面積が大き
くなる程、またペレット中心から離れた程応力が大きく
加わると報告されており、特にペレット角の領域下の特
性変動が発生する可能性があった。［「プラスチックで
密封されたＬＳＩのチップ上において水蒸気によるアル
ミ腐蝕とストレスについて」（ＭＯＩＳＴＵＲＥ−ＩＮ
ＤＵＣＥＤ ＡＬＵＭＩＮＵＭ ＣＯＲＲＯＳＩＯＮＡ
ＮＤ ＳＴＲＥＳＳ ＯＮ ＴＨＥ ＣＨＩＰ ＩＮ
ＰＬＡＳＴＩＣ−ＥＮＣＡＰＳＵＬＡＴＥＤ ＬＳ
Ｉｓ、１９７９，ＩＥＥＥ，ＣＨ１４２５−８／７９／
ｏｏｏｏ−Ｄ１１Ｓ参照］。本発明の目的は前述の応力
に対する問題点を解決することにある。 【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
は、ペレットと、前記ペレットの角領域以外に設けられ
ゲート電極、アルミ配線、拡散層領域及びコンタクトを
有するＭＯＳ型構造を備える内部回路とを有し、モール
ド樹脂によって封入された半導体装置において、前記ペ
レットの前記角領域に前記内部回路と同種の素子が形成
された凸凹領域を有することを特徴とする。 【実施例】次に、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。第１図は本発明の一実施例におけるペレット
角領域のレイアウトを示す模式図である。この実施例は
ＭＯＳ型半導体装置であり、１は、この半導体装置の動
作には無関係な凸凹領域であり、ペレットの角領域に配
置してある。２，３はゲート用ポリシリコン、４はアル
ミ配線、５は拡散層領域、６はコンタクトでＭＯＳ型構
造を形成しているが、各領域とも内部回路とは電気的に
切離されている。次に７は半導体装置の本来の動作を有
する回路領域、８は外部接続用パッドである。９はゲー
トポリシリコン、１０はアルミ配線で、いずれも内部回
路と接続されている。１１は拡散層領域、１２はコンタ
クトである。第２図は実施例の断面図で、切断面は第１
図のＡ−Ｂ間に対応する。１３は半導体基板、１４はモ
ールド樹脂、１５はペレット保護用酸化膜、１６はゲー
ト酸化膜、１７はペレットをとう載するリードフレーム
である。第２図に示すようにモールド樹脂封入された半
導体装置は、そのモールド樹脂と半導体シリコンと金属
の膨張係数が各々異なっており、温度サイクルなどによ
る応力が加わる。本実施例では第２図中の矢印１９で示
す方向に応力が加わる。この応力の大きさはペレット中
心から遠くなる程大きく、ペレット角領域で最大とな
る。そこでこの角領域に内部回路とは無関係な凸凹領域
を持つ事により応力はこの凸凹領域に集中し、本来の動
作領域は保護される。さらに、ペレットの角領域にも内
部回路とは電気的に分離されかつ内部回路を構成する素
子と同種の素子による応力吸収領域が形成されている。
このため、半導体装置のペレット全体の物理的特性をも
均一にすることができる。以上、ＭＯＳ型半導体装置で
説明したが他の型でも同じである。 【発明の効果】以上説明した様に本発明によれば、ペレ
ットの動作領域に対するモールド樹脂の応力の影響が少
なくなる半導体装置が得られる。さらに本発明によれ
ば、ペレットの角領域にも内部回路とは電気的に分離さ
れかつ内部回路を構成する素子と同種の素子による応力
吸収領域が形成されている。このため、半導体装置のペ
レット全体の物理的特性をも均一にすることができる。
にそのモールド樹脂封入による応力による影響の改善に
関するものである。 【従来の技術】半導体装置のペレットはその面積を小さ
くする為にペレット有効領域ギリギリまで動作領域を使
用している事と、外部接続の為のリード端子を持つリー
ドフレームのリードフレームのリード端子の配置により
従来の半導体装置ペレットは角部にまで動作領域があっ
た。今日の様に半導体デバイス技術が進歩し、その半導
体装置機能の高級化が要求され、ペレット面積はますま
す増大している。しかしペレット面積が増大すると、モ
ールド樹脂の封入時の加熱や、低温−高温の温度サイク
ルによる樹脂の膨張・収縮・硬化収縮により、応力の影
響を受けやすくなる欠点があった。ペレット面積が大き
くなる程、またペレット中心から離れた程応力が大きく
加わると報告されており、特にペレット角の領域下の特
性変動が発生する可能性があった。［「プラスチックで
密封されたＬＳＩのチップ上において水蒸気によるアル
ミ腐蝕とストレスについて」（ＭＯＩＳＴＵＲＥ−ＩＮ
ＤＵＣＥＤ ＡＬＵＭＩＮＵＭ ＣＯＲＲＯＳＩＯＮＡ
ＮＤ ＳＴＲＥＳＳ ＯＮ ＴＨＥ ＣＨＩＰ ＩＮ
ＰＬＡＳＴＩＣ−ＥＮＣＡＰＳＵＬＡＴＥＤ ＬＳ
Ｉｓ、１９７９，ＩＥＥＥ，ＣＨ１４２５−８／７９／
ｏｏｏｏ−Ｄ１１Ｓ参照］。本発明の目的は前述の応力
に対する問題点を解決することにある。 【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
は、ペレットと、前記ペレットの角領域以外に設けられ
ゲート電極、アルミ配線、拡散層領域及びコンタクトを
有するＭＯＳ型構造を備える内部回路とを有し、モール
ド樹脂によって封入された半導体装置において、前記ペ
レットの前記角領域に前記内部回路と同種の素子が形成
された凸凹領域を有することを特徴とする。 【実施例】次に、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。第１図は本発明の一実施例におけるペレット
角領域のレイアウトを示す模式図である。この実施例は
ＭＯＳ型半導体装置であり、１は、この半導体装置の動
作には無関係な凸凹領域であり、ペレットの角領域に配
置してある。２，３はゲート用ポリシリコン、４はアル
ミ配線、５は拡散層領域、６はコンタクトでＭＯＳ型構
造を形成しているが、各領域とも内部回路とは電気的に
切離されている。次に７は半導体装置の本来の動作を有
する回路領域、８は外部接続用パッドである。９はゲー
トポリシリコン、１０はアルミ配線で、いずれも内部回
路と接続されている。１１は拡散層領域、１２はコンタ
クトである。第２図は実施例の断面図で、切断面は第１
図のＡ−Ｂ間に対応する。１３は半導体基板、１４はモ
ールド樹脂、１５はペレット保護用酸化膜、１６はゲー
ト酸化膜、１７はペレットをとう載するリードフレーム
である。第２図に示すようにモールド樹脂封入された半
導体装置は、そのモールド樹脂と半導体シリコンと金属
の膨張係数が各々異なっており、温度サイクルなどによ
る応力が加わる。本実施例では第２図中の矢印１９で示
す方向に応力が加わる。この応力の大きさはペレット中
心から遠くなる程大きく、ペレット角領域で最大とな
る。そこでこの角領域に内部回路とは無関係な凸凹領域
を持つ事により応力はこの凸凹領域に集中し、本来の動
作領域は保護される。さらに、ペレットの角領域にも内
部回路とは電気的に分離されかつ内部回路を構成する素
子と同種の素子による応力吸収領域が形成されている。
このため、半導体装置のペレット全体の物理的特性をも
均一にすることができる。以上、ＭＯＳ型半導体装置で
説明したが他の型でも同じである。 【発明の効果】以上説明した様に本発明によれば、ペレ
ットの動作領域に対するモールド樹脂の応力の影響が少
なくなる半導体装置が得られる。さらに本発明によれ
ば、ペレットの角領域にも内部回路とは電気的に分離さ
れかつ内部回路を構成する素子と同種の素子による応力
吸収領域が形成されている。このため、半導体装置のペ
レット全体の物理的特性をも均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例のレイアウトを示す模式図、
第２図は第１図の本実施例において半導体ペレットをモ
ールド樹脂封入した状態を示す断面図である。 １……凸凹領域、２，３，９……ゲートポリシリコン、
４．１０……アルミ配線、５，１１……拡散層領域、
６，１２……コンタクト、７……半導体装置の動作領
域、８……外部接続用パッド、１３……半導体基板、１
４……モールド樹脂、１５……ペレット保護用酸化膜、
１６……ゲート酸化膜、１７……リードフレーム。
第２図は第１図の本実施例において半導体ペレットをモ
ールド樹脂封入した状態を示す断面図である。 １……凸凹領域、２，３，９……ゲートポリシリコン、
４．１０……アルミ配線、５，１１……拡散層領域、
６，１２……コンタクト、７……半導体装置の動作領
域、８……外部接続用パッド、１３……半導体基板、１
４……モールド樹脂、１５……ペレット保護用酸化膜、
１６……ゲート酸化膜、１７……リードフレーム。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 ペレットと、前記ペレットの角領域以外に設けられたゲ
ート電極、アルミ配線、拡散層領域及びコンタクトを有
するＭＯＳ型構造を備える内部回路とを有し、モールド
樹脂によって封入された半導体装置において、前記ペレ
ットの前記角領域に前記内部回路と電気的に分離され、
かつ物理的構造が前記内部回路と同種のＭＯＳ型構造を
なす凸凹領域を応力吸収領域として有することを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3354265A JP2830564B2 (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3354265A JP2830564B2 (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162540A JPH08162540A (ja) | 1996-06-21 |
| JP2830564B2 true JP2830564B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=18436385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3354265A Expired - Lifetime JP2830564B2 (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2830564B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5722220A (en) * | 1980-07-16 | 1982-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical filter |
-
1991
- 1991-11-21 JP JP3354265A patent/JP2830564B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08162540A (ja) | 1996-06-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970401 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980825 |