JP2579222Y2 - 樹脂封止型回路装置 - Google Patents
樹脂封止型回路装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、混成集積回路等の樹脂
封止型回路装置に関する。
封止型回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】スイッチングレギュレータ等を構成する
従来の樹脂封止型回路装置は、例えば図３に示すよう
に、放熱性の良い金属から成る支持板１の上にパワート
ランジスタチップ（図示せず）を搭載すると共にセラミ
ック板等から成る回路基板２を接着材３で固着し、回路
基板２に搭載されたＩＣチップ、コンデンサチップ等の
回路部品４を保護樹脂５で被覆し、更にトランスファモ
ールド法によってエポキシ樹脂から成る外囲体６を設け
ることによって構成されている。
従来の樹脂封止型回路装置は、例えば図３に示すよう
に、放熱性の良い金属から成る支持板１の上にパワート
ランジスタチップ（図示せず）を搭載すると共にセラミ
ック板等から成る回路基板２を接着材３で固着し、回路
基板２に搭載されたＩＣチップ、コンデンサチップ等の
回路部品４を保護樹脂５で被覆し、更にトランスファモ
ールド法によってエポキシ樹脂から成る外囲体６を設け
ることによって構成されている。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】ところで、この種の回
路装置では、回路基板２と外囲体６との線膨脹係数が大
幅に相違するために、温度変化が生じると、外囲体６に
クラック２０が生じることがある。
路装置では、回路基板２と外囲体６との線膨脹係数が大
幅に相違するために、温度変化が生じると、外囲体６に
クラック２０が生じることがある。
【０００４】そこで、本考案の目的は、回路基板を被覆
する樹脂外囲体のクラックの発生を防止することができ
る樹脂封止型回路装置を提供することにある。
する樹脂外囲体のクラックの発生を防止することができ
る樹脂封止型回路装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本考案は、チップ部品が搭載され且つ第１の線膨張係
数を有している回路基板と、前記第１の線膨張係数より
も大きい第２の線膨張係数を有して前記回路基板を被覆
している樹脂外囲体とを備えた樹脂封止型回路装置にお
いて、前記回路基板及び前記樹脂外囲体よりも硬さの小
さい材料から成り、前記回路基板の側面を被覆し、且つ
前記樹脂外囲体で被覆されるように配置された弾性体層
を有することを特徴とする樹脂封止型回路装置に係わる
ものである。
の本考案は、チップ部品が搭載され且つ第１の線膨張係
数を有している回路基板と、前記第１の線膨張係数より
も大きい第２の線膨張係数を有して前記回路基板を被覆
している樹脂外囲体とを備えた樹脂封止型回路装置にお
いて、前記回路基板及び前記樹脂外囲体よりも硬さの小
さい材料から成り、前記回路基板の側面を被覆し、且つ
前記樹脂外囲体で被覆されるように配置された弾性体層
を有することを特徴とする樹脂封止型回路装置に係わる
ものである。
【０００６】
【考案の作用及び効果】本考案に従って回路基板の側面
に配置された弾性体層は樹脂外囲体及び回路基板よりも
硬さが小さいので、緩衝材として機能し、回路基板と樹
脂外囲体との線膨張係数の差によって生じる応力を吸収
する。これにより、樹脂外囲体にきれつが生じることを
防ぐことができる。
に配置された弾性体層は樹脂外囲体及び回路基板よりも
硬さが小さいので、緩衝材として機能し、回路基板と樹
脂外囲体との線膨張係数の差によって生じる応力を吸収
する。これにより、樹脂外囲体にきれつが生じることを
防ぐことができる。
【０００７】
【実施例】次に、図１及び図２を参照して本考案の実施
例に係わる樹脂封止型回路装置を説明する。この回路装
置はスイッチングレギュレータを混成集積回路型式に構
成するものであって、図３に示した装置と同様に、金属
製支持板１の上にセラミックス製回路基板２が接着材３
で固着されている。回路基板２の上面には配線パターン
（図示せず）が形成され且つＩＣチップ、コンデンサチ
ップ等から成る回路部品４が搭載されている。回路基板
２の回路部品４が搭載されている主面の大部分はポリイ
ミド系樹脂から成る回路部品保護樹脂層５によって被覆
されている。回路基板２の側面と主面の外周縁近傍にシ
リコーンラバーから成る弾性体層７が設けられている。
弾性体層７は保護樹脂層５の硬さよりも小さい硬さを有
し且つ保護樹脂層５よりも弾性変形し易い軟質樹脂層で
ある。保護樹脂層５は流動性の大きいポリイミド系樹脂
を回路基板２の上面に塗布して熱硬化したものであって
比較的厚く形成されている。弾性体層７は保護樹脂層５
を形成する樹脂よりも流動性が悪く且つ表面張力が大き
いシリコーンラバー用樹脂を塗布して熱硬化したもので
あり、回路基板２の側面に十分に付着している。なお、
弾性体層７は金属支持板１の上面にも塗布され、平面的
に見て四角形（環状）に配設されている。また、弾性体
層７は保護樹脂層５を形成した後に形成されている。
例に係わる樹脂封止型回路装置を説明する。この回路装
置はスイッチングレギュレータを混成集積回路型式に構
成するものであって、図３に示した装置と同様に、金属
製支持板１の上にセラミックス製回路基板２が接着材３
で固着されている。回路基板２の上面には配線パターン
（図示せず）が形成され且つＩＣチップ、コンデンサチ
ップ等から成る回路部品４が搭載されている。回路基板
２の回路部品４が搭載されている主面の大部分はポリイ
ミド系樹脂から成る回路部品保護樹脂層５によって被覆
されている。回路基板２の側面と主面の外周縁近傍にシ
リコーンラバーから成る弾性体層７が設けられている。
弾性体層７は保護樹脂層５の硬さよりも小さい硬さを有
し且つ保護樹脂層５よりも弾性変形し易い軟質樹脂層で
ある。保護樹脂層５は流動性の大きいポリイミド系樹脂
を回路基板２の上面に塗布して熱硬化したものであって
比較的厚く形成されている。弾性体層７は保護樹脂層５
を形成する樹脂よりも流動性が悪く且つ表面張力が大き
いシリコーンラバー用樹脂を塗布して熱硬化したもので
あり、回路基板２の側面に十分に付着している。なお、
弾性体層７は金属支持板１の上面にも塗布され、平面的
に見て四角形（環状）に配設されている。また、弾性体
層７は保護樹脂層５を形成した後に形成されている。
【０００８】金属支持板１の上には、図１に示すように
更にパワートランジスタチップ（半導体素子）８が半田
で固着され、ポリイミド系樹脂から成る保護樹脂層９に
よって被覆されている。
更にパワートランジスタチップ（半導体素子）８が半田
で固着され、ポリイミド系樹脂から成る保護樹脂層９に
よって被覆されている。
【０００９】この回路装置は、支持板１に連結された外
部リードの１０の他に、支持板１に直接に連結されてい
ない複数の外部リード１１を有し、回路基板２上の配線
と外部リード１１との間が内部リード線１２によって接
続されている。また、トランジスタチップ８と回路基板
２上の配線との間も内部リード線１３によって接続され
ている。
部リードの１０の他に、支持板１に直接に連結されてい
ない複数の外部リード１１を有し、回路基板２上の配線
と外部リード１１との間が内部リード線１２によって接
続されている。また、トランジスタチップ８と回路基板
２上の配線との間も内部リード線１３によって接続され
ている。
【００１０】回路基板２及びトランジスタチップ８が搭
載された金属支持板１及び外部リード１０、１１の一部
を覆うようにエポキシ樹脂外囲体６がトランスファモー
ルド法によって設けられている。なお、樹脂外囲体６は
保護樹脂５、９及び弾性体層７を覆うように形成され、
弾性体層７よりも大きい硬さを有する。また、線膨張係
数は、回路基板２が０．７×１０-5／℃であり、外囲体
６が１．５〜２．５×１０-5／℃であり、弾性体層７が
２０〜３０×１０-5／℃である。即ち、弾性体層７、外
囲体６、回路基板２の順番に線膨張係数が小さくなる。
載された金属支持板１及び外部リード１０、１１の一部
を覆うようにエポキシ樹脂外囲体６がトランスファモー
ルド法によって設けられている。なお、樹脂外囲体６は
保護樹脂５、９及び弾性体層７を覆うように形成され、
弾性体層７よりも大きい硬さを有する。また、線膨張係
数は、回路基板２が０．７×１０-5／℃であり、外囲体
６が１．５〜２．５×１０-5／℃であり、弾性体層７が
２０〜３０×１０-5／℃である。即ち、弾性体層７、外
囲体６、回路基板２の順番に線膨張係数が小さくなる。
【００１１】本考案に従って弾性体層７を設けると、回
路基板２と外囲体６との線膨張係数の差によって平板状
外囲体６の横方向に生じる応力を弾性体層７で吸収し、
外囲体６におけるきれつ（クラック）の発生を防ぐこと
ができる。
路基板２と外囲体６との線膨張係数の差によって平板状
外囲体６の横方向に生じる応力を弾性体層７で吸収し、
外囲体６におけるきれつ（クラック）の発生を防ぐこと
ができる。
【００１２】
【変形例】本考案は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 図１の回路装置から金属支持板１を省いて図４
の構成にすることができる。この場合には弾性体層７を
回路基板２の表面から裏面に至るように断面形状コ字状
に形成することが望ましい。また、この場合に、外囲体
６をエポキシ樹脂の粉体塗装で形成することができる。 （２） 保護樹脂層５を弾性体層７と同様にシリコーン
ラバーにすることができる。しかし、この場合、弾性体
層７を形成するものよりも流動性の良い樹脂を使用する
ことが必要である。 （３） 弾性体層７を発泡性ラバーで形成することがで
きる。また、フィラ−の含有量が少ないかまたは含まれ
ていない肉厚に塗布が可能なポリイミド系樹脂であって
もよい。但し、硬化後に弾力性があることが必要であ
る。 （４） 弾性体層７は、クラックが発生し易い回路基板
の長手方向の対向部にのみ設けてもよい。即ち、図１の
回路基板２の左右の側面のみに弾性体層４を設けてもよ
い。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 図１の回路装置から金属支持板１を省いて図４
の構成にすることができる。この場合には弾性体層７を
回路基板２の表面から裏面に至るように断面形状コ字状
に形成することが望ましい。また、この場合に、外囲体
６をエポキシ樹脂の粉体塗装で形成することができる。 （２） 保護樹脂層５を弾性体層７と同様にシリコーン
ラバーにすることができる。しかし、この場合、弾性体
層７を形成するものよりも流動性の良い樹脂を使用する
ことが必要である。 （３） 弾性体層７を発泡性ラバーで形成することがで
きる。また、フィラ−の含有量が少ないかまたは含まれ
ていない肉厚に塗布が可能なポリイミド系樹脂であって
もよい。但し、硬化後に弾力性があることが必要であ
る。 （４） 弾性体層７は、クラックが発生し易い回路基板
の長手方向の対向部にのみ設けてもよい。即ち、図１の
回路基板２の左右の側面のみに弾性体層４を設けてもよ
い。
【図１】実施例の樹脂封止型回路装置を外囲体を省いて
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】実施例の回路装置の図１のＡ−Ａ線に対応する
部分を示す断面図である。
部分を示す断面図である。
【図３】従来の回路装置を図２と同様に示す断面図であ
る。
る。
【図４】変形例の回路装置を示す断面図である。
２ 回路基板 ４ 回路部品 ５ 保護樹脂層 ６ 外囲体 ７ 弾性体層
Claims (2)
- 【請求項１】 チップ部品が搭載され且つ第１の線膨張
係数を有している回路基板と、前記第１の線膨張係数よ
りも大きい第２の線膨張係数を有して前記回路基板を被
覆している樹脂外囲体とを備えた樹脂封止型回路装置に
おいて、 前記回路基板及び前記樹脂外囲体よりも硬さの小さい材
料から成り、前記回路基板の側面を被覆し、且つ前記樹
脂外囲体で被覆されるように配置された弾性体層を有す
ることを特徴とする樹脂封止型回路装置。 - 【請求項２】 更に、前記回路基板に結合された金属板
を有し、この金属板も前記樹脂外囲体で被覆されている
ことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6057793U JP2579222Y2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 樹脂封止型回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6057793U JP2579222Y2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 樹脂封止型回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0727166U JPH0727166U (ja) | 1995-05-19 |
| JP2579222Y2 true JP2579222Y2 (ja) | 1998-08-20 |
Family
ID=13146248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6057793U Expired - Fee Related JP2579222Y2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 樹脂封止型回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2579222Y2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006179538A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Hitachi Ltd | 半導体パワーモジュール |
| JP5691794B2 (ja) * | 2008-10-20 | 2015-04-01 | 株式会社デンソー | 電子制御装置 |
| JP5556007B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2014-07-23 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
| JP5146358B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2013-02-20 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
| JP2013115133A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Semiconductor Components Industries Llc | 回路装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-10-15 JP JP6057793U patent/JP2579222Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0727166U (ja) | 1995-05-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |