JPH0727166U - 樹脂封止型回路装置 - Google Patents

樹脂封止型回路装置

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JPH0727166U JP6057793U JP6057793U JPH0727166U JP H0727166 U JPH0727166 U JP H0727166U JP 6057793 U JP6057793 U JP 6057793U JP 6057793 U JP6057793 U JP 6057793U JP H0727166 U JPH0727166 U JP H0727166U
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 エポキシ樹脂の外囲体を有する回路装置にお
ける外囲体のきれつを防ぐ。 【構成】 金属支持板１の上に回路基板２を配置する。
回路基板２の側面にシリコーンラバーから成る弾性体層
７を設ける。この弾性体層７及び回路基板２を囲むよう
にエポキシ樹脂外囲体６を設ける。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は、混成集積回路等の樹脂封止型回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
スイッチングレギュレータ等を構成する従来の樹脂封止型回路装置は、例えば 図３に示すように、放熱性の良い金属から成る支持板１の上にパワートランジス タチップ（図示せず）を搭載すると共にセラミック板等から成る回路基板２を接 着材３で固着し、回路基板２に搭載されたＩＣチップ、コンデンサチップ等の回 路部品４を保護樹脂５で被覆し、更にトランスファモールド法によってエポキシ 樹脂から成る外囲体６を設けることによって構成されている。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】
ところで、この種の回路装置では、回路基板２と外囲体６との線膨脹係数が大 幅に相違するために、温度変化が生じると、外囲体６にクラック２０が生じるこ とがある。
【０００４】 そこで、本考案の目的は、回路基板を被覆する樹脂外囲体のクラックの発生を 防止することができる樹脂封止型回路装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本考案は、チップ部品が搭載され且つ第１の線膨張 係数を有している回路基板と、前記第１の線膨張係数よりも大きい第２の線膨張 係数を有して前記回路基板を被覆している樹脂外囲体とを備えた樹脂封止型回路 装置において、前記回路基板及び前記樹脂外囲体よりも硬さの小さい材料から成 り、前記回路基板の側面を被覆し、且つ前記樹脂外囲体で被覆されるように配置 された弾性体層を有することを特徴とする樹脂封止型回路装置に係わるものであ る。
【０００６】
【考案の作用及び効果】
本考案に従って回路基板の側面に配置された弾性体層は樹脂外囲体及び回路基 板よりも硬さが小さいので、緩衝材として機能し、回路基板と樹脂外囲体との線 膨張係数の差によって生じる応力を吸収する。これにより、樹脂外囲体にきれつ が生じることを防ぐことができる。
【０００７】
【実施例】
次に、図１及び図２を参照して本考案の実施例に係わる樹脂封止型回路装置を 説明する。 この回路装置はスイッチングレギュレータを混成集積回路型式に構成するもの であって、図３に示した装置と同様に、金属製支持板１の上にセラミックス製回 路基板２が接着材３で固着されている。回路基板２の上面には配線パターン（図 示せず）が形成され且つＩＣチップ、コンデンサチップ等から成る回路部品４が 搭載されている。回路基板２の回路部品４が搭載されている主面の大部分はポリ イミド系樹脂から成る回路部品保護樹脂層５によって被覆されている。回路基板 ２の側面と主面の外周縁近傍にシリコーンラバーから成る弾性体層７が設けられ ている。弾性体層７は保護樹脂層５の硬さよりも小さい硬さを有し且つ保護樹脂 層５よりも弾性変形し易い軟質樹脂層である。保護樹脂層５は流動性の大きいポ リイミド系樹脂を回路基板２の上面に塗布して熱硬化したものであって比較的厚 く形成されている。弾性体層７は保護樹脂層５を形成する樹脂よりも流動性が悪 く且つ表面張力が大きいシリコーンラバー用樹脂を塗布して熱硬化したものであ り、回路基板２の側面に十分に付着している。なお、弾性体層７は金属支持板１ の上面にも塗布され、平面的に見て四角形（環状）に配設されている。また、弾 性体層７は保護樹脂層５を形成した後に形成されている。
【０００８】 金属支持板１の上には、図１に示すように更にパワートランジスタチップ（半 導体素子）８が半田で固着され、ポリイミド系樹脂から成る保護樹脂層９によっ て被覆されている。
【０００９】 この回路装置は、支持板１に連結された外部リードの１０の他に、支持板１に 直接に連結されていない複数の外部リード１１を有し、回路基板２上の配線と外 部リード１１との間が内部リード線１２によって接続されている。また、トラン ジスタチップ８と回路基板２上の配線との間も内部リード線１３によって接続さ れている。
【００１０】 回路基板２及びトランジスタチップ８が搭載された金属支持板１及び外部リー ド１０、１１の一部を覆うようにエポキシ樹脂外囲体６がトランスファモールド 法によって設けられている。なお、樹脂外囲体６は保護樹脂５、９及び弾性体層 ７を覆うように形成され、弾性体層７よりも大きい硬さを有する。また、線膨張 係数は、回路基板２が０．７×１０-5／℃であり、外囲体６が１．５〜２．５× １０-5／℃であり、弾性体層７が２０〜３０×１０-5／℃である。即ち、弾性体 層７、外囲体６、回路基板２の順番に線膨張係数が小さくなる。
【００１１】 本考案に従って弾性体層７を設けると、回路基板２と外囲体６との線膨張係数 の差によって平板状外囲体６の横方向に生じる応力を弾性体層７で吸収し、外囲 体６におけるきれつ（クラック）の発生を防ぐことができる。
【００１２】
【変形例】
本考案は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば次の変形が可能なもの である。 （１） 図１の回路装置から金属支持板１を省いて図４の構成にすることがで きる。この場合には弾性体層７を回路基板２の表面から裏面に至るように断面形 状コ字状に形成することが望ましい。また、この場合に、外囲体６をエポキシ樹 脂の粉体塗装で形成することができる。 （２） 保護樹脂層５を弾性体層７と同様にシリコーンラバーにすることがで きる。しかし、この場合、弾性体層７を形成するものよりも流動性の良い樹脂を 使用することが必要である。 （３） 弾性体層７を発泡性ラバーで形成することができる。また、フィラ− の含有量が少ないかまたは含まれていない肉厚に塗布が可能なポリイミド系樹脂 であってもよい。但し、硬化後に弾力性があることが必要である。 （４） 弾性体層７は、クラックが発生し易い回路基板の長手方向の対向部に のみ設けてもよい。即ち、図１の回路基板２の左右の側面のみに弾性体層４を設 けてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例の樹脂封止型回路装置を外囲体を省いて
示す平面図である。
【図２】実施例の回路装置の図１のＡ−Ａ線に対応する
部分を示す断面図である。
【図３】従来の回路装置を図２と同様に示す断面図であ
る。
【図４】変形例の回路装置を示す断面図である。
【符号の説明】
２ 回路基板 ４ 回路部品 ５ 保護樹脂層 ６ 外囲体 ７ 弾性体層

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 チップ部品が搭載され且つ第１の線膨張
    係数を有している回路基板と、前記第１の線膨張係数よ
    りも大きい第２の線膨張係数を有して前記回路基板を被
    覆している樹脂外囲体とを備えた樹脂封止型回路装置に
    おいて、 前記回路基板及び前記樹脂外囲体よりも硬さの小さい材
    料から成り、前記回路基板の側面を被覆し、且つ前記樹
    脂外囲体で被覆されるように配置された弾性体層を有す
    ることを特徴とする樹脂封止型回路装置。
  2. 【請求項２】 更に、前記回路基板に結合された金属板
    を有し、この金属板も前記樹脂外囲体で被覆されている
    ことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型回路装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006179538A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Hitachi Ltd 半導体パワーモジュール
JP2010141158A (ja) * 2008-12-12 2010-06-24 Denso Corp 電子装置
JP2010199516A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Denso Corp 電子装置
JP2011142366A (ja) * 2008-10-20 2011-07-21 Denso Corp 電子制御装置
WO2013076932A1 (ja) * 2011-11-25 2013-05-30 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 回路装置の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006179538A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Hitachi Ltd 半導体パワーモジュール
JP2011142366A (ja) * 2008-10-20 2011-07-21 Denso Corp 電子制御装置
JP2010141158A (ja) * 2008-12-12 2010-06-24 Denso Corp 電子装置
JP2010199516A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Denso Corp 電子装置
WO2013076932A1 (ja) * 2011-11-25 2013-05-30 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 回路装置の製造方法

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