JP2011142366A - 電子制御装置 - Google Patents

Abstract

【課題】回路基板の外縁部とモールド樹脂との界面剥離が生じないようにすることができる構造を提供する。
【解決手段】回路基板１０の一面１１の外縁部１１ａに、回路基板１０がモールド樹脂４０から受ける応力を緩和するための応力緩衝部として、回路基板１０よりも弾性率が低い導電性接着剤５０を設ける。この導電性接着剤５０には、密着補強材６０をコーティングする。そして、回路基板１０がモールド樹脂４０から剥離応力を受けたときには、導電性接着剤５０および密着補強材６０が剥離応力を受けて変形する。これにより、回路基板１０に対する剥離応力が低減される。
【選択図】図６

Description

本発明は、ベース部材の上に回路基板を接着固定し、ベース部材のうち回路基板が接着固定された面とは反対側の面が露出するようにモールド樹脂で封止した電子制御装置に関する。

近年、自動車のパワートレイン制御に対しては、快適な走行と低燃費とを両立するため複雑な制御を実現する高機能化が求められている。また、各種電子制御装置の増加に伴い、ワイヤハーネスの増大や搭載スペースの確保が深刻な問題となってきている。このため、制御対象となる機械機能部品内部に電子制御装置を組み込んで一体化したモジュールが求められている。

例えば、トランスミッション内部の油圧回路を構成するバルブボディ上にソレノイドや各種センサと共に電子制御装置を組み込み、機械機能部品と電子制御装置とを一体化したモジュールとして製造することが試みられている。このような電子制御装置として、回路基板をモールド樹脂で封止したものが特許文献１、２で提案されている。

特許文献１では、電子部品が搭載された回路基板を、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金の両面に銅（Ｃｕ）を積層したベース部材に接着し、外部接続端子の一部とベース部材に設けられたフランジ部とを除いて、モールド樹脂により成型した電子制御装置が提案されている。

また、特許文献２では、両面に電子部品が搭載された回路基板を、アルミニウム（Ａｌ）とシリコンカーバイト（ＳｉＣ）との混合粉末を焼結させたベース部材に接着し、外部接続端子の一部とベース部材の一部とを除いて、モールド樹脂により成型した電子制御装置が提案されている。この装置では、ベース部材のうち回路基板が接着される面とは反対側の面を外部に露出するハーフモールドと呼ばれる構造とすることによって、電子部品の放熱性を高めている。

特許文献１、２に記載されているように、電子回路組立体をモールド成型する技術は、ＩＣパッケージに代表されるように古くから確立された技術である。しかしながら、トランスミッションの制御回路のような大型なものは、モールド樹脂と基板やベース部材といった内容物との熱収縮量の差による応力が非常に大きく、密着境界面における剥離が課題となる。該応力は、成型品の外縁部分から中央部分側に発生する。

そこで、特許文献１では、モールド樹脂をベース部材の裏側まで回りこませるフルモールドと呼ばれる構造が示されている。この構造により、ベース部材とモールド樹脂との線膨張係数差による反りを抑制すると共に、ベース部材をＦｅ−Ｎｉ合金の両面にＣｕを積層したものとする。これにより、ベース部材の線膨張係数をモールド樹脂に合わせ、剥離応力を低減している。

また、特許文献２では、電子部品を両面に配置することによって、回路基板を極力小型化して、応力の低減を図る構造が示されている。また、ベース部材をＡｌとＳｉＣとの混合粉末を焼結させたものにすることによって、モールド樹脂との線膨張係数差を合わせると共に、低弾性率化を図っている。

特許文献３では、上記のように材質や構造を工夫して回路基板やベース部材とモールド樹脂との剥離を抑制するものとは別に、大型のモールド成型品については、一般的にポリアミドイミド等の密着補強材で回路基板をコーティングする技術が提案されている。これによると、モールド樹脂より低弾性率で密着性を有する密着補強材で回路基板が被覆されるため、モールド樹脂密着界面の剪断応力が低減され、回路基板に対するモールド樹脂の剥離が発生し難くなる効果がある。

特開２００４−１１９４６５号公報 特開２００８−８４９７８号公報 特開２００６−４１０７１号公報

しかしながら、特許文献１で提案されたフルモールド構造では、ベース部材において回路基板が接着された側とは反対側にもモールド樹脂が存在することになる。このため、電子部品で発生した熱はベース部材に設けられモールド樹脂から露出したフランジ部のみを介して外部に放出されることになり、放熱性が低下するという問題がある。

また、特許文献２で提案されたハーフモールド構造では、ベース部材の一部がモールド樹脂から露出しているので放熱性は改善されるが、ベース部材の一方の面はモールド樹脂で覆われ他方の面は覆われていない。すなわち、ベース部材の一方の面側でモールド樹脂の収縮があったとしても、他方の面ではモールド樹脂が設けられていないため、全体の収縮量の均衡を図ることが難しくなる。このため、成型品全体の反りを抑えることが難しく、モールド樹脂界面における密着信頼性が低下するという問題がある。

そして、特許文献１、２で提案されたいずれの構造においても、モールド樹脂とベース部材との線膨張係数をそれぞれ８〜１０ｐｐｍ／℃程度で合わせることはできる。しかし、回路基板の基材に用いられるセラミックスの線膨張係数は５〜７ｐｐｍ／℃程度であり、モールド樹脂やベース部材の線膨張係数を回路基板に合わせることまでは難しい。

さらに、回路基板としてのセラミック基板は、材料を焼成した後にＶ溝で割ることで得られるが、該セラミック基板の端部は非常に鋭利な角度になり、応力が集中しやすくなってしまう。また、セラミック基板は２５０ＧＰａ程度の高い弾性率であることから、基板端部に非常に大きな応力が発生してしまう。

そこで、特許文献３で提案された密着補強材を用いる場合、フィレットや毛細管現象によって回路基板上の部品周辺等の凹凸部に密着補強剤が入り込み、密着補強材を厚くすることができるので、低弾性による応力緩和効果も期待できると考えられる。しかし、密着補強材は、噴霧等によって回路基板に均一にコーティングされるように粘度が低くされているため、基板端部のような平坦な箇所では薄くなってしまう。このため、モールド樹脂と回路基板との密着力向上は期待できても、低弾性による応力緩和には限界がある。

特に、モールド樹脂に発生する剥離応力は回路基板の外縁側から中央側に向かって生じると共に、回路基板において該回路基板の中心から離れた場所ほど大きくなる。したがって、上述のように、種々の部品を一つにまとめることで回路規模が大きくなって回路基板が大型化した場合には、回路基板の外縁部に加わる剥離応力も大きくなってしまう。このため、ベース部材の材質をモールド樹脂に合わせたり、密着補強材によってモールド樹脂と回路基板との密着力を向上させたとしても、回路基板端部における界面剥離を回避することができない。

このようなモールド樹脂と回路基板との剥離は、回路基板に対するモールド樹脂の位置をずらすことになり、回路基板に実装された電子部品のボンディングワイヤを切断するなどして電気的不具合を生じさせる原因になる。

本発明は、上記点に鑑み、放熱性を確保すべくハーフモールド構造とした電子制御装置において、回路基板の外縁部とモールド樹脂との界面剥離が生じないようにすることができる構造を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、ヒートシンクとして機能するベース部材（２０）と、一面（１１）および該一面（１１）の反対側の他面（１２）を有し、一面（１１）に電子部品（１３）が搭載され、他面（１２）にベース部材（２０）が接着された回路基板（１０）と、少なくとも、ベース部材（２０）の回路基板（１０）が接着された側の面と、回路基板（１０）を封止したモールド樹脂（４０）とを備えた電子制御装置であって、回路基板（１０）の一面（１１）の少なくとも、外縁部（１１ａ）には、一面（１１）の外縁部（１１ａ）における回路基板（１０）の上の部位とモールド樹脂（４０）との接合部分の応力を、一面（１１）の外縁部（１１ａ）にモールド樹脂（４０）が設けられたときの一面（１１）の外縁部（１１ａ）における回路基板（１０）の上の部位とモールド樹脂（４０）との接合部分の応力よりも低くする応力緩衝部（５０〜５２、６０）が備えられており、応力緩衝部（５０〜５２、６０）は、回路基板（１０）よりも弾性率が低いものであり、回路基板（１０）の一面（１１）上のみに備えられていることを特徴とする。

これによると、応力緩衝部（５０〜５２、６０）は回路基板（１０）よりも弾性率が低い、すなわち軟らかいため、回路基板（１０）よりも変形しやすく、モールド樹脂（４０）から受ける応力を低減することができる。このため、回路基板（１０）の一面（１１）の外縁部（１１ａ）とモールド樹脂（４０）との界面にモールド樹脂（４０）に剥離応力が加わったとしても、応力緩衝部（５０〜５２、６０）により剥離応力を低減できる。

そして、モールド樹脂（４０）に発生する剥離応力は回路基板（１０）の外縁側から中央側に向かって生じる。このため、回路基板（１０）において剥離応力が最も生じやすい回路基板（１０）の一面（１１）の外縁部（１１ａ）の界面剥離を防止することができる。

以上により、回路基板（１０）の一面（１１）の外縁部（１１ａ）とモールド樹脂との界面剥離が生じないようにすることができる。

また、電子制御装置はハーフモールド構造であるので、電子部品（１３）の放熱性を向上させることができる。

請求項２に記載の発明では、応力緩衝部（５０〜５２、６０）は、モールド樹脂（４０）よりも弾性率が低いものであることを特徴とする。

これによると、応力緩衝部（５０〜５２、６０）はモールド樹脂（４０）よりも軟らかいため、モールド樹脂（４０）よりも変形させやすくすることができる。したがって、モールド樹脂（４０）の応力を緩和しやすくすることができ、回路基板（１０）からのモールド樹脂（４０）の剥離を防止することができる。

請求項３に記載の発明では、応力緩衝部（５０〜５２、６０）は、回路基板（１０）の一面（１１）の外縁部（１１ａ）のうち、一面（１１）の中心から最も離れた場所に配置されていることを特徴とする。

これにより、回路基板（１０）の一面（１１）において回路基板（１０）の中心から最も離れた場所に生じると共に最も大きい剥離応力を緩和することができる。したがって、回路基板（１０）の一面（１１）の外縁部（１１ａ）とモールド樹脂との界面剥離をより効果的に防止することができる。

請求項４に記載の発明では、応力緩衝部は、導電性接着剤（５０）であることを特徴とする。これにより、印刷の方法により回路基板（１０）に応力緩衝部（５０〜５２、６０）を設けることができる。この場合、回路基板（１０）の一面（１１）に実装する電子部品（１３）のための導電性接着剤を回路基板（１０）の一面（１１）に印刷する工程で応力緩衝部としての導電性接着剤（５０）を形成することができる。

請求項５に記載の発明では、応力緩衝部は、絶縁性樹脂であることを特徴とする。この絶縁性樹脂については、印刷の方法によって回路基板（１０）の一面（１１）に設けることができる。

請求項６に記載の発明では、応力緩衝部は、モールド樹脂（４０）と回路基板（１０）とを密着させるための密着補強材（６０）でコーティングされていることを特徴とする。これにより、回路基板（１０）とモールド樹脂（４０）との密着信頼性を向上させることができる。

請求項７に記載の発明では、応力緩衝部（５０〜５２、６０）は、ワイヤによって形成されたボンディング部（５１）に回路基板（１０）よりも弾性率が低い密着補強材（６０）がコーティングされたものであることを特徴とする。

これにより、ボンディング部（５１）の凹凸部分や隙間に密着補強材（６０）がフィレットを形成したり膜を張ったりするため、密着補強材（６０）を厚く設けることができる。このため、密着補強材（６０）の低弾性によってモールド樹脂（４０）の剥離応力を緩和することができ、モールド樹脂（４０）と回路基板（１０）との密着信頼性を向上させることができる。

このボンディング部（５１）については、電子部品（１３）のワイヤボンディングの工程で形成することができ、ボンディング部（５１）の形成のための新たな工程を不要とすることができる。

請求項８に記載の発明では、応力緩衝部（５０〜５２、６０）は、ワイヤ（５２）に回路基板（１０）よりも弾性率が低い密着補強材（６０）がコーティングされたものであることを特徴とする。

これにより、ワイヤ（５２）の周囲やワイヤ（５２）と回路基板（１０）との間の隙間に密着補強材（６０）が入り込むことで密着補強材（６０）を厚く設けることができる。したがって、請求項７と同様に、モールド樹脂（４０）の剥離応力を緩和することができ、モールド樹脂（４０）と回路基板（１０）との密着信頼性を向上させることができる。

請求項９に記載の発明では、応力緩衝部（５０〜５２、６０）は、ダミー部品に回路基板（１０）よりも弾性率が低い密着補強材（６０）がコーティングされたものであることを特徴とする。

これにより、ダミー部品の周囲やダミー部品と回路基板（１０）との間の隙間に密着補強材（６０）が入り込むことで密着補強材（６０）を厚く設けることができる。したがって、請求項７や請求項８と同様に、モールド樹脂（４０）の剥離応力を緩和することができ、モールド樹脂（４０）と回路基板（１０）との密着信頼性を向上させることができる。

請求項１０に記載の発明では、応力緩衝部はモールド樹脂（４０）と回路基板（１０）とを密着させるための密着補強材（６０）であり、回路基板（１０）は、該回路基板（１０）の一面（１１）の外縁部（１１ａ）に凹部（１１ｂ）を備え、密着補強材（６０）は、凹部（１１ｂ）に埋め尽くされていることを特徴とする。

これにより、凹部（１１ｂ）によって密着補強材（６０）に厚みを持たせることができ、剥離応力を緩和させやすくすることができる。回路基板（１０）としては、一定の薄さの基板を積層した積層基板の最上層の外縁部に凹部（１１ｂ）となる孔を設けることで容易に実現できる。

請求項１１に記載の発明では、応力緩衝部（５０〜５２、６０）は、回路基板（１０）の一面（１１）の外縁部（１１ａ）にＬ字状に配置されていることを特徴とする。これにより、回路基板（１０）のうち回路基板（１０）の中心から最も遠い角部で剥離応力を緩和することができる。

請求項１２に記載の発明では、応力緩衝部（５０〜５２、６０）は、回路基板（１０）の一面（１１）の外縁部（１１ａ）を一周して囲むように配置されていることを特徴とする。これにより、回路基板（１０）の一面（１１）の外縁部（１１ａ）全体で剥離応力を緩和することができる。

請求項１３に記載の発明では、応力緩衝部（５０〜５２、６０）は、回路基板（１０）の一面（１１）の外縁部（１１ａ）に断続的に配置されていることを特徴とする。これにより、印刷の方法で応力緩衝部（５０〜５２、６０）を形成することができる。

請求項１４に記載の発明では、応力緩衝部（５０〜５２、６０）は、回路基板（１０）の一面（１１）の外縁部（１１ａ）それぞれにドット状に配置されていることを特徴とする。これにより、回路基板（１０）のうち回路基板（１０）の中心から最も遠い位置で剥離応力を緩和することができる。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

本発明の第１実施形態に係る電子制御装置の平面図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 回路基板の一面の平面図である。 回路基板の他面の平面図である。 リードフレームの平面図である。 図２のＢ部拡大図である。 本発明の第２実施形態に係る電子制御装置の一部の拡大断面図である。 本発明の第３実施形態に係る電子制御装置の一部の拡大断面図である。 本発明の第４実施形態に係る電子制御装置の一部の拡大断面図である。 本発明の第５実施形態に係る電子制御装置の回路基板の平面図である。 本発明の第５実施形態に係る電子制御装置の一部の拡大断面図である。 図１０に示された回路基板の一面の四隅の一つを拡大した平面図である。 図１２のＣ−Ｃ断面図である。 本発明の第６実施形態に係る電子制御装置の一部の拡大断面図である。 本発明の第７実施形態に係る回路基板の平面図である。 図１５のＤ−Ｄ断面図である。 本発明の第８実施形態に係る電子制御装置の一部の拡大断面図である。 本発明の第９実施形態に係る電子制御装置の一部の拡大断面図である。 他の実施形態において、応力緩衝部のレイアウトの一例を示した図である。 他の実施形態において、フルモールド構造の電子制御装置の断面図である。 他の実施形態において、回路基板の一面の平面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態で示される電子制御装置は、例えば車載用の電子制御装置として用いられるものである。具体的には、自動変速機の電子制御装置として、自動変速機の内部に配置されたバルブボディ内に、ソレノイドや各種センサ等ともに一体化されたモジュールとして取り付けられる。

図１は、本実施形態に係る電子制御装置の平面図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。なお、図１では、モールド樹脂４０の一部を除去して図示している。以下、図１および図２を参照して、電子制御装置１の構成について説明する。

図１に示されるように、電子制御装置は、四角形板状をなすモールドパッケージである。そして、図１および図２に示されるように、電子制御装置１は、回路基板１０と、ベース部材２０と、リード端子３０と、モールド樹脂４０とを備えて構成されている。

回路基板１０は、一面１１および該一面１１の反対側の他面１２を有する板状の配線基板である。回路基板１０の構成材料としては、セラミックスが用いられる。具体的には、回路基板１０として、３５ｍｍ×４５ｍｍの平面四角形のセラミック基板が６層積層されたセラミック多層基板が採用される。

このように、回路基板１０としてのセラミック多層基板は、例えば１０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を持つ。この値は、樹脂基板が持つ例えば１Ｗ／ｍＫ程度の熱伝導率に比べて大きいので、樹脂基板よりも放熱性を向上することができる。

また、回路基板１０の一面１１、他面１２、および内部には図示しない配線パターンが設けられている。そして、回路基板１０の一面１１には複数の電子部品１３が搭載されている。

図３は、回路基板１０の一面１１の平面図である。この図に示されるように、回路基板１０の一面１１には、電子部品１３として、電源ＩＣ１３ａ、ドライバＩＣ１３ｂ、マイコン１３ｃ、受動部品１３ｄ等が実装されている。電源ＩＣ１３ａはバッテリ電源から電子制御回路用の電源を生成、供給するものであり、ドライバＩＣ１３ｂはソレノイドを駆動するものである。また、マイコン１３ｃは各種演算を行うものであり、受動部品１３ｄは回路の一部を構成するセラミックチップ抵抗やセラミック積層コンデンサ等である。

上記の電子部品１３のうち、発熱量が大きい発熱素子としての電源ＩＣ１３ａおよびドライバＩＣ１３ｂの各電極は、金ワイヤ等のワイヤ１４によって回路基板１０の電極に電気的に接続されている。これら電源ＩＣ１３ａおよびドライバＩＣ１３ｂはベアチップの状態となっており、銀ペースト等の導電性接着剤１５によって回路基板１０の一面１１に接着固定されている。

また、電子部品１３のうち電源ＩＣ１３ａやドライバＩＣ１３ｂのようにワイヤ１４で電気的に接続されるもの以外は、導電性接着剤１５によって、該電子部品１３の各電極と回路基板１０の電極とが電気的に接続されている。

さらに、回路基板１０の一面１１の外縁部１１ａには、回路基板１０がモールド樹脂４０から受ける応力を緩和するための応力緩衝部として導電性接着剤５０が設けられている。この導電性接着剤５０については後で詳しく説明する。

そして、回路基板１０の一面１１は、モールド樹脂４０との密着力が高い密着補強材６０によって被覆されている。この密着補強材６０は、モールド樹脂４０と回路基板１０とを密着させる機能を果たすものであり、回路基板１０と密着補強材６０との密着性が良く、密着補強材６０とモールド樹脂４０との密着性が良いものである。このため、密着補強材６０によって回路基板１０とモールド樹脂４０との密着性が向上する。なお、図２の断面図および図３の平面図では密着補強材６０を省略してある。該密着補強材６０は図６に描かれている。

また、電子部品１３や応力緩衝部としての導電性接着剤５０が密着補強材６０によって被覆されることで、モールド樹脂４０に対する耐剥離性を向上することができる。密着補強材６０としては、例えばポリアミドイミドが用いられる。密着補強材６０の弾性率は１〜５ＧＰａであり、回路基板１０に比べで弾性率が十分低く、モールド樹脂４０から受ける応力を緩和する効果もある。

図４は、回路基板１０の他面１２の平面図である。この図に示されるように、回路基板１０の他面１２には、印刷によって厚膜抵抗体１６が形成されている。この厚膜抵抗体１６は回路基板１０内に設けられた配線パターンにそれぞれ接続されている。そして、厚膜抵抗体１６はＵＶ硬化樹脂等の絶縁膜１７によって被覆されている。

上記構成を有する回路基板１０の線膨張係数は例えば５〜７ｐｐｍ／℃であり、線膨張係数が例えば９〜１７ｐｐｍ／℃の一般的な樹脂基板よりも線膨張係数が小さい。また、電子部品１３の線膨張係数は例えば３〜９ｐｐｍ／℃であり、該電子部品１３の線膨張係数と回路基板１０の線膨張係数との差が小さいので、回路基板１０に対する電子部品１３の接続信頼性を向上することができる。さらに、セラミック基板である回路基板１０は樹脂基板に比べて耐熱性が高く、温度負荷が大きい環境下での信頼性を向上することができる。

ベース部材２０は、ヒートシンクとして機能するものであり、いわゆる放熱板である。また、ベース部材２０は、電子制御装置１が取り付けられるエンジンやトランスミッション等の部材に固定される固定部である。

このようなベース部材２０にはフランジ部２１が連結固定されている。フランジ部２１とベース部材２０との連結部はモールド樹脂４０に覆われており、フランジ部２１の一部がモールド樹脂から外部に露出している。そして、フランジ部２１のうちモールド樹脂４０から露出した部分に、他部材にねじで固定するためのねじ穴２２が設けられている。

さらに、フランジ部２１のうちねじ穴２２とモールド樹脂４０との間には応力緩和部２３が設けられている。この応力緩和部２３は、フランジ部２１を他部材に固定する際の応力伝達時に弾性変形することで、モールド樹脂４０への応力の伝達を低減する役割を果たすものである。

具体的には、フランジ部２１には２つの撓み可能なビームが互いに離間して設けられ、各ビームの先端付近に連結部２４がそれぞれ設けられている。この連結部２４がベース部材２０に固定されることで、フランジ部２１とベース部材２０とが一体化されている。また、連結部２４を含む各ビームの一部がモールド樹脂４０によってそれぞれ封止され、残りの部分が外部に露出している。これにより、図１に示されるように、モールド樹脂４０とフランジ部２１との間でスリットが構成された状態となっている。

そして、各ビームのうち、スリットが構成された部位が応力緩和部２３である。このように、フランジ部２１に応力緩和部２３を設けた構成とすると、電子制御装置１の他部材への固定時に生じる応力を該応力緩和部２３によって緩和することができる。このため、モールド樹脂４０への応力の伝達が抑制され、モールド樹脂４０に生じるクラックや剥離を低減することが可能となる。

ベース部材２０の構成材料として、アルミニウムと炭化シリコンの焼結体が用いられている。これにより、ベース部材２０の線膨張係数が８〜１３ｐｐｍ／℃、弾性率が１００〜１３０ＭＰａ、熱伝導率が１５０〜２００Ｗ／ｍＫである。

また、ベース部材２０の大きさや形状は特に限定されるものではない。回路基板１０の一面１１と面積が等しくても良いし、大きい或いは小さいものでも良い。ベース部材２０のうち回路基板１０に対向する面の形状についても回路基板１０の一面１１と同じ形状でも良いし、異なるものでも良い。本実施形態では、ベース部材２０は平面長方形である。また、ベース部材２０のうち回路基板１０に対向する面のサイズは、ベース部材２０が回路基板１０に対向配置されると、回路基板１０がベース部材２０の面内に完全に収められるように、回路基板１０の一面１１よりも大きく設定されている。これにより、ベース部材２０を基準として、回路基板１０をベース部材２０上に位置決め配置しやすくなる。また、回路基板１０からの熱を効率よく放熱することが可能となる。

このようなベース部材２０の上に接着剤２５を介して回路基板１０の他面１２が接着固定されている。接着剤２５としては、回路基板１０をベース部材２０に接着固定でき、使用環境下で要求される耐熱性等の特性を持つものが好ましい。例えば、耐熱性を有し、熱伝導率が高く、回路基板１０を所定位置に保持しつつ、回路基板１０との接続部に生じる応力を緩和して接続信頼性を向上できる適度な弾性率を有するものを採用すると良い。本実施形態では、熱伝導率が２．０〜２．５Ｗ／ｍＫ、室温の弾性率が５〜２０ＭＰａのシリコーン系の接着剤２５を採用している。回路基板１０とベース部材２０との間に接着剤２５が配置された状態では、回路基板１０の他面１２とベース部材２０との対向面間の間隔、すなわち接着剤２５の厚さは、０．２ｍｍ以下となっている。

リード端子３０は、回路基板１０に構成された回路と外部とを電気的に接続するものである。このリード端子３０は例えばアルミニウムワイヤ等のワイヤ３１を介して回路基板１０に設けられた電極に電気的に接続されている。なお、ワイヤ３１を用いずに、リード端子３０と回路基板１０の回路とを電気的に接続する構成としても良い。

上記のフランジ部２１とリード端子３０とは同一材料から構成されている。具体的には、フランジ部２１およびリード端子３０は、図５に示されるリードフレーム２６の一部として構成されたものである。このリードフレーム２６は例えば銅合金からなり、フランジ部２１とリード端子３０とが一体化されたものである。

別工程で用意されたベース部材２０に上記リードフレーム２６のフランジ部２１のうちの連結部２４を加圧による金属の塑性変形によって連結し、リードフレーム２６自身をベース部材２０に固定する。このようにしてリードフレーム２６とベース部材２０とを一体化させたものに対し、回路基板１０の設置、リード端子３０と回路基板１０の回路との電気的接続、モールド樹脂４０による樹脂封止を行う。この後、リードフレーム２６のうち、フランジ部２１とリード端子３０を除く不要部分を抜き打ちにより除去することでフランジ部２１とリード端子３０とが構成される。このような構成とすると、材料費や加工費等のコストを低減することができる。

モールド樹脂４０は、回路基板１０、および回路基板１０とリード端子３０との接続部位を保護するものである。すなわち、モールド樹脂４０は、回路基板１０、ベース部材２０のうち回路基板１０が接着固定される面とは反対側の面およびフランジ部２１を除いた部分、リード端子３０のうちワイヤ３１と回路基板１０の電極との接合部位を被覆している。

言い換えると、ベース部材２０のうち回路基板１０が接着固定される面とは反対側の面、フランジ部２１、およびリード端子３０の一部がモールド樹脂４０から外部に露出した構成となっている。このようにベース部材２０の一部がモールド樹脂４０から露出した構成とすることで、ベース部材２０からモールド樹脂４０を介さずに外部に直接放熱できる面積が大きくなるため、放熱性をより向上することができる。

上述のように、回路基板１０の一面１１には電子部品１３等を被覆保護する密着補強材６０が設けられているので、回路基板１０の一面１１側においてはモールド樹脂４０は密着補強材６０の上に形成されている。これにより、回路基板１０の一面１１側においては、回路基板１０とモールド樹脂４０との密着力および密着信頼性を向上することができる。

モールド樹脂４０の構成材料としては、使用環境下において、回路基板１０、および回路基板１０とリード端子３０との接続部位を保護できるものが好ましい。例えば、線膨張係数が８〜１０ｐｐｍ／℃、室温の弾性率が１２〜２５ＧＰａのエポキシ樹脂を採用することができる。本実施形態では、ベース部材２０およびモールド樹脂４０の線膨張係数を９ｐｐｍ／℃にそれぞれ合わせることによって、密着信頼性を向上させている。

次に、上記構成のうち、回路基板１０の一面１１の外縁部１１ａに設けられた導電性接着剤５０について、図６を参照して説明する。図６は、図２に示される断面のＢ部拡大図である。なお、図６では、リード端子３０およびワイヤ３１を省略してある。

導電性接着剤５０は、回路基板１０がモールド樹脂４０から受ける線膨張係数の差に基づく応力を緩和させる役割を果たすものである。このため、導電性接着剤５０は、少なくとも回路基板１０よりも弾性率が低いものが用いられる。

導電性接着剤５０として、例えばＡｇペーストが用いられる。Ａｇペーストの弾性率は１〜１０ＧＰａ程度であり、セラミック基板である回路基板１０の弾性率が２７０ＧＰａ程度であるので、回路基板１０よりも十分に軟らかい材質であると言える。また、モールド樹脂４０の弾性率は１５ＧＰａ程度である。したがって、導電性接着剤５０はモールド樹脂４０よりも弾性率が低いものである。

この導電性接着剤５０自身の高さは、例えば５０μｍ程度である。上述のように、この導電性接着剤５０に密着補強材６０がコーティングされることで、導電性接着剤５０と密着補強材６０とを合わせた高さが５０〜１００μｍになっている。

密着補強材６０としては、例えばポリアミドイミドが採用される。このポリアミドイミドの弾性率は１〜１０ＧＰａ程度であり、導電性接着剤５０と同様に、回路基板１０やモールド樹脂４０に対して十分軟らかいものである。密着補強材６０は厚さが例えば２０μｍ程度であるので、密着補強材６０のみでの応力緩和機能は低いが、導電性接着剤５０をコーティングしているためにフィレットを形成して密着補強材６０が厚くなるため、密着補強材６０も応力緩衝部として機能する。

すなわち、導電性接着剤５０および密着補強材６０は、回路基板１０の一面１１において外縁部１１ａよりも内側における回路基板１０の上の密着補強材６０とモールド樹脂４０との接合部分の弾性率よりも、一面１１の外縁部１１ａにおける回路基板１０の上の密着補強材６０とモールド樹脂４０との接合部分の弾性率を低くする役割を果たす。

本実施形態では、図３に示されるように、導電性接着剤５０は、回路基板１０の一面１１の外縁部１１ａのうち四隅それぞれにＬ字状に配置されている。回路基板１０の一面１１の四隅は、該一面１１の中心から最も離れた場所に該当し、この場所に導電性接着剤５０を配置している。これは、モールド樹脂４０に生じる剥離応力は、回路基板１０の中心から離れるほど大きくなるためである。

本実施形態では、導電性接着剤５０が密着補強材６０により覆われている。このため、図３に示されるように、回路基板１０の一面１１の最外縁部において密着補強材６０がフィレットを形成している。したがって、回路基板１０の中心から最も離れた一面１１の最端部に応力緩和のための密着補強材６０を位置させることが可能となっている。もちろん、導電性接着剤５０そのものを一面１１の最端部に位置させても良い。

また、導電性接着剤５０は、回路基板１０の一面１１の最端部から０．３ｍｍの距離をおいて配置され、幅は０．７ｍｍになっている。一面１１の一辺における長さは１５ｍｍである。導電性接着剤５０はＬ字状になっているので、全体で３０ｍｍ程度の長さになっている。このような導電性接着剤５０は、電子部品１３を回路基板１０に接着している導電性接着剤５０を印刷する工程において、同様の方法で形成される。

上記のように、回路基板１０の一面１１に応力緩衝部としての導電性接着剤５０および密着補強材６０が配置されていることにより、回路基板１０に対するモールド樹脂４０の剥離応力を緩和できる作用について説明する。

まず、電子制御装置１の温度が高くなると、モールド樹脂４０や回路基板１０等は各々の線膨張係数に従って伸び縮みする。上述のように、モールド樹脂４０の線膨張係数と回路基板１０の線膨張係数との差が大きいため、軟らかい材質のモールド樹脂４０は硬い材質の回路基板１０よりも変形しやすく、モールド樹脂４０には回路基板１０の外縁側から中央側に向かう剥離応力が発生する。

この剥離応力は、回路基板１０の一面１１において該回路基板１０の中心から最も離れた場所ほど大きい。したがって、回路基板１０の一面１１の外縁部１１ａに大きな剥離応力が加わる。

しかしながら、回路基板１０の一面１１の外縁部１１ａには回路基板１０よりも弾性率が低い導電性接着剤５０および密着補強材６０が配置されている。これら導電性接着剤５０および密着補強材６０は、一面１１の外縁部１１ａにおける回路基板１０の上の部位とモールド樹脂４０との接合部分の応力を、一面１１の外縁部１１ａにモールド樹脂４０が設けられたときの該接合部分の応力よりも低くする役割を果たす。このため、導電性接着剤５０および密着補強材６０が剥離応力を受けて変形することにより、回路基板１０に対する剥離応力が低減される。

発明者らは、応力緩衝部としての導電性接着剤５０および密着補強材６０が設けられた電子制御装置１と導電性接着剤５０および密着補強材６０が設けられていない電子制御装置とを用意した。そして、各電子制御装置を−４０℃に冷却した後に１５０℃に加熱し、再び−４０℃に冷却するという工程を４０００回繰り返した。そして、非破壊で各電子制御装置のＳＡＴ（超音波探傷画像）を取得した。

その結果、導電性接着剤５０および密着補強材６０が設けられていない電子制御装置については、回路基板１０とモールド樹脂４０との剥離が生じていた。しかし、導電性接着剤５０および密着補強材６０が設けられた電子制御装置１については、回路基板１０とモールド樹脂４０との剥離は生じていなかった。この結果から、導電性接着剤５０および密着補強材６０によって剥離応力が緩和されたことがわかる。

以上のように、回路基板１０とモールド樹脂４０との界面において、回路基板１０からモールド樹脂４０を剥離する応力が発生したとしても、導電性接着剤５０および密着補強材６０によって回路基板１０とモールド樹脂４０との界面剥離を防止することができる。

この場合、導電性接着剤５０および密着補強材６０は、回路基板１０だけでなくモールド樹脂４０よりも低弾性であるので、モールド樹脂４０よりも変形しやすくなっている。このため、モールド樹脂４０の剥離応力を緩和しやすくすることができる。

また、回路基板１０の一面１１のうち最も大きな剥離応力を受ける最端部に応力緩衝部としての導電性接着剤５０および密着補強材６０を配置している。したがって、回路基板１０とモールド樹脂４０との界面剥離をより効果的に防止することが可能となる。

以上により、回路基板１０とモールド樹脂４０との界面剥離が生じないようにすることができ、回路基板１０からのモールド樹脂４０の剥離を防止することができる。

もちろん、導電性接着剤５０および密着補強材６０によって剥離応力を緩和できることに加え、密着補強材６０による回路基板１０とモールド樹脂４０との密着信頼性も向上させることができる。

また、電子制御装置１はハーフモールド構造であり、ベース部材２０がモールド樹脂４０から露出した構造になっている。これにより、電子部品１３の放熱性を向上させることができる。

なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、導電性接着剤５０および密着補強材６０が特許請求の範囲の応力緩衝部に対応する。

（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図７は、本実施形態に係る電子制御装置１の一部の拡大断面図であり、図２のＢ部拡大図に相当する図である。

図７に示されるように、導電性接着剤５０は、回路基板１０の側面１８にも形成されている。具体的には、導電性接着剤５０は、回路基板１０の一面１１と該一面１１に隣接する側面１８とによって構成された角部を完全に覆っている。そして、導電性接着剤５０に密着補強材６０がコーティングされている。

モールド樹脂４０に発生した剥離応力は、回路基板１０の側面１８を巻き込みながら回路基板１０の中心に向かって生じる。これに対し、上述のように、回路基板１０の角部を導電性接着剤５０および密着補強材６０で完全に覆っているため、回路基板１０の側面１８に加わる剥離応力も緩和することができる。したがって、回路基板１０の側面１８における応力緩和および密着信頼性を向上させることができる。

（第３実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図８は、本実施形態に係る電子制御装置１の一部の拡大断面図であり、図２のＢ部拡大図に相当する図である。この図に示されるように、導電性接着剤５０は２列に形成されている。そして、各導電性接着剤５０が密着補強材６０でコーティングされている。

このように、導電性接着剤５０が複数の列で設けられていると、各導電性接着剤５０の間に密着補強材６０が溜まりやすくなる。したがって、密着補強材６０を厚くすることができ、応力緩和の効果を高めることができる。

もちろん、導電性接着剤５０は２列ではなく、回路基板１０の一面１１の外縁部１１ａにおけるスペースが許す限り、３列以上になっていても良い。

（第４実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図９は、本実施形態に係る電子制御装置１の一部の拡大断面図であり、図２のＢ部拡大図に相当する図である。この図に示されるように、回路基板１０には、回路基板１０の一面１１の外縁部１１ａにおいて、平面部および側面部によって構成された階段状の段差部１９が備えられている。そして、応力緩衝部としての導電性接着剤５０が回路基板１０の段差部１９に設けられ、密着補強材６０によってコーティングされている。

セラミック多層基板である回路基板１０は厚さ０．２ｍｍ×６シートからなる。したがって、段差部１９の寸法としては、上層２枚、中層２枚、下層２枚に分けて、上層を下層より１．０ｍｍ内側、中層を下層より０．５ｍｍ内側とすることで、踏みしろ０．５ｍｍ、高さ０．４ｍｍの階段を形成できる。

このように、回路基板１０の端部が階段状の段差部１９とされていることで、回路基板１０の端部に集中する剥離応力を分散させることが可能となる。このような場所に応力緩衝部としての導電性接着剤５０および密着補強材６０を配置することで、効果的に剥離応力を緩和することができる。

なお、図９に示される段差部１９の段差は２段であるが、段差数は１段でも良いし、３段以上であっても良い。

（第５実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図１０は、本実施形態に係る回路基板１０の平面図である。また、図１１は、本実施形態に係る電子制御装置１の一部の拡大断面図であり、図２のＢ部拡大図に相当する図である。

図１０に示されるように、回路基板１０の一面１１の外縁部１１ａに複数のボンディング部５１が配置されている。このボンディング部５１は、回路基板１０の一面１１に実装された電源ＩＣ１３ａ、ドライバＩＣ１３ｂ等と回路基板１０の電極との電気的接続に用いられるものと同じＡｕボンディングワイヤによって形成されたものである。このボンディング部５１は、電源ＩＣ１３ａ、ドライバＩＣ１３ｂ等に対するボンディング工程で形成される。このように、既存工程を流用することで、新規工程を追加する必要がない。

また、図１１に示されるように、ボンディング部５１は密着補強材６０によって覆われている。本実施形態では、密着補強材６０は回路基板１０の一面１１の外縁部１１ａのみに各ボンディング部５１を覆うように形成されている。これにより、ボンディング部５１に密着補強材６０がコーティングされたものの最大の高さが例えば１００μｍ程度になっている。

本実施形態では、大きな剥離応力が集中する外縁部１１ａのみに密着補強材６０を設けているが、もちろん、上記各実施形態のように密着補強材６０を回路基板１０の一面１１全体にコーティングしても良い。

図１２は、回路基板１０の一面１１の四隅のうちの一つを拡大した平面図である。この図に示されるように、各ボンディング部５１は回路基板１０にＬ字状に配置されている。

図１３は、図１２のＣ−Ｃ断面図である。この図に示されるように、ボンディング部５１の凹凸部で密着補強材６０がフィレットや膜を形成している。また、毛細管現象によってボンディング部５１に設けられた隙間に密着補強材６０が入り込んでいる。さらに、各ボンディング部５１の間に密着補強材６０が溜まっている。このように、ボンディング部５１によってできた段差や隙間に密着補強材６０が溜まることにより、密着補強材６０が厚く形成されている。

これにより、密着補強材６０の低弾性によって回路基板１０の外縁部１１ａにかかるモールド樹脂４０の剥離応力を緩和することができる。もちろん、密着補強材６０によって回路基板１０とモールド樹脂４０との密着信頼性を向上することもできる。

（第６実施形態）
本実施形態では、第５実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図１４は、本実施形態に係る電子制御装置１の一部の拡大断面図であり、図２のＢ部拡大図に相当する図である。この図に示されるように、回路基板１０には、上述の階段状の段差部１９が備えられている。そして、ボンディング部５１が回路基板１０の段差部１９に配置され、ボンディング部５１および段差部１９が密着補強材６０によって覆われている。

これによると、毛細管現象によりボンディング部５１の隙間や凹凸に密着補強材６０が入り込むので、密着補強材６０が厚くなる。したがって、密着補強材６０の低弾性によって剥離耐性がさらに向上する。

（第７実施形態）
本実施形態では、第５実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図１５は、本実施形態に係る回路基板１０の平面図である。この図に示されるように、回路基板１０の一面１１の外縁部１１ａにＡｌ等のワイヤ５２が配置されている。このワイヤ５２は、回路基板１０の各辺に沿って直線状に張られている。１本のワイヤ５２の長さが例えば１５ｍｍであり、２本のワイヤ５２がＬ字状に配置されている。

ワイヤ５２としては、回路基板１０の電極とリード端子３０とを電気的に接続するアルミ線と同じものが用いられている。ワイヤ５２の径は例えば２５０μｍである。

また、図１６は、図１５のＤ−Ｄ断面図である。この図に示されるように、毛細管現象によりワイヤ５２と回路基板１０との間に密着補強材６０が入り込んでいる。また、ワイヤ５２の側面と回路基板１０との間で、フィレットを形成している。これにより、密着補強材６０が厚くなり、モールド樹脂４０の剥離応力を緩和する効果を高めることができる。もちろん、モールド樹脂４０と回路基板１０との密着信頼性も向上する。

また、ワイヤ１４を複数本平行に配置しても良い。この場合、第３実施形態と同様に、各ワイヤ５２の隙間に密着補強材６０が毛細管現象で浸透するため、回路基板１０の外縁部１１ａにより多くの密着補強材６０を配することが可能になる。これにより、より高い応力緩和効果が得られる。

（第８実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図１７は、本実施形態に係る電子制御装置１の一部の拡大断面図であり、図２のＢ部拡大図に相当する図である。この図に示されるように、回路基板１０には、該回路基板１０の一面１１の外縁部１１ａに凹部１１ｂが設けられている。そして、密着補強材６０は、この凹部１１ｂに埋め尽くされている。これにより、凹部１１ｂ内に配置された密着補強材６０が厚くなるため、該密着補強材６０によってモールド樹脂４０の剥離応力を緩和することが可能となる。

凹部１１ｂは、セラミック積層基板としての回路基板１０をくり抜くことで設けることができる。凹部１１ｂの深さは例えば２００μｍである。ここで、６層のセラミックシートの積層基板を用いる場合には、最上層の一層をくり抜くことで、凹部１１ｂを形成することができる。

（第９実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図１８は、本実施形態に係る電子制御装置１の一部の拡大断面図であり、図２のＢ部拡大図に相当する図である。この図に示されるように、回路基板１０には、上述の階段状の段差部１９が設けられている。そして、密着補強材６０は、段差部１９の平面部および側面部によって構成された凹状の角部を覆っている。

このように、密着補強材６０が段差部１９に配置されると、段差部１９の凹状の角部に密着補強材６０が溜まってフィレットが形成される。したがって、密着補強材６０が厚くなる。このため、厚くなった密着補強材６０によってモールド樹脂４０の剥離応力が緩和される。

また、回路基板１０の端部に段差部１９が設けられていることで、回路基板１０の端部に集中するモールド樹脂４０の剥離応力を分散させることができる。したがって、密着補強材６０による応力緩和と回路基板１０の段差部１９による応力分散とによって効果的に剥離応力を緩和することができる。

（他の実施形態）
第１〜第４実施形態では、導電性接着剤５０は回路基板１０およびモールド樹脂４０よりも弾性率が低いものが用いられていたが、導電性接着剤５０は少なくとも回路基板１０よりも弾性率が低いものでも良い。すなわち、導電性接着剤５０が少なくとも回路基板１０よりも軟らかければ、モールド樹脂４０から受ける剥離応力が低減されるからである。

第１〜第４実施形態では、導電性接着剤５０の上に密着補強材６０をコーティングしたものが示されているが、密着補強材６０は必須ではなく、導電性接着剤５０のみを配置しても良い。この場合、導電性接着剤５０が、回路基板１０の一面１１において外縁部１１ａよりも内側における回路基板１０とモールド樹脂４０との接合部分の弾性率よりも、一面１１の外縁部１１ａにおける回路基板１０とモールド樹脂４０との接合部分の弾性率を低くする役割を果たす。

第１〜第４実施形態では、応力緩衝部として導電性接着剤５０を用いているが、導電性接着剤５０の他に絶縁性樹脂を用いても良い。絶縁性樹脂としては、厚膜抵抗体１６を被覆保護する絶縁膜１７と同じ材質のものを用いることができる。例えば、ＵＶ硬化樹脂等のいわゆるレジストを用いることができる。この絶縁性樹脂は、印刷の方法によって回路基板１０に設けることができる。この場合、第１〜第４実施形態と同様に、絶縁性樹脂に密着補強材６０をコーティングしても良い。

第１〜第４実施形態では、回路基板１０の一面１１全体に密着補強材６０を設けているが、第５実施形態のように外縁部１１ａのみに設けても良い。

第８実施形態では、密着補強材６０を溜めるための凹部１１ｂを回路基板１０に設けたものが示されているが、回路基板１０の外縁部１１ａに導電性接着剤や絶縁性の樹脂をプリントしてダムを形成し、このダムの中に密着補強材６０を溜めるようにしても良い。

上記各実施形態では、ベース部材２０の構成材料として、アルミニウムと炭化シリコンの焼結体を用いる場合について説明した。しかしながら、鉄ニッケル合金を銅で挟んでなる積層体、および銅と酸化第一銅の焼結体のいずれかをベース部材２０として採用することもできる。例えば、鉄ニッケル合金を銅で挟んでなる積層体の場合、線膨張係数が４〜１３ｐｐｍ／℃、弾性率が１００〜１５０ＭＰａ、熱伝導率が板厚方向で１５〜５０Ｗ／ｍＫ、面方向で９０〜３２０Ｗ／ｍＫである。銅と酸化第一銅の焼結体の場合、膨張係数が９〜１７．８ｐｐｍ／℃、弾性率が５０〜１２０ＭＰａ、熱伝導率が１２０〜３８０Ｗ／ｍＫである。したがって、ベース部材２０とモールド樹脂４０との線膨張係数差を合わせることと、放熱性を確保することができる。

また、上記各実施形態では、ベース部材２０のフランジ部２１が、ベース部材２０の他の部位とは別部材として構成される例を示した。しかしながら、フランジ部２１はベース部材２０と同一材料によって一体的に構成されたものでも良い。

上記各実施形態では、応力緩衝部としての導電性接着剤５０やボンディング部５１、ワイヤ５２等を用いていたが、応力緩衝部としてダミー部品に密着補強材６０をコーティングしたものでも良い。ダミー部品は凹凸や隙間を持っているため、毛細管現象によって密着補強材６０が該凹凸や隙間に入り込み、密着補強材６０を厚くすることができる。

ダミー部品としては、チップ部品のサイズでいう「１００５」や「０６０３」と同サイズのチップ状の弾性体が好ましい。このダミー部品は電子部品実装工程で回路基板１０に設けられる。一方、ダミー部品としては電気回路に実際に組み込まれた電子部品１３の一つでも良い。

上記各実施形態では、回路基板１０に応力緩衝部としての導電性接着剤５０等を配置しているが、ベース部材２０の外縁部に配置しても良い。この場合にも、ベース部材２０とモールド樹脂４０との密着信頼性を向上させることができる。

上記各実施形態では、応力緩衝部としての導電性接着剤５０やボンディング部５１、ワイヤ５２等をＬ字状に配置していたが、他の配置であっても良い。図１９は、応力緩衝部のレイアウトの一例を示した図である。図１９では、導電性接着剤５０を配置した例について説明する。

図１９（ａ）に示されるように、導電性接着剤５０を回路基板１０の一面１１の外縁部１１ａを一周して囲むように配置することができる。これにより、回路基板１０の全周で剥離応力を緩和することができる。

図１９（ｂ）および図１９（ｃ）に示されるように、導電性接着剤５０を回路基板１０の一面１１の外縁部１１ａに断続的に配置することができる。図１９（ｂ）では導電性接着剤５０は破線状、図１９（ｃ）では点線状に配置されている。このような断続的な導電性接着剤５０の形成は印刷の方法により可能である。

また、図１９（ｄ）に示されるように、導電性接着剤５０を回路基板１０の一面１１の外縁部１１ａそれぞれにドット状に配置することもできる。特に、回路基板１０の一面１１の中心から最も遠い場所である四隅に配置すると効果的である。

さらに、図１９（ｄ）に示されるドット状の導電性接着剤５０を図１９（ａ）〜図１９（ｃ）に示される導電性接着剤５０の各レイアウトに組み合わせても良い。もちろん、図１９に示されるレイアウトは導電性接着剤５０に限らず、ボンディング部５１の配置やワイヤ５２の配置にも適用できる。

各実施形態を組み合わせることもできる。例えば、第７実施形態において、回路基板１０に段差部１９を設け、該段差部１９にワイヤ５２を配置して密着補強材６０でコーティングしても良い。

さらに、各実施形態においては、ベース部材２０の一面をモールド樹脂４０から露出したハーフモールド構造となっているが、図２０に示されるように、ベース部材２０の回路基板１０と接着された面の反対側もモールドする、つまりベース部材２０をすべてモールドするフルモールド構造においても適応できる。この場合には、放熱性が低下するが、ベース部材２０の両面がモールド樹脂４０で覆われることによって、全体の収縮量の均衡が図りやすくなり、成型品全体の反りを抑えることができ、モールド樹脂４０界面の応力が低下する。その上で、少なくとも回路基板１０の一面１１の外縁部１１ａに応力緩衝部としての導電性接着剤５０を配することによって、例えば□６０ｍｍを超えるような大型のモールド製品を実現させることができる。

また、応力緩衝部としての導電性接着剤５０は、回路基板１０の一面１１の外縁部１１ａだけでなく、図２１に示されるように、応力が大きい箇所に配置することもできる。図２１では、電子部品１３の上に導電性接着剤５０を設けたものについて示してある。ここで、応力が大きい箇所の例としては、（１）大きな部品（大きいため、モールド樹脂４０との熱収縮量の違いにより応力が大きくなる）、（２）モールド樹脂４０と線膨張係数の差が大きくモールド樹脂４０と熱収縮量の差が大きい部品、の上面外縁部や角部が該当する。

応力緩衝部としては、導電性接着剤５０以外にも、密着補強材６０として使われるポリアミドイミドの希釈率を下げた粘度の高いものを用いることもできる。この場合、導電性接着剤５０と異なり絶縁材料なので、回路基板１０の一面１１の外縁部１１ａ（電子部品１３が搭載されていない基板外周部：一般的には、回路基板１０の端部から０．５〜２ｍｍ程度の領域）だけでなく、電子部品１３の搭載領域に渡って塗布（配置）することができる。（モールド樹脂４０の剥離応力は、回路基板１０の一面１１の中心から遠いほど大きくなるので）この場合には、応力緩衝部を配置しない領域が小さくなる（応力緩衝部をより広範囲に配置できる）ので、モールド樹脂４０の剥離より低減させることができる。

１０ 回路基板
１１ 回路基板の一面
１１ａ 回路基板の一面の外縁部
１１ｂ 凹部
１２ 回路基板の他面
１３ 電子部品
１８ 回路基板の側面
１９ 段差部
２０ ベース部材
４０ モールド樹脂
５０ 導電性接着剤
５１ ボンディング部
５２ ワイヤ
６０ 密着補強材

Claims (14)

1. ヒートシンクとして機能するベース部材（２０）と、
   一面（１１）および該一面（１１）の反対側の他面（１２）を有し、前記一面（１１）に電子部品（１３）が搭載され、前記他面（１２）に前記ベース部材（２０）が接着された回路基板（１０）と、
   少なくとも、前記ベース部材（２０）の前記回路基板（１０）が接着された側の面と、前記回路基板（１０）を封止したモールド樹脂（４０）とを備えた電子制御装置であって、
   前記回路基板（１０）の一面（１１）の少なくとも、外縁部（１１ａ）には、前記一面（１１）の外縁部（１１ａ）における前記回路基板（１０）の上の部位と前記モールド樹脂（４０）との接合部分の応力を、前記一面（１１）の外縁部（１１ａ）に前記モールド樹脂（４０）が設けられたときの前記一面（１１）の外縁部（１１ａ）における前記回路基板（１０）の上の部位と前記モールド樹脂（４０）との接合部分の応力よりも低くする応力緩衝部（５０〜５２、６０）が備えられており、
   前記応力緩衝部（５０〜５２、６０）は、前記回路基板（１０）よりも弾性率が低いものであり、前記回路基板（１０）の一面（１１）上のみに備えられていることを特徴とする電子制御装置。
2. 前記応力緩衝部（５０〜５２、６０）は、前記モールド樹脂（４０）よりも弾性率が低いものであることを特徴とする請求項１に記載の電子制御装置。
3. 前記応力緩衝部（５０〜５２、６０）は、前記回路基板（１０）の一面（１１）の外縁部（１１ａ）のうち、前記一面（１１）の中心から最も離れた場所に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電子制御装置。
4. 前記応力緩衝部は、導電性接着剤（５０）であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電子制御装置。
5. 前記応力緩衝部は、絶縁性樹脂であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電子制御装置。
6. 前記応力緩衝部は、前記モールド樹脂（４０）と前記回路基板（１０）とを密着させるための密着補強材（６０）でコーティングされていることを特徴とする請求項４または５に記載の電子制御装置。
7. 前記応力緩衝部（５０〜５２、６０）は、ワイヤによって形成されたボンディング部（５１）に前記回路基板（１０）よりも弾性率が低い密着補強材（６０）がコーティングされたものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電子制御装置。
8. 前記応力緩衝部（５０〜５２、６０）は、ワイヤ（５２）に前記回路基板（１０）よりも弾性率が低い密着補強材（６０）がコーティングされたものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電子制御装置。
9. 前記応力緩衝部（５０〜５２、６０）は、ダミー部品に前記回路基板（１０）よりも弾性率が低い密着補強材（６０）がコーティングされたものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電子制御装置。
10. 前記応力緩衝部は前記モールド樹脂（４０）と前記回路基板（１０）とを密着させるための密着補強材（６０）であり、
    前記回路基板（１０）は、該回路基板（１０）の一面（１１）の外縁部（１１ａ）に凹部（１１ｂ）を備え、
    前記密着補強材（６０）は、前記凹部（１１ｂ）に埋め尽くされていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電子制御装置。
11. 前記応力緩衝部（５０〜５２、６０）は、前記回路基板（１０）の一面（１１）の外縁部（１１ａ）にＬ字状に配置されていることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１つに記載の電子制御装置。
12. 前記応力緩衝部（５０〜５２、６０）は、前記回路基板（１０）の一面（１１）の外縁部（１１ａ）を一周して囲むように配置されていることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１つに記載の電子制御装置。
13. 前記応力緩衝部（５０〜５２、６０）は、前記回路基板（１０）の一面（１１）の外縁部（１１ａ）に断続的に配置されていることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１つに記載の電子制御装置。
14. 前記応力緩衝部（５０〜５２、６０）は、前記回路基板（１０）の一面（１１）の外縁部（１１ａ）それぞれにドット状に配置されていることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれか１つに記載の電子制御装置。

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