JPH1140710A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH1140710A JPH1140710A JP19569797A JP19569797A JPH1140710A JP H1140710 A JPH1140710 A JP H1140710A JP 19569797 A JP19569797 A JP 19569797A JP 19569797 A JP19569797 A JP 19569797A JP H1140710 A JPH1140710 A JP H1140710A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 生産性が低下することなく、厳しい使用条件
下においても、製品としての高い信頼性を維持すること
ができる半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体装置１１において、封止樹脂１９
の端部１９ａと絶縁保護層１７との間に、封止樹脂１９
と絶縁保護層１７に比べて柔軟性を有する柔軟性硬化樹
脂１８を設けた。温度変化が大きい条件下で使用した場
合であっても、封止樹脂１９と柔軟性硬化樹脂１８との
間および柔軟性硬化樹脂１８と絶縁保護層１７との間
に、それらの線膨張率の差に起因して発生した応力は小
さいものであるので、封止樹脂１９と絶縁保護層１７と
の間に発生した応力を緩和することができ、封止樹脂１
９が剥離することを防止することができる。この場合、
封止樹脂１９の材料としては、高価で、入手し難い特殊
な材料を使用する必要はない。
下においても、製品としての高い信頼性を維持すること
ができる半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体装置１１において、封止樹脂１９
の端部１９ａと絶縁保護層１７との間に、封止樹脂１９
と絶縁保護層１７に比べて柔軟性を有する柔軟性硬化樹
脂１８を設けた。温度変化が大きい条件下で使用した場
合であっても、封止樹脂１９と柔軟性硬化樹脂１８との
間および柔軟性硬化樹脂１８と絶縁保護層１７との間
に、それらの線膨張率の差に起因して発生した応力は小
さいものであるので、封止樹脂１９と絶縁保護層１７と
の間に発生した応力を緩和することができ、封止樹脂１
９が剥離することを防止することができる。この場合、
封止樹脂１９の材料としては、高価で、入手し難い特殊
な材料を使用する必要はない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板上に半導
体素子が搭載され、その半導体素子を囲繞するように絶
縁保護層が設けられ、その半導体素子が封止樹脂によっ
て封止されてなる半導体装置に関する。
体素子が搭載され、その半導体素子を囲繞するように絶
縁保護層が設けられ、その半導体素子が封止樹脂によっ
て封止されてなる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の半導体装置の従来構成を図５に
示している。半導体装置１の回路基板２上には、導体パ
ターン３が形成され、この導体パターン３のボンディン
グワイヤ接続部３ａを除いた部分は、絶縁保護層４によ
り被覆され、絶縁保護されている。また、上記回路基板
２上には、半導体素子５が接着剤６によって接着されて
実装されており、この半導体素子５は、上記導体パター
ン３のボンディングワイヤ接続部３ａにボンディングワ
イヤ７を介して電気的に接続されている。
示している。半導体装置１の回路基板２上には、導体パ
ターン３が形成され、この導体パターン３のボンディン
グワイヤ接続部３ａを除いた部分は、絶縁保護層４によ
り被覆され、絶縁保護されている。また、上記回路基板
２上には、半導体素子５が接着剤６によって接着されて
実装されており、この半導体素子５は、上記導体パター
ン３のボンディングワイヤ接続部３ａにボンディングワ
イヤ７を介して電気的に接続されている。
【０００３】そして、これら半導体素子５全体は、封止
樹脂８によって封止され、これによって、半導体素子
５、ボンディングワイヤ７、導体パターン３のボンディ
ングワイヤ接続部３ａ、半導体素子５とボンディングワ
イヤ７との接続部分、導体パターン３とボンディングワ
イヤ７との接続部分は、電気的ならびに機械的に保護さ
れている。この場合、上記封止樹脂８としては、例えば
エポキシ樹脂が採用されており、そのエポキシ樹脂の材
料としては、安価で、入手し易いという理由から、ビス
フェノールＡとＭｅＴＨＰＡ（メチルテトラヒドロ無水
フタル酸）とが採用されている。
樹脂８によって封止され、これによって、半導体素子
５、ボンディングワイヤ７、導体パターン３のボンディ
ングワイヤ接続部３ａ、半導体素子５とボンディングワ
イヤ７との接続部分、導体パターン３とボンディングワ
イヤ７との接続部分は、電気的ならびに機械的に保護さ
れている。この場合、上記封止樹脂８としては、例えば
エポキシ樹脂が採用されており、そのエポキシ樹脂の材
料としては、安価で、入手し易いという理由から、ビス
フェノールＡとＭｅＴＨＰＡ（メチルテトラヒドロ無水
フタル酸）とが採用されている。
【０００４】ところで、近年、このような半導体装置１
は、例えば車載用エンジン制御装置の構成部品として使
用されるようになってきており、その場合には、熱や振
動による厳しい使用条件に耐え得ることが要求されてい
る。このため、そのような要求に応えるために、上記回
路基板２としては、耐熱性に優れ、また、耐振動性の観
点から比較的硬度が大きいセラミックス基板が採用さ
れ、絶縁保護層４としては、ガラスが採用されている。
は、例えば車載用エンジン制御装置の構成部品として使
用されるようになってきており、その場合には、熱や振
動による厳しい使用条件に耐え得ることが要求されてい
る。このため、そのような要求に応えるために、上記回
路基板２としては、耐熱性に優れ、また、耐振動性の観
点から比較的硬度が大きいセラミックス基板が採用さ
れ、絶縁保護層４としては、ガラスが採用されている。
【０００５】しかしながら、上述したような、回路基板
２としてセラミックス基板が採用され、絶縁保護層４と
してガラスが採用され、封止樹脂８として上述した材料
からなるエポキシ樹脂が採用されたものにおいては、次
のような問題点があった。すなわち、ガラスと封止後に
硬化したエポキシ樹脂との線膨張率は異なり、また、ガ
ラスならびに硬化したエポキシ樹脂の双方は比較的大き
な硬度を有しているため、温度変化が大きい使用条件下
では、ガラスと硬化したエポキシ樹脂との間に、線膨張
率の差に起因して応力が発生するようになり、その発生
した応力は、緩和され難いものである。
２としてセラミックス基板が採用され、絶縁保護層４と
してガラスが採用され、封止樹脂８として上述した材料
からなるエポキシ樹脂が採用されたものにおいては、次
のような問題点があった。すなわち、ガラスと封止後に
硬化したエポキシ樹脂との線膨張率は異なり、また、ガ
ラスならびに硬化したエポキシ樹脂の双方は比較的大き
な硬度を有しているため、温度変化が大きい使用条件下
では、ガラスと硬化したエポキシ樹脂との間に、線膨張
率の差に起因して応力が発生するようになり、その発生
した応力は、緩和され難いものである。
【０００６】このため、熱や振動による厳しい使用条件
下、特に、温度変化が大きい使用条件下では、発生した
応力によって、エポキシ樹脂が剥離してしまい、製品と
しての信頼性が低下することになる。
下、特に、温度変化が大きい使用条件下では、発生した
応力によって、エポキシ樹脂が剥離してしまい、製品と
しての信頼性が低下することになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで、上述した問題
点を解決するために、特開平５−３２１８号公報に開示
されているものがある。このものは、エポキシ樹脂の材
料として、ジアミノシロキサンおよびマレイン酸から誘
導されるビスマレイミドと、１，２−ポリブタジエンを
エポキシ化して得られるエポキシ化物とを採用すること
によって、応力を小さくし、それによって、エポキシ樹
脂が剥離することを防止し、製品としての信頼性が低下
することを防止している。
点を解決するために、特開平５−３２１８号公報に開示
されているものがある。このものは、エポキシ樹脂の材
料として、ジアミノシロキサンおよびマレイン酸から誘
導されるビスマレイミドと、１，２−ポリブタジエンを
エポキシ化して得られるエポキシ化物とを採用すること
によって、応力を小さくし、それによって、エポキシ樹
脂が剥離することを防止し、製品としての信頼性が低下
することを防止している。
【０００８】しかしながら、上述した特開平５−３２１
８号公報に開示されているものにおいては、エポキシ樹
脂を生成するために使用する材料、具体的には、ジアミ
ノシロキサンは、高価で、入手し難いので、そのため、
生産性が低下してしまうという問題点があった。
８号公報に開示されているものにおいては、エポキシ樹
脂を生成するために使用する材料、具体的には、ジアミ
ノシロキサンは、高価で、入手し難いので、そのため、
生産性が低下してしまうという問題点があった。
【０００９】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、回路基板上に半導体素子が搭載さ
れ、その半導体素子を囲繞するように絶縁保護層が設け
られ、その半導体素子が封止樹脂によって封止されてな
るものにおいて、生産性が低下することなく、厳しい使
用条件下においても、製品としての高い信頼性を維持す
ることができる半導体装置を提供することにある。
であり、その目的は、回路基板上に半導体素子が搭載さ
れ、その半導体素子を囲繞するように絶縁保護層が設け
られ、その半導体素子が封止樹脂によって封止されてな
るものにおいて、生産性が低下することなく、厳しい使
用条件下においても、製品としての高い信頼性を維持す
ることができる半導体装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば、封止樹脂の端部は、全体にわたって硬化した柔軟性
硬化樹脂上となるように設けられ、つまり、封止樹脂の
端部と絶縁保護層との間には、硬化した柔軟性硬化樹脂
が介在することになる。この場合、その柔軟性硬化樹脂
は、硬化した封止樹脂および絶縁保護層に比べて柔軟性
を有しているので、封止樹脂と柔軟性硬化樹脂との間
に、それらの線膨張率の差に起因して発生する応力は小
さく、柔軟性硬化樹脂と絶縁保護層との間に、それらの
線膨張率の差に起因して発生する応力も小さいものであ
る。これによって、封止樹脂と絶縁保護層との間に発生
する応力を緩和することができるので、封止樹脂が剥離
することを防止でき、製品としての高い信頼性を維持す
ることができる。
ば、封止樹脂の端部は、全体にわたって硬化した柔軟性
硬化樹脂上となるように設けられ、つまり、封止樹脂の
端部と絶縁保護層との間には、硬化した柔軟性硬化樹脂
が介在することになる。この場合、その柔軟性硬化樹脂
は、硬化した封止樹脂および絶縁保護層に比べて柔軟性
を有しているので、封止樹脂と柔軟性硬化樹脂との間
に、それらの線膨張率の差に起因して発生する応力は小
さく、柔軟性硬化樹脂と絶縁保護層との間に、それらの
線膨張率の差に起因して発生する応力も小さいものであ
る。これによって、封止樹脂と絶縁保護層との間に発生
する応力を緩和することができるので、封止樹脂が剥離
することを防止でき、製品としての高い信頼性を維持す
ることができる。
【００１１】この場合、封止樹脂としては、高価で、入
手し難い特殊な材料を使用する必要はなく、安価で、入
手し易い一般的な材料を使用すれば良いので、生産性が
低下することもない。
手し難い特殊な材料を使用する必要はなく、安価で、入
手し易い一般的な材料を使用すれば良いので、生産性が
低下することもない。
【００１２】請求項２の発明によれば、柔軟性硬化樹脂
を紫外線硬化樹脂から構成したので、柔軟性硬化樹脂を
紫外線によって硬化することができるなど、製造を容易
に行うことができる。
を紫外線硬化樹脂から構成したので、柔軟性硬化樹脂を
紫外線によって硬化することができるなど、製造を容易
に行うことができる。
【００１３】請求項３の発明によれば、回路基板をセラ
ミックス材料から構成し、絶縁保護層をガラス材料から
構成し、封止樹脂をエポキシ樹脂から構成したので、熱
や振動が激しい条件で使用する装置、例えば車載用エン
ジン制御装置の構成部品として好適なものとすることが
できる。
ミックス材料から構成し、絶縁保護層をガラス材料から
構成し、封止樹脂をエポキシ樹脂から構成したので、熱
や振動が激しい条件で使用する装置、例えば車載用エン
ジン制御装置の構成部品として好適なものとすることが
できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例について
図１および図２を参照して説明する。尚、図１は、図２
中、Ａ−Ａ線に沿った縦断側面図を示している。半導体
装置１１において、回路基板１２は、セラミックス（具
体的には、アルミナ）材料から構成されており、その表
面部（図１中、上面部）には、導体パターン１３が例え
ば印刷によって形成されていると共に、半導体素子１４
が接着剤１５によって接着されて実装されている。そし
て、上記導体パターン１３のボンディングワイヤ接続部
１３ａを除いた部分は、絶縁保護層１６により被覆さ
れ、絶縁保護されている。
図１および図２を参照して説明する。尚、図１は、図２
中、Ａ−Ａ線に沿った縦断側面図を示している。半導体
装置１１において、回路基板１２は、セラミックス（具
体的には、アルミナ）材料から構成されており、その表
面部（図１中、上面部）には、導体パターン１３が例え
ば印刷によって形成されていると共に、半導体素子１４
が接着剤１５によって接着されて実装されている。そし
て、上記導体パターン１３のボンディングワイヤ接続部
１３ａを除いた部分は、絶縁保護層１６により被覆さ
れ、絶縁保護されている。
【００１５】この絶縁保護層１６は、印刷および焼成に
よって形成されたガラス材料からなっており、図２にも
示すように、上記半導体素子１４を囲繞するように、回
路基板１２の表面部にあって外周部全体にわたって設け
られている。また、上記半導体素子１４は、上記導体パ
ターン１３のボンディングワイヤ接続部１３ａにボンデ
ィングワイヤ１７を介して電気的に接続されている。
よって形成されたガラス材料からなっており、図２にも
示すように、上記半導体素子１４を囲繞するように、回
路基板１２の表面部にあって外周部全体にわたって設け
られている。また、上記半導体素子１４は、上記導体パ
ターン１３のボンディングワイヤ接続部１３ａにボンデ
ィングワイヤ１７を介して電気的に接続されている。
【００１６】また、上記した絶縁保護層１６上には、柔
軟性硬化樹脂１８が上記半導体素子１４を囲繞するよう
に設けられている。この柔軟性硬化樹脂１８は、ＳｉＯ
２（シリカ）４０ｗｔ％の紫外線硬化樹脂からなるもの
で、絶縁保護層１６上に印刷されたのちに、紫外線およ
び熱が照射されたことによって硬化され、その厚さ（図
１中、ａ参照）は約２０μｍ、幅（図１および２中、ｂ
参照）は約５ｍｍとなっている。
軟性硬化樹脂１８が上記半導体素子１４を囲繞するよう
に設けられている。この柔軟性硬化樹脂１８は、ＳｉＯ
２（シリカ）４０ｗｔ％の紫外線硬化樹脂からなるもの
で、絶縁保護層１６上に印刷されたのちに、紫外線およ
び熱が照射されたことによって硬化され、その厚さ（図
１中、ａ参照）は約２０μｍ、幅（図１および２中、ｂ
参照）は約５ｍｍとなっている。
【００１７】さらに、上記回路基板１２上には、半導体
素子１４全体を覆うように、封止樹脂１９が設けられて
おり、これによって、半導体素子１４、ボンディングワ
イヤ１７、導体パターン１３のボンディングワイヤ接続
部１３ａ、半導体素子１４とボンディングワイヤ１７と
の接続部分、導体パターン１３とボンディングワイヤ１
７との接続部分は、電気的ならびに機械的に保護されて
いる。
素子１４全体を覆うように、封止樹脂１９が設けられて
おり、これによって、半導体素子１４、ボンディングワ
イヤ１７、導体パターン１３のボンディングワイヤ接続
部１３ａ、半導体素子１４とボンディングワイヤ１７と
の接続部分、導体パターン１３とボンディングワイヤ１
７との接続部分は、電気的ならびに機械的に保護されて
いる。
【００１８】この場合、上記封止樹脂１９の端部１９ａ
は、全体にわたって上記柔軟性硬化樹脂１８上に位置し
ている。尚、この封止樹脂１９は、ビスフェノールＡと
ＭｅＴＨＰＡ（メチルテトラヒドロ無水フタル酸）とを
材料として、周知の製造方法によって製造されたエポキ
シ樹脂からなるもので、ＳｉＯ２ ６０〜７０ｗｔ％の
ものである。
は、全体にわたって上記柔軟性硬化樹脂１８上に位置し
ている。尚、この封止樹脂１９は、ビスフェノールＡと
ＭｅＴＨＰＡ（メチルテトラヒドロ無水フタル酸）とを
材料として、周知の製造方法によって製造されたエポキ
シ樹脂からなるもので、ＳｉＯ２ ６０〜７０ｗｔ％の
ものである。
【００１９】さて、上述した絶縁保護層１７を構成する
ガラス、封止樹脂１９を構成するエポキシ樹脂および柔
軟性硬化樹脂１８を構成する紫外線硬化樹脂の各線膨張
率について説明する。ガラス、エポキシ樹脂および紫外
線硬化樹脂の各線膨張率は、それぞれ以下に示すように
なっている。
ガラス、封止樹脂１９を構成するエポキシ樹脂および柔
軟性硬化樹脂１８を構成する紫外線硬化樹脂の各線膨張
率について説明する。ガラス、エポキシ樹脂および紫外
線硬化樹脂の各線膨張率は、それぞれ以下に示すように
なっている。
【００２０】 ガラス …５．７ｐｐｍ／℃ エポキシ樹脂 …１５〜２５（ＳｉＯ２ ６０〜７０ｗ
ｔ％）ｐｐｍ／℃ 紫外線硬化樹脂…３０以上（ＳｉＯ２ ４０ｗｔ％）ｐ
ｐｍ／℃ ここで、上述した半導体装置１１を熱や振動による厳し
い使用条件下、特に、温度変化が大きい使用条件下で使
用した場合を考える。この場合、エポキシ樹脂、紫外線
硬化樹脂およびガラスの線膨張率は、それぞれ異なるの
で、温度変化が大きい場合には、封止樹脂１９と柔軟性
硬化樹脂１８との間、柔軟性硬化樹脂１８と絶縁保護層
１７との間に、それぞれ線膨張率の差に起因して応力が
発生するようになる。
ｔ％）ｐｐｍ／℃ 紫外線硬化樹脂…３０以上（ＳｉＯ２ ４０ｗｔ％）ｐ
ｐｍ／℃ ここで、上述した半導体装置１１を熱や振動による厳し
い使用条件下、特に、温度変化が大きい使用条件下で使
用した場合を考える。この場合、エポキシ樹脂、紫外線
硬化樹脂およびガラスの線膨張率は、それぞれ異なるの
で、温度変化が大きい場合には、封止樹脂１９と柔軟性
硬化樹脂１８との間、柔軟性硬化樹脂１８と絶縁保護層
１７との間に、それぞれ線膨張率の差に起因して応力が
発生するようになる。
【００２１】しかしながら、この場合、封止樹脂１９の
端部１９ａと絶縁保護層１７との間に設けられた柔軟性
硬化樹脂１８は紫外線硬化樹脂からなっており、その紫
外線硬化樹脂は、封止樹脂１９を構成するエポキシ樹脂
および絶縁保護層１７を構成するガラスに比べて柔軟性
を有しているものである。したがって、封止樹脂１９と
柔軟性硬化樹脂１８との間に、それらの線膨張率の差に
起因して発生した応力は小さく、柔軟性硬化樹脂１８と
絶縁保護層１７との間に、それらの線膨張率の差に起因
して発生した応力も小さいものである。これによって、
封止樹脂１９と絶縁保護層１７との間に発生した応力を
緩和することができるようになる。
端部１９ａと絶縁保護層１７との間に設けられた柔軟性
硬化樹脂１８は紫外線硬化樹脂からなっており、その紫
外線硬化樹脂は、封止樹脂１９を構成するエポキシ樹脂
および絶縁保護層１７を構成するガラスに比べて柔軟性
を有しているものである。したがって、封止樹脂１９と
柔軟性硬化樹脂１８との間に、それらの線膨張率の差に
起因して発生した応力は小さく、柔軟性硬化樹脂１８と
絶縁保護層１７との間に、それらの線膨張率の差に起因
して発生した応力も小さいものである。これによって、
封止樹脂１９と絶縁保護層１７との間に発生した応力を
緩和することができるようになる。
【００２２】このように本実施例によれば、半導体装置
１１において、封止樹脂１９の端部１９ａと絶縁保護層
１７との間に、封止樹脂１９と絶縁保護層１７に比べて
柔軟性を有する柔軟性硬化樹脂１８を設けたので、封止
樹脂１９と絶縁保護層１７との間に発生した応力を緩和
することができる。これによって、封止樹脂１９が剥離
することを防止でき、製品として高い信頼性を維持する
ことができる。
１１において、封止樹脂１９の端部１９ａと絶縁保護層
１７との間に、封止樹脂１９と絶縁保護層１７に比べて
柔軟性を有する柔軟性硬化樹脂１８を設けたので、封止
樹脂１９と絶縁保護層１７との間に発生した応力を緩和
することができる。これによって、封止樹脂１９が剥離
することを防止でき、製品として高い信頼性を維持する
ことができる。
【００２３】この場合、封止樹脂１９を構成するエポキ
シ樹脂としては、高価で、入手し難い特殊な材料を使用
する必要はなく、安価で、入手し易い一般的な材料を使
用すれば良いので、生産性が低下することもない。ま
た、柔軟性硬化樹脂１８を紫外線硬化樹脂から構成した
ので、柔軟性硬化樹脂１８を紫外線によって硬化するこ
とができるなど、製造を容易に行うことができる。
シ樹脂としては、高価で、入手し難い特殊な材料を使用
する必要はなく、安価で、入手し易い一般的な材料を使
用すれば良いので、生産性が低下することもない。ま
た、柔軟性硬化樹脂１８を紫外線硬化樹脂から構成した
ので、柔軟性硬化樹脂１８を紫外線によって硬化するこ
とができるなど、製造を容易に行うことができる。
【００２４】特に、回路基板１２をセラミックス材料か
ら構成し、絶縁保護層１７をガラスから構成し、封止樹
脂１９をエポキシ樹脂から構成したので、熱や振動が激
しい使用条件下、特に、温度変化が大きい使用条件下で
使用する装置、例えば車載用エンジン制御装置の構成部
品として好適なものとすることができる。
ら構成し、絶縁保護層１７をガラスから構成し、封止樹
脂１９をエポキシ樹脂から構成したので、熱や振動が激
しい使用条件下、特に、温度変化が大きい使用条件下で
使用する装置、例えば車載用エンジン制御装置の構成部
品として好適なものとすることができる。
【００２５】さて、発明者らは、このように、封止樹脂
１９の端部１９ａと絶縁保護層１７との間に、柔軟性硬
化樹脂１８を設けたことによって、製品としての信頼性
がどの程度変化するかを確認するために、冷熱サイクル
試験および高温高湿試験を行った。以下、冷熱サイクル
試験および高温高湿試験による試験結果について、図３
および図４を参照して説明する。尚、試験対象として
は、従来の構成のもの（図３および４中、ガラスとして
示す）、本実施例による構成のもの（図３および４中、
紫外線硬化樹脂として示す）を採用し、また、信頼性の
指標としては、封止樹脂１９であるエポキシ樹脂がせん
断によって破壊される強度、すなわち、せん断強度を採
用した。
１９の端部１９ａと絶縁保護層１７との間に、柔軟性硬
化樹脂１８を設けたことによって、製品としての信頼性
がどの程度変化するかを確認するために、冷熱サイクル
試験および高温高湿試験を行った。以下、冷熱サイクル
試験および高温高湿試験による試験結果について、図３
および図４を参照して説明する。尚、試験対象として
は、従来の構成のもの（図３および４中、ガラスとして
示す）、本実施例による構成のもの（図３および４中、
紫外線硬化樹脂として示す）を採用し、また、信頼性の
指標としては、封止樹脂１９であるエポキシ樹脂がせん
断によって破壊される強度、すなわち、せん断強度を採
用した。
【００２６】まず、図３は、冷熱サイクル試験による試
験結果を示している。この冷熱サイクル試験は、−４０
℃で３０分、１５０℃で３０分を１サイクルとし、その
サイクルを１，０００回繰返す条件で実施した。尚、図
３おいて、縦軸は、せん断強度（Ｎ）を示し、横軸は冷
熱サイクルのサイクル数（回数）を示している。
験結果を示している。この冷熱サイクル試験は、−４０
℃で３０分、１５０℃で３０分を１サイクルとし、その
サイクルを１，０００回繰返す条件で実施した。尚、図
３おいて、縦軸は、せん断強度（Ｎ）を示し、横軸は冷
熱サイクルのサイクル数（回数）を示している。
【００２７】図３から明らかなように、従来の構成のも
のでは、初期の状態（サイクル回数が０回の状態）か
ら、サイクルの回数が大きくなるにしたがって、せん断
強度の著しい低下が確認されるが、これに対して、本実
施例による構成のものでは、せん断強度の低下が確認さ
れていないことが分かる。すなわち、柔軟性硬化樹脂１
８を設けたことによって、せん断強度の低下が防止さ
れ、高い信頼性を維持できることが分かる。
のでは、初期の状態（サイクル回数が０回の状態）か
ら、サイクルの回数が大きくなるにしたがって、せん断
強度の著しい低下が確認されるが、これに対して、本実
施例による構成のものでは、せん断強度の低下が確認さ
れていないことが分かる。すなわち、柔軟性硬化樹脂１
８を設けたことによって、せん断強度の低下が防止さ
れ、高い信頼性を維持できることが分かる。
【００２８】次いで、図４は、高温高湿試験による試験
結果を示している。この高温高湿試験は、８５℃、相対
湿度８５％、５００時間の条件で実施した。尚、図４に
おいて、縦軸はせん断強度（Ｎ）を示し、横軸は時間
（ｈｒ）を示している。図４から明らかなように、従来
の構成のものでは、初期の状態から、時間が経過するに
したがって、せん断強度の著しい低下が確認されるが、
本実施例による構成のものでは、せん断強度の低下が緩
やかであることが確認される。すなわち、柔軟性硬化樹
脂１８を設けたことによって、せん断強度の著しい低下
を防止できることが分かる。
結果を示している。この高温高湿試験は、８５℃、相対
湿度８５％、５００時間の条件で実施した。尚、図４に
おいて、縦軸はせん断強度（Ｎ）を示し、横軸は時間
（ｈｒ）を示している。図４から明らかなように、従来
の構成のものでは、初期の状態から、時間が経過するに
したがって、せん断強度の著しい低下が確認されるが、
本実施例による構成のものでは、せん断強度の低下が緩
やかであることが確認される。すなわち、柔軟性硬化樹
脂１８を設けたことによって、せん断強度の著しい低下
を防止できることが分かる。
【００２９】本発明は、上記実施例にのみ限定されるも
のでなく、次のように変形または拡張することができ
る。ボンディングワイヤ１７を使用したワイヤボンディ
ングに限らず、フェイスダウンボンディングなどのワイ
ヤレスボンディングとしても良い。柔軟性硬化樹脂１８
の厚さや幅は、回路基板１２の大きさなどに合わせて、
適宜、変更しても良い。柔軟性硬化樹脂１８や封止樹脂
１９のＳｉＯ２ 含有率は、適宜、変更しても良い。
のでなく、次のように変形または拡張することができ
る。ボンディングワイヤ１７を使用したワイヤボンディ
ングに限らず、フェイスダウンボンディングなどのワイ
ヤレスボンディングとしても良い。柔軟性硬化樹脂１８
の厚さや幅は、回路基板１２の大きさなどに合わせて、
適宜、変更しても良い。柔軟性硬化樹脂１８や封止樹脂
１９のＳｉＯ２ 含有率は、適宜、変更しても良い。
【図１】本発明の一実施例を示す縦断側面図
【図２】平面図
【図３】冷熱サイクル試験の結果を示す図
【図４】高温高湿試験の結果を示す図
【図５】従来例を示す図１相当図
図面中、１１は半導体装置、１２は回路基板、１４は半
導体素子、１６は絶縁保護層、１８は柔軟性硬化樹脂、
１９は封止樹脂である。
導体素子、１６は絶縁保護層、１８は柔軟性硬化樹脂、
１９は封止樹脂である。
Claims (3)
- 【請求項１】 回路基板上に半導体素子が搭載され、該
回路基板上に前記半導体素子を囲繞するように絶縁保護
層が設けられ、前記半導体素子が封止樹脂によって封止
されてなる半導体装置において、 前記絶縁保護層上において前記半導体素子を囲繞するよ
うに、硬化状態で柔軟性を有する柔軟性硬化樹脂を設
け、前記封止樹脂の端部が全体にわたって前記柔軟性硬
化樹脂上となるように構成したことを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項２】 前記柔軟性硬化樹脂は、紫外線硬化樹脂
からなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記回路基板は、セラミックス材料から
なり、 前記絶縁保護層は、ガラス材料からなり、 前記封止樹脂は、エポキシ樹脂からなることを特徴とす
る請求項１または２記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19569797A JP3835895B2 (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19569797A JP3835895B2 (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140710A true JPH1140710A (ja) | 1999-02-12 |
| JP3835895B2 JP3835895B2 (ja) | 2006-10-18 |
Family
ID=16345498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19569797A Expired - Fee Related JP3835895B2 (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3835895B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6888259B2 (en) | 2001-06-07 | 2005-05-03 | Denso Corporation | Potted hybrid integrated circuit |
| JP2010219093A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Aisin Aw Co Ltd | 電子回路装置 |
| JP2011142366A (ja) * | 2008-10-20 | 2011-07-21 | Denso Corp | 電子制御装置 |
| US8358514B2 (en) | 2008-10-20 | 2013-01-22 | Denso Corporation | Electronic control device |
| JP2013038315A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Ajinomoto Co Inc | 半導体パッケージの製造方法 |
-
1997
- 1997-07-22 JP JP19569797A patent/JP3835895B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6888259B2 (en) | 2001-06-07 | 2005-05-03 | Denso Corporation | Potted hybrid integrated circuit |
| JP2011142366A (ja) * | 2008-10-20 | 2011-07-21 | Denso Corp | 電子制御装置 |
| US8358514B2 (en) | 2008-10-20 | 2013-01-22 | Denso Corporation | Electronic control device |
| JP2010219093A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Aisin Aw Co Ltd | 電子回路装置 |
| JP2013038315A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Ajinomoto Co Inc | 半導体パッケージの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3835895B2 (ja) | 2006-10-18 |
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