JPH1116929A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミック基板上に配置された電子素子をエ
ポキシ樹脂によって樹脂封止する場合において、エポキ
シ樹脂の耐久性があり、かつエポキシ樹脂の剥離が防げ
るようにする。 【解決手段】 樹脂の線膨張係数αがα≦２０（ｐｐｍ
／℃）であり、かつ樹脂の弾性率Ｅと線膨張係数αの関
係がＥα1.7 ≦１０００｛（ｐｐｍ／℃）1.7 ＧＰａ｝
を満たす樹脂物性を有するエポキシ樹脂６を用いると共
に、フィレット角θがθ≦５０°になるように樹脂封止
を行う。すなわち、樹脂の線膨張係数αと弾性率Ｅの選
択によって耐久性を確保し、さらにフィレット角θの設
定によってセラミック基板１からエポキシ樹脂６が剥離
することを防止する。
ポキシ樹脂によって樹脂封止する場合において、エポキ
シ樹脂の耐久性があり、かつエポキシ樹脂の剥離が防げ
るようにする。 【解決手段】 樹脂の線膨張係数αがα≦２０（ｐｐｍ
／℃）であり、かつ樹脂の弾性率Ｅと線膨張係数αの関
係がＥα1.7 ≦１０００｛（ｐｐｍ／℃）1.7 ＧＰａ｝
を満たす樹脂物性を有するエポキシ樹脂６を用いると共
に、フィレット角θがθ≦５０°になるように樹脂封止
を行う。すなわち、樹脂の線膨張係数αと弾性率Ｅの選
択によって耐久性を確保し、さらにフィレット角θの設
定によってセラミック基板１からエポキシ樹脂６が剥離
することを防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック基板上
に配置された電子素子をエポキシ樹脂にて樹脂封入して
形成する電子部品の製造方法に関し、特に半導体素子を
エポキシ樹脂で樹脂封入する半導体封止装置に適用して
好適である。
に配置された電子素子をエポキシ樹脂にて樹脂封入して
形成する電子部品の製造方法に関し、特に半導体素子を
エポキシ樹脂で樹脂封入する半導体封止装置に適用して
好適である。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子部品として、回路基板上に配
置した半導体素子を樹脂封入したものがある。この電子
部品は、回路基板に形成された電極と半導体素子とをワ
イヤボンディングによって電気的に接続したのちに、樹
脂封入したものであり、様々な用途で用いられている。
置した半導体素子を樹脂封入したものがある。この電子
部品は、回路基板に形成された電極と半導体素子とをワ
イヤボンディングによって電気的に接続したのちに、樹
脂封入したものであり、様々な用途で用いられている。
【０００３】このような電子部品を車載用という厳しい
環境下で適用する場合、耐環境という側面から回路基板
や封止樹脂材料の種類が限定される。このような、耐環
境という側面を考慮して、特開平５−３２１８号公報に
は、無水マレイン酸とジアミノシロキサンから誘導され
るビスマレイミド及び１，２−ポリブタジエンのエポキ
シ化物を必須条件とする熱硬化樹脂組成物を封止材料と
して用いることによって、封止材料の耐久性を向上させ
るということが提案されている。
環境下で適用する場合、耐環境という側面から回路基板
や封止樹脂材料の種類が限定される。このような、耐環
境という側面を考慮して、特開平５−３２１８号公報に
は、無水マレイン酸とジアミノシロキサンから誘導され
るビスマレイミド及び１，２−ポリブタジエンのエポキ
シ化物を必須条件とする熱硬化樹脂組成物を封止材料と
して用いることによって、封止材料の耐久性を向上させ
るということが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に示されるような封止材料は入手困難であり、またコ
スト高であるということから、封止材料として一般的に
用いられるエポキシ樹脂を用いて厳しい環境においても
耐え得るようにすることが望まれる。また、耐熱性とい
う観点から回路基板としてセラミック基板を用いた場
合、セラミック基板とエポキシ樹脂は線膨張率に差があ
ることから、セラミック基板とエポキシ樹脂の界面で応
力が発生し、この応力によってエポキシ樹脂が剥離して
しまうという問題がある。
報に示されるような封止材料は入手困難であり、またコ
スト高であるということから、封止材料として一般的に
用いられるエポキシ樹脂を用いて厳しい環境においても
耐え得るようにすることが望まれる。また、耐熱性とい
う観点から回路基板としてセラミック基板を用いた場
合、セラミック基板とエポキシ樹脂は線膨張率に差があ
ることから、セラミック基板とエポキシ樹脂の界面で応
力が発生し、この応力によってエポキシ樹脂が剥離して
しまうという問題がある。
【０００５】また、セラミック基板が固く反り難いとい
うことから、セラミック基板とエポキシ樹脂の界面のう
ち、エポキシ樹脂の周部分（以下、エッジ部分という）
に特に剪断応力が集中し易く、このエッジ部分において
剥離が発生し易くなってしまう。本発明は、上記問題に
鑑みたもので、セラミック基板上に配置された電子素子
をエポキシ樹脂によって樹脂封止する場合において、エ
ポキシ樹脂の耐久性があり、かつエポキシ樹脂の剥離が
防げる電子部品の製造方法を提供することを目的とす
る。
うことから、セラミック基板とエポキシ樹脂の界面のう
ち、エポキシ樹脂の周部分（以下、エッジ部分という）
に特に剪断応力が集中し易く、このエッジ部分において
剥離が発生し易くなってしまう。本発明は、上記問題に
鑑みたもので、セラミック基板上に配置された電子素子
をエポキシ樹脂によって樹脂封止する場合において、エ
ポキシ樹脂の耐久性があり、かつエポキシ樹脂の剥離が
防げる電子部品の製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、以下の技術的手段を採用する。請求項１に記載の発
明においては、樹脂の線膨張係数αがα≦２０（ｐｐｍ
／℃）であり、かつ樹脂の弾性率Ｅと線膨張係数αの関
係がＥα1.7 ≦１０００｛（ｐｐｍ／℃）1.7 ＧＰａ｝
を満たす樹脂物性を有するエポキシ樹脂（６）を用い、
フィレット角θがθ≦５０°になるように樹脂封止を行
うことを特徴としている。
め、以下の技術的手段を採用する。請求項１に記載の発
明においては、樹脂の線膨張係数αがα≦２０（ｐｐｍ
／℃）であり、かつ樹脂の弾性率Ｅと線膨張係数αの関
係がＥα1.7 ≦１０００｛（ｐｐｍ／℃）1.7 ＧＰａ｝
を満たす樹脂物性を有するエポキシ樹脂（６）を用い、
フィレット角θがθ≦５０°になるように樹脂封止を行
うことを特徴としている。
【０００７】このように、樹脂の線膨張係数αがα≦２
０（ｐｐｍ／℃）であり、かつ樹脂の弾性率Ｅと線膨張
係数αの関係がＥα1.7 ≦１０００｛（ｐｐｍ／℃）
1.7 ＧＰａ｝を満たす樹脂物性を有するエポキシ樹脂
（６）で樹脂封止を行うことにより、耐久性上問題のな
い電子部品を製造することができ、フィレット角θがθ
≦５０°になるように樹脂封止することにより、エポキ
シ樹脂（６）がセラミック基板（１）から剥離しないよ
うにすることができる。
０（ｐｐｍ／℃）であり、かつ樹脂の弾性率Ｅと線膨張
係数αの関係がＥα1.7 ≦１０００｛（ｐｐｍ／℃）
1.7 ＧＰａ｝を満たす樹脂物性を有するエポキシ樹脂
（６）で樹脂封止を行うことにより、耐久性上問題のな
い電子部品を製造することができ、フィレット角θがθ
≦５０°になるように樹脂封止することにより、エポキ
シ樹脂（６）がセラミック基板（１）から剥離しないよ
うにすることができる。
【０００８】これにより、エポキシ樹脂の耐久性があ
り、かつエポキシ樹脂の剥離が防げるようにすることが
できる。請求項２に記載の発明においては、フィレット
角θをθ≧３５°にすることを特徴としている。このよ
うに、フィレット角θをθ≧３５°にすることによっ
て、エポキシ樹脂（６）の面積を所定の範囲内にしつ
つ、導電部材（５）がエポキシ樹脂（６）から露出しな
いようにすることができる。
り、かつエポキシ樹脂の剥離が防げるようにすることが
できる。請求項２に記載の発明においては、フィレット
角θをθ≧３５°にすることを特徴としている。このよ
うに、フィレット角θをθ≧３５°にすることによっ
て、エポキシ樹脂（６）の面積を所定の範囲内にしつ
つ、導電部材（５）がエポキシ樹脂（６）から露出しな
いようにすることができる。
【０００９】請求項３に記載の発明においては、フィレ
ット角θをθ≦４５°にすることを特徴としている。な
お、請求項３に示すように、エポキシ樹脂（６）の物性
の変化を考慮すると、より好ましくはフィレット角θを
θ≦４５°にすると良い。
ット角θをθ≦４５°にすることを特徴としている。な
お、請求項３に示すように、エポキシ樹脂（６）の物性
の変化を考慮すると、より好ましくはフィレット角θを
θ≦４５°にすると良い。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図１に、本発明を半導体封止装置に
適用した実施形態を示す。以下、この図に基づき半導体
封止装置の製造方法について説明する。まず、セラミッ
ク基板（回路基板）１上に接着剤（例えば、Ａｇペース
ト）２を印刷し、この接着剤２を用いて半導体素子３を
固定する。そして、ワイヤボンディングを行い、半導体
素子３の上面側に形成された電極とセラミック基板１に
設けられた電極４ａとをＡｕワイヤ５にて電気的に接続
する。
について説明する。図１に、本発明を半導体封止装置に
適用した実施形態を示す。以下、この図に基づき半導体
封止装置の製造方法について説明する。まず、セラミッ
ク基板（回路基板）１上に接着剤（例えば、Ａｇペース
ト）２を印刷し、この接着剤２を用いて半導体素子３を
固定する。そして、ワイヤボンディングを行い、半導体
素子３の上面側に形成された電極とセラミック基板１に
設けられた電極４ａとをＡｕワイヤ５にて電気的に接続
する。
【００１１】次に、ディスペンサを用いて半導体素子３
上からエポキシ樹脂６をディスペンス塗布し、半導体素
子３及びＡｕワイヤ５をエポキシ樹脂６によって樹脂封
止する。これにより、半導体素子３及びＡｕワイヤ５が
外気に触れないようにする。これにより半導体封止装置
が完成する。このとき、エポキシ樹脂６には、線膨張係
数αがα≦２０（ｐｐｍ／℃）であり、かつ弾性率Ｅと
線膨張係数αの関係がＥα1.7 ≦１０００｛（ｐｐｍ／
℃） 1.7 ＧＰａ｝である樹脂物性のものを用いている。
なお、このような樹脂物性のエポキシ樹脂６を用いた理
由の詳細は後述する。
上からエポキシ樹脂６をディスペンス塗布し、半導体素
子３及びＡｕワイヤ５をエポキシ樹脂６によって樹脂封
止する。これにより、半導体素子３及びＡｕワイヤ５が
外気に触れないようにする。これにより半導体封止装置
が完成する。このとき、エポキシ樹脂６には、線膨張係
数αがα≦２０（ｐｐｍ／℃）であり、かつ弾性率Ｅと
線膨張係数αの関係がＥα1.7 ≦１０００｛（ｐｐｍ／
℃） 1.7 ＧＰａ｝である樹脂物性のものを用いている。
なお、このような樹脂物性のエポキシ樹脂６を用いた理
由の詳細は後述する。
【００１２】なお、上記セラミック基板１のうち樹脂封
止されない部分にも電極４ｂが設けられており、電気配
線４を通じて電極４ｂから外部との電気的接続がとれる
ようになっている。また、電気配線４はセラミック基板
１の内部に設けられており、セラミック基板１とエポキ
シ樹脂６のエッジ部分の接触面積が大きくなるようにし
ている。
止されない部分にも電極４ｂが設けられており、電気配
線４を通じて電極４ｂから外部との電気的接続がとれる
ようになっている。また、電気配線４はセラミック基板
１の内部に設けられており、セラミック基板１とエポキ
シ樹脂６のエッジ部分の接触面積が大きくなるようにし
ている。
【００１３】また、このように形成された半導体封止装
置におけるエポキシ樹脂６のエッジ部分の拡大図を図１
（ｂ）に示す。図１（ｂ）に示すように、エポキシ樹脂
６のエッジ部分におけるフィレット角θ（エッジ部分の
セラミック基板１に対する角度）θが、３５〜５０°の
範囲になるようにしている。
置におけるエポキシ樹脂６のエッジ部分の拡大図を図１
（ｂ）に示す。図１（ｂ）に示すように、エポキシ樹脂
６のエッジ部分におけるフィレット角θ（エッジ部分の
セラミック基板１に対する角度）θが、３５〜５０°の
範囲になるようにしている。
【００１４】このフィレット角θは、エポキシ樹脂６の
樹脂物性によって決定されるものであるため、エポキシ
樹脂６のの物性が上記フィレット角θに沿うようなもの
を選択する。なお、フィレット角θの選択理由について
の詳細は後述する。具体的には、エポキシ樹脂６に含ま
れるフィラーは、粒子形状が大きなものと小さなもの２
種類から構成されている。このフィラーを構成する大き
な粒子と小さな粒子の割合を変化させることによってフ
ィレット角θが上記範囲になるようにする。なお、上記
線膨張係数αや弾性率Ｅの特性は、エポキシ樹脂６内の
フィラーの含有率によって決定されるため、フィラーの
含有率は変えないで、フィラーを構成する大きな粒子と
小さな粒子の割合を変化させる。
樹脂物性によって決定されるものであるため、エポキシ
樹脂６のの物性が上記フィレット角θに沿うようなもの
を選択する。なお、フィレット角θの選択理由について
の詳細は後述する。具体的には、エポキシ樹脂６に含ま
れるフィラーは、粒子形状が大きなものと小さなもの２
種類から構成されている。このフィラーを構成する大き
な粒子と小さな粒子の割合を変化させることによってフ
ィレット角θが上記範囲になるようにする。なお、上記
線膨張係数αや弾性率Ｅの特性は、エポキシ樹脂６内の
フィラーの含有率によって決定されるため、フィラーの
含有率は変えないで、フィラーを構成する大きな粒子と
小さな粒子の割合を変化させる。
【００１５】次に、線膨張係数αや弾性率Ｅの特性の選
択理由について説明する。まず、半導体封止装置の耐久
評価データを図２に示す。この耐久評価データは、図１
の半導体封止装置のエポキシ樹脂６の線膨張係数αと弾
性率Ｅの樹脂物性を変化させてたときにおいて、半導体
封止装置に−４０〜１５０℃の温度の冷熱サイクル実験
を施した時に不良が発生するかを示すものである。但
し、図２における縦軸はα1.7 Ｅで示してあり、線膨張
係数αと弾性率Ｅとの積の関係で表している。
択理由について説明する。まず、半導体封止装置の耐久
評価データを図２に示す。この耐久評価データは、図１
の半導体封止装置のエポキシ樹脂６の線膨張係数αと弾
性率Ｅの樹脂物性を変化させてたときにおいて、半導体
封止装置に−４０〜１５０℃の温度の冷熱サイクル実験
を施した時に不良が発生するかを示すものである。但
し、図２における縦軸はα1.7 Ｅで示してあり、線膨張
係数αと弾性率Ｅとの積の関係で表している。
【００１６】この図に示すように、線膨張係数αが、α
＞２０（ｐｐｍ／℃）の場合や線膨張係数αと弾性率Ｅ
の関係α1.7 Ｅが、α1.7 Ｅ＞１０００｛（ｐｐｍ／
℃）1. 7 ＧＰａ｝である場合（例えば、図中の点ｂ）に
は、不良が発生している。そして、線膨張係数αが、α
≦２０（ｐｐｍ／℃）であり、かつ線膨張係数αと弾性
率Ｅの関係α1.7 Ｅが、α1.7 Ｅ＞１０００｛（ｐｐｍ
／℃）1.7 ＧＰａ｝である場合（例えば、図中の点ａ）
には、不良が発生していないことが分かる。このため、
冷熱サイクル実験の結果がより、半導体封止装置の耐久
性を確保するためには、線膨張係数αが、α≦２０（ｐ
ｐｍ／℃）であり、かつ線膨張係数αと弾性率Ｅの関係
α1.7 Ｅが、α1.7 Ｅ≦１０００｛（ｐｐｍ／℃）1.7
ＧＰａ｝であることが条件であるといえる。なお、この
線膨張係数αと弾性率Ｅの関係を共に満たす範囲を領域
Ａとし、その他の範囲を領域Ｂとして図中に示す。
＞２０（ｐｐｍ／℃）の場合や線膨張係数αと弾性率Ｅ
の関係α1.7 Ｅが、α1.7 Ｅ＞１０００｛（ｐｐｍ／
℃）1. 7 ＧＰａ｝である場合（例えば、図中の点ｂ）に
は、不良が発生している。そして、線膨張係数αが、α
≦２０（ｐｐｍ／℃）であり、かつ線膨張係数αと弾性
率Ｅの関係α1.7 Ｅが、α1.7 Ｅ＞１０００｛（ｐｐｍ
／℃）1.7 ＧＰａ｝である場合（例えば、図中の点ａ）
には、不良が発生していないことが分かる。このため、
冷熱サイクル実験の結果がより、半導体封止装置の耐久
性を確保するためには、線膨張係数αが、α≦２０（ｐ
ｐｍ／℃）であり、かつ線膨張係数αと弾性率Ｅの関係
α1.7 Ｅが、α1.7 Ｅ≦１０００｛（ｐｐｍ／℃）1.7
ＧＰａ｝であることが条件であるといえる。なお、この
線膨張係数αと弾性率Ｅの関係を共に満たす範囲を領域
Ａとし、その他の範囲を領域Ｂとして図中に示す。
【００１７】続いて、フィレット角θの選択理由につい
て説明する。図３に、図１に示す半導体封止装置のフィ
レット角θを変化させた時におけるエポキシ樹脂６のエ
ッジ部分における剪断応力Ｐ（ｋｇｆ／ｍｍ2 ）の変化
を示す。なお、図３に、エポキシ樹脂６の物性が図２の
領域Ａに属するものである場合の結果を実線で示す。ま
た、参考として、エポキシ樹脂６の物性が図２の領域Ｂ
に属するものである場合の結果を点線で示す。
て説明する。図３に、図１に示す半導体封止装置のフィ
レット角θを変化させた時におけるエポキシ樹脂６のエ
ッジ部分における剪断応力Ｐ（ｋｇｆ／ｍｍ2 ）の変化
を示す。なお、図３に、エポキシ樹脂６の物性が図２の
領域Ａに属するものである場合の結果を実線で示す。ま
た、参考として、エポキシ樹脂６の物性が図２の領域Ｂ
に属するものである場合の結果を点線で示す。
【００１８】図３に示すように、エポキシ樹脂６のフィ
レット角θとエポキシ樹脂６のエッジ部分における剪断
応力Ｐは所定の比例関係にあり、フィレット角θが小さ
くなるほど剪断応力Ｐが小さくなる。そして、剪断応力
Ｐの大少はエポキシ樹脂６の剥離に関係しており、剪断
応力Ｐが大きい程エポキシ樹脂６の剥離が発生し易い。
すなわち、剪断応力Ｐが大きくなると、半導体封止装置
におけるセラミック基板１とエポキシ樹脂６の界面の接
合が熱変化に耐えきれないため、エポキシ樹脂６がセラ
ミック基板１から剥離してしまうのである。
レット角θとエポキシ樹脂６のエッジ部分における剪断
応力Ｐは所定の比例関係にあり、フィレット角θが小さ
くなるほど剪断応力Ｐが小さくなる。そして、剪断応力
Ｐの大少はエポキシ樹脂６の剥離に関係しており、剪断
応力Ｐが大きい程エポキシ樹脂６の剥離が発生し易い。
すなわち、剪断応力Ｐが大きくなると、半導体封止装置
におけるセラミック基板１とエポキシ樹脂６の界面の接
合が熱変化に耐えきれないため、エポキシ樹脂６がセラ
ミック基板１から剥離してしまうのである。
【００１９】そして、実験によって、剪断応力Ｐが約
０．９ｋｇｆ／ｍｍ2 を超える場合にエポキシ樹脂６が
セラミック基板１から剥離するという結果が得られた。
従って、フィレット角θを剪断応力Ｐが約０．９ｋｇｆ
／ｍｍ2 以下になるような角度、すなわちエポキシ樹脂
６の物性が図２の領域Ａに属するものである場合には、
θ≦５０°にすればエポキシ樹脂６の剥離が発生しな
い。但し、エポキシ樹脂６の物性が領域Ａに属するもの
である場合においても物性の変化によって剥離が防止で
きるフィレット角θが多少変化すると考えられるため、
フィレット角θを４５°以下にすることが好ましい。
０．９ｋｇｆ／ｍｍ2 を超える場合にエポキシ樹脂６が
セラミック基板１から剥離するという結果が得られた。
従って、フィレット角θを剪断応力Ｐが約０．９ｋｇｆ
／ｍｍ2 以下になるような角度、すなわちエポキシ樹脂
６の物性が図２の領域Ａに属するものである場合には、
θ≦５０°にすればエポキシ樹脂６の剥離が発生しな
い。但し、エポキシ樹脂６の物性が領域Ａに属するもの
である場合においても物性の変化によって剥離が防止で
きるフィレット角θが多少変化すると考えられるため、
フィレット角θを４５°以下にすることが好ましい。
【００２０】また、図に示すように、エポキシ樹脂６の
物性が領域Ａに属するものはフィレット角θをθ≦５０
°にすると剥離が発生しない。しかしながら、このよう
にフィレット角θを小さくすると、エポキシ樹脂６が剥
離するという問題を解決できても新たな不都合が発生す
る場合がある。すなわち、上述したように、エポキシ樹
脂６におけるエッジ部分の角度が小さい程、セラミック
基板１とエポキシ樹脂６間の剥離防止に対して有効であ
る。しかしながら、フィレット角θを小さくする場合に
おいて、エポキシ樹脂６の厚さｈ１を所定の厚さにする
にはエポキシ樹脂６の面積を大きくする必要性が生じ、
またエポキシ樹脂６を所定面積内にするにはエポキシ樹
脂６の厚さｈ１を薄する必要性が生じてしまう。これら
の場合、半導体封止装置全体の面積が大きくなるという
不都合やＡｕワイヤ５の露出や耐久性悪化という不都合
が新たに発生する。
物性が領域Ａに属するものはフィレット角θをθ≦５０
°にすると剥離が発生しない。しかしながら、このよう
にフィレット角θを小さくすると、エポキシ樹脂６が剥
離するという問題を解決できても新たな不都合が発生す
る場合がある。すなわち、上述したように、エポキシ樹
脂６におけるエッジ部分の角度が小さい程、セラミック
基板１とエポキシ樹脂６間の剥離防止に対して有効であ
る。しかしながら、フィレット角θを小さくする場合に
おいて、エポキシ樹脂６の厚さｈ１を所定の厚さにする
にはエポキシ樹脂６の面積を大きくする必要性が生じ、
またエポキシ樹脂６を所定面積内にするにはエポキシ樹
脂６の厚さｈ１を薄する必要性が生じてしまう。これら
の場合、半導体封止装置全体の面積が大きくなるという
不都合やＡｕワイヤ５の露出や耐久性悪化という不都合
が新たに発生する。
【００２１】従って、フィレット角θの角度は上記新た
な不具合が発生しない程度にする必要がある。ここで、
図４（ａ）に半導体装置の封止領域とＡｕワイヤ５の関
係図を示す。この図に示すように、エポキシ樹脂６のエ
ッジ部分からＡｕワイヤ５の高さｈ２（例えば、０．８
ｍｍ）になるまでの距離を距離Ｌとし、エポキシ樹脂６
のエッジ部分から半導体素子３の端部までの距離を距離
Ｓとすると、半導体封止装置の面積の観点から距離Ｓが
所定値以下であり、Ａｕワイヤ５の露出の観点から距離
Ｌ＞距離Ｓであることが条件とされる。
な不具合が発生しない程度にする必要がある。ここで、
図４（ａ）に半導体装置の封止領域とＡｕワイヤ５の関
係図を示す。この図に示すように、エポキシ樹脂６のエ
ッジ部分からＡｕワイヤ５の高さｈ２（例えば、０．８
ｍｍ）になるまでの距離を距離Ｌとし、エポキシ樹脂６
のエッジ部分から半導体素子３の端部までの距離を距離
Ｓとすると、半導体封止装置の面積の観点から距離Ｓが
所定値以下であり、Ａｕワイヤ５の露出の観点から距離
Ｌ＞距離Ｓであることが条件とされる。
【００２２】また、図４（ｂ）にエポキシ樹脂６の物性
を変化させたときのフィレット角θと距離Ｓの関係を示
す。図４（ｂ）に示すように、フィレット角θと距離Ｓ
との関係はエポキシ樹脂６の物性によって変化するが、
概ね一定の変化を示す。そして、上記条件において、距
離Ｓが満たす条件を例えば２．５ｍｍ以下とすると、Ａ
ｕワイヤ５の高さｈ２が例えば０．８ｍｍである場合に
前記条件を満たす為には、フィレット角θがθ≧３５°
を満たす必要がある。また、距離Ｌ＞距離Ｓである必要
があるが、この条件は距離Ｌに対してフィレット角θを
適宜変更すればよい。
を変化させたときのフィレット角θと距離Ｓの関係を示
す。図４（ｂ）に示すように、フィレット角θと距離Ｓ
との関係はエポキシ樹脂６の物性によって変化するが、
概ね一定の変化を示す。そして、上記条件において、距
離Ｓが満たす条件を例えば２．５ｍｍ以下とすると、Ａ
ｕワイヤ５の高さｈ２が例えば０．８ｍｍである場合に
前記条件を満たす為には、フィレット角θがθ≧３５°
を満たす必要がある。また、距離Ｌ＞距離Ｓである必要
があるが、この条件は距離Ｌに対してフィレット角θを
適宜変更すればよい。
【００２３】このように、エポキシ樹脂６の耐久性とセ
ラミック基板１からの剥離を考慮すると、エポキシ樹脂
６の線膨張係数αが、α≦２０（ｐｐｍ／℃）であり、
エポキシ樹脂６の線膨張係数αと弾性率Ｅの関係α1.7
Ｅが、α1.7 Ｅ≦１０００｛（ｐｐｍ／℃）1.7 ＧＰ
ａ｝であることと、フィレット角θがθ≦５０°（より
好ましくは４５°）であることが条件とされる。
ラミック基板１からの剥離を考慮すると、エポキシ樹脂
６の線膨張係数αが、α≦２０（ｐｐｍ／℃）であり、
エポキシ樹脂６の線膨張係数αと弾性率Ｅの関係α1.7
Ｅが、α1.7 Ｅ≦１０００｛（ｐｐｍ／℃）1.7 ＧＰ
ａ｝であることと、フィレット角θがθ≦５０°（より
好ましくは４５°）であることが条件とされる。
【００２４】また、エポキシ樹脂６の面積やＡｕワイヤ
５の露出を考慮すると、フィレット角θがθ≧３５°で
あることが条件とされる。従って、本実施形態に示すよ
うに、エポキシ樹脂６の線膨張係数αが、α≦２０（ｐ
ｐｍ／℃）で、かつエポキシ樹脂６の線膨張係数αと弾
性率Ｅの関係α1. 7 Ｅが、α1.7 Ｅ≦１０００｛（ｐｐ
ｍ／℃）1.7 ＧＰａ｝であるという関係を満たし、さら
にフィレット角θが３５°≦θ≦５０°という関係を満
たすエポキシ樹脂６を選択することにより、耐久性上の
問題がなく、エポキシ樹脂６の剥離がなく、半導体封止
装置の面積が大きくなく、Ａｕワイヤ５の露出がないよ
うな半導体封止装置を形成することができる。
５の露出を考慮すると、フィレット角θがθ≧３５°で
あることが条件とされる。従って、本実施形態に示すよ
うに、エポキシ樹脂６の線膨張係数αが、α≦２０（ｐ
ｐｍ／℃）で、かつエポキシ樹脂６の線膨張係数αと弾
性率Ｅの関係α1. 7 Ｅが、α1.7 Ｅ≦１０００｛（ｐｐ
ｍ／℃）1.7 ＧＰａ｝であるという関係を満たし、さら
にフィレット角θが３５°≦θ≦５０°という関係を満
たすエポキシ樹脂６を選択することにより、耐久性上の
問題がなく、エポキシ樹脂６の剥離がなく、半導体封止
装置の面積が大きくなく、Ａｕワイヤ５の露出がないよ
うな半導体封止装置を形成することができる。
【図１】（ａ）は、半導体封止装置の断面図であり、
（ｂ）は（ａ）のエッジ部分を拡大した説明図である。
（ｂ）は（ａ）のエッジ部分を拡大した説明図である。
【図２】樹脂の線膨張係数αと、弾性率Ｅにおけるα−
α1.7 Ｅ特性図である。
α1.7 Ｅ特性図である。
【図３】樹脂のフィレット角θと樹脂のエッジ部の剪断
応力Ｐにおける特性図である。
応力Ｐにおける特性図である。
【図４】（ａ）は、半導体封止装置の断面説明図であ
り、（ｂ）はフィレット角θと距離Ｓの関係を示す説明
図である。
り、（ｂ）はフィレット角θと距離Ｓの関係を示す説明
図である。
１…セラミック基板、２…接着剤、３…半導体素子、４
…電気配線、４ａ、４ｂ…電極、５…Ａｕワイヤ、６…
エポキシ樹脂。
…電気配線、４ａ、４ｂ…電極、５…Ａｕワイヤ、６…
エポキシ樹脂。
Claims (3)
- 【請求項１】 表面に第１電極（４ａ）が形成されたセ
ラミック基板（１）上に電子素子（３）を装着し、前記
電子素子（３）に形成された第２電極と前記第１電極
（４ａ）とを導電部材（５）で接続したのち、前記電子
素子（３）と前記導電部材（５）とをエポキシ樹脂
（６）にて樹脂封止する電子部品の製造方法において、 前記エポキシ樹脂（６）として、樹脂の線膨張係数αが
α≦２０（ｐｐｍ／℃）であり、かつ樹脂の弾性率Ｅと
前記線膨張係数αの関係がα1.7 Ｅ≦１０００｛（ｐｐ
ｍ／℃）1.7 ＧＰａ｝を満たす樹脂物性を有するものを
用いると共に、前記エポキシ樹脂（６）のエッジ部分が
前記セラミック基板（１）に対して成すフィレット角θ
をθ≦５０°にして前記樹脂封止を行うことを特徴とす
る電子部品の製造方法。 - 【請求項２】 前記フィレット角θを３５°≦θ≦５０
°にすることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の
製造方法。 - 【請求項３】 前記フィレット角θを３５°≦θ≦４５
°にすることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子
部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16633597A JP3656690B2 (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16633597A JP3656690B2 (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116929A true JPH1116929A (ja) | 1999-01-22 |
| JP3656690B2 JP3656690B2 (ja) | 2005-06-08 |
Family
ID=15829466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16633597A Expired - Fee Related JP3656690B2 (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3656690B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005238867A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 電気部品の固定方法 |
| CN102468247A (zh) * | 2010-11-03 | 2012-05-23 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 附着聚酰亚胺层的密封环结构 |
-
1997
- 1997-06-23 JP JP16633597A patent/JP3656690B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005238867A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 電気部品の固定方法 |
| JP4506197B2 (ja) * | 2004-02-24 | 2010-07-21 | 三菱電機株式会社 | 電気部品の固定方法及び太陽電池パネル |
| CN102468247A (zh) * | 2010-11-03 | 2012-05-23 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 附着聚酰亚胺层的密封环结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3656690B2 (ja) | 2005-06-08 |
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