JPH06244348A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH06244348A JPH06244348A JP2556993A JP2556993A JPH06244348A JP H06244348 A JPH06244348 A JP H06244348A JP 2556993 A JP2556993 A JP 2556993A JP 2556993 A JP2556993 A JP 2556993A JP H06244348 A JPH06244348 A JP H06244348A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die pad
- semiconductor device
- lead frame
- flexible insulating
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】耐熱ストレス性等の品質、信頼性の向上を図り
半導体装置の小型化、薄型化に有効な半導体装置用リー
ドフレームを提供する。 【構成】半導体装置用リードフレームのダイパッドを可
とう性絶縁基板で形成し、その可とう性絶縁基板を半導
体素子搭載部支持リードと接続する。１は可とう性絶縁
基板を用いたダイパッドでありタブつりピン２によって
リードフレームに接続されている。また半導体素子３は
可とう性絶縁基板を用いたダイパッドに搭載されワイヤ
ー４によってインナーリード５と接続されている。 【効果】ダイパッドと封止樹脂の熱膨張係数はほぼ等し
く、ダイパッド裏面及び表面コーナー部と、封止樹脂間
では内部応力が低減され、またダイパッドは酸化されに
くいため、半導体装置のワレ、剥離等の不良を防止でき
る。また樹脂封止時のダイパッド浮きによる、ダイパッ
ドとワイヤー４のショート防止ができる。
半導体装置の小型化、薄型化に有効な半導体装置用リー
ドフレームを提供する。 【構成】半導体装置用リードフレームのダイパッドを可
とう性絶縁基板で形成し、その可とう性絶縁基板を半導
体素子搭載部支持リードと接続する。１は可とう性絶縁
基板を用いたダイパッドでありタブつりピン２によって
リードフレームに接続されている。また半導体素子３は
可とう性絶縁基板を用いたダイパッドに搭載されワイヤ
ー４によってインナーリード５と接続されている。 【効果】ダイパッドと封止樹脂の熱膨張係数はほぼ等し
く、ダイパッド裏面及び表面コーナー部と、封止樹脂間
では内部応力が低減され、またダイパッドは酸化されに
くいため、半導体装置のワレ、剥離等の不良を防止でき
る。また樹脂封止時のダイパッド浮きによる、ダイパッ
ドとワイヤー４のショート防止ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の組立工程
で用いられるリードフレームの半導体素子搭載部の素材
に関する。
で用いられるリードフレームの半導体素子搭載部の素材
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術における半導体装置を図３及び
図４に示す。従来の半導体装置はリードフレームの一部
である半導体素子搭載部６（以下ダイパッドと記す。）
に半導体素子３を搭載し、集積回路が形成された半導体
素子のボンディングパッドとこれに対応したリードフレ
ームの各リード５とを接続し、ついで各リード５の先端
部を残してトランスファーモールドにより封止樹脂で一
体に成型する。
図４に示す。従来の半導体装置はリードフレームの一部
である半導体素子搭載部６（以下ダイパッドと記す。）
に半導体素子３を搭載し、集積回路が形成された半導体
素子のボンディングパッドとこれに対応したリードフレ
ームの各リード５とを接続し、ついで各リード５の先端
部を残してトランスファーモールドにより封止樹脂で一
体に成型する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし前述の従来技術
では、最近の電子機器の小型化、薄型化より要求される
半導体装置の小型化と薄型化への対応が厳しく品質、信
頼性の向上は難しくなりつつある。例えば、半導体装置
が小型化されてもそこに搭載される半導体素子３は小型
化されるわけではない。従って半導体装置内に占める半
導体素子面積、ダイパッド面積は増加することになる。
そのため基板実装時のＩＲリフロー等の熱により発生す
る内部応力が増加し、半導体装置のワレ及びダイパッド
６、封止樹脂間の剥離等の不良となる。また半導体装置
の薄型化は主に封止樹脂の薄型化により達成されるが、
一方では半導体装置の強度低下を伴っておりワレ等の不
良原因となる。このメカニズムとしては、自然吸湿した
半導体装置が基板実装において加熱された際、水分を水
蒸気として放出しようとするが封止樹脂が薄いため水蒸
気圧に耐えきれず半導体装置のワレが発生すると考えら
れる。
では、最近の電子機器の小型化、薄型化より要求される
半導体装置の小型化と薄型化への対応が厳しく品質、信
頼性の向上は難しくなりつつある。例えば、半導体装置
が小型化されてもそこに搭載される半導体素子３は小型
化されるわけではない。従って半導体装置内に占める半
導体素子面積、ダイパッド面積は増加することになる。
そのため基板実装時のＩＲリフロー等の熱により発生す
る内部応力が増加し、半導体装置のワレ及びダイパッド
６、封止樹脂間の剥離等の不良となる。また半導体装置
の薄型化は主に封止樹脂の薄型化により達成されるが、
一方では半導体装置の強度低下を伴っておりワレ等の不
良原因となる。このメカニズムとしては、自然吸湿した
半導体装置が基板実装において加熱された際、水分を水
蒸気として放出しようとするが封止樹脂が薄いため水蒸
気圧に耐えきれず半導体装置のワレが発生すると考えら
れる。
【０００４】また半導体装置の薄型化により低ループの
ワイヤーを張る必要があるが、金属製のダイパッド６で
はショートする危険性がある。
ワイヤーを張る必要があるが、金属製のダイパッド６で
はショートする危険性がある。
【０００５】従来のダイパッド６は、鉄、ニッケル合金
（４２Ａｌｌｏｙ）製または、銅合金製である。４２Ａ
ｌｌｏｙ製のダイパッドの熱膨張係数は半導体素子３に
近く、封止樹脂の熱膨張係数とは大きな差がある。その
ためダイパッド６と半導体素子３は接着剤による応力緩
和があるものの、元々熱膨張係数が近いため熱ストレス
による半導体装置のワレ、半導体素子３とダイパッド６
の剥離等の不良には至らない。
（４２Ａｌｌｏｙ）製または、銅合金製である。４２Ａ
ｌｌｏｙ製のダイパッドの熱膨張係数は半導体素子３に
近く、封止樹脂の熱膨張係数とは大きな差がある。その
ためダイパッド６と半導体素子３は接着剤による応力緩
和があるものの、元々熱膨張係数が近いため熱ストレス
による半導体装置のワレ、半導体素子３とダイパッド６
の剥離等の不良には至らない。
【０００６】しかし封止樹脂との熱膨張係数は離れてお
り小型、薄型の半導体装置においては、吸湿量にもよる
が熱ストレスを緩和できずワレ、剥離が発生する。次に
銅合金製ダイパッドは封止樹脂に熱膨張係数が近く、半
導体素子３に遠く、さらに銅合金製ダイパッドは酸化し
やすいという特性を有している。そのため銅合金製ダイ
パッドは封止樹脂との熱膨張係数が近いにもかかわら
ず、内部応力により剥離する。これはダイパッド６（リ
ードフレーム）の酸化膜と封止樹脂の密着性がダイパッ
ド酸化膜とダイパッド母材の密着性を上回るためと考え
られる。また銅合金製ダイパッド、半導体素子間には熱
膨張係数差大のため熱時応力が発生する。その応力が半
導体素子３のコーナー部及びダイパッド６表面のコーナ
ー部に集中するため、封止樹脂と半導体素子３の剥離、
ダイパッド６表面コーナー部と封止樹脂の剥離等の不良
が発生する。
り小型、薄型の半導体装置においては、吸湿量にもよる
が熱ストレスを緩和できずワレ、剥離が発生する。次に
銅合金製ダイパッドは封止樹脂に熱膨張係数が近く、半
導体素子３に遠く、さらに銅合金製ダイパッドは酸化し
やすいという特性を有している。そのため銅合金製ダイ
パッドは封止樹脂との熱膨張係数が近いにもかかわら
ず、内部応力により剥離する。これはダイパッド６（リ
ードフレーム）の酸化膜と封止樹脂の密着性がダイパッ
ド酸化膜とダイパッド母材の密着性を上回るためと考え
られる。また銅合金製ダイパッド、半導体素子間には熱
膨張係数差大のため熱時応力が発生する。その応力が半
導体素子３のコーナー部及びダイパッド６表面のコーナ
ー部に集中するため、封止樹脂と半導体素子３の剥離、
ダイパッド６表面コーナー部と封止樹脂の剥離等の不良
が発生する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる半導体装
置用リードフレームは、矩形に形成された帯状枠、ダイ
パッド、前記帯状枠より前記半導体素子近傍まで伸び、
かつ前記ダイパッド周辺に複数連なるリード、前記複数
リードの中間に位置し、前記複数リードをそれぞれ接続
するダムバー等から構成される半導体装置用リードフレ
ームにおいて、ダイパッドが可とう性絶縁基板で形成さ
れており、かつその可とう性絶縁基板が半導体素子搭載
部支持リードと接続されていることを特徴とする。
置用リードフレームは、矩形に形成された帯状枠、ダイ
パッド、前記帯状枠より前記半導体素子近傍まで伸び、
かつ前記ダイパッド周辺に複数連なるリード、前記複数
リードの中間に位置し、前記複数リードをそれぞれ接続
するダムバー等から構成される半導体装置用リードフレ
ームにおいて、ダイパッドが可とう性絶縁基板で形成さ
れており、かつその可とう性絶縁基板が半導体素子搭載
部支持リードと接続されていることを特徴とする。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の一実施例であるダイパッドが
可とう性絶縁基板で形成されているリードフレームに半
導体素子を搭載した平面図であり、図２は断面図であ
る。図１において、１は可とう性絶縁基板を用いたダイ
パッドでありタブつりピン２によってリードフレームに
接続されている。また半導体素子３は可とう性絶縁基板
を用いたダイパッド１に搭載されワイヤー４によってイ
ンナーリード５と接続されている。
可とう性絶縁基板で形成されているリードフレームに半
導体素子を搭載した平面図であり、図２は断面図であ
る。図１において、１は可とう性絶縁基板を用いたダイ
パッドでありタブつりピン２によってリードフレームに
接続されている。また半導体素子３は可とう性絶縁基板
を用いたダイパッド１に搭載されワイヤー４によってイ
ンナーリード５と接続されている。
【０００９】可とう性絶縁基板を用いたダイパッド１の
熱膨張係数は封止樹脂とほぼ等しい、そのため半導体装
置が熱印加された時、ダイパッド１と封止樹脂の膨張、
収縮はほぼ同様の動きをする。また可とう性絶縁基板を
用いたダイパッド１は酸化されにくい特性を持ってお
り、従来の銅製ダイパッドで見られる酸化膜の剥離は発
生しない。従ってダイパッド裏面及びダイパッド表面コ
ーナー部と、封止樹脂間では内部応力が低減され、半導
体装置のワレ、剥離等の不良を防止することができる。
半導体素子３と可とう性絶縁基板を用いたダイパッド
１の熱膨張係数差は大であるが、半導体素子３と封止樹
脂の密着性良、可とう性絶縁基板を用いたダイパッド
１、封止樹脂間の応力小、接着剤による半導体素子３、
可とう性絶縁基板を用いたダイパッド１間の応力緩和等
の要因によりワレ、剥離に至る応力は発生せず、半導体
装置の小型化、薄型化に十分対応可能である。
熱膨張係数は封止樹脂とほぼ等しい、そのため半導体装
置が熱印加された時、ダイパッド１と封止樹脂の膨張、
収縮はほぼ同様の動きをする。また可とう性絶縁基板を
用いたダイパッド１は酸化されにくい特性を持ってお
り、従来の銅製ダイパッドで見られる酸化膜の剥離は発
生しない。従ってダイパッド裏面及びダイパッド表面コ
ーナー部と、封止樹脂間では内部応力が低減され、半導
体装置のワレ、剥離等の不良を防止することができる。
半導体素子３と可とう性絶縁基板を用いたダイパッド
１の熱膨張係数差は大であるが、半導体素子３と封止樹
脂の密着性良、可とう性絶縁基板を用いたダイパッド
１、封止樹脂間の応力小、接着剤による半導体素子３、
可とう性絶縁基板を用いたダイパッド１間の応力緩和等
の要因によりワレ、剥離に至る応力は発生せず、半導体
装置の小型化、薄型化に十分対応可能である。
【００１０】また樹脂封止時にダイパッドが樹脂により
持ち上げられるダイパッド浮きが発生すると、ダイパッ
ドとワイヤー４がショートする場合があり、従来の金属
製ダイパッド６であれば即不良となるが、可とう性絶縁
基板を用いたダイパッド１であれば問題なく、厳しいワ
イヤーループ形状が要求される薄型半導体装置に対して
有効と思われる。
持ち上げられるダイパッド浮きが発生すると、ダイパッ
ドとワイヤー４がショートする場合があり、従来の金属
製ダイパッド６であれば即不良となるが、可とう性絶縁
基板を用いたダイパッド１であれば問題なく、厳しいワ
イヤーループ形状が要求される薄型半導体装置に対して
有効と思われる。
【００１１】尚、本特許における可とう性絶縁基板を用
いたダイパッドの形状、厚み、大きさはどのようなもの
でも良く、タブつりピンとの接続方法、接続位置に関し
ても特に制約はない、要はダイパッドが可とう性絶縁基
板で形成されているものであれば良い。
いたダイパッドの形状、厚み、大きさはどのようなもの
でも良く、タブつりピンとの接続方法、接続位置に関し
ても特に制約はない、要はダイパッドが可とう性絶縁基
板で形成されているものであれば良い。
【００１２】
【発明の効果】上述のように、本発明は、半導体装置用
リードフレームのダイパッドを可とう性絶縁基板で形成
することにより、最近の半導体装置の小型化、薄型化に
おける課題である耐熱ストレス性等の品質、信頼性の向
上に対して十分有効であり、樹脂封止時のダイパッド、
ワイヤー間ショートは発生せず、厳しいワイヤーループ
形状が要求される薄型半導体装置において有効である。
リードフレームのダイパッドを可とう性絶縁基板で形成
することにより、最近の半導体装置の小型化、薄型化に
おける課題である耐熱ストレス性等の品質、信頼性の向
上に対して十分有効であり、樹脂封止時のダイパッド、
ワイヤー間ショートは発生せず、厳しいワイヤーループ
形状が要求される薄型半導体装置において有効である。
【図１】本発明の一実施例を示した平面図である。
【図２】本発明の一実施例を示した断面図である。
【図３】従来例を示した平面図である。
【図４】従来例を示した断面図である。
１可とう性絶縁基板を用いたダイパッド ２タブつりピン ３半導体素子 ４ワイヤー ５インナーリード ６従来のダイパッド
Claims (1)
- 【請求項１】 矩形に形成された帯状枠、半導体素子塔
載部、前記帯状枠より前記半導体素子近傍まで伸び、か
つ前記半導体素子搭載部周辺に複数連なるリード、前記
複数リードの中間に位置し、前記複数リードをそれぞれ
接続するダムバー等から構成される半導体装置用リード
フレームにおいて、半導体素子搭載部が可とう性絶縁基
板により形成されており、かつその可とう性絶縁基盤が
半導体素子搭載部支持リードに接続されていることを特
徴とする半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2556993A JPH06244348A (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2556993A JPH06244348A (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244348A true JPH06244348A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12169567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2556993A Pending JPH06244348A (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244348A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19756179B4 (de) * | 1996-12-27 | 2007-01-25 | LG Semicon Co., Ltd., Cheongju | Für einen Halbleiterchip-Baustein bestimmter Leiterrahmen mit einem vorgeformten Montageplatz aus einer Epoxid-Giessverbindung |
-
1993
- 1993-02-15 JP JP2556993A patent/JPH06244348A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19756179B4 (de) * | 1996-12-27 | 2007-01-25 | LG Semicon Co., Ltd., Cheongju | Für einen Halbleiterchip-Baustein bestimmter Leiterrahmen mit einem vorgeformten Montageplatz aus einer Epoxid-Giessverbindung |
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