JPH05129515A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の銅箔のシールド層と接着層間の
接着強度を向上せしめて半田付け時の剥離を防止し、信
頼度が高い高歩留りの半導体装置を得る。 【構成】 アルミベース板1の上面に絶縁層2を形成
し、この絶縁層2上に半導体素子7を含むパワーデバイ
ス部を構成し、前記絶縁層2上の他の領域に両面に銅箔
のシールド層9と銅箔の配線11を備えたガラスエポキ
シ基板10を上に接着層8で接着する際、接着層8とガ
ラスエポキシ基板10との間にガラスエポキシ層17を
介在させて接着することを特徴としている。
接着強度を向上せしめて半田付け時の剥離を防止し、信
頼度が高い高歩留りの半導体装置を得る。 【構成】 アルミベース板1の上面に絶縁層2を形成
し、この絶縁層2上に半導体素子7を含むパワーデバイ
ス部を構成し、前記絶縁層2上の他の領域に両面に銅箔
のシールド層9と銅箔の配線11を備えたガラスエポキ
シ基板10を上に接着層8で接着する際、接着層8とガ
ラスエポキシ基板10との間にガラスエポキシ層17を
介在させて接着することを特徴としている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばインテリジェン
トパワーモジュールの制御回路部の接着度を向上させる
構造の半導体装置に関するものである。
トパワーモジュールの制御回路部の接着度を向上させる
構造の半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3は従来のインテリジェントパワーモ
ジュール内部を示す断面図であり、図4はその平面図で
ある。図3,図4において、1はアルミベース板、2は
エポキシ系の絶縁層、3は銅箔層、4は半田、5は銅ブ
ロック、6は半田、7は半導体素子であり、これら1〜
7はパワーデバイス部を構成している。8はエポキシ系
の接着層、9は銅箔等の導電体からなるシールド層、1
0はガラスエポキシ基板、11は銅箔の配線、12はス
ルーホール、13は半田、14はIC等の電子部品であ
り、これら8〜14は制御回路部を構成している。15
は銅箔層、16はアルミワイヤである。
ジュール内部を示す断面図であり、図4はその平面図で
ある。図3,図4において、1はアルミベース板、2は
エポキシ系の絶縁層、3は銅箔層、4は半田、5は銅ブ
ロック、6は半田、7は半導体素子であり、これら1〜
7はパワーデバイス部を構成している。8はエポキシ系
の接着層、9は銅箔等の導電体からなるシールド層、1
0はガラスエポキシ基板、11は銅箔の配線、12はス
ルーホール、13は半田、14はIC等の電子部品であ
り、これら8〜14は制御回路部を構成している。15
は銅箔層、16はアルミワイヤである。
【0003】次に、組立方法について説明する。アルミ
ベース板1上に絶縁層2、さらにこの上に銅箔層3を形
成し、その後、銅箔層3をエッチングしてパターニング
を行う。次に、両面に銅箔でパターニングされた厚さ1
00μmの銅箔のシールド層9および厚さ35μmの銅
箔の配線11を備えたガラスエポキシ基板10を接着剤
8で絶縁層2に貼り付ける。次に、銅箔層3および15
の半田付けする部分に半田クリーム等を印刷し、パワー
デバイス部の銅ブロック5,半田6,半導体素子7を積
層するとともに、制御回路部の半田13,電子部品14
を載せ、リフロー炉で260℃で半田付けを行う。その
後、さらに半導体素子7の電極と制御回路部の銅箔層1
5とをアルミワイヤ16で結線する。
ベース板1上に絶縁層2、さらにこの上に銅箔層3を形
成し、その後、銅箔層3をエッチングしてパターニング
を行う。次に、両面に銅箔でパターニングされた厚さ1
00μmの銅箔のシールド層9および厚さ35μmの銅
箔の配線11を備えたガラスエポキシ基板10を接着剤
8で絶縁層2に貼り付ける。次に、銅箔層3および15
の半田付けする部分に半田クリーム等を印刷し、パワー
デバイス部の銅ブロック5,半田6,半導体素子7を積
層するとともに、制御回路部の半田13,電子部品14
を載せ、リフロー炉で260℃で半田付けを行う。その
後、さらに半導体素子7の電極と制御回路部の銅箔層1
5とをアルミワイヤ16で結線する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように構成されているので、リフロー炉で半田付け
(温度260℃)すると、シールド層9と接着層8の間
で剥離現象が発生し、絶縁不良を起こすという問題点が
あった。
上のように構成されているので、リフロー炉で半田付け
(温度260℃)すると、シールド層9と接着層8の間
で剥離現象が発生し、絶縁不良を起こすという問題点が
あった。
【0005】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、接着強度を上げることができる
とともに、信頼性が高く、歩留りのよい半導体装置を得
ることを目的とする。
ためになされたもので、接着強度を上げることができる
とともに、信頼性が高く、歩留りのよい半導体装置を得
ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、ガラスエポキシ基板の下面に形成されたに導電体の
シールド層を覆うようにガラスエポキシ層を設けて接着
層と接着する構成としたものである。
は、ガラスエポキシ基板の下面に形成されたに導電体の
シールド層を覆うようにガラスエポキシ層を設けて接着
層と接着する構成としたものである。
【0007】
【作用】本発明における半導体装置は、シールド層を覆
うように形成されたガラスエポキシ層により、半田付け
の際に加熱されてもシールド層は剥離せずに接着強度が
維持される。
うように形成されたガラスエポキシ層により、半田付け
の際に加熱されてもシールド層は剥離せずに接着強度が
維持される。
【0008】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図1は本発明の一実施例を示す半導体装置の断面図
であり、図2はその平面図である。図1,図2におい
て、図3,図4と同一符号は同一構成部分を示し、17
は前記シールド層9を覆うように設けられたガラスエポ
キシ層であリ、このガラスエポキシ層17と接着層8が
接着される。
る。図1は本発明の一実施例を示す半導体装置の断面図
であり、図2はその平面図である。図1,図2におい
て、図3,図4と同一符号は同一構成部分を示し、17
は前記シールド層9を覆うように設けられたガラスエポ
キシ層であリ、このガラスエポキシ層17と接着層8が
接着される。
【0009】次に、本発明の作用について説明する。本
発明のシールド層9の下にガラスエポキシ層17を設け
ることにより、接着強度が強固となり、従来銅箔のシー
ルド層9と接着層8間で発生していた剥離が防止され、
ガラスエポキシ層17と接着層8間の強度を維持するこ
とが可能となり、リフロー炉での半田付けの際、300
℃でもシールド層9は剥離しない結果を得ることができ
た。また、接着層8はエポキシ系の接着材であるため、
同系のガラスエポキシ層17との接着性は良好である。
発明のシールド層9の下にガラスエポキシ層17を設け
ることにより、接着強度が強固となり、従来銅箔のシー
ルド層9と接着層8間で発生していた剥離が防止され、
ガラスエポキシ層17と接着層8間の強度を維持するこ
とが可能となり、リフロー炉での半田付けの際、300
℃でもシールド層9は剥離しない結果を得ることができ
た。また、接着層8はエポキシ系の接着材であるため、
同系のガラスエポキシ層17との接着性は良好である。
【0010】なお、上記実施例では、インテリジェント
パワーモジュールの場合について説明したが、放熱性の
向上を必要とし、金属板に制御回路部をはりつけるハイ
ブリッドIC等であってもよく、上記実施例と同様の効
果を奏する。
パワーモジュールの場合について説明したが、放熱性の
向上を必要とし、金属板に制御回路部をはりつけるハイ
ブリッドIC等であってもよく、上記実施例と同様の効
果を奏する。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
導電体からなるシールド層を覆うようにガラスエポキシ
層を設けて絶縁層上に接着層を介して接着したので、接
着強度が向上し、半田付け時の剥離がなくなり、信頼性
の高い半導体装置が得られる効果がある。
導電体からなるシールド層を覆うようにガラスエポキシ
層を設けて絶縁層上に接着層を介して接着したので、接
着強度が向上し、半田付け時の剥離がなくなり、信頼性
の高い半導体装置が得られる効果がある。
【図1】本発明の一実施例による半導体装置の断面図で
ある。
ある。
【図2】図1の上面図である。
【図3】従来の半導体装置を示す断面図である。
【図4】図3の上面図である。
1 アルミベース板 2 絶縁層 3 銅箔層 4 半田 5 銅ブロック 6 半田 7 半導体素子 8 接着層 9 導電体からなるシールド層 10 ガラスエポキシ基板 11 銅箔の配線 12 スルーホール 13 半田 14 電子部品 15 銅箔層 16 アルミワイヤ 17 ガラスエポキシ層
Claims (1)
- 【請求項1】 金属基板上に絶縁層が形成され、この絶
縁層上に半導体素子を含むパワーデバイス部が構成さ
れ、前記絶縁層上の他の領域に、前記半導体素子をオン
・オフ制御する制御回路部が下面に導電体からなるシー
ルド層が形成されたガラスエポキシ基板を用いて構成さ
れ、接着層により前記絶縁層に接着された半導体装置に
おいて、前記シールド層を覆うようにガラスエポキシ層
が形成され、さらにこのガラスエポキシ層が前記接着層
と接着されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3288389A JP2636602B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3288389A JP2636602B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05129515A true JPH05129515A (ja) | 1993-05-25 |
JP2636602B2 JP2636602B2 (ja) | 1997-07-30 |
Family
ID=17729574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3288389A Expired - Lifetime JP2636602B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2636602B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0712153A3 (en) * | 1994-11-10 | 1997-10-08 | Vlt Corp | Electrical circuit packaging |
US5727727A (en) * | 1995-02-02 | 1998-03-17 | Vlt Corporation | Flowing solder in a gap |
JP2002343922A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
CN103236422A (zh) * | 2013-03-29 | 2013-08-07 | 广东美的制冷设备有限公司 | 智能功率模块及其制造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63209198A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JPH033264A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-11-05 JP JP3288389A patent/JP2636602B2/ja not_active Expired - Lifetime
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CN103236422B (zh) * | 2013-03-29 | 2015-12-23 | 广东美的制冷设备有限公司 | 智能功率模块及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2636602B2 (ja) | 1997-07-30 |
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