JPH0446479B2 - - Google Patents

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JPH0446479B2
JPH0446479B2 JP59156425A JP15642584A JPH0446479B2 JP H0446479 B2 JPH0446479 B2 JP H0446479B2 JP 59156425 A JP59156425 A JP 59156425A JP 15642584 A JP15642584 A JP 15642584A JP H0446479 B2 JPH0446479 B2 JP H0446479B2
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JP
Japan
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electronic component
substrate
conductive film
component mounting
hole
Prior art date
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JP59156425A
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English (en)
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JPS6134989A (ja
Inventor
Toshitami Komura
Kazuhide Yanase
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Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
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Publication date
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Priority to JP15642584A priority Critical patent/JPS6134989A/ja
Publication of JPS6134989A publication Critical patent/JPS6134989A/ja
Publication of JPH0446479B2 publication Critical patent/JPH0446479B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高密度配線が可能な電子部品塔載用
基板に関する。
〔従来技術〕
電子部品の高密度実装化に伴つて、半導体素子
などの電子部品を、プリント配線基板の表面に直
接塔載したり、ザグリ加工した凹部内に塔載した
電子部品塔載用基板が提案されている。
上記電子部品塔載用基板は基板表面に形成した
導体回路とワイヤーボンデイングにより電気的に
接続されている。かかる電子部品塔載用基板は、
例えば、時計やカメラなどの内装基板として使用
されている。
ところで、上記電子部品塔載用基板は、基板表
面に一般の導体回路と共にグランド回路を形成し
ている。ここでグランド回路とはグランド、即ち
接地回路をいう。
そして、このグランド回路には、他の一般導体
回路と異なつて大容量の電流が流れる。そのた
め、グランド回路は大きい回路面積が必要とされ
る。このことは、電子部品塔載用基板の分野にお
いて周知のことである。
〔解決しようとする課題〕
しかしながら、従来の電子部品塔載用基板は、
上記のごとく大きい面積を必要とするグランド回
路を基板表面に形成しているため、その分だけ、
一般の導体回路を形成する面積が少なくなる。
近年は、高密度実装化がますます進み、基板表
面に、より多くの導体回路を形成すること、即ち
高密度配線が強く要望されている。
また、基板の材料としては、セラミツク基板、
有機系樹脂基板があるが、後者は軽量で加工性に
優れているため、近年多用されている。
しかしながら、紙・フエノール銅張積層基板、
ガラスエポキシ銅張積層板等の有機系樹脂基板
は、金属などに比べて、熱伝導率が小さく、電子
部品からの発熱に対して十分な熱放散性が得られ
ない。そのため、比較的低い出力の電子部品すな
わち発熱が少ない電子部品のみに適用されてお
り、高い出力の電子部品には適用できない。
また、有機系樹脂基板は耐湿性が低く、電子部
品を腐食させるおそれがある。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑み、高密度
配線が可能で、熱放散性及び耐湿性に優れた電子
部品塔載用基板を提供しようとするものである。
〔課題の解決手段〕
本発明は、有機系樹脂基板を用いた下基板と上
基板とを接着剤を介して積層してなると共に下基
板は、上基板に面する側に銅箔等の導電被膜を有
してなり、また上記上基板はその上面より上記導
電被膜に達する貫通孔を有すると共に該貫通孔と
上記導電被膜とによつて形成される電子部品塔載
用凹部を有し、また該電子部品塔載用凹部におけ
る側壁面及び上記導電被膜には金属メツキ被膜が
形成されており、更に上記導電被膜は下基板と上
基板とを貫通するスルーホールに連結されてグラ
ンド回路を形成していることを特徴とする電子部
品塔載用基板にある。
本発明において最も注目すべきことは、少なく
とも上基板に面する側に導電被膜を有する下基板
を用い、その上に貫通孔を有する上基板を積層接
合してなると共に、上記貫通孔と導電被膜によつ
て電子部品塔載用凹部を形成し、また該電子部品
塔載用凹部における側壁面と導電被膜には金属メ
ツキ被膜が形成されており、かつ上記導電被膜は
スルーホールに連結されてグランド回路を形成し
ていることにある(第1図参照)。
上記下基板及び上基板は、共に有機系樹脂基板
により構成する。該有機系樹脂基板の代表的なも
のは、ガラス繊維強化エポキシ樹脂基板、ガラス
ポリイミド樹脂基板、ガラストリアジン樹脂基
板、紙・エポキシ樹脂基板、紙・フエノール樹脂
基板などがある。そして、これらの基板の片面又
は両面には、予め銅箔等の導電被膜が積層貼着さ
れていてもよい。
前記上基板に形成された貫通孔の大きさ、形状
などは特に限定されるものではない。
前記接着剤としては、未硬化のエポキシ樹脂含
浸のガラスクロス、又は耐熱性の接着シート又は
液状の樹脂などがあり、接着性、耐熱性、耐久性
などの諸特性が高い接着剤が好ましい。なお、前
記下基板と上基板とは同じ材質である必要はない
が、温度変化に対する熱膨張、収縮のことを考慮
すると、同質の基材であることが望ましい。
次に、電子部品塔載用凹部におけるその側壁面
及びその底面の導電被膜に形成される金属メツキ
被膜は、導電被膜への熱放散性を向上させるた
め、及び耐湿性向上のためのものである。また、
金属メツキ被膜は、電子部品塔載用凹部の底面に
対して電子部品を半田付け可能としている。
また、ここに重要なことは、上記導電被膜は、
電子部品塔載用基板とスルーホールとの間に設け
られたグランド回路を形成しており、しかも、該
導電被膜は下基板と上基板の間にあることであ
る。即ち、このグランド回路は、内部グランド回
路を形成している。
上記電子部品塔載用基板を製造する方法として
は、次の方法がある(第2図,第3図参照)。
即ち、有機系樹脂基板よりなると共に少なくと
もその上面に銅箔等の導電被膜を形成した下基板
と、有機系樹脂基板よりなると共に貫通孔を有す
る上基板とをそれぞれ準備する。次いで、上記下
基板の上に接着剤を介して上基板を積層接合する
ことにより電子部品塔載用凹部を形成する。
その後、上記上基板,接着剤,導電被膜及び下
基板を貫通するスルーホールを穿設し、また上記
電子部品塔載用凹部における側壁面、及びその底
面の上記導電被膜に金属メツキ被膜を形成する。
また、スルーホールにも金属メツキ被膜を形成
する。
〔作用及び効果〕
本発明においては、下基板と上基板との間に導
電被膜を有し、該導電被膜は電子部品塔載用凹部
の底面とスルーホールとの間に設けられて、グラ
ンド回路を形成してる。
一方、グランド回路は、周知のごとく広い面積
を必要とするが、本発明ではこれが基板内部にあ
る。
そのため、従来のごとく、基板表面にグランド
回路を形成する必要がなくなる。それ故、その分
だけ、基板表面に一般導体回路を形成できる面積
が、広くなる。したがつて、本発明によれば、高
密度配線が可能となる。
また、導電被膜は、電子部品塔載用凹部の底面
とスルーホールとの間に形成された熱伝導性の良
い金属層でもある。また、電子部品塔載用凹部の
側壁面及び底面(即ち導電被膜の上面)には、金
属メツキ被膜が形成されている。
そのため、電子部品が発生した熱は、該金属メ
ツキ被膜に速やかに吸収され、上記導電被膜より
スルーホールへスムースに流れる。そろ故、優れ
た熱放散性を発揮する。
また、電子部品塔載用凹部には上記金属メツキ
被膜が形成されているので、電子部品に対する耐
湿性も高い。
以上のごとく、本発明によれば、高密度配線が
可能で、熱放散性に優れかつ耐湿性にも優れた電
子部品塔載用基板を提供することができる。
〔実施例〕
本発明の実施例にかかる電子部品塔載用基板に
つき、第1図〜第3図を用いて説明する。
本例の電子部品塔載用基板は、第1図に示すご
とく、有機系樹脂基板を用いた下基板1と上基板
2とを接着剤4を介して積層してなると共に、下
基板1は上基板に面する側(上面)に銅箔等の導
電被膜11を有している。
また、上記上基板2は、その上面より上記導電
被膜11に達する貫通孔22(第2図a)を有す
ると共に、該貫通孔22と上記導電被膜11とに
よつて形成される電子部品塔載用凹部25を有す
る。
また、該電子部品塔載用凹部25における側壁
面及び上記導電被膜11(即ち底面)には金属メ
ツキ被膜31が形成されている。更に、上記導電
被膜11は下基板1と上基板2とを貫通するスル
ーホール16に連結されてグランド回路を形成し
ている。
また、スルーホール16の側壁面、基板表面の
一般導体回路12,21にも金属メツキ被膜31
が形成されている。また、上記電子部品塔載用基
板には、第1図に示すごとく、その電子部品塔載
用凹部25内に電子部品5を塔載する。電子部品
5は、電子部品塔載用凹部25の底面の金属メツ
キ被膜31上に半田付けされている。また、該電
子部品5と、一般導体回路21との間にはボンデ
イングワイヤー51を接続する。
次に、上記電子部品塔載用基板を製造するに当
たつては、まず第2図aに示すごとく、貫通孔2
2を穿設した上基板2を準備する。上基板2は、
上面に銅箔層210を有する。
一方、第2図bに示すごとく、上面に導電被膜
11、下面に銅箔層120を有する下基板1を準
備する。その後、第3図aに示すごとく、下基板
1の上に接着剤4を介して上基板2を積層接合す
る。これにより電子部品塔載用凹部25を形成さ
れる。
次に、第3図bに示すごとく、上基板2、導電
被膜11及び下基板1を貫通するスルーホール1
6を穿設する。そして、電子部品塔載用凹部25
における側壁面22及び導電被膜11、基板の
上、下面、スルーホール16等に金属メツキ被膜
31を形成する。その後、エツチングを行い、前
記第1図に示したごとき、電子部品塔載用基板を
得る。
上記のごとく、本例の電子部品塔載用基板にお
いては、下基板1と上基板2との間に導電被膜1
1を有し、該導電被膜11は電子部品塔載用凹部
25の底面とスルーホール16との間に設けられ
て、グランド回路を形成している。
一方、グランド回路は前記のごとく、広い面積
を必要とするが、本例ではこれが基板内部にあ
る。
そのため、従来のごとく、電子部品塔載用基板
の表面にグランド回路を形成する必要がなくな
る。それ故、その分だけ、基板表面に一般導体回
路12,21を形成できる面積が広くなり、高密
度配線が可能となる。
また、導電被膜11は、電子部品塔載用凹部2
5の底面とスルーホール16との間に形成された
熱伝導性の良い金属層でもある。また、電子部品
塔載用凹部25の側壁面22及び底面(即ち導電
被膜11の上面)には、金属メツキ被膜31が形
成されている。
そのため、電子部品5が発生した熱は該金属メ
ツキ被膜31に速やかに吸収され、上記導電被膜
11よりスルーホール16へスムースに流れる。
それ故、優れた熱放散性を発揮する。
また、電子部品塔載用凹部25には上記金属メ
ツキ被膜31が形成されているので、電子部品5
に対する耐湿性も高い。
また、電子部品塔載用凹部25は、上基板2に
貫通孔22を設け、該上基板2と下基板1とを積
層することにより形成している。それ故、電子部
品塔載用凹部25をザグリ加工により形成する場
合に比して、その形成が容易で、また低コストで
ある。
以上のごとく、本発明によれば、高密度配線が
可能で、熱放散性に優れかつ耐湿性にも優れた電
子部品塔載用基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例における電子部品塔載用基板の
断面図、第2図及び第3図は実施例における電子
部品塔載用基板の製造プロセスの説明図である。 1…下基板、11…導電被膜、16…スルーホ
ール、2…上基板、22…貫通孔、25…電子部
品塔載用凹部、31…金属メツキ被膜、4…接着
剤、5…電子部品。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 有機系樹脂基板を用いた下基板と上基板とを
    接着剤を介して積層してなると共に下基板は上基
    板に面する側に銅箔等の導電被膜を有してなり、 また上記上基板はその上面より上記導電被膜に
    達する貫通孔を有すると共に該貫通孔と上記導電
    被膜とによつて形成される電子部品塔載用凹部を
    有し、 また該電子部品塔載用凹部における側壁面及び
    上記導電被膜には金属メツキ被膜が形成されてお
    り、 更に上記導電被膜は下基板と上基板とを貫通す
    るスルーホールに連結されてグランド回路を形成
    していることを特徴とする電子部品塔載用基板。
JP15642584A 1984-07-25 1984-07-25 電子部品搭載用基板 Granted JPS6134989A (ja)

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JP15642584A JPS6134989A (ja) 1984-07-25 1984-07-25 電子部品搭載用基板

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JP15642584A JPS6134989A (ja) 1984-07-25 1984-07-25 電子部品搭載用基板

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JPS6134989A JPS6134989A (ja) 1986-02-19
JPH0446479B2 true JPH0446479B2 (ja) 1992-07-30

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