JPH1168326A

JPH1168326A - 多層配線基板の製造方法

Info

Publication number: JPH1168326A
Application number: JP23885697A
Authority: JP
Inventors: Kazumi Hanawa; 一美塙
Original assignee: JSR Corp
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 1997-08-20
Filing date: 1997-08-20
Publication date: 1999-03-09

Abstract

(57)【要約】【課題】接続電極の間隔が微小であり、かつ微細で高
密度の複雑なパターンのものである場合にも、当該回路
基板について所要の電気的接続を確実に達成することが
でき、また温度変化による熱履歴などの環境の変化に対
しても良好な電気的接続状態が安定に維持され、高い接
続信頼性をを有する多層配線基板の製造。【解決手段】上下面に配線部を有し、厚さ方向にバ
イアホールを有する基板と、この配線部を含む基板上下
に積重して設けられた少なくとも２つの絶縁層とを有
し、該絶縁層の外側に金属層が形成されてなる積層板を
用い、該積層板の基板上にテストランドを形成してお
き、このテストランドにテスト用ホールをあけて、テス
ト用ホールと内層板のテストランドとの位置ズレを読み
とり、次いでこの位置ズレを補正した位置で絶縁層にブ
ラインドバイアホール用穴を形成することを特徴とする
多層配線基板の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品搭載用多
層配線板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の電子部品搭載用多層配線板の一般
的製造方法は、硝子繊維にエポキシ樹脂を含浸させた絶
縁性接着層を介して両面に銅箔を張った、硝子エポキシ
銅張り積層板に、あらかじめ回路パターンを形成し、こ
れを複数枚位置合わせして、絶縁性接着層を介して重
ね、熱プレスで加熱圧着して貼り合わせる。次いで、各
層間の導通接続を行うために、ＮＣドリル機で全層を貫
通する穴および／または導通に必要な層のみ貫通する穴
を明け、穴内及び外層にメッキを付けた後、外層の回路
パターンを形成するという方法である。その際、各層の
パターン同士の位置合わせは、各層に配置した、テスト
ランドにの位置ズレをしかるべき手段で読みとって、補
正値を決めた後、導通接続用のドリル穴を明ける方法、
またはテストランドに数値制御型ドリル機でテスト穴を
明け、テストランドとドリル穴の位置関係より、補正値
を決めた後、導通接続用のドリル穴を明ける方法等をと
り、導通接続用のドリル穴と各層のランド間の位置ズレ
を少なくする手法がとられている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来方法に
よる多層配線基板の製造方法に於いては、ドリルとメッ
キで形成したバイアホールで導通接続を行う場合、製造
過程中の各層の寸法変化が大きいため、ランド径や配線
ピッチが微細になるにつれ、各層間の位置合わせは困難
となるのが実状である。現状では各層間の位置ズレとバ
イアホールの導通接続信頼性を考慮すると、穴あけする
ときのドリルの直径は、多層配線基板の厚さにもよる
が、おおむね０．３mm以上必要となり、このため回路配
線の引き回しに大きな制約となり、配線密度が上げられ
ないのが現状である。また、最近耐熱性の感光性樹脂
を用いた方法として、銅張り積層板であらかじめ回路形
成した上に、耐熱性の感光性樹脂をコーティングして、
バイアホールパターンを形成して、これに銅メッキを全
面に行った後、第二層目の回路パターンを形成する操作
を繰り返し多層配線板を形成する方法がある。この製造
方法に於いては、感光性樹脂と銅メッキの密着性を上げ
る為の前処理に細心の注意が必要であり、またあらかじ
め銅張り積層板に形成したスルホールを穴埋めして平坦
化するか、スルホール上を避けて配線設計をする工夫が
必要となる。

【０００４】本発明は、以上のような問題点を解決する
ものであって、その目的は、多層基板における層間接続
を、配線ピッチが微小であり、かつ微細で高密度の複雑
なパターンのものである場合にも、位置精度・接続信頼
性の高い極小径のブラインドホールを高歩留まりで容易
に形成することができる多層配線基板製造方法を提供す
ることにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、上下面に配線
部を有し、厚さ方向にバイアホールを有する基板と、こ
の配線部を含む基板上下に積重して設けられた少なくと
も２つの絶縁層とを有し、該絶縁層の外側に金属層が形
成されてなる積層板を用い、該積層板の基板上にテスト
ランドを形成しておき、このテストランドにテスト用ホ
ールをあけて、テスト用ホールと内層板のテストランド
との位置ズレを読みとり、次いでこの位置ズレを補正し
た位置で絶縁層にブラインドバイアホール用穴を形成す
ることを特徴とする多層配線基板の製造方法を提供する
ものである。また、上記製造方法において、テスト用ホ
ールとテストランドとの位置ズレの読みとりから、位置
ズレを補正してブラインドバイアホール用穴を形成する
までの行程を、積層板を加工機に固定したまま行うこと
を特徴とする多層配線基板の製造方法を提供するもので
ある。。

【０００６】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。図１は、本発明の多層配線基板の一例における構
成を示す説明用断面図であり、図２は多層配線基板の各
部の配置の状態を示す説明用部分破断平面図であり、図
３は多層配線基板の一部を拡大して示す説明用断面図で
ある。この多層配線基板は、図１に示すように、基板２
０と、この基板２０の上下面に積重して設けられた絶縁
層３０と６０との積層体によって構成されている。基板
２０の材質は寸法安定性の高い耐熱性材料よりなる板状
体であることが好ましく、各種の絶縁性樹脂を使用する
ことができるが、特にガラス繊維補強型エポキシ樹脂が
最適である。

【０００７】絶縁層３０と６０は、例えば熱圧着により
設けられた熱硬化性樹脂シートにより形成されている。
この熱硬化性樹脂シートは寸法安定性の高い耐熱性樹脂
よりなることが好ましく、各種の樹脂シートを使用する
ことができるが、ガラス繊維補強型エポキシプリプレグ
樹脂シート、ポリイミドプリプレグ樹脂シート、エポキ
シプリプレグ樹脂シートが好ましい。

【０００８】基板配線部２２と６２を含む基板２０の上
面には絶縁層３０が形成されている。この絶縁層３０の
上面には、検査対象である回路基板の被検査電極（図示
せず）のパターンに対応した位置に、接続用電極３１
が、当該上面から突出する状態に形成されると共に、適
宜のパターンの上面配線部３２が形成されている。そし
て、当該絶縁層３０をその厚み方向に貫通して伸びる短
絡部３３が設けられ、この短絡部３３は、直接または上
面配線部３２を介して接続用電極３１に連結され、これ
により接続用電極３１が基板配線部２２に電気的に接続
されている。なお、基板配線部２２と６２および上面配
線部３２は、図１において、いずれも紙面と交わる方向
に伸びる状態に形成され得ることは勿論であって、図２
にはそのような状態が示されている。

【０００９】図３に示すように、短絡部３３は、基板２
０のバイアホール部２３および／または配線部２２に接
合されて構成されており、この短絡部３３は、接続用電
極３１に直接または上面配線部３２を介して連結されて
いる。そして、接続用電極３１の各々は、短絡部３３、
基板配線部２２と６２および基板短絡部２３を介して端
子電極６１と電気的に接続されている。

【００１０】実際の構成において、接続用電極３１と端
子電極６１との電気的な接続は回路基板の検査目的に応
じた態様で達成されればよい。従って、すべての接続用
電極３１と端子電極６１とが必ず１対１の対応関係で接
続される必要はなく、端子電極３１、基板配線部２２と
６２および接続用電極３１について種々の要請される接
続状態を実現することができる。例えば、上面配線部３
２を利用して接続用電極３１同士を接続すること、複数
の接続用電極３１を１つの基板配線部３２に共通に接続
すること、１つの接続用電極３１を複数の基板配線部３
２に同時に接続すること、その他が可能である。

【００１１】このような構成の多層配線基板は、例えば
次のような工程で製造することができる。（１）工程基板２０の厚さ方向にバイアホール２３を形成し、基板
２０の上面に、基板配線部２２とバイアホールランド６
４、基板２０の下面に、基板配線部６２とバイアホール
ランド２１を形成し、次いで基板上下面にテスト用のラ
ンドを形成する第１工程（図４〜図６参照）、（２）工程基板２０上下に、絶縁層３０・金属（薄）層３１Ａと絶
縁層６０・金属（薄）層６１Ａを形成する第２工程（図
７、図８参照）、（３）工程絶縁層３０金属（薄）層３１Ａにおける配線部２２およ
びまたはバイアホール２３が形成された位置に、当該配
線部２２および／またはバイアホール２３に到達する深
さの穴を形成し、次いで絶縁層６０における配線部６２
および／またはバイアホール２３が形成された位置に当
該バイアホールに到達する深さの穴を形成する際、内層
のテストランド７０に向けて、あらかじめテスト用ホー
ル７２を明けた後、テスト用ホール７２と内層板のテス
トランド７０との位置ズレ読みとり、次いで位置ズレを
補正したデータを用いて、正規のブラインドバイアホー
ル用穴３３Ｈ・６３Ｈ及び、外層加工用の位置決め穴
（図示せず）を明け、このブラインドバイアホール用穴
３３Ｈ・６３Ｈの内部に導電体を形成することにより、
基板配線部２２に接続された、絶縁層３０をその厚み方
向に貫通して伸びる短絡部３３と端子電極６１に接続さ
れた絶縁層６０をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部
６３を形成する第３工程（図１０、図１１参照）。

【００１２】これらの第１工程〜第３工程の詳細は次の
とおりである。第１工程：この第１工程は、最終的には図６に示すよう
に、バイアホール部２３と上面に基板配線部２２および
バイアホールランド部６４が形成され、下面に基板配線
部６２とバイアホールランド部２１およびテスト用ラン
ド７０が形成された基板２０を製作する工程である。
（図４〜図６および図１４参照）具体的には、図４に示すように、例えば銅などよりなる
金属層、好ましくは金属薄層６２Ａおよび２２Ａが両面
に積層して設けられた硬質樹脂よりなる平板状の絶縁性
の基板２０が用意され、この基板２０を厚さ方向に貫通
するバイアホール２３が形成され、上下面の金属薄層６
２Ａと２２Ａに対してフォトリソグラフィーおよびエッ
チング処理を施してその一部を除去することより、図５
に示すように、残存する金属薄層により所望の態様に応
じたパターンに従う基板配線部２２と６２が形成され
る。ここで、バイアホールの内径は、形成される仲介用
導電体の所要の電気的な接続が達成されるものであれば
特に制限されるものではないが、好ましくは０．０２〜
０．５ｍｍ、さらに好ましくは０．０３〜０．３ｍｍで
ある。一方、基板２０にはテスト用ランド７０が形成さ
れる。このテスト用ランド７０は、複数個あることが好
ましく、その個数は２以上が好ましく、通常１０個以下
であり、さらに好ましくは３〜６、特に好ましくは３〜
４である。また、このテスト用ランド７０の位置は、基
板のどこに配置してもよいが、基板の外辺部や端部にあ
ることが好ましい。ここで、テスト用ランド７０のサイ
ズは、特に制限されるものではないが、好ましくは例え
ば直径０．１〜０．５ｍｍの円形のランドまたは一辺の
長さが０．１〜０．５ｍｍの正方形のランドが用いられ
る。また、テスト用ランド７０の厚さは、基板配線部２
２と同程度か、基板配線部２２の厚さの０．１〜１０倍
が好ましく、さらに好ましくは０．２〜２倍、より好ま
しくは０．３〜１．５倍、特に好ましくは０．５〜１．
２倍である。

【００１３】第２工程：この第２工程は、最終的には図
８に示すように、基板配線部２２およびバイアホール部
２３を含む基板２０の上面に、絶縁層３０が形成される
と共に、この絶縁層３０の上面に接続用電極および上面
配線部を形成するための金属層、好ましくは金属薄層３
１Ａが形成され、基板配線部６２とバイアホール部３４
を含む基板２０の下面に、絶縁層６０が形成されると共
に、この絶縁層６０の下面に接続用電極および下面配線
部を形成するための金属層、好ましくは金属薄層６１Ａ
が形成される工程である。

【００１４】具体的には、図７に示すように、熱硬化性
樹脂シート３０Ａの上面上に金属箔３１Ｃが重ねられ、
同時に熱硬化性樹脂シート６０Ａが、基板２０の下面下
に配置され、さらにこの熱硬化性樹脂シート６０Ａの下
面に金属箔６１Ｃが配置され、この状態で、例えば真空
プレス法によって熱圧着処理することにより、当該熱硬
化性樹脂シート３０Ａと６０Ａが硬化して、基板配線部
２２・６２バイアホールランド６４・２１等（図示省
略）を含む基板２０の上下面を被着面として一体的に被
着されると共に、当該熱硬化性樹脂シート３０Ａの上面
に金属箔３１Ｃが、さらに熱硬化性樹脂シート６０Ａの
下面に金属箔６１Ｃが一体的に被着され、これにより、
図８に示すように、金属薄層３１Ａ、絶縁層３０、基板
２０、絶縁層６０、及び金属薄層６１Ａがこの順で積層
された圧着積層体１０Ａが形成される。

【００１５】以上において、絶縁層３０絶縁層６０を形
成するための手段として、熱硬化性樹脂シート３０Ａ熱
硬化性樹脂シート６０Ａを、被着面に対し、加熱下にお
いて圧着する熱圧着手段が利用されるが、これにより、
例えば絶縁性樹脂層形成液を塗布し乾燥させる方法に比
して、きわめて容易に均一な厚みを有する所要の絶縁層
を確実に形成することができる。

【００１６】熱硬化性樹脂シート３０Ａ・６０Ａとして
は、形成される絶縁層の厚みが例えば２０〜１００μｍ
となる厚みのものが好ましく用いられる。また、熱圧着
により金属薄層３１Ａを形成するための金属箔３１Ｃの
厚みは、例えば５〜３５μｍであることが好ましい。ま
た、熱硬化性樹脂シートと金属箔をあらかじめ一体化し
てあるものを用いることも可能である。ここで、金属箔
が基板２０のテストランドに重なる部分にはあらかじめ
窓用の穴７１が開口されたものを用いるのが好ましい。
この窓用の穴７１の内径は、圧着積層体形成後の基板２
０のテストランドが金属薄層３１Ａ・６１Ａに妨げられ
ずに見渡せる大きさであれば特に制限されるものではな
いが、好ましくは例えば直径０．２〜１０ｍｍの円形で
ある。

【００１７】熱硬化性樹脂シート３０Ａ・６０Ａおよび
金属箔３１Ｃ・６１Ｃを熱圧着するための温度は、当該
熱硬化性樹脂シート３０Ａ・６０Ａの材質にもよるが、
当該熱硬化性樹脂シートが軟化して接着性を帯びる温度
以上であることが必要であり、通常、８０〜２５０℃、
好ましくは１４０〜２００℃程度とすることができる。
この熱圧着工程におけるプレス圧力は、例えば最高５〜
５０ｋｇ／ｃｍ² 程度であり、好ましくは２０〜４０ｋ
ｇ／ｃｍ² 程度である。この熱圧着工程は、常圧雰囲気
下で熱圧着することも可能であるが、実際上、例えば５
〜１００Ｐａ、好ましくは１０〜５０Ｐａ程度の減圧雰
囲気によるいわゆる真空プレス法によることが好まし
く、この場合には、当該熱硬化性樹脂シートと被着面と
の間に気泡が閉じ込められることが有効に防止される。
金属薄層である金属箔３１Ｃおよび／または５１Ｃに
は、平面位置としてテスト用ランドと同心で、テスト用
ランドよりも大きい穴７１を開けておくことが好まし
い。この穴７１を開けることにより、絶縁層を通してテ
スト用ランドが透視でき、その位置を確認することがで
きる。この穴７１の大きさは、０．５〜３０ｍｍが好ま
しく、さらに好ましくは１〜１５ｍｍ，特に好ましくは
２〜１０ｍｍである。

【００１８】第３工程：この第３工程は、最終的には図
１１に示すように、絶縁層３０と６０を厚さ方向に貫通
する短絡部３３と６３を形成することにより、絶縁層３
０の上面に形成された金属薄層３１Ａおよび基板配線部
２２に電気的に接続すると共に、基板２０の下面に形成
されたおよび基板配線部６２と金属薄層６１Ａに電気的
に接続する工程である。具体的には、図１０に示すよう
に、上記の圧着積層体１０Ａに対し、例えば数値制御型
ドリリング装置により、内層のテスト用ランドに、あら
かじめテスト用ホール７２Ｈを明けた後、テスト用ホー
ルと内層板のテストランドとの位置ズレ読みとる。この
テスト用ホールの径は、０．５ｍｍ以下が好ましく、さ
らに好ましくは０．０１〜０．３ｍｍ、特に好ましくは
０．０３〜０．１ｍｍである。次いでこの位置ズレを補
正した数値データを用いることにより、配線部２２およ
び／またはバイアホール部２３が形成された位置に、当
該配線部２２および／またはバイアホール部２３に到達
する深さの穴を正確に形成することができる。次いで絶
縁層６０における配線部６２および／またはバイアホー
ル部２３が形成された位置に当該ランドに到達する深さ
の短絡部形成用ドリル穴３３Ｈ・６３Ｈが形成される。
上記テスト用ランドとの位置ズレの度合いは、目視でも
よいが、カメラによる読み取り、テスト用ランドとテス
ト用ホールとの間の電気抵抗値、テスト用ランドを複数
個あるいは複数円（同心円）にしてテスト用ランドとテ
スト用ホールとの間のズレを計算するものなどが好まし
い例として挙げられる。

【００１９】以上において、導電体形成用ドリル穴３３
Ｈ・６３Ｈは、絶縁層３０における配線部２２および／
またはバイアホール部２３および絶縁層６０における配
線部６２および／またはバイアホール部２３に到達し、
かつ、基板２０を貫通しない深さで、かつ接続してはな
らない他のバイアホール部に到達しない深さのものであ
ればよく、かつバイアホール部に到達する穴の径はバイ
アホール２３の穴径より大きい径であればよい。その結
果、短絡部３３・６３による層間の電気的接続を確実に
形成することができる。また、短絡部形成用ドリル穴３
５Ｈの内径は、形成される短絡部の所要の電気的な接続
が達成されるものであれば特に制限されるものではない
が、例えば０．０２〜０．５ｍｍ、好ましくは０．０３
〜０．３ｍｍ程度である。また、短絡部形成用ドリル穴
６３Ｈの内径は例えば０．０５〜０．３ｍｍ、好ましく
は０．１〜０．１５ｍｍである。

【００２０】次に、上記の圧着積層体１０Ａに、無電解
銅メッキ法、電解銅メッキ法などのメッキ処理を行うこ
とにより、図１１に示すように、短絡部形成用ドリル穴
３３Ｈの内面と短絡部形成用ドリル穴６３Ｈの内面に銅
メッキ層３３Ａ・６３Ａ（図示省略）が形成される。

【００２１】なお、上記多層配線基板を実用に供するに
は、上記第１〜第３工程に次に説明する第４工程を加え
ることが好ましい。かかる第４工程を経ることにより、
電子部品搭載等の多層基板としての機能が付与される。
この第４工程は、最終的には図１３に示すように、絶縁
層３０の上面に、基板配線部２２および／またはバイア
ホール２３に電気的に接続された状態の接続用電極３１
が形成されると共に、多層配線基板１０の下面の端子電
極６１が形成されて、バイアホール部２３を介して、接
続用電極３１と端子電極６１および／または他の接続用
電極３１が、電気的に接続された状態の多層配線基板が
製造される工程である。具体的には、図１２に示すよう
に、圧着積層体１０Ａの上面の金属薄層３１Ａに対して
フォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施してそ
の一部を除去することより、検査対象である回路基板の
被検査電極に対応したパターンの接続用電極基層３１Ｂ
および上面配線部（図示省略）が形成される。この接続
用電極基層３１Ｂは、短絡部３３またはこれと上面配線
部３２とを介して基板配線部２２に電気的に接続された
状態である。そして、図１３に示すように、上記の接続
用電極基層３１Ｂの上面および端子電極６１に、例えば
メッキ法により金メッキ等を堆積させることにより、電
子部品搭載性および／または他の基板との接続性を高め
ることができる。

【００２２】また、基板２０の下面の金属薄層６１Ａに
対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理が施
されることにより、端子電極６１が各々基板短絡部６３
に連結された状態で形成される。

【００２３】また、第４工程、すなわち絶縁層３０の上
面に接続用電極３１を形成すると共に、基板２０の下面
に端子電極６１を形成する工程は独立して設けられる必
要はなく、その一部または全部を第１工程〜第３工程の
うちの適宜の工程において行うことができる。

【００２５】このようにして、基板２０と、この基板２
０上下に積重して設けられた絶縁層３０と６０との積層
体よりなり、上面および下面にそれぞれ接続用電極３１
および端子電極６１を有すると共に、当該接続用電極３
１が、短絡部３３、基板配線部２２と６２および基板短
絡部２３と６３を介して端子電極６１または他の接続用
電極３１に電気的に接続された多層配線基板が製造され
る。

【００２６】上記の図示の例は、多層配線基板を構成す
る基板上下に２つの絶縁層が設けられる場合であるが、
本発明においては、当該絶縁層が３つ以上設けられてい
てもよく、この場合には、前述の第１工程〜第３工程を
絶縁層の数に対応する回数繰り返して行うことにより、
当該多層配線基板を製造することができる。

【００２７】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

【００２８】実施例１（１）多層配線基板の製造第１工程：各々の厚みが９μｍの銅金属薄層（６２Ａ，
２２Ａ）を厚さ０．５ｍｍのガラス繊維補強型エポキシ
樹脂よりなる基板（２０）の両面に積層してなる材料を
用意し、これを縦３３０ｍｍ、横５００ｍｍの矩形状に
裁断して、２軸ドリリング装置を用いて、各々の内径が
０．１５ｍｍのバイアホール用穴（２３Ｈ）（図示省
略）を形成した（図４および図５参照）。次いで、銅メ
ッキにより、バイアホール用穴（２３Ｈ）（図示省略）
内に短絡部（２３）を形成すると共に、基板２０の上下
面の金属薄層（２２Ａ・６２Ａ）に対してフォトリソグ
ラフィーおよびエッチング処理を施すことにより、配線
部２２・６２とバイアホールランド部２１・６４および
直径が０．３ｍｍの円形のテスト用ランド７０を形成し
た（図４〜図６および図１４参照）。

【００２９】第２工程：厚さ３０μｍの熱硬化性樹脂シ
ート（ガラス繊維補強プリプレグ）（３０Ａ）を、配線
部（２２）を含む基板（２０）の表面に重ね、この熱硬
化性樹脂シート（３０Ａ）の上面に、厚さ７０μｍの支
持銅箔上に形成された、厚さ９μｍの剥離性電解銅箔
（３１Ｃ）を配置した。その際、この剥離性電解銅箔の
テスト用ランド７０と重なり合う位置にはそれぞれ窓と
なるべき直径６ｍｍの穴７１をあらかじめ開口した。
（図７〜図９および図１５参照）。次に、厚さ３０μｍ
の熱硬化性樹脂シート（ガラス繊維補強プリプレグ）
（６０Ａ）を、基板配線部（６２）を含む基板（２０）
の下面に重ね、この熱硬化性樹脂シート（６０Ａ）の下
面に、厚さ７０μｍの支持銅箔上に形成された、厚さ９
μｍの剥離性電解銅箔（６１Ｃ）を配置した。これらを
真空プレス機により、１０Ｐａの減圧雰囲気下におい
て、最高プレス圧力４０Ｋｇ／ｃｍ²、最高温度１８０
℃で２時間プレスし、熱圧着することにより、基板（２
０）の上下面に絶縁層（３０・６０）および金属薄層
（３１Ａと６１Ａ）が積層された圧着積層体（１０Ａ）
を形成した（図７〜図９参照）。

【００３０】第３工程：上記の圧着積層体（１０Ａ）対
して、２軸ドリリング装置を用いて、基板２０の各テス
ト用ランド７０のそれぞれの中心に対して、深さ１５０
μｍで内径が８０μｍのテスト用ホールを開けた。次い
で、ビデオルーペとモニターおよびビデオプリンターを
用いて写真をとり、テスト用ランド中心とテスト穴との
位置ズレ量および位置ズレ方向を読み取った。また、ド
リルがテストランドに到達していることも確認した。
（図１５参照）さらに、上記読み取り結果に基づきドリルデータ設計値
と基板２０配線部との位置補正値を算出し、ドリルデー
タ設計値に補正を加えた。その後、絶縁層（３０）金属
薄層（３１Ａ）における基板２０のバイアホール部２３
および／または配線部２２が形成された位置において、
深さ１８０μｍで内径が１５０μｍの短絡部形成用ドリ
ル穴（３３Ｈ）を形成した。絶縁層（６０）金属薄層
（６１Ａ）における基板２０のバイアホール部および／
または基板配線部（６２）に関連した位置においても、
同様に基板２０の各テスト用ランド７０のそれぞれの中
心に対して、深さ１５０μｍで内径が８０μｍのテスト
穴を明け、次いで、テスト用ランド中心とテスト穴との
位置ズレ量および位置ズレ方向を観察し、ドリルがテス
トランドに到達していることも確認した後、当該圧着積
層体１０Ａの絶縁層（６０）を厚み方向に深さ１８０μ
ｍで内径が１５０μｍの短絡部形成用ドリル穴（６３
Ｈ）を形成した（図１０と図１５参照）。次いで、上記
の圧着積層体１０Ａに、無電解銅メッキを行った後更に
電解銅メッキを行うことにより、短絡部形成用ドリル穴
３３Ｈと６３Ｈの内面に銅メッキ層を形成し、短絡部３
３と６３を形成した。（図１１参照）。

【００３１】第４工程：圧着積層体（１０Ａ）の上面の
金属薄層（３１Ａ）に対してフォトリソグラフィーおよ
びエッチング処理を施してその一部を除去することよ
り、上面に接続用電極基層（３１Ｂ）および上面配線部
を形成した（図１２参照）。更に、圧着積層体（１０
Ａ）の上面上に厚み５０μｍのフォトレジスト膜を設
け、これをフォトリソグラフィー法により処理して接続
用電極基層（３１Ｂ）に対応するパターンに従って除去
し、斯くして形成された穴部に厚み１μｍの金メッキを
施した。一方、圧着積層体（１０Ａ）の下面の金属薄層
（６１Ａ）に対してフォトリソグラフィーおよびエッチ
ング処理を施すことにより、配線部および端子電極６１
を形成し、以て多層配線基板（１０）を製造した（図１
３参照）。

【００３２】

【発明の効果】本発明の多層配線基板の製造方法は、テ
スト用ホールと内層板のテストランドとの位置ズレの読
みとりから、位置ズレを補正したデータを用いて、正規
のブラインドバイアホール用穴及び、外層加工用の位置
決め穴を明けるまでの一連の作業を、加工されるべき、
内層に配線層を有する多層シールド板を、加工機に固定
したままおこなうことができる。このため、接続電極ピ
ッチが微小であり、かつ微細で高密度の複雑なパターン
のものである場合にも、当該回路基板について所要の電
気的接続を確実に達成することができ、また温度変化に
よる熱履歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接
続状態が安定に維持され、従って高い接続信頼性を得る
ことができ、しかも、所望の配線構成を有する多層配線
基板の形成がきわめて容易であり、従ってきわめて有利
にかつ確実に製造することができる。本発明の多層配線
基板製造方法は、微細なバイアホールで層間を接続する
ことができ、ランドが小さくできるため、配線部を大き
い自由度でかつ容易に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層配線基板の一例における構成を示
す説明用断面図である。

【図２】本発明の多層配線基板の一例における各部の配
置の状態を示す説明用部分破断平面図である。

【図３】図１における多層配線基板の説明用拡大断面図
である。

【図４】本発明の多層配線基板を製造する方法に用いら
れる基板材料の説明用断面図である。

【図５】基板の厚さ方向にバイアホール、上面に基板配
線部および下面に基板配線部が形成された状態を示す説
明用断面図である。

【図６】図５における基板の説明用拡大断面図である。

【図７】圧着積層体を形成する部材の配置状態を示す説
明用断面図である。

【図８】圧着積層体が形成された状態を示す説明用断面
図である。。

【図９】図８における圧着積層体の説明用拡大断面図で
ある。

【図１０】圧着積層体にテスト用ドリル穴および短絡部
用ドリル穴が形成された状態を示す説明用断面図であ
る。

【図１１】テスト用ドリル穴および短絡部用ドリル穴の
内面にメッキ層が形成された状態を示す説明用断面図で
ある。

【図１２】圧着積層体の上面に接続用電極基層が形成さ
れた状態を示す説明用断面図である。

【図１３】接続用電極が形成され、端子電極が形成され
て完成した多層配線基板の説明用断面図である。

【図１４】図５における基板のテストランドおよび配線
部の位置関係の一例を示す説明図である。

【図１５】圧着積層体のテストランドにテスト用ドリル
穴が形成された状態を示す説明図である。

【符号の説明】

１０多層配線基板１０Ａ圧着積層
体２０基板２１バイアホ
ールランド部２２基板配線部２３基板短絡部２３Ｈバイア
ホール用穴３０絶縁層３０Ａ熱硬化
性樹脂シート３１接続用電極３１Ａ金属層３１Ｂ接続用電極基層３１Ｃ金属箔３２上面配線部３３短絡部３３Ａメッキ層３３Ｈ短絡部
用ドリル穴６０絶縁層６０Ａ熱硬化
性樹脂シート６１端子電極６１Ａ金属層６１Ｃ金属箔６２下面配線部６３短絡部６４バイア
ホールランド部６３Ａメッキ層６３Ｈ短絡部
用ドリル穴７０テスト用ランド７１窓用の
穴７２短絡部７２Ｈテスト
用ブラインドホール

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上下面に配線部を有し、厚さ方向にバイ
アホールを有する基板と、この配線部を含む基板上下に
積重して設けられた少なくとも２つの絶縁層とを有し、
該絶縁層の外側に金属層が形成されてなる積層板を用
い、該積層板の基板上にテストランドを形成しておき、
このテストランドにテスト用ホールをあけて、テスト用
ホールと内層板のテストランドとの位置ズレを読みと
り、次いでこの位置ズレを補正した位置で絶縁層にブラ
インドバイアホール用穴を形成することを特徴とする多
層配線基板の製造方法。
【請求項２】テスト用ホールとテストランドとの位置
ズレの読みとりから、位置ズレを補正してブラインドバ
イアホール用穴を形成するまでの行程を、積層板を加工
機に固定したまま行うことを特徴とする請求項１記載の
多層配線基板の製造方法。