JP2616588B2 - ポリイミド多層配線基板およびその製造方法 - Google Patents
ポリイミド多層配線基板およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック基板または
硬質有機樹脂基板上に層間絶縁としてポリイミド樹脂を
採用した多層配線層を有するポリイミド多層配線基板の
構造および製造方法に関する。
硬質有機樹脂基板上に層間絶縁としてポリイミド樹脂を
採用した多層配線層を有するポリイミド多層配線基板の
構造および製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩチップを搭載する配線基板とし
て、従来から多層プリント配線基板が使用されてきた。
多層プリント配線基板は、銅張り積層板をコア材に、プ
リプレグをコア材の接着剤として構成され、コア材とプ
リプレグを交互に積層し熱プレスを使用して一体化す
る。積層板間の電気的的接続はコア材とプリプレグを一
体化した後、ドリルによって貫通スルーホールを形成
し、貫通スルーホール内壁を銅メッキすることによって
行われる。また、近年、多層プリント配線基板より高配
線密度を要求されている大型コンピュータ用配線基板
に、セラミック基板上にポリイミド樹脂を層間絶縁に使
用した多層配線基板が使用されてきている。このポリイ
ミド・セラミック多層配線基板は、セラミック基板上に
ポリイミド前駆体ワニスを塗布、乾燥し、この塗布膜に
ヴァイホールを形成するポリイミド樹脂絶縁層形成工程
と、フォトリソグラフィー、真空蒸着およびメッキ法を
使用した配線層形成工程とからなり、かつ、この一連の
工程を繰り返すことにより、ポリイミド多層配線層の形
成を行っていた。また、上述したポリイミド・セラミッ
ク多層配線基板の形成方法とは別にポリイミドシート上
に配線パターンを形成し、そのシートをセラミック基板
上に位置合わせを行って順次、加圧積層を行い多層配線
基板の形成を行う方法もある。この方法は、信号層をシ
ート単位で形成するため、欠陥のないシートを選別して
積層する事が可能となり、上述した逐次積層方法よりも
製造歩留をあげることができる。
て、従来から多層プリント配線基板が使用されてきた。
多層プリント配線基板は、銅張り積層板をコア材に、プ
リプレグをコア材の接着剤として構成され、コア材とプ
リプレグを交互に積層し熱プレスを使用して一体化す
る。積層板間の電気的的接続はコア材とプリプレグを一
体化した後、ドリルによって貫通スルーホールを形成
し、貫通スルーホール内壁を銅メッキすることによって
行われる。また、近年、多層プリント配線基板より高配
線密度を要求されている大型コンピュータ用配線基板
に、セラミック基板上にポリイミド樹脂を層間絶縁に使
用した多層配線基板が使用されてきている。このポリイ
ミド・セラミック多層配線基板は、セラミック基板上に
ポリイミド前駆体ワニスを塗布、乾燥し、この塗布膜に
ヴァイホールを形成するポリイミド樹脂絶縁層形成工程
と、フォトリソグラフィー、真空蒸着およびメッキ法を
使用した配線層形成工程とからなり、かつ、この一連の
工程を繰り返すことにより、ポリイミド多層配線層の形
成を行っていた。また、上述したポリイミド・セラミッ
ク多層配線基板の形成方法とは別にポリイミドシート上
に配線パターンを形成し、そのシートをセラミック基板
上に位置合わせを行って順次、加圧積層を行い多層配線
基板の形成を行う方法もある。この方法は、信号層をシ
ート単位で形成するため、欠陥のないシートを選別して
積層する事が可能となり、上述した逐次積層方法よりも
製造歩留をあげることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した多層プリント
配線基板は、積層板間の電気的接続をドリル加工で形成
した貫通スルーホールで行うため、微細な貫通スルーホ
ールの形成は不可能であり、このためスルーホール間に
形成できる配線本数が限られてくる。また、一つの積層
板間の接続に一つの貫通スルーホールが必要となり、積
層数が増えるほど信号配線収容性が低下し、高配線密度
の多層プリント配線基板を形成する事が困難になってく
るという欠点がある。また、上述した従来の多層プリン
ト配線基板の欠点を補うために、最近開発されたポリイ
ミド・セラミック多層配線基板は、ポリイミド絶縁層の
積層数と同じ回数だけ、セラミック基板上にポリイミド
前駆体ワニスの塗布、乾燥、ヴァイホールの形成、およ
びキュアの各工程を繰り返し行う必要がある。このた
め、多層配線基板の積層工程に非常に時間がかかる。ま
た、ポリイミド樹脂に多数回にわたるキュア工程の熱ス
トレスが加わり、このためにポリイミド樹脂が劣化して
いくという欠点がある。さらにこのポリイミド多層配線
層は逐次積層方式であるため製造歩留の向上が困難であ
る。また、製造歩留を向上させる方法として開発された
シート単位の積層方式も、１層ずつ順次加圧積層を行う
ため、高多層になるほど下層部分のポリイミド樹脂間ス
トレスが加わりポリイミド樹脂の劣化が起きること、お
よび基板製作日数が長いという欠点は改善されていな
い。本発明は上述した点に鑑みなされたものであり、そ
の目的は高配線密度でかつ製造歩留の向上および製造日
数の短縮を図ったポリイミド多層配線基板を提供する。
配線基板は、積層板間の電気的接続をドリル加工で形成
した貫通スルーホールで行うため、微細な貫通スルーホ
ールの形成は不可能であり、このためスルーホール間に
形成できる配線本数が限られてくる。また、一つの積層
板間の接続に一つの貫通スルーホールが必要となり、積
層数が増えるほど信号配線収容性が低下し、高配線密度
の多層プリント配線基板を形成する事が困難になってく
るという欠点がある。また、上述した従来の多層プリン
ト配線基板の欠点を補うために、最近開発されたポリイ
ミド・セラミック多層配線基板は、ポリイミド絶縁層の
積層数と同じ回数だけ、セラミック基板上にポリイミド
前駆体ワニスの塗布、乾燥、ヴァイホールの形成、およ
びキュアの各工程を繰り返し行う必要がある。このた
め、多層配線基板の積層工程に非常に時間がかかる。ま
た、ポリイミド樹脂に多数回にわたるキュア工程の熱ス
トレスが加わり、このためにポリイミド樹脂が劣化して
いくという欠点がある。さらにこのポリイミド多層配線
層は逐次積層方式であるため製造歩留の向上が困難であ
る。また、製造歩留を向上させる方法として開発された
シート単位の積層方式も、１層ずつ順次加圧積層を行う
ため、高多層になるほど下層部分のポリイミド樹脂間ス
トレスが加わりポリイミド樹脂の劣化が起きること、お
よび基板製作日数が長いという欠点は改善されていな
い。本発明は上述した点に鑑みなされたものであり、そ
の目的は高配線密度でかつ製造歩留の向上および製造日
数の短縮を図ったポリイミド多層配線基板を提供する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明に係るポリイミド多層配線基板は複数の配線
層の積層体を一つのブロックとしてこのブロックを複数
個積層した積層構造とし、各ブロック間の電気的接続を
各ブロックの積層体の表面上に形成された金属バンプ
と、半田プールとの鑞着により行うようにしたものであ
り、その製造方法として、各ブロック間の接合面の少な
くともどちらか一方にガラス転移点を有するポリイミド
樹脂を使用し、各ブロックの接合をポリイミド樹脂の自
己接着性で接着するとともに、金属バンプと半田プール
とを鑞着して積層体間を電気的に接続したものであり、
また別の製造方法として、各ブロック間の接合面に溶融
硬化型または溶融型接着剤を使用し、各ブロックの接合
をこの溶融硬化型接着剤または溶融型接着剤で接着する
とともに、金属バンプと半田プールとを鑞着して積層体
間を電気的に接続したものである。
に、本発明に係るポリイミド多層配線基板は複数の配線
層の積層体を一つのブロックとしてこのブロックを複数
個積層した積層構造とし、各ブロック間の電気的接続を
各ブロックの積層体の表面上に形成された金属バンプ
と、半田プールとの鑞着により行うようにしたものであ
り、その製造方法として、各ブロック間の接合面の少な
くともどちらか一方にガラス転移点を有するポリイミド
樹脂を使用し、各ブロックの接合をポリイミド樹脂の自
己接着性で接着するとともに、金属バンプと半田プール
とを鑞着して積層体間を電気的に接続したものであり、
また別の製造方法として、各ブロック間の接合面に溶融
硬化型または溶融型接着剤を使用し、各ブロックの接合
をこの溶融硬化型接着剤または溶融型接着剤で接着する
とともに、金属バンプと半田プールとを鑞着して積層体
間を電気的に接続したものである。
【０００５】
【作用】本発明に係るポリイミド多層配線基板において
は、複数の配線層の積層体を一つのブロックとしこのブ
ロックを複数個積層した積層構造としたので、各ブロッ
クを並行して製造できると同時に各ブロック単位の製造
精度は向上し、また各ブロック間の電気的接続は金属バ
ンプと、半田プールとの鑞着で行うようにしたものであ
り、酸化や腐食が起こりにくい。また、各ブロック間の
接合をガラス転移点を有するポリイミド樹脂の自己接着
性で、あるいは溶融硬化型接着剤または溶融型接着剤で
行うものであり、一定の加圧・加熱条件を与える事によ
り、接着が行える。
は、複数の配線層の積層体を一つのブロックとしこのブ
ロックを複数個積層した積層構造としたので、各ブロッ
クを並行して製造できると同時に各ブロック単位の製造
精度は向上し、また各ブロック間の電気的接続は金属バ
ンプと、半田プールとの鑞着で行うようにしたものであ
り、酸化や腐食が起こりにくい。また、各ブロック間の
接合をガラス転移点を有するポリイミド樹脂の自己接着
性で、あるいは溶融硬化型接着剤または溶融型接着剤で
行うものであり、一定の加圧・加熱条件を与える事によ
り、接着が行える。
【０００６】
【実施例】以下、図面にもとずき本発明を詳細に説明す
る。図１は本発明の第１の実施例で、ポリイミド多層配
線基板の構造を示す断面図である。同図において、ポリ
イミド多層配線基板の基本仕様としては、配線層間絶縁
厚２０μｍ、信号線幅２５μｍ、信号線膜幅７μｍであ
り、ポリイミド樹脂にはガラス点を有するポリイミド
を、配線金属には金をそれぞれ使用している。ポリイミ
ド多層配線層の第１のブロック１は接地および接続配線
層３、１組の信号配線層７、８および金のバンプ１０と
からなる。ポリイミド多層配線層の第２のブロック１２
は入出力ピン１４を裏面に設け内部に配線層を有するセ
ラミック基板１５上に配設された１組の接地および接続
配線層１６、２４、１組の信号配線層１９、２０および
半田プール２７とからなる。セラミック基板１５はモリ
ブデン金属の同時焼成アルミナセラミック基板からな
る。また、信号配線層７、８、１９および２０はインピ
ーダンスの調整およびクロストークノイズの低減を行っ
ている。
る。図１は本発明の第１の実施例で、ポリイミド多層配
線基板の構造を示す断面図である。同図において、ポリ
イミド多層配線基板の基本仕様としては、配線層間絶縁
厚２０μｍ、信号線幅２５μｍ、信号線膜幅７μｍであ
り、ポリイミド樹脂にはガラス点を有するポリイミド
を、配線金属には金をそれぞれ使用している。ポリイミ
ド多層配線層の第１のブロック１は接地および接続配線
層３、１組の信号配線層７、８および金のバンプ１０と
からなる。ポリイミド多層配線層の第２のブロック１２
は入出力ピン１４を裏面に設け内部に配線層を有するセ
ラミック基板１５上に配設された１組の接地および接続
配線層１６、２４、１組の信号配線層１９、２０および
半田プール２７とからなる。セラミック基板１５はモリ
ブデン金属の同時焼成アルミナセラミック基板からな
る。また、信号配線層７、８、１９および２０はインピ
ーダンスの調整およびクロストークノイズの低減を行っ
ている。
【０００７】本実施例では４個のブロックから構成さ
れ、各ブロックは完成時点で電気検査を行い良品ブロッ
クが選別され、次工程のブロック間接続工程に進む。各
ブロック間の接続は各ブロックの最上層のガラス転移点
を有するポリイミド４、２６で接着されている。そし
て、各ブロックの電気的な接続はニッケルメッキ上に金
メッキを行ったニッケル・金バンプ１０と金錫半田プー
ル２７との鑞着でおこなっている。本実施例において
は、半田プールのサイズが、５０〜５００μｍ角、深さ
１０〜１００μｍ、ニッケル・金バンプのサイズは２５
〜３００μｍ角、１０〜５０μｍの厚みで形成されてい
る。そして、最上層にはＬＳＩを搭載するためのＬＳＩ
接続用パッド３３が形成されている。
れ、各ブロックは完成時点で電気検査を行い良品ブロッ
クが選別され、次工程のブロック間接続工程に進む。各
ブロック間の接続は各ブロックの最上層のガラス転移点
を有するポリイミド４、２６で接着されている。そし
て、各ブロックの電気的な接続はニッケルメッキ上に金
メッキを行ったニッケル・金バンプ１０と金錫半田プー
ル２７との鑞着でおこなっている。本実施例において
は、半田プールのサイズが、５０〜５００μｍ角、深さ
１０〜１００μｍ、ニッケル・金バンプのサイズは２５
〜３００μｍ角、１０〜５０μｍの厚みで形成されてい
る。そして、最上層にはＬＳＩを搭載するためのＬＳＩ
接続用パッド３３が形成されている。
【０００８】図２は本発明の第２の実施例を示すもので
あり、上述した第１の実施例ではセラミック基板１５上
にポリイミド多層配線層を形成したが、本実施例におい
ては、セラミック基板１５の代わりに硬質有機樹脂基
板、例えば、ポリイミド樹脂の成形基板４０を使用して
いる。この場合の入出力ピン４１は、ポリイミド樹脂の
成形基板４０に貫通スルーホールを形成し打ち込んでい
る。このポリイミド樹脂の成形基板４０を使用したポリ
イミド多層配線基板は、土台となるポリイミド樹脂成形
基板４０と配線層を有するポリイミド多層配線層の熱膨
張係数を正確に合わせることが可能であり、特に大面積
高積層配線基板の製造に適している。
あり、上述した第１の実施例ではセラミック基板１５上
にポリイミド多層配線層を形成したが、本実施例におい
ては、セラミック基板１５の代わりに硬質有機樹脂基
板、例えば、ポリイミド樹脂の成形基板４０を使用して
いる。この場合の入出力ピン４１は、ポリイミド樹脂の
成形基板４０に貫通スルーホールを形成し打ち込んでい
る。このポリイミド樹脂の成形基板４０を使用したポリ
イミド多層配線基板は、土台となるポリイミド樹脂成形
基板４０と配線層を有するポリイミド多層配線層の熱膨
張係数を正確に合わせることが可能であり、特に大面積
高積層配線基板の製造に適している。
【０００９】図３は図１に示したポリイミド多層配線基
板の製造工程を示す図である。同図において、まず、ポ
リイミド多層配線層の第１のブロック１の形成方法を工
程（ａ）から工程（ｅ）にしたがって説明する。工程
（ａ）において、アルミニウムの平坦な板（以下アルミ
ニウム平板と称する）２上にフォトレジストを用いたフ
ォトリソグラフィでパターン化し、電解金メッキを行い
接地および接続配線層３を形成する。工程（ｂ）におい
て、感光性ポリイミドワニス４をアルミニウム平板２上
に塗布し、露光・現像を行い所定の位置にヴィアホール
５を形成し、キュアを行う。
板の製造工程を示す図である。同図において、まず、ポ
リイミド多層配線層の第１のブロック１の形成方法を工
程（ａ）から工程（ｅ）にしたがって説明する。工程
（ａ）において、アルミニウムの平坦な板（以下アルミ
ニウム平板と称する）２上にフォトレジストを用いたフ
ォトリソグラフィでパターン化し、電解金メッキを行い
接地および接続配線層３を形成する。工程（ｂ）におい
て、感光性ポリイミドワニス４をアルミニウム平板２上
に塗布し、露光・現像を行い所定の位置にヴィアホール
５を形成し、キュアを行う。
【００１０】工程（ｃ）において、一組の信号配線層
６、７を層間絶縁に感光性ポリイミド８を使用して形成
する。形成方法は工程（ａ）で接地および接続層を形成
した方法で信号配線層６、７を形成し、工程（ｂ）で絶
縁層を形成した方法で信号層間絶縁層８を形成する。工
程（ｄ）において、第２信号配線層７上にポリイミドワ
ニス４を塗布し、露光・現像を行い所定の位置にヴィア
ホール９を形成し、キュアを行う。工程（ｅ）におい
て、工程（ｄ）で必要総数を形成した多層配線層の最上
層に、工程（ｆ）以降で形成する多層配線層と電気的接
続を行う位置に接続用バンプ１０を形成する。バンプ１
０はフォトレジストを使用したフォトリソグラフィーで
パターン化し、電解ニッケルメッキおよび電解金メッキ
で形成する。ニッケルメッキは後述する金錫半田の金配
線層への拡散防止層である。各々のメッキ厚はニッケル
１０μｍ、金３μｍである。
６、７を層間絶縁に感光性ポリイミド８を使用して形成
する。形成方法は工程（ａ）で接地および接続層を形成
した方法で信号配線層６、７を形成し、工程（ｂ）で絶
縁層を形成した方法で信号層間絶縁層８を形成する。工
程（ｄ）において、第２信号配線層７上にポリイミドワ
ニス４を塗布し、露光・現像を行い所定の位置にヴィア
ホール９を形成し、キュアを行う。工程（ｅ）におい
て、工程（ｄ）で必要総数を形成した多層配線層の最上
層に、工程（ｆ）以降で形成する多層配線層と電気的接
続を行う位置に接続用バンプ１０を形成する。バンプ１
０はフォトレジストを使用したフォトリソグラフィーで
パターン化し、電解ニッケルメッキおよび電解金メッキ
で形成する。ニッケルメッキは後述する金錫半田の金配
線層への拡散防止層である。各々のメッキ厚はニッケル
１０μｍ、金３μｍである。
【００１１】次に、上述した第１のブロック１とは別の
第２のブロック１２の形成方法を工程（ｆ）から工程
（ｌ）にしたがって説明する。工程（ｆ）において、信
号入出力ピンおよび電源ピン１４が裏面にあるセラミッ
ク基板１５上にフォトレジストを用いたフォトリソグラ
フィーでパターン化し、電解金メッキを行い第１の接地
および接続配線層１６を形成する。工程（ｇ）におい
て、感光性ポリイミドワニス４を接地および接続配線層
１６を形成したセラミック基板１５上に塗布し、露光・
現像を行い所定の位置にヴィアホール１８を形成し、キ
ュアを行う。工程（ｈ）において一組の信号配線層１
９、２０を層間絶縁に感光性ポリイミド２１を使用して
形成する。
第２のブロック１２の形成方法を工程（ｆ）から工程
（ｌ）にしたがって説明する。工程（ｆ）において、信
号入出力ピンおよび電源ピン１４が裏面にあるセラミッ
ク基板１５上にフォトレジストを用いたフォトリソグラ
フィーでパターン化し、電解金メッキを行い第１の接地
および接続配線層１６を形成する。工程（ｇ）におい
て、感光性ポリイミドワニス４を接地および接続配線層
１６を形成したセラミック基板１５上に塗布し、露光・
現像を行い所定の位置にヴィアホール１８を形成し、キ
ュアを行う。工程（ｈ）において一組の信号配線層１
９、２０を層間絶縁に感光性ポリイミド２１を使用して
形成する。
【００１２】工程（ｉ）において、感光性ポリイミドワ
ニス２２を信号配線２０上に塗布し、露光・現像を行い
所定の位置にヴィアホール２３を形成し、キュアを行
う。工程（ｊ）において、第２の接地および接続配線層
２４をポリイミド層２２上に形成する。工程（ｋ）にお
いて、第２の接地および接続配線層２４の上にヴィアホ
ール２５が形成されたポリイミド層２６を形成する。こ
のポリイミド層２６はガラス転移点を有するポリイミド
樹脂からなる。工程（ｌ）において、工程（ｋ）で形成
したポリイミド層２６上に金錫半田プール２７を形成す
る。金錫半田プール２７はフォトレジストを使用したフ
ォトリソグラフィーでパターン化し、まず、厚さ３μｍ
の電解ニッケルメッキを形成し、次に電解錫メッキおよ
び電解金メッキの多層メッキを形成する。金と錫の多層
メッキは後工程のポリイミド層接着工程時の熱で融解し
金錫の合金半田となる。また、金と錫の多層メッキは金
対錫の重量比が４対１になるように膜厚比を１０対７と
し、各々の膜厚は金メッキが１μｍ、錫メッキが０．７
μｍで合計６層（金錫多層メッキ武装膜厚１０．２μ
ｍ）形成する。
ニス２２を信号配線２０上に塗布し、露光・現像を行い
所定の位置にヴィアホール２３を形成し、キュアを行
う。工程（ｊ）において、第２の接地および接続配線層
２４をポリイミド層２２上に形成する。工程（ｋ）にお
いて、第２の接地および接続配線層２４の上にヴィアホ
ール２５が形成されたポリイミド層２６を形成する。こ
のポリイミド層２６はガラス転移点を有するポリイミド
樹脂からなる。工程（ｌ）において、工程（ｋ）で形成
したポリイミド層２６上に金錫半田プール２７を形成す
る。金錫半田プール２７はフォトレジストを使用したフ
ォトリソグラフィーでパターン化し、まず、厚さ３μｍ
の電解ニッケルメッキを形成し、次に電解錫メッキおよ
び電解金メッキの多層メッキを形成する。金と錫の多層
メッキは後工程のポリイミド層接着工程時の熱で融解し
金錫の合金半田となる。また、金と錫の多層メッキは金
対錫の重量比が４対１になるように膜厚比を１０対７と
し、各々の膜厚は金メッキが１μｍ、錫メッキが０．７
μｍで合計６層（金錫多層メッキ武装膜厚１０．２μ
ｍ）形成する。
【００１３】工程（ｍ）において、工程（ａ）から工程
（ｅ）で形成したアルミニウム平板２上に形成した接続
用金属バンプを有するポリイミド多層配線層の第１のブ
ロック１と、工程（ｆ）から工程（ｌ）で形成したセラ
ミック基板１５上に形成した半田プール２７を有するポ
リイミド多層配線層の第２のブロック１２との位置合わ
せを行った後重ね合わせ、加圧およびポリイミド樹脂の
ガラス転移点を越える温度まで加熱を行い、互いのポリ
イミド膜を接着し固定する。この時、金と錫の多層メッ
キは溶融し金錫の合金半田となり、金属バンプ１０と接
合し、二つの積層体１および１２が電気的に接続する。
加圧および加熱方法は以下の通りである。加圧・加熱は
オートクレーブ型真空プレス装置を使用し、加圧気体は
窒素ガスを使用し、加圧は基板温度２５０℃までは３kg
／cm2、基板温度２５０℃から３５０℃までは１４kg／c
m2で行う。この時、基板はプラテン上に置かれポリイミ
ドフィルムを用いて密封して、内部を真空ポンプを接続
して内部を１０Torr以下の減圧状態にする。
（ｅ）で形成したアルミニウム平板２上に形成した接続
用金属バンプを有するポリイミド多層配線層の第１のブ
ロック１と、工程（ｆ）から工程（ｌ）で形成したセラ
ミック基板１５上に形成した半田プール２７を有するポ
リイミド多層配線層の第２のブロック１２との位置合わ
せを行った後重ね合わせ、加圧およびポリイミド樹脂の
ガラス転移点を越える温度まで加熱を行い、互いのポリ
イミド膜を接着し固定する。この時、金と錫の多層メッ
キは溶融し金錫の合金半田となり、金属バンプ１０と接
合し、二つの積層体１および１２が電気的に接続する。
加圧および加熱方法は以下の通りである。加圧・加熱は
オートクレーブ型真空プレス装置を使用し、加圧気体は
窒素ガスを使用し、加圧は基板温度２５０℃までは３kg
／cm2、基板温度２５０℃から３５０℃までは１４kg／c
m2で行う。この時、基板はプラテン上に置かれポリイミ
ドフィルムを用いて密封して、内部を真空ポンプを接続
して内部を１０Torr以下の減圧状態にする。
【００１４】工程（ｎ）において、１６％塩酸水溶液に
工程（ｍ）で接着済みの積層体１および１２を浸漬し、
アルミニウム平板２を溶解除去する。工程（ｏ）におい
て、工程（ｎ）で新たに露出した接地および接続配線層
３上に感光ポリイミド２８を塗布し、露光・現像を行い
所定に位置にヴィアホール２９を形成し、キュアを行
う。工程（ｐ）において、ポリイミド層２８上に金錫半
田プール３０を形成する。工程（ｑ）において、工程
（ａ）から工程（ｐ）で形成したポリイミド配線層積層
体３１上に、工程（ａ）から工程（ｅ）で形成した別の
ポリイミド配線層３２を工程（ｍ）から工程（ｐ）まで
の方法で積層一体化する。工程（ｒ）において、設計し
た配線総数になるまで工程（ｑ）を繰り返す。
工程（ｍ）で接着済みの積層体１および１２を浸漬し、
アルミニウム平板２を溶解除去する。工程（ｏ）におい
て、工程（ｎ）で新たに露出した接地および接続配線層
３上に感光ポリイミド２８を塗布し、露光・現像を行い
所定に位置にヴィアホール２９を形成し、キュアを行
う。工程（ｐ）において、ポリイミド層２８上に金錫半
田プール３０を形成する。工程（ｑ）において、工程
（ａ）から工程（ｐ）で形成したポリイミド配線層積層
体３１上に、工程（ａ）から工程（ｅ）で形成した別の
ポリイミド配線層３２を工程（ｍ）から工程（ｐ）まで
の方法で積層一体化する。工程（ｒ）において、設計し
た配線総数になるまで工程（ｑ）を繰り返す。
【００１５】工程（ｓ）において、多層配線基板とＬＳ
Ｉチップの配線とを接続する接続電極層３３を形成す
る。この工程（ｓ）は工程（ｒ）において、工程（ｍ）
から工程（ｏ）を行い、次に工程（ｏ）で形成したポリ
イミド層２８上にＬＳＩチップが封入されたチップキャ
リアにバンプと半田接続を行う接続電極パッド３３を形
成する。この時、ＬＳＩチップキャリアのバンプと接続
電極パッドをつなぐ半田には錫鉛半田をし要旨、接続電
極パッド３３は錫鉛半田喰われのない銅メッキで形成す
る。また、金属配線材料として銅などの低抵抗金属を使
用してもよい。
Ｉチップの配線とを接続する接続電極層３３を形成す
る。この工程（ｓ）は工程（ｒ）において、工程（ｍ）
から工程（ｏ）を行い、次に工程（ｏ）で形成したポリ
イミド層２８上にＬＳＩチップが封入されたチップキャ
リアにバンプと半田接続を行う接続電極パッド３３を形
成する。この時、ＬＳＩチップキャリアのバンプと接続
電極パッドをつなぐ半田には錫鉛半田をし要旨、接続電
極パッド３３は錫鉛半田喰われのない銅メッキで形成す
る。また、金属配線材料として銅などの低抵抗金属を使
用してもよい。
【００１６】図４は図１に示したポリイミド多層配線基
板の製造方法の第２の実施例の製造工程を図示したもの
である。ポリイミド樹脂にはガラス転移点約２７０℃の
感光性ポリイミドを、配線金属には銅およびニッケルの
多層メッキを使用し、各々の膜厚は銅メッキ６．５μ
ｍ、ニッケルメッキ０．５μｍである。ここで銅メッキ
上のニッケルメッキは、本実施例で使用する感光性ポリ
イミドが金属銅と反応しやすく、ポリイミドに悪影響を
与えるため、金属銅と感光性ポリイミドが直接接触しな
いようにするバリアメタルである。同図において、工程
（ａ）から工程（ｄ）で示す工程は図３で示した工程
（ａ）から工程（ｄ）で示した工程と同一なので説明は
省略する。工程（ｅ）において、ヴィアホール９に接続
用錫鉛半田プール３４を形成する。錫鉛半田プール３４
はフォトレジストを使用したフォトリソグラフィーでパ
ターン化し、電解錫鉛半田メッキで形成する。半田メッ
キ膜厚は１０μｍである。
板の製造方法の第２の実施例の製造工程を図示したもの
である。ポリイミド樹脂にはガラス転移点約２７０℃の
感光性ポリイミドを、配線金属には銅およびニッケルの
多層メッキを使用し、各々の膜厚は銅メッキ６．５μ
ｍ、ニッケルメッキ０．５μｍである。ここで銅メッキ
上のニッケルメッキは、本実施例で使用する感光性ポリ
イミドが金属銅と反応しやすく、ポリイミドに悪影響を
与えるため、金属銅と感光性ポリイミドが直接接触しな
いようにするバリアメタルである。同図において、工程
（ａ）から工程（ｄ）で示す工程は図３で示した工程
（ａ）から工程（ｄ）で示した工程と同一なので説明は
省略する。工程（ｅ）において、ヴィアホール９に接続
用錫鉛半田プール３４を形成する。錫鉛半田プール３４
はフォトレジストを使用したフォトリソグラフィーでパ
ターン化し、電解錫鉛半田メッキで形成する。半田メッ
キ膜厚は１０μｍである。
【００１７】工程（ｆ）から工程（ｋ）で示す工程は図
３で示した工程（ｆ）から工程（ｋ）で示した工程と同
一なので説明は省略する。（ｌ）において、工程（ｋ）
で形成した多層配線層の最上層２６のヴィアホール２５
に接続用銅バンプ３５を形成する。バンプ３５はフォト
レジストを使用したフォトリソグラフィーでパターン化
し、電解銅メッキで形成する。バンプ３５の厚さは１５
μｍである。工程（ｍ）におけるブロック１およびブロ
ック１２の接合工程、工程（ｎ）から工程（ｐ）におけ
る新たなバンプ３５に形成工程および工程（ｑ）から工
程（ｓ）におけるＬＳＩ接続電極パッド３３の形成工程
は図３で示した工程（ｍ）から工程（ｓ）で示した工程
と同一なので説明は省略する。
３で示した工程（ｆ）から工程（ｋ）で示した工程と同
一なので説明は省略する。（ｌ）において、工程（ｋ）
で形成した多層配線層の最上層２６のヴィアホール２５
に接続用銅バンプ３５を形成する。バンプ３５はフォト
レジストを使用したフォトリソグラフィーでパターン化
し、電解銅メッキで形成する。バンプ３５の厚さは１５
μｍである。工程（ｍ）におけるブロック１およびブロ
ック１２の接合工程、工程（ｎ）から工程（ｐ）におけ
る新たなバンプ３５に形成工程および工程（ｑ）から工
程（ｓ）におけるＬＳＩ接続電極パッド３３の形成工程
は図３で示した工程（ｍ）から工程（ｓ）で示した工程
と同一なので説明は省略する。
【００１８】図５は図１に示したポリイミド多層配線基
板の製造方法の第３の実施例の製造工程を図示したもの
である。本実施例の特徴とするところはポリイミド樹脂
にガラス転移点が低い低熱膨張率感光性ポリイミドを、
また、接着剤には溶融硬化型であるマレイミド樹脂を使
用している点にある。同図において、工程（ａ）から工
程（ｅ）で示すポリイミド多層配線層の第１のブロック
１の形成方法は図３における工程（ａ）から工程（ｅ）
で示した形成方法と同一なので説明は省略する。工程
（ｆ）において、工程（ｅ）で形成した多層配線層の最
上層に、マレイミド樹脂ワニス３５を塗布し、熱循環オ
ーブンで乾燥する。
板の製造方法の第３の実施例の製造工程を図示したもの
である。本実施例の特徴とするところはポリイミド樹脂
にガラス転移点が低い低熱膨張率感光性ポリイミドを、
また、接着剤には溶融硬化型であるマレイミド樹脂を使
用している点にある。同図において、工程（ａ）から工
程（ｅ）で示すポリイミド多層配線層の第１のブロック
１の形成方法は図３における工程（ａ）から工程（ｅ）
で示した形成方法と同一なので説明は省略する。工程
（ｆ）において、工程（ｅ）で形成した多層配線層の最
上層に、マレイミド樹脂ワニス３５を塗布し、熱循環オ
ーブンで乾燥する。
【００１９】工程（ｇ）において、工程（ｅ）で形成し
たバンプ１０上にのっているマレイミド樹脂３５を除去
する。除去工程は以下の通りである。すなわち、フォト
レジストを使用したフォトレソグラフィー工程およびス
パッタによる銅薄膜形成工程を用いたリフトオフ法で工
程（ｅ）で形成したバンプ１０上以外のマレイミド樹脂
３５上に銅薄膜層を０．５μｍ形成し、次に酸素ガスを
用いたプラズマエッチング処理で露出しているマレイミ
ド樹脂３５を除去し、接続用バンプ１０を露出させ、次
にウェットエッチング法でマレイミド樹脂３５上の銅薄
膜を除去する。工程（ｈ）から工程（ｍ）で示すポリイ
ミド多層配線層の第２のブロック１２の形成方法は図３
における工程（ｈ）から工程（ｍ）で示した形成方法と
同一なので説明は省略する。工程（ｎ）において、工程
（ｍ）で形成したポリイミド層２８上に錫鉛ビスマスク
系半田プール３７を形成する。半田プール３７はフォト
レジストを使用したフォトリソグラフィーでパターン化
し、フォトレジストをマスクとして埋込み印刷で形成す
る。
たバンプ１０上にのっているマレイミド樹脂３５を除去
する。除去工程は以下の通りである。すなわち、フォト
レジストを使用したフォトレソグラフィー工程およびス
パッタによる銅薄膜形成工程を用いたリフトオフ法で工
程（ｅ）で形成したバンプ１０上以外のマレイミド樹脂
３５上に銅薄膜層を０．５μｍ形成し、次に酸素ガスを
用いたプラズマエッチング処理で露出しているマレイミ
ド樹脂３５を除去し、接続用バンプ１０を露出させ、次
にウェットエッチング法でマレイミド樹脂３５上の銅薄
膜を除去する。工程（ｈ）から工程（ｍ）で示すポリイ
ミド多層配線層の第２のブロック１２の形成方法は図３
における工程（ｈ）から工程（ｍ）で示した形成方法と
同一なので説明は省略する。工程（ｎ）において、工程
（ｍ）で形成したポリイミド層２８上に錫鉛ビスマスク
系半田プール３７を形成する。半田プール３７はフォト
レジストを使用したフォトリソグラフィーでパターン化
し、フォトレジストをマスクとして埋込み印刷で形成す
る。
【００２０】工程（ｏ）において、工程（ａ）から工程
（ｇ）で形成したアルミニウム平板２上のマレイミド樹
脂接着層３５を有するポリイミド多層配線層の第１のブ
ロック１と、工程（ｈ）から工程（ｎ）で形成したセラ
ミック基板１５上の錫鉛半田プール３７を有するポリイ
ミド多層配線層の第２のブロック１２とを位置合わせ後
重ね合わせ、加圧およびマレイミド樹脂の流動温度まで
加熱を行い、互いのポリイミド多層配線層のブロック１
および１２を接着し固定する。この時、錫鉛半田３７は
溶解し、工程（ｅ）で形成したバンプ１０と接合し、二
つの積層体１および１２とが電気的に接続する。加圧お
よび加熱方法は以下の通りである。加圧・加熱はオート
クレーブ型真空プレス装置を使用し、加圧気体は窒素ガ
スを使用し、加圧は基板温度１３０℃までは３kg／c
m2、基板温度１３０℃から１８０℃までは１４kg／cm2
で行う。この時、基板はプラテン上に置かれポリイミド
フィルムを用いて密封して、真空ポンプを接続して内部
を１０Torr以下の減圧状態にする。工程（ｐ）から工程
（ｓ）で示すアルミニウム平板２の除去工程、新たな半
田プールの形成工程及び積層一体化工程は図３に示した
工程（ｑ）から工程（ｓ）と同一なので説明は省略す
る。
（ｇ）で形成したアルミニウム平板２上のマレイミド樹
脂接着層３５を有するポリイミド多層配線層の第１のブ
ロック１と、工程（ｈ）から工程（ｎ）で形成したセラ
ミック基板１５上の錫鉛半田プール３７を有するポリイ
ミド多層配線層の第２のブロック１２とを位置合わせ後
重ね合わせ、加圧およびマレイミド樹脂の流動温度まで
加熱を行い、互いのポリイミド多層配線層のブロック１
および１２を接着し固定する。この時、錫鉛半田３７は
溶解し、工程（ｅ）で形成したバンプ１０と接合し、二
つの積層体１および１２とが電気的に接続する。加圧お
よび加熱方法は以下の通りである。加圧・加熱はオート
クレーブ型真空プレス装置を使用し、加圧気体は窒素ガ
スを使用し、加圧は基板温度１３０℃までは３kg／c
m2、基板温度１３０℃から１８０℃までは１４kg／cm2
で行う。この時、基板はプラテン上に置かれポリイミド
フィルムを用いて密封して、真空ポンプを接続して内部
を１０Torr以下の減圧状態にする。工程（ｐ）から工程
（ｓ）で示すアルミニウム平板２の除去工程、新たな半
田プールの形成工程及び積層一体化工程は図３に示した
工程（ｑ）から工程（ｓ）と同一なので説明は省略す
る。
【００２１】図６は図１に示したポリイミド多層配線基
板の製造方法の第４の実施例の製造工程を示したもので
ある。本実施例の特徴とするところはポリイミド樹脂に
ガラス転移点が低い低熱膨張率感光性ポリイミドを、ま
た、接着剤には溶融型のフッ化エチレンとパーフルオロ
アルキルパーフルオロビニルエーテル共重合（ＰＴＦ）
を使用している点にある。同図において、工程（ａ）か
ら工程（ｅ）で示すポリイミド多層配線層の第１のブロ
ック１の形成方法は図４における工程（ａ）から工程
（ｅ）で示した形成方法と同一なので説明は省略する。
工程（ｆ）において、工程（ｅ）で形成した多層配線層
の最上層４にラミネートする接着剤（ＰＴＦ）に工程
（ｅ）で形成した錫鉛半田３４に相当する位置に開口部
４１を形成する。工程（ｇ）において、ＰＴＦフィルム
４０を多層配線層の最上層４にラミネートする。ラミネ
ート工程は、第１のブロック１との位置合わせ後、１０
０℃に加熱したプレス機でプレスし、ＰＴＦフィルム４
０を仮接着する。工程（ｈ）から工程（ｎ）で示すポリ
イミド多層配線層の第２のブロック１２の形成方法は図
４における工程（ｆ）から工程（ｌ）で示した形成方法
と同一なので説明は省略する。
板の製造方法の第４の実施例の製造工程を示したもので
ある。本実施例の特徴とするところはポリイミド樹脂に
ガラス転移点が低い低熱膨張率感光性ポリイミドを、ま
た、接着剤には溶融型のフッ化エチレンとパーフルオロ
アルキルパーフルオロビニルエーテル共重合（ＰＴＦ）
を使用している点にある。同図において、工程（ａ）か
ら工程（ｅ）で示すポリイミド多層配線層の第１のブロ
ック１の形成方法は図４における工程（ａ）から工程
（ｅ）で示した形成方法と同一なので説明は省略する。
工程（ｆ）において、工程（ｅ）で形成した多層配線層
の最上層４にラミネートする接着剤（ＰＴＦ）に工程
（ｅ）で形成した錫鉛半田３４に相当する位置に開口部
４１を形成する。工程（ｇ）において、ＰＴＦフィルム
４０を多層配線層の最上層４にラミネートする。ラミネ
ート工程は、第１のブロック１との位置合わせ後、１０
０℃に加熱したプレス機でプレスし、ＰＴＦフィルム４
０を仮接着する。工程（ｈ）から工程（ｎ）で示すポリ
イミド多層配線層の第２のブロック１２の形成方法は図
４における工程（ｆ）から工程（ｌ）で示した形成方法
と同一なので説明は省略する。
【００２２】工程（ｏ）において、工程（ａ）から工程
（ｇ）で形成したアルミニウム平板２上にＰＴＦフィル
ム４０を有するポリイミド多層配線層の第１のブロック
１と、工程（ｈ）から工程（ｎ）で形成したセラミック
基板１５上のバンプ３５を有するポリイミド多層配線層
の第２のブロック１２を位置合わせを行った後重ね合わ
せ、加圧およびＰＴＦフィルムの流動温度まで加熱を行
い、互いのポリイミド多層配線層のブロック１および１
２を接着し固定する。この時、錫鉛半田３７は溶解し、
工程（ｅ）で形成した金属バンプ１０と接合し、二つの
積層構造体１および１２が電気的に接続する。加圧およ
び加熱方法は以下の通りである。加圧・加熱はオートク
レーブ型真空プレス装置を使用し、加圧気体は窒素ガス
を使用し、加圧は基板温度１３０℃までは３kg／cm2、
基板温度１３０℃から１８０℃までは１４kg／cm2で行
う。この時、基板はプラテン上に置かれポリイミドフィ
ルムを用いて密封して、真空ポンプを接続して内部を１
０Torr以下の減圧状態にする。工程（ｐ）から工程
（ｓ）で示すアルミニウム平板２の除去工程、新たな半
田プールの形成工程及び積層一体化工程は図４に示した
工程（ｑ）から工程（ｓ）と同一なので説明は省略す
る。なお、上述した図５および図６の実施例では接着す
る二つのポリイミド多層配線層の内の一方の表面にのみ
接着剤を塗布またはラミネートしたが、ポリイミド表面
の凹凸が大きい場合は両方の表面層にラミネートし、接
着面の凹凸の影響を軽減して接着を行う。
（ｇ）で形成したアルミニウム平板２上にＰＴＦフィル
ム４０を有するポリイミド多層配線層の第１のブロック
１と、工程（ｈ）から工程（ｎ）で形成したセラミック
基板１５上のバンプ３５を有するポリイミド多層配線層
の第２のブロック１２を位置合わせを行った後重ね合わ
せ、加圧およびＰＴＦフィルムの流動温度まで加熱を行
い、互いのポリイミド多層配線層のブロック１および１
２を接着し固定する。この時、錫鉛半田３７は溶解し、
工程（ｅ）で形成した金属バンプ１０と接合し、二つの
積層構造体１および１２が電気的に接続する。加圧およ
び加熱方法は以下の通りである。加圧・加熱はオートク
レーブ型真空プレス装置を使用し、加圧気体は窒素ガス
を使用し、加圧は基板温度１３０℃までは３kg／cm2、
基板温度１３０℃から１８０℃までは１４kg／cm2で行
う。この時、基板はプラテン上に置かれポリイミドフィ
ルムを用いて密封して、真空ポンプを接続して内部を１
０Torr以下の減圧状態にする。工程（ｐ）から工程
（ｓ）で示すアルミニウム平板２の除去工程、新たな半
田プールの形成工程及び積層一体化工程は図４に示した
工程（ｑ）から工程（ｓ）と同一なので説明は省略す
る。なお、上述した図５および図６の実施例では接着す
る二つのポリイミド多層配線層の内の一方の表面にのみ
接着剤を塗布またはラミネートしたが、ポリイミド表面
の凹凸が大きい場合は両方の表面層にラミネートし、接
着面の凹凸の影響を軽減して接着を行う。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るポリイ
ミド多層配線基板は、複数の配線層の積層体を一つのブ
ロックとし、このブロックを複数個積層した積層構造と
したので、各々のブロックを並行して製造でき、このた
めに製造日数の大幅な短縮が図れるとともに、ポリイミ
ド樹脂にかかるキュア工程の熱ストレスが各ブロック毎
に分散されるため、製造工程で生じていたポリイミド樹
脂の劣化を最小限にとどめることができる。また各ブロ
ックの製造精度を高めることができて高多層高配線密度
のポリイミド多層配線基板が得られる。また、各ブロッ
ク間の接合をガラス転移点を有するポリイミド樹脂の自
己接着あるいは溶融硬化型接着剤または溶融型接着剤で
行うようにしたので、加圧条件を緩和でき、このために
製造工程におけるストレスが発生せず、歩留の向上につ
ながる。
ミド多層配線基板は、複数の配線層の積層体を一つのブ
ロックとし、このブロックを複数個積層した積層構造と
したので、各々のブロックを並行して製造でき、このた
めに製造日数の大幅な短縮が図れるとともに、ポリイミ
ド樹脂にかかるキュア工程の熱ストレスが各ブロック毎
に分散されるため、製造工程で生じていたポリイミド樹
脂の劣化を最小限にとどめることができる。また各ブロ
ックの製造精度を高めることができて高多層高配線密度
のポリイミド多層配線基板が得られる。また、各ブロッ
ク間の接合をガラス転移点を有するポリイミド樹脂の自
己接着あるいは溶融硬化型接着剤または溶融型接着剤で
行うようにしたので、加圧条件を緩和でき、このために
製造工程におけるストレスが発生せず、歩留の向上につ
ながる。
【図１】本発明に係るポリイミド多層配線基板の断面図
である。
である。
【図２】本発明に係るポリイミド多層配線基板の第２の
実施例の断面図である。
実施例の断面図である。
【図３】図１のポリイミド多層配線基板の製造工程を示
す。
す。
【図４】図１のポリイミド多層配線基板の製造工程の第
２の実施例を示す。
２の実施例を示す。
【図５】図１のポリイミド多層配線基板の製造工程の第
３の実施例を示す。
３の実施例を示す。
【図６】図１のポリイミド多層配線基板の製造工程の第
４の実施例を示す。
４の実施例を示す。
１ ポリイミド多層配線層の第１のブロック ２ アルミニウム平板 ４ ガラス転移点を有するポリイミド樹脂 １０ バンプ １２ ポリイミド多層配線層の第２のブロック ２７ 半田プール ３５ マレイミド樹脂 ４０ ＰＴＦフィルム
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上にポリイミド多層配線層を有する
多層配線基板であって、前記ポリイミド多層配線層は、
複数の配線層の積層体を一つのブロックとし、このブロ
ックを複数積層した積層構造で構成し、各ブロック間の
電気的接続を各ブロックの積層体の表面上に形成した金
属バンプと、半田プールとの鑞着で行ったことを特徴と
するポリイミド多層配線基板。 - 【請求項２】 特許請求の範囲第１項記載のポリイミド
多層配線基板において、各ブロック間の接合面の少なく
ともどちらか一方にガラス転移点を有するポリイミド樹
脂を使用し、各ブロックの接合をポリイミド樹脂の自己
接着性で接着するとともに、金属バンプと半田プールと
を鑞着して積層体間を電気的に接続したことを特徴とす
るポリイミド多層配線基板の製造方法。 - 【請求項３】 特許請求の範囲第１項記載のポリイミド
多層配線基板において、各ブロック間の接合面に溶融硬
化型または溶融型接着剤を使用し、各ブロックの接合を
この溶融硬化型接着剤または溶融型接着剤で接着すると
ともに、金属バンプと半田プールとを鑞着して積層体間
を電気的に接続したことを特徴とするポリイミド多層配
線基板の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1170491A JP2616588B2 (ja) | 1991-01-09 | 1991-01-09 | ポリイミド多層配線基板およびその製造方法 |
| CA002059020A CA2059020C (en) | 1991-01-09 | 1992-01-08 | Polyimide multilayer wiring board and method of producing same |
| EP92100269A EP0494668B1 (en) | 1991-01-09 | 1992-01-09 | Polyimide multilayer wiring board and method of producing same |
| DE69223657T DE69223657T2 (de) | 1991-01-09 | 1992-01-09 | Mehrschichtige Leiterplatte aus Polyimid und Verfahren zur Herstellung |
| US07/818,529 US5321210A (en) | 1991-01-09 | 1992-01-09 | Polyimide multilayer wiring board and method of producing same |
| US08/070,923 US5426849A (en) | 1991-01-09 | 1993-07-28 | Method of producing a polyimide multilayer wiring board |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1170491A JP2616588B2 (ja) | 1991-01-09 | 1991-01-09 | ポリイミド多層配線基板およびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04312998A JPH04312998A (ja) | 1992-11-04 |
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|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0828580B2 (ja) * | 1993-04-21 | 1996-03-21 | 日本電気株式会社 | 配線基板構造及びその製造方法 |
| US5401913A (en) * | 1993-06-08 | 1995-03-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Electrical interconnections between adjacent circuit board layers of a multi-layer circuit board |
-
1991
- 1991-01-09 JP JP1170491A patent/JP2616588B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04312998A (ja) | 1992-11-04 |
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