JP3107535B2

JP3107535B2 - 配線基板、回路部品実装体、および配線基板の製造方法

Info

Publication number: JP3107535B2
Application number: JP09361027A
Authority: JP
Inventors: 勝秀塚本
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1996-12-26
Filing date: 1997-12-26
Publication date: 2000-11-13
Anticipated expiration: 2017-12-26
Also published as: JPH1117300A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、２層あるいはそれ
以上の配線基板並びに電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型高密度化に伴い、
産業用にとどまらず広く民生用機器の分野においても、
ＬＳＩ等の半導体チップを高密度に実装でき、しかも安
価な多層配線回路基板が強く要望されてきている。この
ような多層配線回路基板では、各層の微細な配線ピッチ
の配線パターンを層同士で電気的に信頼性高く接続でき
ることが重要である。

【０００３】このような要求に対し、ドリル加工と銅貼
積層板のエッチングや、めっき加工による従来のプリン
ト配線基板の製造方法ではもはやこれらの要求を満足さ
せることは極めて困難となり、新しい構造を備えたプリ
ント配線基板が開発されつつある。

【０００４】現在高密度配線基板として代表的なものを
次に掲げる。

【０００５】第１には、従来の両面あるいは多層配線基
板をコアー基板とし、より小さなバイアホールを有する
絶縁層やよりファインな配線層を積層してゆくビルドア
ップ製法と呼ばれているものがある（本多進”ビルドア
ップ多層配線基板技術の現状と課題”、回路実装学界
誌、Vol.11、No.7、P462-468 (1996)）。この方法で
は、より小さなバイアホールのある絶縁層には、感光性
の絶縁材料や化学エッチ可能な材料を用いてフォトエッ
チ法やケミカルエッチ法により、小さなあなを形成す
る。最近ではプラズマあるいは、レーザで絶縁層に穴を
開ける方法も開発されている。レーザの場合は、材料に
感光性や化学エッチング特性を付加する必要がなく絶縁
性の材料の選択肢が広がり都合がよい。

【０００６】第２には、穴に充填した導電性ペーストを
有するプリプレーグに銅箔を積層してゆくスタック製法
がある（岡野裕幸”全層IVH構造を有する樹脂多層基
板”'95マイクロエレクトロニクスシンポジウム、p163
(1995)）（一般的にはビルドアップ多層配線基板として
分類されることが多い）。プリプレーグの代わりに接着
剤付きのフィルムを使ったものも研究されている（竹ノ
内啓一他”ポリイミド多層基板の開発”第１０回回路実
装学術講演大会、講演論文集、p81-82(1996)。

【０００７】第３には薄膜多層を使う方法であり、第１
のビルドアップ方法と類似している。これは、従来のセ
ラミック多層基板をコアー基板としその表面に、無機あ
るいは有機の絶縁層と、鍍金（メッキ）とフォトエッチ
等によりパターン化した導体配線層とを、積層した薄膜
多層基板である。この方法は、薄膜技術を使うために現
在では最も高密度の配線基板の製造方法となっている。
絶縁層に感光性のポリイミドを用いた例がもっとも多
い。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、それぞ
れの配線基板の製造方法には欠点がある。

【０００９】ビルドアップ製法は、内層のコアーに、従
来の低密度であるガラスエポキシ多層基板を用いるため
に、より高密度の配線基板が得にくい。また、より高
密度の配線基板を得るにはビルドアップする絶縁層と配
線層を増やす必要があり、平坦化などが技術的に困難に
なる、あるいはコストが高くなる等の問題がある。

【００１０】また、スタック製法は、より高密度のため
にはある厚みのプリプレーグあるいはフィルム（基材）
に、小さい穴を低コストで開ける困難性を抱えている。

【００１１】また、薄膜多層方法は、薄膜工程を使うも
のであり、コスト的に高価である。

【００１２】本発明は、これらの従来の多層配線基板の
製法の課題を考慮し、低コストで、高密度配線が得ら
れ、しかも製法が容易であり、さらに、できるだけ大き
なワークサイズのコアー基板を用いることのできる配線
基板製造方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の配線基板においては、第１のバイアホールを
有する基材層と前記基材層の少なくとも一面に設けられ
る第２のバイアホールを有する絶縁層とがあり、前記第
２のバイアホールの断面積が前記第１のバイアホールの
断面積より小さく、前記第１及び第２のバイアホールが
導電性材料で充填されている。このようにすることによ
り大きなワークサイズでファインな配線とファインなバ
イアホール接続が可能となり、低コストの配線基板や電
子部品が得られる。

【００１４】本発明の請求項１に記載の発明は、第１の
バイアホールを有する基材層と、前記基材層の少なくと
も一面に設けられた第２のバイアホールを有する絶縁層
と、前記第２のバイアホール上に設けられたビアパッド
とを備え、前記第１のバイアホールと前記第２のバイア
ホールが接続され、前記第２のバイアホールの断面積が
前記第１のバイアホールの断面積より小さく、かつ前記
ビアパッドが前記第１のバイアホールの断面積より小さ
く、前記第１及び第２のバイアホールが導電性材料で充
填されていることを特徴とする配線基板であり、第１の
バイアホールが大きいにも関わらずよりファインな配線
とバイアホール接続が可能となる。

【００１５】また同請求項２に記載の発明は、上記請求
項１において導電性材料が導電性ペーストであることを
特徴としており、これにより請求項１の構成は容易に実
現できる。

【００１６】また同請求項３に記載の発明は、上記請求
項１において第１のバイアホールと第２のバイアホール
に充填された導電性材料が同一であることを特徴として
おり、製造が簡単である。

【００１７】また同請求項４に記載の発明は、第１のバ
イアホールと第２のバイアホールに充填された導電性材
料が異なることを特徴としており、小さい第２のバイア
ホールの電気的接続の信頼性を確保しやすい構成となっ
ている。

【００１８】また同請求項５に記載の発明は、絶縁層が
基材層の両面に設けられたことを特徴としており、第１
のバイアホールが大きいにも関わらずこのバイアホール
に邪魔されずにファインな配線の両面基板が実現でき
る。

【００１９】また同請求項６に記載の発明は、前記絶縁
層の外側に配線部を設けたことを特徴としており表層に
使うと有効である。

【００２０】また同請求項７に記載の発明は、前記絶縁
層の内部に配線層を設けたことを特徴としており、多層
配線基板を作るのに有効である。

【００２１】また同請求項８に記載の発明は、前記絶縁
層が複数の層からなることを特徴としており、絶縁層の
内部に配線層を閉じ込める簡単な構成を示している。

【００２２】また同請求項９に記載の発明は、第１のバ
イアホールを有する基材層と前記基材層の少なくとも一
面に設けられる第２のバイアホールを有する絶縁層とが
あり、前記第２のバイアホールの断面積が前記第１のバ
イアホールの断面積より小さく、前記第１及び第２のバ
イアホールが導電性材料で充填されている配線層を複数
枚重ねたことを特徴としており、各配線層を電気的に接
続する第１のバイアホールは大きいにも関わらず、配線
層はファインな構造を保つことができるため、大変高密
度な多層配線基板になる。

【００２３】また同請求項１０に記載の発明は、第１の
バイアホールを有する基材層と前記基材層の少なくとも
一面に設けられる第２のバイアホールを有する絶縁層と
があり、前記第２のバイアホールの断面積が前記第１の
バイアホールの断面積より小さく、前記第１及び第２の
バイアホールが導電性材料で充填されている配線層を有
する両面配線基板あるいは多層配線基板と該配線基板上
に実装された回路部品とを備えた回路部品実装体であ
り、高密度の実装体を得ることができる。

【００２４】また同請求項１１に記載の発明は、回路部
品がベアーICを含むことを特徴とする回路部品実装体で
あり、高密度で安価なMCMを実現できる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。

【００２６】図１は本発明の一実施の形態における両面
配線基板の断面図である。第１のバイアホール１０３を
有する基材層１０１があり、この基材層１０１の両面に
第１のバイアホールよりも断面積が小さい第２のバイア
ホール１０５を有する絶縁層１０４を設けてある。その
バイアホール１０５の上にはビアパッド１０６がある。
１０７は配線であり、ビアパッドとともに配線層を形成
している。上下の配線層１０７，１０７は第１のバイア
ホール１０３と第２のバイアホール１０５によって電気
的に接合され、全体として両面配線基板を形成してい
る。

【００２７】この様な構造を有するので、第２のバイア
ホール１０５の断面積を小さく作ることができる。ま
た、配線１０７は絶縁層１０４の上に形成されている
が、第２のバイアホール１０５の大きさが小さいので、
そのビアパッド１０６も小さくでき、その結果、第１の
バイアホール１０３の断面積がたとえ大きくても、それ
に関係なくファインに（高密度に）作ることができる。
その結果、配線間隔１０８を狭くしても第一、第二バイ
アホール１０３，１０５と短絡する心配がない。さら
に、そのように、第１バイアホール１０３の断面積を大
きくできるので、配線基板の製造が容易になる。

【００２８】基材層１０１は電気的に絶縁性であり、基
板としての機械的強度も兼ね備えていることが好まし
い。ガラス繊維を補強材にしエポキシ樹脂で固めたガラ
スエポキシ基板や、アラミド繊維を補強材にしてエポキ
シ樹脂で固めたアラミドエポキシ基板でもよい。プリン
ト回路基板用として開発された公知の樹脂が利用でき
る。

【００２９】第１のバイアホール１０３と第２のバイア
ホール１０５からなるバイアホール１０２には導電性材
料が充填されている。導電性材料としては銅粉や銀粉を
樹脂中に混ぜ込んだ導電性ペーストを硬化したものや、
あるいは金、銀、銅、鉛等や、それらの合金で出来た金
属でもよい。

【００３０】第１のバイアホール１０３に充填された導
電性材料と、第２のバイアホール１０５に充填されたそ
れとは同一であってもよいしあるいは異なっていてもよ
い。異なっている場合は、例えばそれらの材料の熱膨張
係数の相違を利用して反り等を矯正する事が可能とな
る。

【００３１】図１では配線層１０７は絶縁層１０４の外
側に形成してあるが、図２のように更に図１の両面基板
２０１の外側に絶縁層２０２を設け、それによって配線
層１０７を全体の絶縁層（絶縁層１０４と絶縁層２０２
とからなる）の内部に配置させることも可能である。図
２のものは多層配線基板を作るときに有効であり、表面
に開けた穴２０３は更に上層あるいは下層へ接続のため
のバイアホールとなる。その穴２０３の断面積の大きさ
は自由である。表層に使う場合には絶縁層２０２はソル
ダーレジストになる。図１並びに図２の構造の配線基板
の製造方法は後述する。

【００３２】図３は絶縁層３０４を基材層３０１の片面
にのみ設けた実施の形態を示す。３０３は第１のバイア
ホールであり、３０５が断面積の小さい第２のバイアホ
ールである。ビアパッド３０６と配線３０７は配線層を
形成していて絶縁層３０４により配線３０７は大きい第
１のバイアホール３０３に短絡しないためにファインな
配線が可能となる。

【００３３】これまでの例のように絶縁層を設けること
は配線をファインにすることができるほかに配線３０７
の接着強度を確保するうえでも有力な手段である。

【００３４】図４に本発明の多層配線基板（４層配線
板）の断面図を示す。２枚の両面配線基板４０１は図２
で説明したものと同じである。２枚の両面配線基板４０
１，４０１がバイアホール４０３のある基材４０２を介
して機械的且つ電気的に接合されている。バイアホール
４０３は、基材４０２に設けた第１のバイアホール４０
４と、絶縁層４０６に設けた第１のバイアホール４０４
よりも断面積の小さなバイアホール４０５からなってい
る。基材並びにバイアホールの材料は図１で説明したも
のと同じものが使える。

【００３５】上下の両面配線基板４０１は必ずしも本発
明の構造の両面配線基板を用いる必要はない。例えば、
図６に２枚の従来の両面配線基板に本実施の形態の配線
基板の構造を適用した４層配線基板の断面図をあげる。
５０１は従来のバイアホールガラスエポキシ両面配線基
板である。バイアホール５１１により両面の配線５１２
を電気的に接続している。通常バイアホールのなか５１
０は中空であるがここでは樹脂を埋め込んである。２枚
の従来型両面基板５０１がバイアホール４０３のある基
材５０２を介して機械的且つ電気的に接合されている。
バイアホール５０３は、基材５０２に設けた第１のバイ
アホール５０４と、絶縁層５０６に設けた第１のバイア
ホール５０４よりも断面積の小さなバイアホール５０５
とからなっている。基材並びにバイアホールの材料は図
１で説明したものと同じものが使える。

【００３６】図４並びに図６において４層配線基板につ
いて説明したが、本発明はこれに限られないことは容易
に理解できる。同様の構造でより多くの層を重ねてゆく
ことが出きる。

【００３７】以上述べた本発明の実施形態の配線基板の
製造方法について説明する。

【００３８】まず転写技術を用いた製造方法について説
明する。この方法は図７のような転写媒体を用いる。剥
離可能なように表面を処理した支持体６０１の表面に、
ビアパッド１０６を含む配線１０７等の配線層が形成さ
れる。その形成は、鍍金や蒸着並びにフォトプロセスを
用いた配線形成プロセスで作る。その配線層の上に第２
のバイアホールとなるべき穴６０２を有する絶縁層１０
４を形成する。このような転写媒体６０３を用意する。
具体的にはステンレス支持体の上に鍍金により形成した
銅パターンを形成する。

【００３９】さらに、このような転写媒体を２枚用意
し、図８のように、第１のビアとなるべき穴に導電性ペ
ースト７０２を埋めた未硬化基材７０１を間に挟んで、
真空中で加圧加熱し（図８の（Ａ））、導電性ペースト
並びに基材を硬化し一体化した後、支持体を剥離する
（図８の（Ｂ））。未硬化基材７０１は例えばアラミド
不織布にエポキシ樹脂を含浸したアラミドエポキシプリ
プレグを用いることが出きる。導電性ペーストには銅ペ
ーストを用いることができる。穴はレーザで開けてもよ
いし、機械的にドリルで開けてもよい。大きさは未硬化
基材の厚さが１５０μぐらいの場合は１００から３００
μぐらいが作りやすい。アラミドエポキシプリプレグは
内部に空隙が多くあり、加熱加圧すると圧縮されて図８
（Ｂ）の様に基材の厚さは薄くなる。このとき銅ペース
トは第１のバイアホールとともに第２のバイアホールを
形成する。現実には図８（Ｂ）の７０３の部分で銅ペー
ストがはみ出ることがある。導電性ペースト７０２をプ
リプレーグの表面から突き出るようすることも可能であ
る。

【００４０】あるいは導電性ペーストで固化したコーン
状の突起を下側の第２のバイアホール上に形成し、この
突起状導電体で、軟化した樹脂の基材を貫通し、上側の
第２のバイアホールに接続する方法もある。

【００４１】上記の例では未硬化基材としてアラミドエ
ポキシプリプレグを用いたがこれに限られない。例えば
絶縁性のフィルムに接着剤を塗布したシートでもよい
し、シート状の未硬化接着剤でもよい。導電性ペースト
も銅ペーストに限られることはない。例えば金、銀ある
いはカーボン等の導電ペーストも使える。

【００４２】また第１のバイアホール内全てが導電性ペ
ーストである必要もない。例えば、金属ボールを穴に埋
め込んで、第２のバイアホール内に入れた導電性ペース
トにより電気的接合をとってもよい。

【００４３】図７の配線１０７やビアパッド１０６にフ
ァインな物が必要な場合はアディティブ法によって形成
してもよい。即ち鍍金の前に支持体６０１の表面にパタ
ーン化した鍍金レジスト層を形成し導電性の支持体の露
出したところに鍍金膜を析出してゆく。この方法による
とファインで膜厚の厚いパターンが得られる。配線やビ
アパッドを導電ペーストを印刷して作ってもよく、これ
は非常に簡便な方法である。また、転写時に加圧加熱す
る場合は、導電率が加熱だけで硬化したものよりも上昇
する。

【００４４】また、図９のような転写媒体を用いると第
１のバイアホールと第２のバイアホールの電気的な接続
が確実になる。８０１は第２のバイアホールに充填され
た導電性ペーストである。この８０１は印刷で作ること
ができる。勿論鍍金や他の導電性の膜の形成技術とパタ
ーニング技術を用いて形成してもよい。即ち図７の転写
媒体に比較して、小さな第２のバイアホールへの導電性
ペーストの流れ込み不良を防止できる。図１０は図９の
転写媒体を用いた結果できた両面配線基板の断面図を示
している。この場合は第１のバイアホールと第２のバイ
アホールの導電性材料は異なるが勿論同一でもよい。図
１０において両面配線基板の上下のパターンをずらして
描いたが、これは本実施の形態においては上下のパター
ンの位置合わせはラフでよ良いことを示している。つま
り、大きな第１のバイアホールを本発明では作れるの
で、少々ずれても接続性はよい。そして、このように少
々ずれてもかまわないから、ワークサイズの大きなもの
を作り、最後に分割して製品を得ることが可能となる
（ワークサイズの大きなものは、ビアホール同士ずれが
起こりがちであるから、本発明のようにずれが少々あっ
ても確実に接続できるものなら、ワークサイズを十分大
きくとれることになる。）このようにして本発明ではフ
ァインなパターンとバイアホールであるにも関わらず、
大きなワークサイズで製造できるという長所を発揮す
る。

【００４５】次に、本発明の製造方法の一つとしての、
張り付けフィルム工法について説明する。図１１に絶縁
層１００１と配線１００２とからなるフレキシブル配線
基板を示す。絶縁層１００１はフィルムであり、よく使
われるのはポリイミドフィルムである。配線１００２は
銅箔をフォトエッチでパターン化したものである。１０
０３の穴は第２のバイアホールとなるべき穴である。エ
キシマレーザで開けると簡単である。このような構成の
ものは穴のおおきさは別にして従来からTABテープとし
てよく知られている。図１２にこのフレキシブル配線基
板を用いた本実施の形態である両面配線基板の断面図を
示す。

【００４６】次に、図１３に、本発明の製造方法の一つ
としての、基材の上に順次積層してゆくビルドアップ工
法を示す。この工法においては既に硬化した第１のバイ
アホール１２０２を有する既に硬化した基材１２０１を
用いる。基材１２０１の上下面に第２のバイアホール１
２０３を有する絶縁層１２０４を形成し、鍍金あるいは
他の導電膜形成方法によって配線１２０５を作る。この
場合第２のバイアホールに充填される導電性材料は第１
のバイアホール内の導電材料と異なる。

【００４７】図１４、図１５に示す工法はデープ工法に
良くにているが工程の順序が異なる。図１４のように、
銅箔１３０１に第２のバイアホールとなるべき穴１３０
２を有する絶縁層１３０３を上下２枚用意し、その間
に、第１のバイアホールとなるべき穴に未硬化の導電性
ペーストを充填した未硬化の基材を介在させて、加圧加
熱し硬化一体化する（図１５の工程（Ａ））。さらに、
表面の銅箔をエッチングによりパターン化して両面基板
を得る（図１５の工程（Ｂ））。

【００４８】図１６に多層配線基板の製造方法を示す。
第２図で説明したような両面配線基板１５０１を２枚を
用意し、第１のビアとなるべき穴に導電性ペーストを埋
めた未硬化基材１５０２を、あいだに挟んで真空中で加
圧加熱し（図１６の（Ａ））、導電性ペースト並びに基
材を硬化一体化する（図１６の（Ｂ））。このようにし
て４層配線基板が出来上がる。より多層化は容易であ
り、両面になる。両面配線基板をもう一層重ねれば６層
配線基板になり、２枚の４層配線基板を重ねれば８層配
線基板になる。

【００４９】図１７に示した転写媒体は、別の態様の両
面配線基板を作成するのに有効な転写媒体である。支持
体１６０１の表面に離型処理を施し、その上に絶縁層１
６０２を作り、必要な穴１６０６を開け導電体膜からな
る配線１６０３を積層し、更に、第２のバイアホールと
なるべき穴１６０５をあけて転写媒体を作る。このよう
な転写媒体を２枚用意し、第７図で説明した方法と同じ
ように両面配線基板を作ると、図１８のような物が出来
上がる。但し、出来上がった両面基板の表面は平坦であ
る。

【００５０】図５は、転写工法で作った本発明の基板を
用いた回路部品実装体である。ここに４０７はベアーチ
ップ、４０８はバンプ、４０９はアンダーフィル、４１
０は図４の多層配線基板である。この回路部品実装体
は、配線基板の表面が平坦で、半田ブリッジが少なくて
歩留まりの良いため高密度小型であるにも関わらず安価
である。特に、裸のLSIを本発明の配線基板の上にフリ
ップチップ実装した回路部品実装体は小型高速且つ安価
であるという特徴を有する。

【００５１】図１９は、本発明に関連する技術の一実施
形態である半導体チップなどの電子部品のパッケージの
断面図を示している。片面に銅箔パッド１７０６のある
第１のバイアホール１７０７を有する基材層１７０４
と、前記基材層１７０４の別の片面に設けられる第２
のバイアホール１７０８を有する絶縁層１７０３と、第
２のバイアホール１７０８の位置に対応して電極１７０
２を有する半導体チップ１７０１とが、上下に積層され
ている。前記第２のバイアホール１７０８の断面積が前
記第１のバイアホール１７０７の断面積より小さく、前
記第１及び第２のバイアホールが導電性材料１７０５で
充填されている。入出力パッド(電極）１７０２は半導
体チップの場合は通常アルミ電極である。基材層１７０
４は絶縁性樹脂からなる。絶縁層兼保護膜１７０３は半
導体チップ上の絶縁層兼保護膜であり、チッ化シリコン
が一般的である。チッ化シリコン膜の上にポリイミドの
コーティングを施したものも最近多い。

【００５２】基材層の絶縁性樹脂には現在では多くの樹
脂が知られている。エポキシ樹脂が広くこの分野では使
われている。穴を開けるために感光性をもたせた樹脂も
ある。穴を開けるために最近はレーザを用いることがで
きるために樹脂の選択の幅は広がった。電子部品に用い
られる樹脂として吸湿の少ないことが望まれる。そのよ
うな樹脂も多く開発されている。また、半導体に接触す
る樹脂としては不純物の含有量が少ないものが好まし
い。また、熱膨張係数もシリコンのそれに近いものが望
ましいが、単独でそのような材料はないために、充填剤
を混入させることが多い。

【００５３】アルミ電極と導電性材料との良好な電気的
接続はアルミ電極の表面の酸化膜を除去しておく必要が
ある。導電性ペーストをアルミ電極に接触させる前に逆
スパッタあるいは還元処理によりアルミ表面の酸化膜を
除去する。

【００５４】図１９のパッケージは半導体チップのサイ
ズと同じサイズのパッケージであり小型であるとともに
製法が簡単であるので低コストでもある。導電性材料に
は銀あるいは銅ペーストが使用可能であるが、銅ペース
トが好ましい。

【００５５】図２１に、本発明に関連する技術の別のパ
ッケージの例を示す。導電性ペースト１７０５が半田付
けできるタイプである場合は図２１の状態でプリント配
線板に実装できるパッケージとして扱える。図２０は図
１９の配線基板を底面側から見た斜視図である。

【００５６】半田付け可能な導電性ペースト１７０５と
しては銅紛と樹脂ならびに硬化剤よりなり、その銅紛の
含有率が８５重量％以上が好ましい。硬化した後何も処
理しないで半田付け可能な導電性ペーストも市販されて
いる。通常の銅ペーストでも、硬化後表面の樹脂を機械
的にあるいは化学的に取り除くことによりハンダ付けが
可能になる。簡単な方法としては、表面を機械的に研磨
することによりハンダ付けが可能になる。

【００５７】尚、ここではハンダ付けにこだわらない。
最近、鉛公害の防止のために半田を使わずに、導電性ペ
ーストで電子部品をプリント配線板に搭載組立しようと
する試みが盛んである。このパッケージはこのような傾
向にも適合するものである。

【００５８】図１９あるいは図２１の構成のパッケージ
の簡単な製造方法は、絶縁性樹脂シートに電子部品の電
極に対応する位置に貫通穴を開け、この穴に導電性ペー
ストを埋め込み加熱加圧して樹脂ならびに導電性ペース
トを硬化接着する方法がある。このとき、絶縁性樹脂シ
ートにアラミド不織布を補強材にしたプリプレーグを用
いると、その圧縮性により加熱加圧時に導電性ペースト
が圧縮され硬化後の導電率が大きくなる特質がある。絶
縁性樹脂シートとして樹脂単体を用いてももちろん良
い。加熱加圧時に樹脂が流動し、圧縮性の絶縁性樹脂シ
ートと同様の効果がある。加圧プロセスが大切である。
また、この加圧プロセスによりアルミ電極の酸化膜を破
ることも可能であり、前以て行う酸化膜除去のプロセス
を省くこともできる。この効果を積極的に利用するため
に、導電性ペーストの中に研磨材を混入することも好ま
しい。

【００５９】容易に理解できることであるが、この構造
のパッケージはチップ単位ではなくウエファー単位で処
理できる。ウエファーをチップに分割する前に前記処理
を行い、後に分割すればよい。したがって、パッケージ
コストは大幅に削減される。本発明に関連する技術の構
造は記述した製造方法に限られないことは明らかであ
る。他の製造方法が多く考えられる。例えば、半導体ウ
エファーに絶縁性樹脂をコーティングし、加熱硬化した
後にエキシマレーザで絶縁背樹脂に貫通穴を開けアルミ
電極を露出し、導電性ペーストを穴に埋め込んで加熱硬
化した後表面を研磨すると言う方法もある。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したところから明らかなよう
に、本発明は、第１のバイアホールを有する基材層と前
記基材層の少なくとも一面に設けられる第２のバイアホ
ールを有する絶縁層とからなっており、前記第２のバイ
アホールの断面積が前記第１のバイアホールの断面積よ
り小さく作ってあるために、第１のバイアホールが大き
いにも関わらずファインな配線パターンを形成すること
が出来るとともにワークサイズを大きくできるために安
価な基板を提供する。また、パッケージの場合でもウエ
ファー単位で処理できるために安価なパーッケージが得
られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態における両面配線基板の
断面図

【図２】本発明の一実施の形態における、配線層を絶縁
層の内部に設けた両面配線基板の断面図

【図３】本発明の一実施の形態における、絶縁層を基材
の片面にのみ設けた配線基板の断面図

【図４】本発明の一実施の形態である多層配線基板（４
層は緯線板）の断面図

【図５】転写工法で作った本発明の一実施の形態の基板
を用いた回路部品実装体である。

【図６】本発明の多層配線基板の他の実施の形態

【図７】本発明の一実施の形態の転写媒体の一例

【図８】本発明の一実施の形態の転写工法の一例

【図９】本発明の一実施の形態の転写媒体の一例

【図１０】図９の転写媒体を用いた結果できた両面配線
基板の断面図

【図１１】本発明の一実施の形態に用いるフレキシブル
配線基板

【図１２】フレキシブル配線基板を用いた本発明の一実
施の形態の両面基板の断面図

【図１３】本発明の一実施の形態のビルドアップ工法の
一例

【図１４】本発明の一実施の形態に用いる絶縁層付き銅
箔

【図１５】図１４の銅箔を用いた工法を示す図

【図１６】本発明の一実施の形態の多層配線基板の製造
法の一例

【図１７】本発明の一実施の形態の転写媒体

【図１８】図１７に示した転写媒体を２枚用意して両面
配線基板を作ったものを示す図

【図１９】本発明に関連する技術の一実施の形態の半導
体チップなどの小型パッケージの一例

【図２０】図１９のパッケージの斜視図

【図２１】本発明に関連する技術の一実施の形態の半導
体チップなどの別の小型パッケージの一例

【符号の説明】

１０１基材層１０２、１０３、１０５バイヤホール１０４絶縁層１０６パッド１０７配線部１０８配線間隔２０１両面基板２０２絶縁層２０３穴

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＨ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 ＴＨ０１Ｌ 23/12 ＱＮ (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05K 1/11 H01L 23/12 H05K 3/40 H05K 3/46

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】第１のバイアホールを有する基材層と、
前記基材層の少なくとも一面に設けられた第２のバイア
ホールを有する絶縁層と、前記第２のバイアホール上に
設けられたビアパッドとを備え、前記第１のバイアホー
ルと前記第２のバイアホールが接続され、前記第２のバ
イアホールの断面積が前記第１のバイアホールの断面積
をより小さく、かつ前記ビアパッドが前記第１のバイア
ホールの断面積より小さく、前記第１及び第２のバイア
ホールが導電性材料で充填されていることを特徴とする
配線基板。
【請求項２】前記導電性材料が導電性ペーストである
ことを特徴とする請求項１の配線基板。
【請求項３】前記第１のバイアホールに充填された導
電性材料と、前記第２のバイアホールに充填された導電
性材料とが同一であることを特徴とする請求項１の配線
基板。
【請求項４】前記第１のバイアホールに充填された導
電性材料と、前記第２のバイアホールに充填された導電
性材料とが異なることを特徴とする請求項１の配線基
板。
【請求項５】前記絶縁層が前記基材層の両面に設けら
れたことを特徴とする請求項１の配線基板。
【請求項６】前記絶縁層の外側に配線部が設けられて
いることを特徴とする請求項１の配線基板。
【請求項７】前記絶縁層の内部に配線層が設けられて
いることを特徴とする請求項１の配線基板。
【請求項８】前記絶縁層が複数の層からなることを特
徴とする請求項７の配線基板。
【請求項９】請求項１〜８のいずれかに記載の配線基
板が複数枚重ねられていることを特徴とする多層配線基
板。
【請求項１０】請求項１〜８のいずれかに記載の配線
基板の最外層の配線部に、又は請求項９に記載の多層配
線基板の最外層の配線部に、接続される状態で実装され
た回路部品を備えたことを特徴とする回路部品実装体。
【請求項１１】前記回路部品がベアーICを含むことを
特徴とする請求項１０の回路部品実装体。
【請求項１２】第２のバイアホールを有する絶縁層に
配線層を形成する第１の工程と、前記第２のバイアホー
ルの断面積よりも大きい第１のバイアホールを有し、前
記第１のバイアホールに導電性材料が充填された基材層
上に、前記第１のバイアホールと前記第２のバイアホー
ルが接続されるように前記絶縁層と配線層とを転写する
第２の工程とを備えたことを特徴とする配線基板の製造
方法。
【請求項１３】前記第１の工程において、前記第２の
バイアホールに導電性ペーストを充填することを特徴と
する請求項１２記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】導電性材料が充填された第１のバイア
ホールを有する基材層上に、前記第１のバイアホールの
断面積よりも小さい第２のバイアホールを有する絶縁層
を前記第１のバイアホールと前記第２のバイアホールが
接続されるように積層し、さらにその上に配線層を形成
する工程を備えたことを特徴とする配線基板の製造方
法。