JP2002246745A - 三次元実装パッケージ及びその製造方法、三次元実装パッケージ製造用接着材 - Google Patents
三次元実装パッケージ及びその製造方法、三次元実装パッケージ製造用接着材Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 歩留まり及び信頼性に優れた三次元実装パッ
ケージの製造方法を提供することにある。 【解決手段】 半硬化状態の樹脂からなる接着層22を
表層に有し、接着層22を構成する樹脂よりも硬化程度
の進んだ樹脂を構成要素とするコア基材21を内層に有
する接着材3を用意する。回路基板2上に半導体チップ
4を搭載したパッケージモジュール5間に接着材3を介
在させ、この状態で加熱プレスを行う。その結果、三次
元実装パッケージ1が製造される。
ケージの製造方法を提供することにある。 【解決手段】 半硬化状態の樹脂からなる接着層22を
表層に有し、接着層22を構成する樹脂よりも硬化程度
の進んだ樹脂を構成要素とするコア基材21を内層に有
する接着材3を用意する。回路基板2上に半導体チップ
4を搭載したパッケージモジュール5間に接着材3を介
在させ、この状態で加熱プレスを行う。その結果、三次
元実装パッケージ1が製造される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、三次元実装パッケ
ージ及びその製造方法、三次元実装パッケージ製造用接
着材に関するものである。
ージ及びその製造方法、三次元実装パッケージ製造用接
着材に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、ICチップの高容量化・高密度化
の進展に伴い、携帯電話や次世代携帯情報端末等のよう
な携帯機器の小型化・高機能化が進んでいる。このた
め、携帯機器に用いられるICチップをよりいっそう高
密度に実装可能なパッケージング構造が求められてい
る。現状における高密度パッケージング構造としては、
いわゆるCSP(チップサイズパッケージ)が知られて
いる。しかし、CSPの場合、最低でもチップサイズと
同程度の実装面積が必要になる。ゆえに、今後さらに実
装密度を上げていくためには、従来の平面構造ではなく
三次元的に半導体チップを実装することが必須となる。
このような事情のもと、最近では三次元実装パッケージ
と呼ばれるパッケージング構造が提案されるに至ってい
る。
の進展に伴い、携帯電話や次世代携帯情報端末等のよう
な携帯機器の小型化・高機能化が進んでいる。このた
め、携帯機器に用いられるICチップをよりいっそう高
密度に実装可能なパッケージング構造が求められてい
る。現状における高密度パッケージング構造としては、
いわゆるCSP(チップサイズパッケージ)が知られて
いる。しかし、CSPの場合、最低でもチップサイズと
同程度の実装面積が必要になる。ゆえに、今後さらに実
装密度を上げていくためには、従来の平面構造ではなく
三次元的に半導体チップを実装することが必須となる。
このような事情のもと、最近では三次元実装パッケージ
と呼ばれるパッケージング構造が提案されるに至ってい
る。
【0003】この種のパッケージは、薄型基材に薄型I
Cチップを搭載したもの(即ちパッケージモジュール)
をプリプレグを介して複数枚積層するとともに、各基材
の導体層間をスルーホールやバイアホールを介して電気
的に接続した構造を有している。ここで、従来における
三次元実装パッケージの製造方法の一例を簡単に説明す
る。
Cチップを搭載したもの(即ちパッケージモジュール)
をプリプレグを介して複数枚積層するとともに、各基材
の導体層間をスルーホールやバイアホールを介して電気
的に接続した構造を有している。ここで、従来における
三次元実装パッケージの製造方法の一例を簡単に説明す
る。
【0004】まず、導体層を有する回路基板を作製する
とともに、回路基板におけるチップ搭載エリアに薄型I
Cチップをバンプ等を用いて接合することにより、パッ
ケージモジュールを得る。次いで、得られた複数枚のパ
ッケージモジュールをプリプレグとともに積層し、この
状態で積層体に対する加熱プレスを行う。その結果、プ
リプレグ中に含浸されていた未硬化の樹脂が硬化し、そ
の硬化した樹脂を介して各層が接着される。次いで、各
層が一体化した積層体にスルーホールを形成し、外形加
工等を行うことにより、所望の三次元実装パッケージが
完成するようになっている。
とともに、回路基板におけるチップ搭載エリアに薄型I
Cチップをバンプ等を用いて接合することにより、パッ
ケージモジュールを得る。次いで、得られた複数枚のパ
ッケージモジュールをプリプレグとともに積層し、この
状態で積層体に対する加熱プレスを行う。その結果、プ
リプレグ中に含浸されていた未硬化の樹脂が硬化し、そ
の硬化した樹脂を介して各層が接着される。次いで、各
層が一体化した積層体にスルーホールを形成し、外形加
工等を行うことにより、所望の三次元実装パッケージが
完成するようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来技術に
おいてパッケージモジュール及びプリプレグの積層体に
対して加熱プレスを行うと、プリプレグ中に含浸されて
いた未硬化の樹脂が無秩序に流動しやすく、積層体にお
ける各層が位置ズレを起こしやすい。ゆえに、製品に高
い寸法精度を確保することが難しく、歩留まり低下を来
すおそれがある。
おいてパッケージモジュール及びプリプレグの積層体に
対して加熱プレスを行うと、プリプレグ中に含浸されて
いた未硬化の樹脂が無秩序に流動しやすく、積層体にお
ける各層が位置ズレを起こしやすい。ゆえに、製品に高
い寸法精度を確保することが難しく、歩留まり低下を来
すおそれがある。
【0006】また、このような流動が起こった場合、樹
脂の偏在によって樹脂量に過不足が生じ、接着部位に高
い信頼性を確保することが難しくなる。本発明は上記の
課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、歩留ま
り及び信頼性に優れた三次元実装パッケージを提供する
ことにある。
脂の偏在によって樹脂量に過不足が生じ、接着部位に高
い信頼性を確保することが難しくなる。本発明は上記の
課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、歩留ま
り及び信頼性に優れた三次元実装パッケージを提供する
ことにある。
【0007】本発明の別の目的は、上記の優れたパッケ
ージを得るうえで好適な製造方法、三次元実装パッケー
ジ製造用接着材を提供することにある。
ージを得るうえで好適な製造方法、三次元実装パッケー
ジ製造用接着材を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項1に記載の発明では、回路基板上に半導体
チップを搭載した複数枚のパッケージモジュール同士が
接着材を介して接着された三次元実装パッケージの製造
方法において、半硬化状態の樹脂からなる接着層を表層
に有し、かつ前記接着層を構成する樹脂よりも硬化程度
の進んだ樹脂を構成要素とするコア基材を内層に有する
接着材を、前記パッケージモジュール間に介在させ、こ
の状態で加熱プレスを行うことを特徴とする三次元実装
パッケージの製造方法をその要旨とする。
めに、請求項1に記載の発明では、回路基板上に半導体
チップを搭載した複数枚のパッケージモジュール同士が
接着材を介して接着された三次元実装パッケージの製造
方法において、半硬化状態の樹脂からなる接着層を表層
に有し、かつ前記接着層を構成する樹脂よりも硬化程度
の進んだ樹脂を構成要素とするコア基材を内層に有する
接着材を、前記パッケージモジュール間に介在させ、こ
の状態で加熱プレスを行うことを特徴とする三次元実装
パッケージの製造方法をその要旨とする。
【0009】請求項2に記載の発明は、請求項1におい
て、前記コア基材において前記回路基板の導体パターン
に略対応する位置に、凸部を設けておくこととした。請
求項3に記載の発明は、請求項2において、前記コア基
材はプリント配線板用の樹脂製絶縁基材であり、前記凸
部は前記樹脂製絶縁基材に設けられたダミーパターンで
あることを特徴とする請求項3に記載の三次元実装パッ
ケージの製造方法。
て、前記コア基材において前記回路基板の導体パターン
に略対応する位置に、凸部を設けておくこととした。請
求項3に記載の発明は、請求項2において、前記コア基
材はプリント配線板用の樹脂製絶縁基材であり、前記凸
部は前記樹脂製絶縁基材に設けられたダミーパターンで
あることを特徴とする請求項3に記載の三次元実装パッ
ケージの製造方法。
【0010】請求項4に記載の発明では、半硬化状態の
樹脂からなる接着層を表層に有し、前記接着層を構成す
る樹脂よりも硬化程度の進んだ樹脂を構成要素とするコ
ア基材を内層に有する三次元実装パッケージ用接着材を
その要旨とする。
樹脂からなる接着層を表層に有し、前記接着層を構成す
る樹脂よりも硬化程度の進んだ樹脂を構成要素とするコ
ア基材を内層に有する三次元実装パッケージ用接着材を
その要旨とする。
【0011】請求項5に記載の発明は、請求項4におい
て、半硬化状態の樹脂からなる接着層を表層に有し、完
全硬化状態の樹脂を構成要素とするコア基材を内層に有
するとした。
て、半硬化状態の樹脂からなる接着層を表層に有し、完
全硬化状態の樹脂を構成要素とするコア基材を内層に有
するとした。
【0012】請求項6に記載の発明は、請求項5におい
て、前記接着層は前記コア基材よりも肉薄であるとし
た。請求項7に記載の発明は、請求項6において、前記
接着層の厚さは5μm〜50μmであるとした。
て、前記接着層は前記コア基材よりも肉薄であるとし
た。請求項7に記載の発明は、請求項6において、前記
接着層の厚さは5μm〜50μmであるとした。
【0013】請求項8に記載の発明は、請求項4乃至7
のいずれか1項において、前記接着層を構成する樹脂と
前記コア基材を構成する樹脂とは同種のものであるとし
た。請求項9に記載の発明では、回路基板上に半導体チ
ップを搭載した複数枚のパッケージモジュール同士が、
請求項4乃至8のいずれか1項に記載の接着材を介して
加熱プレスにより接着された三次元実装パッケージをそ
の要旨とする。
のいずれか1項において、前記接着層を構成する樹脂と
前記コア基材を構成する樹脂とは同種のものであるとし
た。請求項9に記載の発明では、回路基板上に半導体チ
ップを搭載した複数枚のパッケージモジュール同士が、
請求項4乃至8のいずれか1項に記載の接着材を介して
加熱プレスにより接着された三次元実装パッケージをそ
の要旨とする。
【0014】以下、本発明の「作用」について説明す
る。請求項1〜9に記載の発明によると、加熱プレスを
行うことにより、パッケージモジュール同士が接着材の
接着層を介して接着される。この場合、接着材表層の接
着層を構成している樹脂に流動が起こったとしても、コ
ア基材を構成する硬化程度の進んだ樹脂にはそれほど流
動が起こらない。従って、未硬化の樹脂が無秩序に流動
するようなことはなく、樹脂流動に起因した各層の位置
ズレが起こりにくくなる。よって、この接着材を用いて
製造された製品は寸法精度に優れたものとなる。また、
このような形で樹脂の流動が起こったとしても、樹脂が
偏在するようなことはなく、樹脂量に過不足が生じにく
い。
る。請求項1〜9に記載の発明によると、加熱プレスを
行うことにより、パッケージモジュール同士が接着材の
接着層を介して接着される。この場合、接着材表層の接
着層を構成している樹脂に流動が起こったとしても、コ
ア基材を構成する硬化程度の進んだ樹脂にはそれほど流
動が起こらない。従って、未硬化の樹脂が無秩序に流動
するようなことはなく、樹脂流動に起因した各層の位置
ズレが起こりにくくなる。よって、この接着材を用いて
製造された製品は寸法精度に優れたものとなる。また、
このような形で樹脂の流動が起こったとしても、樹脂が
偏在するようなことはなく、樹脂量に過不足が生じにく
い。
【0015】請求項2に記載の発明によると、導体パタ
ーンと凸部とが近接または当接した状態となることによ
りパッケージモジュールと接着材との摩擦抵抗が増大す
るため、各層の位置ズレがよりいっそう起こりにくくな
る。
ーンと凸部とが近接または当接した状態となることによ
りパッケージモジュールと接着材との摩擦抵抗が増大す
るため、各層の位置ズレがよりいっそう起こりにくくな
る。
【0016】請求項3に記載の発明によると、コア基材
であるプリント配線板用の樹脂製絶縁基材は、パッケー
ジモジュールを構成している回路基板との熱膨張係数差
が比較的小さい。このため、加熱プレスによって発生す
る熱応力も小さく、寸法精度や信頼性の向上を図ること
ができる。また、プリント配線板用の樹脂製絶縁基材で
あれば、エッチング等の手法により、凸部としてのダミ
ーパターンを比較的簡単に形成することが可能である。
であるプリント配線板用の樹脂製絶縁基材は、パッケー
ジモジュールを構成している回路基板との熱膨張係数差
が比較的小さい。このため、加熱プレスによって発生す
る熱応力も小さく、寸法精度や信頼性の向上を図ること
ができる。また、プリント配線板用の樹脂製絶縁基材で
あれば、エッチング等の手法により、凸部としてのダミ
ーパターンを比較的簡単に形成することが可能である。
【0017】請求項5に記載の発明によると、コア基材
が完全硬化状態の樹脂を構成要素とするものであること
から、当該樹脂については流動が全く起こらない。従っ
て、各層の位置ズレがよりいっそう起こりにくくなる。
また、前記コア基材は寸法安定性に優れているため、こ
れを含む接着材を用いることにより製品の寸法精度や信
頼性を確実に向上させることができる。
が完全硬化状態の樹脂を構成要素とするものであること
から、当該樹脂については流動が全く起こらない。従っ
て、各層の位置ズレがよりいっそう起こりにくくなる。
また、前記コア基材は寸法安定性に優れているため、こ
れを含む接着材を用いることにより製品の寸法精度や信
頼性を確実に向上させることができる。
【0018】請求項6に記載の発明によると、接着層が
コア基材よりも肉薄であるため、接着材全体としての樹
脂の流動量を抑えることができる。また、コア基材のほ
うが相対的に肉厚であることから、接着材自体に好適な
機械的強度が付与され、ハンドリング性を向上させるこ
とができる。
コア基材よりも肉薄であるため、接着材全体としての樹
脂の流動量を抑えることができる。また、コア基材のほ
うが相対的に肉厚であることから、接着材自体に好適な
機械的強度が付与され、ハンドリング性を向上させるこ
とができる。
【0019】請求項7に記載の発明によると、接着層の
厚さを5μm〜50μmという好適範囲内にて設定して
いる。接着層の厚さが5μm未満であると、接着のため
に最低限必要な樹脂量が確保されなくなる結果、十分な
接着強度が得られなくなり、信頼性の向上を図ることが
困難になるおそれがある。逆に、接着層の厚さが50μ
mを超えると、接着材全体の肉薄化が困難になり、最終
的に肉薄な三次元実装パッケージを得るうえで不利にな
る。
厚さを5μm〜50μmという好適範囲内にて設定して
いる。接着層の厚さが5μm未満であると、接着のため
に最低限必要な樹脂量が確保されなくなる結果、十分な
接着強度が得られなくなり、信頼性の向上を図ることが
困難になるおそれがある。逆に、接着層の厚さが50μ
mを超えると、接着材全体の肉薄化が困難になり、最終
的に肉薄な三次元実装パッケージを得るうえで不利にな
る。
【0020】請求項8に記載の発明によると、接着層を
構成する樹脂とコア基材を構成する樹脂とが同種のもの
であることから、熱膨張係数等の観点から両者のマッチ
ングが良く、接着強度の向上を図ることができる。従っ
て、製品の信頼性をよりいっそう向上させることができ
る。
構成する樹脂とコア基材を構成する樹脂とが同種のもの
であることから、熱膨張係数等の観点から両者のマッチ
ングが良く、接着強度の向上を図ることができる。従っ
て、製品の信頼性をよりいっそう向上させることができ
る。
【0021】
【発明の実施の形態】[第1の実施形態]以下、本発明
を具体化した一実施形態の三次元実装パッケージ及びそ
の製造方法を図1〜図4に基づき詳細に説明する。
を具体化した一実施形態の三次元実装パッケージ及びそ
の製造方法を図1〜図4に基づき詳細に説明する。
【0022】図1には、本実施形態の三次元実装パッケ
ージ1が示されている。このパッケージ1は、回路基板
2と接着材3とを交互に積層して接着した構造を備えて
いる。より具体的にいうと、本実施形態では、3枚の回
路基板2と2枚の接着材3とを用いた構造が採用されて
いる。2枚の回路基板2についてはその上面中央部にI
Cチップ4が搭載され、これによりいわゆるパッケージ
モジュール5が構成されている。
ージ1が示されている。このパッケージ1は、回路基板
2と接着材3とを交互に積層して接着した構造を備えて
いる。より具体的にいうと、本実施形態では、3枚の回
路基板2と2枚の接着材3とを用いた構造が採用されて
いる。2枚の回路基板2についてはその上面中央部にI
Cチップ4が搭載され、これによりいわゆるパッケージ
モジュール5が構成されている。
【0023】このパッケージ1の全体の厚さは0.2m
m以下と極めて肉薄になっている。各回路基板2の導体
層(導体パターン6や接続用パッド7)間は、パッケー
ジ1の表裏を貫通するめっきスルーホール8を介して電
気的に接続されている。同パッケージ1の表裏両面には
ソルダーレジスト9が形成されている。パッケージ1の
片側面においてソルダーレジスト9が形成されていない
部分にある導体層(即ち接続用パッド7)上には、複数
の外部接続端子10が設けられている。なお、外部接続
端子10の形態としては図1に示すようなバンプが採用
可能であるほか、例えばピン等が採用可能である。
m以下と極めて肉薄になっている。各回路基板2の導体
層(導体パターン6や接続用パッド7)間は、パッケー
ジ1の表裏を貫通するめっきスルーホール8を介して電
気的に接続されている。同パッケージ1の表裏両面には
ソルダーレジスト9が形成されている。パッケージ1の
片側面においてソルダーレジスト9が形成されていない
部分にある導体層(即ち接続用パッド7)上には、複数
の外部接続端子10が設けられている。なお、外部接続
端子10の形態としては図1に示すようなバンプが採用
可能であるほか、例えばピン等が採用可能である。
【0024】パッケージモジュール5を構成する回路基
板2としては、例えば片側面または両側面に導体パター
ン6を備えるプリント配線板(即ち片面板や両面板)等
が用いられる。導体パターン6の外端部には、めっきス
ルーホール8との導通を図るためのランド部6aが形成
されている。導体パターン6の内端部には、ICチップ
4を実装するためのパッド部6bが形成されている。そ
して、ICチップ4の下面側に形成された外部接続端子
と前記パッド部6bとが、それぞれバンプ11を介して
接合されている。
板2としては、例えば片側面または両側面に導体パター
ン6を備えるプリント配線板(即ち片面板や両面板)等
が用いられる。導体パターン6の外端部には、めっきス
ルーホール8との導通を図るためのランド部6aが形成
されている。導体パターン6の内端部には、ICチップ
4を実装するためのパッド部6bが形成されている。そ
して、ICチップ4の下面側に形成された外部接続端子
と前記パッド部6bとが、それぞれバンプ11を介して
接合されている。
【0025】回路基板2は薄型であることがよく、本実
施形態においては0.1mm〜0.15mm程度の厚さ
を有する樹脂フィルムに導体層を形成したものが用いら
れている。このような回路基板2を選択することは、最
終的に肉薄な三次元実装パッケージ1を得るうえで有利
だからである。樹脂フィルムの材料としては、例えばエ
ポキシ、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。
同様の理由によりICチップ4も200μm厚以下の薄
型であることがよい。具体的にいうと、本実施形態では
50μm厚程度の薄型ICチップ4が用いられている。
薄型ICチップ4は、いわゆるフェースダウン方式にて
搭載されている。
施形態においては0.1mm〜0.15mm程度の厚さ
を有する樹脂フィルムに導体層を形成したものが用いら
れている。このような回路基板2を選択することは、最
終的に肉薄な三次元実装パッケージ1を得るうえで有利
だからである。樹脂フィルムの材料としては、例えばエ
ポキシ、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。
同様の理由によりICチップ4も200μm厚以下の薄
型であることがよい。具体的にいうと、本実施形態では
50μm厚程度の薄型ICチップ4が用いられている。
薄型ICチップ4は、いわゆるフェースダウン方式にて
搭載されている。
【0026】このパッケージ1に用いられる接着材3は
シート状であって、回路基板2と同じ外形や寸法を有し
ている。接着材3の中央部には、薄型ICチップ4の大
きさよりも一回り大きい矩形状のデバイスホール12が
透設されている。即ち、この接着材3は、薄型ICチッ
プ4の厚さ分の空間を確保するためのスペーサとしての
役割も果たしている。シート状接着材3は、全体厚が
0.1mm〜0.15mm程度であることが好ましい。
このようなシート状接着材3を選択することは、最終的
に肉薄な三次元実装パッケージ1を得るうえで有利だか
らである。
シート状であって、回路基板2と同じ外形や寸法を有し
ている。接着材3の中央部には、薄型ICチップ4の大
きさよりも一回り大きい矩形状のデバイスホール12が
透設されている。即ち、この接着材3は、薄型ICチッ
プ4の厚さ分の空間を確保するためのスペーサとしての
役割も果たしている。シート状接着材3は、全体厚が
0.1mm〜0.15mm程度であることが好ましい。
このようなシート状接着材3を選択することは、最終的
に肉薄な三次元実装パッケージ1を得るうえで有利だか
らである。
【0027】本実施形態の接着材3は、コア基材21と
接着層22とからなる。接着層22は、コア基材21の
両側面の表層に形成されている。コア基材21として
は、例えば回路基板用材料として用いた上記樹脂フィル
ム等を使用することができる。なお、マトリクスである
ガラスクロス基材の空隙が完全硬化状態の樹脂によって
埋められた構造のコア基材21を用いてもよい。コア基
材21の厚さは0.03mm〜0.15mm程度である
ことが好ましい。0.05mm未満であると、接着材3
自体に好適な機械的強度を付与することが困難になる。
ゆえに、変形や破損を未然に防ぐために作業を慎重に行
う必要が生じ、ハンドリング性が悪化するおそれがあ
る。0.15mmを超えると、接着材3自体に好適な機
械的強度が付与される反面、最終的に肉薄な三次元実装
パッケージ1を得るうえで不利になる。
接着層22とからなる。接着層22は、コア基材21の
両側面の表層に形成されている。コア基材21として
は、例えば回路基板用材料として用いた上記樹脂フィル
ム等を使用することができる。なお、マトリクスである
ガラスクロス基材の空隙が完全硬化状態の樹脂によって
埋められた構造のコア基材21を用いてもよい。コア基
材21の厚さは0.03mm〜0.15mm程度である
ことが好ましい。0.05mm未満であると、接着材3
自体に好適な機械的強度を付与することが困難になる。
ゆえに、変形や破損を未然に防ぐために作業を慎重に行
う必要が生じ、ハンドリング性が悪化するおそれがあ
る。0.15mmを超えると、接着材3自体に好適な機
械的強度が付与される反面、最終的に肉薄な三次元実装
パッケージ1を得るうえで不利になる。
【0028】コア基材21の表層に設けられる接着層2
2は、コア基材21よりも肉薄であることがよい。その
理由は、接着材3全体としての樹脂の流動量を抑えるこ
とができるからである。また、コア基材21のほうが相
対的に肉厚であれば、接着材3自体に好適な機械的強度
を付与することができ、ハンドリング性の向上につなが
るからである。
2は、コア基材21よりも肉薄であることがよい。その
理由は、接着材3全体としての樹脂の流動量を抑えるこ
とができるからである。また、コア基材21のほうが相
対的に肉厚であれば、接着材3自体に好適な機械的強度
を付与することができ、ハンドリング性の向上につなが
るからである。
【0029】より具体的にいうと、接着層22の厚さは
5μm〜50μmであることがよく、さらには10μm
〜40μmであることがよく、特には15μm〜25μ
mであることがよい。接着層22の厚さが5μm未満で
あると、接着のために最低限必要な樹脂量が確保されな
くなる。この結果、十分な接着強度が得られなくなり、
信頼性の向上を図ることが困難になるおそれがある。逆
に、接着層22の厚さが50μmを超えると、接着材3
全体の肉薄化が困難になり、最終的に肉薄な三次元実装
パッケージ1を得るうえで不利になる。
5μm〜50μmであることがよく、さらには10μm
〜40μmであることがよく、特には15μm〜25μ
mであることがよい。接着層22の厚さが5μm未満で
あると、接着のために最低限必要な樹脂量が確保されな
くなる。この結果、十分な接着強度が得られなくなり、
信頼性の向上を図ることが困難になるおそれがある。逆
に、接着層22の厚さが50μmを超えると、接着材3
全体の肉薄化が困難になり、最終的に肉薄な三次元実装
パッケージ1を得るうえで不利になる。
【0030】接着層22を構成する樹脂としては、例え
ばエポキシ、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられ
る。この場合、接着層22を構成する樹脂及びコア基材
21を構成する樹脂として、同種のもの同士を選択する
ことが好ましい。その理由は、同種のものを選択した場
合、両者の熱膨張係数差が極めて小さくなるため、熱応
力が発生しにくくなり、接着強度が向上するからであ
る。なお、接着層22を構成する樹脂中には、シリカガ
ラス等の無機物からなるフィラー等が含まれていても構
わない。
ばエポキシ、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられ
る。この場合、接着層22を構成する樹脂及びコア基材
21を構成する樹脂として、同種のもの同士を選択する
ことが好ましい。その理由は、同種のものを選択した場
合、両者の熱膨張係数差が極めて小さくなるため、熱応
力が発生しにくくなり、接着強度が向上するからであ
る。なお、接着層22を構成する樹脂中には、シリカガ
ラス等の無機物からなるフィラー等が含まれていても構
わない。
【0031】次に、上記三次元実装パッケージ1の製造
手順を図2〜図4に基づいて説明する。まず、ICチッ
プ4が搭載された2枚の回路基板2(即ち2個のパッケ
ージモジュール5)と、2枚の接着材3とをあらかじめ
用意する。
手順を図2〜図4に基づいて説明する。まず、ICチッ
プ4が搭載された2枚の回路基板2(即ち2個のパッケ
ージモジュール5)と、2枚の接着材3とをあらかじめ
用意する。
【0032】回路基板2は、樹脂フィルム等の絶縁材に
銅箔を貼着した銅張積層板を出発材料として作製するこ
とが可能である。銅張積層板には、従来公知の手法によ
りエッチングを行うことによって導体パターン6が形成
される。なお、回路形成方法として、エッチングを主体
としたサブトラクティブ法を採用するばかりでなく、ア
ディティブ法を採用してもよい。そして、このような回
路基板2を2枚作製するとともに、導体パターン6のパ
ッド部6bに対しICチップ4をボンディングし、必要
に応じてチップ搭載エリアの樹脂封止を行う。その結
果、2個のパッケージモジュール5が得られる(図3参
照)。
銅箔を貼着した銅張積層板を出発材料として作製するこ
とが可能である。銅張積層板には、従来公知の手法によ
りエッチングを行うことによって導体パターン6が形成
される。なお、回路形成方法として、エッチングを主体
としたサブトラクティブ法を採用するばかりでなく、ア
ディティブ法を採用してもよい。そして、このような回
路基板2を2枚作製するとともに、導体パターン6のパ
ッド部6bに対しICチップ4をボンディングし、必要
に応じてチップ搭載エリアの樹脂封止を行う。その結
果、2個のパッケージモジュール5が得られる(図3参
照)。
【0033】図2(a)に示されるように、接着材3
は、樹脂フィルム等からなる絶縁シート材をコア基材2
1として用いて作製される。コア基材21を構成する樹
脂としては例えばエポキシ樹脂等が選択される。コア基
材21の表層には、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹
脂が塗布される(図2(b)参照)。塗布された未硬化
状態の樹脂は、さらに加熱等の硬化処理を経ることによ
り、半硬化の状態(例えばBステージ状態)とされる。
その結果、コア基材21の両側面表層に所定厚さの接着
層22が形成される。なお、ここでは厚さ120μmの
コア基材21に厚さ20μmの接着層22を形成してい
る。
は、樹脂フィルム等からなる絶縁シート材をコア基材2
1として用いて作製される。コア基材21を構成する樹
脂としては例えばエポキシ樹脂等が選択される。コア基
材21の表層には、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹
脂が塗布される(図2(b)参照)。塗布された未硬化
状態の樹脂は、さらに加熱等の硬化処理を経ることによ
り、半硬化の状態(例えばBステージ状態)とされる。
その結果、コア基材21の両側面表層に所定厚さの接着
層22が形成される。なお、ここでは厚さ120μmの
コア基材21に厚さ20μmの接着層22を形成してい
る。
【0034】コア基材21を構成する樹脂は、この時点
で、接着層22を構成する樹脂よりも硬化程度が進んだ
状態となっている必要があり、好ましくは完全硬化状態
(いわゆるCステージ状態)となっていることがよい。
この後、コア基材21の中央部にはデバイスホール12
が加工形成される。なお、デバイスホール12の形成は
接着層22の形成前に行われてもよい。
で、接着層22を構成する樹脂よりも硬化程度が進んだ
状態となっている必要があり、好ましくは完全硬化状態
(いわゆるCステージ状態)となっていることがよい。
この後、コア基材21の中央部にはデバイスホール12
が加工形成される。なお、デバイスホール12の形成は
接着層22の形成前に行われてもよい。
【0035】そして、パッケージモジュール5と接着材
3とを交互に2枚ずつ積層するとともに、後に回路基板
2となる銅張積層板2Aを最上層に配置する。この銅張
積層板2Aの片側面には銅箔23が貼着されている。
3とを交互に2枚ずつ積層するとともに、後に回路基板
2となる銅張積層板2Aを最上層に配置する。この銅張
積層板2Aの片側面には銅箔23が貼着されている。
【0036】このような状態の積層体をプレス装置にセ
ットし、加熱下において積層方向(即ち図3の上下方
向)に所定の押圧力を与える。すると、樹脂がいったん
溶融して流動することにより、回路基板2と接着材3と
の間の隙間や、銅張積層板2Aと接着材3との間の隙間
を埋める。そして、時間の経過に伴って次第に前記樹脂
が硬化する。その結果、半硬化状態であった接着層22
がやがて完全硬化状態となり、その完全硬化した接着層
22を介して、回路基板2と接着材3とが一体化し、銅
張積層板2Aと接着材3とが一体化する。ただし、この
ときの樹脂流動は、プリプレグを用いたときのような無
秩序なものではなく、コア基材21の層方向に沿っての
み起こるものとなる。即ち、厚さ方向への樹脂流動が起
こらないことから、樹脂がある程度秩序を持って流動す
る。その理由は、完全硬化状態にあって内部に樹脂流動
の起こらないコア基材21の介在により、接着材3の表
裏が隔てられているからである。なお、このような形で
樹脂の流動が起こったとしても、樹脂が偏在するような
ことはなく、樹脂量に過不足が生じにくい。
ットし、加熱下において積層方向(即ち図3の上下方
向)に所定の押圧力を与える。すると、樹脂がいったん
溶融して流動することにより、回路基板2と接着材3と
の間の隙間や、銅張積層板2Aと接着材3との間の隙間
を埋める。そして、時間の経過に伴って次第に前記樹脂
が硬化する。その結果、半硬化状態であった接着層22
がやがて完全硬化状態となり、その完全硬化した接着層
22を介して、回路基板2と接着材3とが一体化し、銅
張積層板2Aと接着材3とが一体化する。ただし、この
ときの樹脂流動は、プリプレグを用いたときのような無
秩序なものではなく、コア基材21の層方向に沿っての
み起こるものとなる。即ち、厚さ方向への樹脂流動が起
こらないことから、樹脂がある程度秩序を持って流動す
る。その理由は、完全硬化状態にあって内部に樹脂流動
の起こらないコア基材21の介在により、接着材3の表
裏が隔てられているからである。なお、このような形で
樹脂の流動が起こったとしても、樹脂が偏在するような
ことはなく、樹脂量に過不足が生じにくい。
【0037】次いで、一体化した積層体をプレス装置か
ら取り外した後、ランド部6aに対応する箇所を穿孔す
ることにより、スルーホール形成用孔24の穴あけを行
う(図4参照)。さらに、デスミア処理を行ってスルー
ホール形成用孔24内のスミアを除去した後、従来公知
の手法に従ってパネルめっきを行う。その結果、スルー
ホール形成用孔24内に無電解銅めっきを析出させ、め
っきスルーホール8を形成する。この後、積層体の表裏
両面にレジストを設けて銅箔23のエッチングを行うこ
とにより、最外層に導体層をパターン形成する。次い
で、前記導体層を保護するためのソルダーレジスト9を
形成した後、ソルダーレジスト9の非形成部分から露出
する接続用パッド7に対して金めっき等を施す。そし
て、所定位置にて積層体を打ち抜くことにより外形加工
を行い、必要でない部分を除去する。そして、最後に検
査を行い、本実施形態の三次元実装パッケージ1を完成
させる。
ら取り外した後、ランド部6aに対応する箇所を穿孔す
ることにより、スルーホール形成用孔24の穴あけを行
う(図4参照)。さらに、デスミア処理を行ってスルー
ホール形成用孔24内のスミアを除去した後、従来公知
の手法に従ってパネルめっきを行う。その結果、スルー
ホール形成用孔24内に無電解銅めっきを析出させ、め
っきスルーホール8を形成する。この後、積層体の表裏
両面にレジストを設けて銅箔23のエッチングを行うこ
とにより、最外層に導体層をパターン形成する。次い
で、前記導体層を保護するためのソルダーレジスト9を
形成した後、ソルダーレジスト9の非形成部分から露出
する接続用パッド7に対して金めっき等を施す。そし
て、所定位置にて積層体を打ち抜くことにより外形加工
を行い、必要でない部分を除去する。そして、最後に検
査を行い、本実施形態の三次元実装パッケージ1を完成
させる。
【0038】従って、本実施形態によれば以下のような
効果を得ることができる。 (1)本実施形態の三次元実装パッケージ1は、コア基
材21と接着層22とからなる接着材3をパッケージモ
ジュール5間に介在させ、この状態で加熱プレスを行う
ことにより製造されたものである。従って、加熱プレス
時において、未硬化の樹脂が無秩序に流動するようなこ
とはなく、樹脂が層方向に沿ってある程度秩序をもって
流動する。ゆえに、樹脂流動に起因した積層体各層の位
置ズレが起こりにくくなる。よって、この接着材3を用
いて製造された三次元実装パッケージ1は、製品の寸法
精度に優れたものとなる。このため、良品率が高くな
り、歩留まりの向上を図ることができる。また、上記の
ような形で樹脂の流動が起こったとしても、樹脂が偏在
するようなことはなく、樹脂量に過不足が生じにくい。
このため、接着部位に高い信頼性を確保することでき、
もって信頼性に優れた三次元実装パッケージ1を得るこ
とができる。
効果を得ることができる。 (1)本実施形態の三次元実装パッケージ1は、コア基
材21と接着層22とからなる接着材3をパッケージモ
ジュール5間に介在させ、この状態で加熱プレスを行う
ことにより製造されたものである。従って、加熱プレス
時において、未硬化の樹脂が無秩序に流動するようなこ
とはなく、樹脂が層方向に沿ってある程度秩序をもって
流動する。ゆえに、樹脂流動に起因した積層体各層の位
置ズレが起こりにくくなる。よって、この接着材3を用
いて製造された三次元実装パッケージ1は、製品の寸法
精度に優れたものとなる。このため、良品率が高くな
り、歩留まりの向上を図ることができる。また、上記の
ような形で樹脂の流動が起こったとしても、樹脂が偏在
するようなことはなく、樹脂量に過不足が生じにくい。
このため、接着部位に高い信頼性を確保することでき、
もって信頼性に優れた三次元実装パッケージ1を得るこ
とができる。
【0039】(2)加熱プレス時に各層の位置ズレが起
こりにくい本実施形態によれば、加熱プレス時に位置決
め用治具を用いる必要がなくなることに加え、積層体に
あらかじめ位置決め穴を透設しておくことも不要にな
る。従って、高コスト化を回避しつつパッケージ1を比
較的簡単に製造することが可能である。
こりにくい本実施形態によれば、加熱プレス時に位置決
め用治具を用いる必要がなくなることに加え、積層体に
あらかじめ位置決め穴を透設しておくことも不要にな
る。従って、高コスト化を回避しつつパッケージ1を比
較的簡単に製造することが可能である。
【0040】(3)本実施形態の三次元実装パッケージ
1は、完全硬化状態のコア基材21を構成要素とする接
着材3を用いて製造されたものである。そのため、コア
基材21に含まれる樹脂については、加熱プレス時に流
動が全く起こらない。これにより、各層の位置ズレがよ
りいっそう起こりにくくなる。また、前記コア基材21
は寸法安定性に優れている。このため、これを構成要素
とする接着材3を用いることにより、製品の寸法精度や
信頼性を確実に向上させることができる。
1は、完全硬化状態のコア基材21を構成要素とする接
着材3を用いて製造されたものである。そのため、コア
基材21に含まれる樹脂については、加熱プレス時に流
動が全く起こらない。これにより、各層の位置ズレがよ
りいっそう起こりにくくなる。また、前記コア基材21
は寸法安定性に優れている。このため、これを構成要素
とする接着材3を用いることにより、製品の寸法精度や
信頼性を確実に向上させることができる。
【0041】(4)この三次元実装パッケージ1の場
合、接着層22がコア基材21よりも肉薄になってい
る。このため、接着材3における半硬化状態の樹脂の含
有量がそもそも少なく、接着材3全体としての樹脂の流
動量を低く抑えることができる。このことは各層の位置
ズレの低減につながる。また、コア基材21のほうが相
対的に肉厚であることから、全体をある程度肉薄にした
としても接着材3自体に好適な機械的強度を付与するこ
とができる。よって、接着材3に破損・変形が起こりに
くくなり、接着材3のハンドリング性が向上する。
合、接着層22がコア基材21よりも肉薄になってい
る。このため、接着材3における半硬化状態の樹脂の含
有量がそもそも少なく、接着材3全体としての樹脂の流
動量を低く抑えることができる。このことは各層の位置
ズレの低減につながる。また、コア基材21のほうが相
対的に肉厚であることから、全体をある程度肉薄にした
としても接着材3自体に好適な機械的強度を付与するこ
とができる。よって、接着材3に破損・変形が起こりに
くくなり、接着材3のハンドリング性が向上する。
【0042】また、接着層22の厚さは5μm〜50μ
mという好適範囲内に設定されている。従って、十分な
接着強度が得られることにより信頼性が確実に向上する
とともに、接着材3全体の肉薄化が図られることにより
肉薄な三次元実装パッケージ1を得るのに好都合とな
る。
mという好適範囲内に設定されている。従って、十分な
接着強度が得られることにより信頼性が確実に向上する
とともに、接着材3全体の肉薄化が図られることにより
肉薄な三次元実装パッケージ1を得るのに好都合とな
る。
【0043】(5)この三次元実装パッケージ1では、
接着層22を構成する樹脂及びコア基材21を構成する
樹脂がともにエポキシ樹脂である。即ち、接着層22と
コア基材21とで同種の樹脂が用いられている。ゆえ
に、熱膨張係数等の観点から両者のマッチングが良く、
接着強度の向上を図ることができる。このことは製品の
信頼性向上に寄与している。 [第2の実施形態]次に、本発明を具体化した実施形態
2の三次元実装パッケージ30及びその製造方法を図5
〜図7に基づいて説明する。ここでは実施形態1と相違
する点を主に述べ、共通する点については同一部材番号
を付すのみとしてその説明を省略する。
接着層22を構成する樹脂及びコア基材21を構成する
樹脂がともにエポキシ樹脂である。即ち、接着層22と
コア基材21とで同種の樹脂が用いられている。ゆえ
に、熱膨張係数等の観点から両者のマッチングが良く、
接着強度の向上を図ることができる。このことは製品の
信頼性向上に寄与している。 [第2の実施形態]次に、本発明を具体化した実施形態
2の三次元実装パッケージ30及びその製造方法を図5
〜図7に基づいて説明する。ここでは実施形態1と相違
する点を主に述べ、共通する点については同一部材番号
を付すのみとしてその説明を省略する。
【0044】図7に示される第2実施形態の三次元実装
パッケージ30においても、3枚の回路基板2と2枚の
接着材3とを用いた構造が採用されている。3枚の回路
基板2のうち2枚については下面側中央部にICチップ
4が搭載され、これによりいわゆるパッケージモジュー
ル5が構成されている。ただし、このパッケージ30の
場合、めっきスルーホール8の代わりに各層のバイアホ
ール33を介して層間の接続が図られている。パッケー
ジモジュール5及び接着材3のバイアホール33は、同
一直線上において積み重なるように配置された状態で互
いに電気的に接続されている。また、本実施形態のパッ
ケージ30に用いられる接着材35は、コア基材21と
接着層22とからなることに加え、層間接続のためのバ
イアホール33を備えている。
パッケージ30においても、3枚の回路基板2と2枚の
接着材3とを用いた構造が採用されている。3枚の回路
基板2のうち2枚については下面側中央部にICチップ
4が搭載され、これによりいわゆるパッケージモジュー
ル5が構成されている。ただし、このパッケージ30の
場合、めっきスルーホール8の代わりに各層のバイアホ
ール33を介して層間の接続が図られている。パッケー
ジモジュール5及び接着材3のバイアホール33は、同
一直線上において積み重なるように配置された状態で互
いに電気的に接続されている。また、本実施形態のパッ
ケージ30に用いられる接着材35は、コア基材21と
接着層22とからなることに加え、層間接続のためのバ
イアホール33を備えている。
【0045】次に、上記三次元実装パッケージ30の製
造手順を図5,図6に基づいて説明する。まず、ICチ
ップ4が搭載された2枚の回路基板2(即ち2個のパッ
ケージモジュール5)と、2枚の接着材35とをあらか
じめ用意する。
造手順を図5,図6に基づいて説明する。まず、ICチ
ップ4が搭載された2枚の回路基板2(即ち2個のパッ
ケージモジュール5)と、2枚の接着材35とをあらか
じめ用意する。
【0046】接着材35は、図5(a)に示されるよう
な絶縁シート材をコア基材21として用いて作製され
る。コア基材21は完全硬化状態の樹脂を構成要素とし
て含む。まず、このコア基材21の表層全体にレジスト
31を形成する(図5(b)参照)。次いで、コア基材
21にバイアホール形成用孔32を透設した後(図5
(c)参照)、導電性金属ペーストの印刷を行ってバイ
アホール33を形成する(図5(d)参照)。レジスト3
1を除去すると、レジスト31の厚さに相当する分だ
け、バイアホール33の端面がコア基材21から突出し
た状態となる。次に、バイアホール33の端面を覆う別
のレジスト34を形成し、この状態でコア基材21の両
側面に例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を塗布す
る。塗布された未硬化状態の樹脂は、加熱等の硬化処理
を経ることにより半硬化の状態(例えばBステージ状
態)とされる。その結果、コア基材21の両側面表層に
所定厚さの接着層22が形成される(図5(e)参照)。
この後、レジスト34の除去及びデバイスホール12の
形成を行う。バイアホール33の両端面は接着材3の表
層から露出した状態となっている。
な絶縁シート材をコア基材21として用いて作製され
る。コア基材21は完全硬化状態の樹脂を構成要素とし
て含む。まず、このコア基材21の表層全体にレジスト
31を形成する(図5(b)参照)。次いで、コア基材
21にバイアホール形成用孔32を透設した後(図5
(c)参照)、導電性金属ペーストの印刷を行ってバイ
アホール33を形成する(図5(d)参照)。レジスト3
1を除去すると、レジスト31の厚さに相当する分だ
け、バイアホール33の端面がコア基材21から突出し
た状態となる。次に、バイアホール33の端面を覆う別
のレジスト34を形成し、この状態でコア基材21の両
側面に例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を塗布す
る。塗布された未硬化状態の樹脂は、加熱等の硬化処理
を経ることにより半硬化の状態(例えばBステージ状
態)とされる。その結果、コア基材21の両側面表層に
所定厚さの接着層22が形成される(図5(e)参照)。
この後、レジスト34の除去及びデバイスホール12の
形成を行う。バイアホール33の両端面は接着材3の表
層から露出した状態となっている。
【0047】次いで、パッケージモジュール5と接着材
3とを交互に2枚ずつ積層するとともに、バイアホール
33を備える回路基板2を最下層に配置する。このよう
な状態の積層体を加熱プレスして各層を一体化させた
後、外形加工や検査等を行い、本実施形態の三次元実装
パッケージ30を完成させる。
3とを交互に2枚ずつ積層するとともに、バイアホール
33を備える回路基板2を最下層に配置する。このよう
な状態の積層体を加熱プレスして各層を一体化させた
後、外形加工や検査等を行い、本実施形態の三次元実装
パッケージ30を完成させる。
【0048】そして、この実施形態の三次元実装パッケ
ージ30は、コア基材21と接着層22とからなる接着
材35をパッケージモジュール5間に介在させ、この状
態で加熱プレスを行うことにより製造されたものであ
る。従って、実施形態1のときと同じく歩留まり及び信
頼性に優れたパッケージ30とすることができる。ま
た、本実施形態によれば、加熱プレス後にめっきスルー
ホール8を形成する工程を行うことなくパッケージ30
を完成させることができる。
ージ30は、コア基材21と接着層22とからなる接着
材35をパッケージモジュール5間に介在させ、この状
態で加熱プレスを行うことにより製造されたものであ
る。従って、実施形態1のときと同じく歩留まり及び信
頼性に優れたパッケージ30とすることができる。ま
た、本実施形態によれば、加熱プレス後にめっきスルー
ホール8を形成する工程を行うことなくパッケージ30
を完成させることができる。
【0049】なお、本発明の実施形態は以下のように変
更してもよい。 ・ 図9に示される別例のような構造の三次元実装パッ
ケージ40としてもよい。このパッケージ40では図8
に示す接着材41が用いられている。この接着材41の
コア基材21としては、プリント配線板用の樹脂製絶縁
基材(例えばFR−4のような銅張積層板)が用いられ
ている。そして、このコア基材21には、凸部としての
ダミーパターン42が設けられている。ダミーパターン
42は回路基板2の導体パターン6に略対応した位置に
ある。従って、加熱プレスを行うと、導体パターン6と
ダミーパターン42とが近接または当接した状態とな
る。ゆえに、パッケージモジュール5と接着材41との
摩擦抵抗が増大し、各層の位置ズレがよりいっそう起こ
りにくくなる。この構成によると、加熱プレス時に発生
する熱応力も小さいため、寸法精度や信頼性に優れたパ
ッケージ40を確実に得ることができる。また、プリン
ト配線板用の樹脂製絶縁基材であれば、銅箔をエッチン
グすることにより、ダミーパターン42を比較的簡単に
形成することが可能である。
更してもよい。 ・ 図9に示される別例のような構造の三次元実装パッ
ケージ40としてもよい。このパッケージ40では図8
に示す接着材41が用いられている。この接着材41の
コア基材21としては、プリント配線板用の樹脂製絶縁
基材(例えばFR−4のような銅張積層板)が用いられ
ている。そして、このコア基材21には、凸部としての
ダミーパターン42が設けられている。ダミーパターン
42は回路基板2の導体パターン6に略対応した位置に
ある。従って、加熱プレスを行うと、導体パターン6と
ダミーパターン42とが近接または当接した状態とな
る。ゆえに、パッケージモジュール5と接着材41との
摩擦抵抗が増大し、各層の位置ズレがよりいっそう起こ
りにくくなる。この構成によると、加熱プレス時に発生
する熱応力も小さいため、寸法精度や信頼性に優れたパ
ッケージ40を確実に得ることができる。また、プリン
ト配線板用の樹脂製絶縁基材であれば、銅箔をエッチン
グすることにより、ダミーパターン42を比較的簡単に
形成することが可能である。
【0050】・ 前記別例において形成される凸部は、
銅箔に由来するダミーパターン42に限定されることは
なく、例えば樹脂を塗布、硬化させることにより形成さ
れた隆起部のようなものであっても構わない。
銅箔に由来するダミーパターン42に限定されることは
なく、例えば樹脂を塗布、硬化させることにより形成さ
れた隆起部のようなものであっても構わない。
【0051】・ デバイスホール12は、前記実施形態
のような貫通孔であってもよいほか、非貫通孔であって
もよい。また、デバイスホール12を省略した構成を採
用することも可能である。ただし、デバイスホール12
を備える構造のほうが装置全体の肉薄化に都合がよい。
のような貫通孔であってもよいほか、非貫通孔であって
もよい。また、デバイスホール12を省略した構成を採
用することも可能である。ただし、デバイスホール12
を備える構造のほうが装置全体の肉薄化に都合がよい。
【0052】・ パッケージ1,30,40におけるパ
ッケージモジュール5及び接着材3,35,41の使用
枚数は、前記実施形態に限定されることはなく、それぞ
れ任意に変更することが可能である。例えば、パッケー
ジモジュール5及び接着材3,35,41を3枚ずつ使
用したり、4枚ずつ使用したりすること等が可能であ
る。勿論、それ以上の枚数を使用し、さらなる多層かつ
高密度のパッケージ1,30,40を構成することも可
能である。
ッケージモジュール5及び接着材3,35,41の使用
枚数は、前記実施形態に限定されることはなく、それぞ
れ任意に変更することが可能である。例えば、パッケー
ジモジュール5及び接着材3,35,41を3枚ずつ使
用したり、4枚ずつ使用したりすること等が可能であ
る。勿論、それ以上の枚数を使用し、さらなる多層かつ
高密度のパッケージ1,30,40を構成することも可
能である。
【0053】・ コア基材21を構成する樹脂は必ずし
も完全硬化状態(Cステージ状態)でなくてもよく、接
着層22を構成する樹脂よりも硬化程度が進んでいるも
のであればよい。例えば、接着層22を構成する樹脂が
Bステージ状態であれば、コア基材21を構成する樹脂
をBステージとCステージとの中間に相当する状態に設
定することも許容される。
も完全硬化状態(Cステージ状態)でなくてもよく、接
着層22を構成する樹脂よりも硬化程度が進んでいるも
のであればよい。例えば、接着層22を構成する樹脂が
Bステージ状態であれば、コア基材21を構成する樹脂
をBステージとCステージとの中間に相当する状態に設
定することも許容される。
【0054】次に、特許請求の範囲に記載された技術的
思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技
術的思想を以下に列挙する。 (1) 回路基板上に半導体チップを搭載した複数枚の
パッケージモジュール同士が接着材を介して接着された
三次元実装パッケージの製造方法において、半硬化状態
の熱硬化性樹脂からなる接着層を表層に有し、かつ前記
接着層を構成する樹脂よりも硬化程度の進んだ樹脂を構
成要素とするコア基材を内層に有する接着材を、前記パ
ッケージモジュール間に介在させ、この状態で加熱プレ
スを行って前記半硬化状態の熱硬化性樹脂からなる接着
層をさらに硬化させることを特徴とする三次元実装パッ
ケージの製造方法。
思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技
術的思想を以下に列挙する。 (1) 回路基板上に半導体チップを搭載した複数枚の
パッケージモジュール同士が接着材を介して接着された
三次元実装パッケージの製造方法において、半硬化状態
の熱硬化性樹脂からなる接着層を表層に有し、かつ前記
接着層を構成する樹脂よりも硬化程度の進んだ樹脂を構
成要素とするコア基材を内層に有する接着材を、前記パ
ッケージモジュール間に介在させ、この状態で加熱プレ
スを行って前記半硬化状態の熱硬化性樹脂からなる接着
層をさらに硬化させることを特徴とする三次元実装パッ
ケージの製造方法。
【0055】(2) 請求項4乃至8のいずれか1項に
おいて、バイアホールを備えることを特徴とする三次元
実装パッケージ製造用接着材。従って、この技術的思想
2に記載の発明によると、異なるパッケージモジュール
における導体層同士をバイアホールを介して層間接続す
ることができる。よって、加熱プレス後に層間接続のた
めのめっきスルーホールを形成する工程を行う必要がな
くなる。
おいて、バイアホールを備えることを特徴とする三次元
実装パッケージ製造用接着材。従って、この技術的思想
2に記載の発明によると、異なるパッケージモジュール
における導体層同士をバイアホールを介して層間接続す
ることができる。よって、加熱プレス後に層間接続のた
めのめっきスルーホールを形成する工程を行う必要がな
くなる。
【0056】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項1〜3に記
載の発明によれば、歩留まり及び信頼性に優れた三次元
実装パッケージを得るうえで好適な製造方法を提供する
ことができる。
載の発明によれば、歩留まり及び信頼性に優れた三次元
実装パッケージを得るうえで好適な製造方法を提供する
ことができる。
【0057】請求項4〜8に記載の発明によれば、歩留
まり及び信頼性に優れた三次元実装パッケージを得るう
えで好適な接着材を提供することができる。請求項9に
記載の発明によれば、歩留まり及び信頼性に優れた三次
元実装パッケージを提供することにある。
まり及び信頼性に優れた三次元実装パッケージを得るう
えで好適な接着材を提供することができる。請求項9に
記載の発明によれば、歩留まり及び信頼性に優れた三次
元実装パッケージを提供することにある。
【図1】本発明を具体化した第1実施形態の三次元実装
パッケージの概略断面図。
パッケージの概略断面図。
【図2】(a)〜(c)は、第1実施形態のパッケージ
の製造手順を説明するための概略断面図。
の製造手順を説明するための概略断面図。
【図3】第1実施形態のパッケージの製造手順を説明す
るための概略断面図。
るための概略断面図。
【図4】第1実施形態のパッケージの製造手順を説明す
るための概略断面図。
るための概略断面図。
【図5】(a)〜(f)は、第2実施形態の三次元実装
パッケージの製造手順を説明するための概略断面図。
パッケージの製造手順を説明するための概略断面図。
【図6】第2実施形態のパッケージの製造手順を説明す
るための概略断面図。
るための概略断面図。
【図7】第2実施形態のパッケージの製造手順を説明す
るための概略断面図。
るための概略断面図。
【図8】別例の三次元実装パッケージの製造手順を説明
するための概略断面図。
するための概略断面図。
【図9】別例の三次元実装パッケージの製造手順を説明
するための概略断面図。
するための概略断面図。
1,30,40…三次元実装パッケージ、2…回路基
板、3,41…接着材、4…半導体チップとしてのIC
チップ、5…パッケージモジュール、21…コア基材、
22…接着層、42…凸部としてのダミーパターン。
板、3,41…接着材、4…半導体チップとしてのIC
チップ、5…パッケージモジュール、21…コア基材、
22…接着層、42…凸部としてのダミーパターン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 25/18
Claims (9)
- 【請求項1】回路基板上に半導体チップを搭載した複数
枚のパッケージモジュール同士が接着材を介して接着さ
れた三次元実装パッケージの製造方法において、 半硬化状態の樹脂からなる接着層を表層に有し、かつ前
記接着層を構成する樹脂よりも硬化程度の進んだ樹脂を
構成要素とするコア基材を内層に有する接着材を、前記
パッケージモジュール間に介在させ、この状態で加熱プ
レスを行うことを特徴とする三次元実装パッケージの製
造方法。 - 【請求項2】前記コア基材において前記回路基板の導体
パターンに略対応する位置に、凸部を設けておくことを
特徴とする請求項1に記載の三次元実装パッケージの製
造方法。 - 【請求項3】前記コア基材はプリント配線板用の樹脂製
絶縁基材であり、前記凸部は前記樹脂製絶縁基材に設け
られたダミーパターンであることを特徴とする請求項2
に記載の三次元実装パッケージの製造方法。 - 【請求項4】半硬化状態の樹脂からなる接着層を表層に
有し、前記接着層を構成する樹脂よりも硬化程度の進ん
だ樹脂を構成要素とするコア基材を内層に有する三次元
実装パッケージ用接着材。 - 【請求項5】半硬化状態の樹脂からなる接着層を表層に
有し、完全硬化状態の樹脂を構成要素とするコア基材を
内層に有する三次元実装パッケージ用接着材。 - 【請求項6】前記接着層は前記コア基材よりも肉薄であ
ることを特徴とする請求項4または5に記載の三次元実
装パッケージ製造用接着材。 - 【請求項7】前記接着層の厚さは5μm〜50μmであ
ることを特徴とする請求項6に記載の三次元実装パッケ
ージ製造用接着材。 - 【請求項8】前記接着層を構成する樹脂と前記コア基材
を構成する樹脂とは同種のものであることを特徴とする
請求項4乃至7のいずれか1項に記載の三次元実装パッ
ケージ製造用接着材。 - 【請求項9】回路基板上に半導体チップを搭載した複数
枚のパッケージモジュール同士が、請求項4乃至8のい
ずれか1項に記載の接着材を介して加熱プレスにより接
着された三次元実装パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001037126A JP2002246745A (ja) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | 三次元実装パッケージ及びその製造方法、三次元実装パッケージ製造用接着材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001037126A JP2002246745A (ja) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | 三次元実装パッケージ及びその製造方法、三次元実装パッケージ製造用接着材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002246745A true JP2002246745A (ja) | 2002-08-30 |
Family
ID=18900302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001037126A Pending JP2002246745A (ja) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | 三次元実装パッケージ及びその製造方法、三次元実装パッケージ製造用接着材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002246745A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004165318A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板 |
| JP2006156432A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 多層プリント配線板の製造方法 |
| JP2007329147A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Shindo Denshi Kogyo Kk | 多層プリント配線板、および多層プリント配線板の製造方法 |
| KR20100100684A (ko) * | 2009-03-06 | 2010-09-15 | 제너럴 일렉트릭 캄파니 | 내장 칩 패키지 |
| JP2011258838A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Fujitsu Ltd | 積層回路基板、接着シート、積層回路基板の製造方法および接着シートの製造方法 |
| US8658473B2 (en) | 2012-03-27 | 2014-02-25 | General Electric Company | Ultrathin buried die module and method of manufacturing thereof |
| JP2014232760A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | 株式会社日立製作所 | 層間接続基板およびその製造方法 |
Citations (3)
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| JP2000077800A (ja) * | 1998-06-16 | 2000-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線基板とその製造方法 |
-
2001
- 2001-02-14 JP JP2001037126A patent/JP2002246745A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| TWI511263B (zh) * | 2009-03-06 | 2015-12-01 | 奇異電器公司 | 堆疊式晶粒嵌入晶片增層之系統及方法 |
| KR101690549B1 (ko) * | 2009-03-06 | 2016-12-28 | 제너럴 일렉트릭 캄파니 | 내장 칩 패키지 |
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| CN104219901A (zh) * | 2013-05-28 | 2014-12-17 | 株式会社日立制作所 | 层间连接基板及其制造方法 |
| US9320154B2 (en) | 2013-05-28 | 2016-04-19 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing an interlayer connection substrate |
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