JP4279893B2 - 回路部品内蔵モジュールの製造方法 - Google Patents

回路部品内蔵モジュールの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4279893B2
JP4279893B2 JP2008051743A JP2008051743A JP4279893B2 JP 4279893 B2 JP4279893 B2 JP 4279893B2 JP 2008051743 A JP2008051743 A JP 2008051743A JP 2008051743 A JP2008051743 A JP 2008051743A JP 4279893 B2 JP4279893 B2 JP 4279893B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit component
plate
wiring pattern
module
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2008051743A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008153693A (ja
Inventor
誠一 中谷
浩一 平野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2008051743A priority Critical patent/JP4279893B2/ja
Publication of JP2008153693A publication Critical patent/JP2008153693A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4279893B2 publication Critical patent/JP4279893B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
    • H05K1/186—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit manufactured by mounting on or connecting to patterned circuits before or during embedding
    • H05K1/187—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit manufactured by mounting on or connecting to patterned circuits before or during embedding the patterned circuits being prefabricated circuits, which are not yet attached to a permanent insulating substrate, e.g. on a temporary carrier
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F16/00—Information retrieval; Database structures therefor; File system structures therefor
    • G06F16/90—Details of database functions independent of the retrieved data types
    • G06F16/95—Retrieval from the web
    • G06F16/958—Organisation or management of web site content, e.g. publishing, maintaining pages or automatic linking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/105—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L69/00—Network arrangements, protocols or services independent of the application payload and not provided for in the other groups of this subclass
    • H04L69/30—Definitions, standards or architectural aspects of layered protocol stacks
    • H04L69/32—Architecture of open systems interconnection [OSI] 7-layer type protocol stacks, e.g. the interfaces between the data link level and the physical level
    • H04L69/322—Intralayer communication protocols among peer entities or protocol data unit [PDU] definitions
    • H04L69/329—Intralayer communication protocols among peer entities or protocol data unit [PDU] definitions in the application layer [OSI layer 7]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
    • H05K1/188—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit manufactured by mounting on or attaching to a structure having a conductive layer, e.g. a metal foil, such that the terminals of the component are connected to or adjacent to the conductive layer before embedding, and by using the conductive layer, which is patterned after embedding, at least partially for connecting the component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4614—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards the electrical connections between the circuit boards being made during lamination
    • H05K3/4617—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards the electrical connections between the circuit boards being made during lamination characterized by laminating only or mainly similar single-sided circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1017—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
    • H01L2225/1035—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the device being entirely enclosed by the support, e.g. high-density interconnect [HDI]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1047—Details of electrical connections between containers
    • H01L2225/1058—Bump or bump-like electrical connections, e.g. balls, pillars, posts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01025—Manganese [Mn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10378—Interposers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
    • H05K3/4069—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in organic insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4652—Adding a circuit layer by laminating a metal foil or a preformed metal foil pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4652—Adding a circuit layer by laminating a metal foil or a preformed metal foil pattern
    • H05K3/4658—Adding a circuit layer by laminating a metal foil or a preformed metal foil pattern characterized by laminating a prefabricated metal foil pattern, e.g. by transfer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/901—Printed circuit
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1089—Methods of surface bonding and/or assembly therefor of discrete laminae to single face of additional lamina
    • Y10T156/109—Embedding of laminae within face of additional laminae
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24893—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including particulate material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Databases & Information Systems (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)

Description

本発明は、回路部品内蔵モジュールに関し、特にたとえば、回路部品が電気絶縁性基板の内部に配置される回路部品内蔵モジュールの製造方法に関する。
近年、電子機器の高性能化、小型化の要求に伴い、回路部品の高密度、高機能化が一層叫ばれている。そのため、回路部品の高密度、高機能化に対応した回路基板が要求されている。
回路部品を高密度化する方法として、回路を多層化する方法が考えられるが、従来のガラス−エポキシ基板では、ドリルによる貫通スルーホール構造を用いる必要があるため、高密度実装化への対応が困難である。このため、最も回路の高密度化が図れる方法として、ＬＳＩ間や部品間の配線パターンを最短距離で接続できるインナービアホール接続法の開発が、各方面で進められている。
インナービアホール接続法では、必要な各層間のみの接続が可能であり、回路部品の実装性にも優れている（特許文献１および２を参照）。
特開昭６３−４７９９１号公報 特開平６−２６８３４５号公報
しかしながら、従来、インナービアホール接続法で用いられてきた基板は、樹脂系の材料で構成されていたため、熱伝導度が低いという問題があった。回路部品内蔵モジュールでは、回路部品の実装密度が高密度になればなるほど部品から発生する熱を放熱させる必要が高くなるが、従来の基板では十分に放熱をすることができず、回路部品内蔵モジュールの信頼性が低下するという問題があった。
本発明は、上記従来の問題を解決するため、高密度で回路部品の実装が可能であり且つ信頼性の高い回路部品内蔵モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の第１の回路部品内蔵モジュールの製造方法は、無機フィラー７０重量％〜９５重量％と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を用いて板状体Ａを形成する工程と、前記板状体Ａに未硬化のインナービアを形成する工程と、第１の銅箔の一主面に少なくとも１つ以上の回路部品を実装する工程と、前記第１の銅箔の前記一主面上に、前記板状体Ａを位置合わせして重ね、さらにその上に第２の銅箔を重ねて加圧することによって、前記回路部品が埋設された板状体Ｂを形成する工程と、前記第１および第２の銅箔を加工して配線パターンを形成する工程とを含み、前記第１の銅箔の前記一主面上に、前記板状体Ａを位置合わせして重ね、さらにその上に第２の銅箔を重ねて加圧することによって、前記回路部品が埋設された板状体Ｂを形成する工程は、１５０℃〜２６０℃の温度範囲に加熱し、かつ、１０〜２００Ｋｇ／ｃｍ2の範囲の圧力で加圧し行われることを特徴とする。
本発明の第２の回路部品内蔵モジュールの製造方法は、無機フィラー７０重量％〜９５重量％と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を用いて板状体Ａを形成する工程と、前記板状体Ａに未硬化のインナービアを形成する工程と、第１の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成し、前記配線パターン上に少なくとも１つ以上の回路部品を実装する工程と、第２の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成する工程と、前記第１の離型フィルムと前記板状体Ａと前記第２の離型フィルムとを前記配線パターンが前記板状体Ａ側に向くようにこの順序で位置合わせして重ねて加圧することによって前記回路部品が埋設された板状体Ｂを形成する工程と、前記第１および第２の離型フィルムを前記板状体Ｂから剥離する工程とを含み、前記第１の離型フィルムと前記板状体Ａと前記第２の離型フィルムとを前記配線パターンが前記板状体Ａ側に向くようにこの順序で位置合わせして重ねて加圧することによって前記回路部品が埋設された板状体Ｂを形成する工程は、１５０℃〜２６０℃の温度範囲に加熱し、かつ、１０〜２００Ｋｇ／ｃｍ2の範囲の圧力で加圧し行われることを特徴とする。
上記第１および第２の製造方法では、前記銅箔または前記配線パターンに前記回路部品を実装した後、前記銅箔または前記配線パターンと前記回路部品との間に封止樹脂を注入する工程をさらに含むことが好ましい。この工程によって、回路部品と配線パターンとの間に空間が形成されることを防止することができ、また、回路部品と配線パターンとの接続を強固にすることができる。
上記第１および第２の製造方法では、前記板状体Ａを形成する工程が、前記混合物を板状に成型した後、前記板状の混合物を前記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度で熱処理することによって、前記板状の混合物の粘着性を失わせる工程を含むことが好ましい。
上記第１および第２の製造方法では、前記回路部品を前記板状体Ａに埋設することによって前記板状体Ｂを形成する工程を、前記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度下で行うことが好ましい。
上記第１および第２の製造方法では、前記回路部品を前記配線パターンに実装する工程は、前記回路部品と前記配線パターンとを半田によって電気的および機械的に接続する工程からなることが好ましい。
上記第１および第２の製造方法では、前記回路部品が能動部品を含み、前記能動部品を前記配線パターンに実装する際に、前記能動部品の金バンプと前記配線パターンとを導電性接着剤によって電気的に接続することが好ましい。
上記第１および第２の製造方法では、前記回路部品が半導体ベアーチップを含み、前記半導体ベアーチップは前記配線パターンにフリップチップボンディングされていることが好ましい。
上記第１および第２の製造方法では、前記回路部品が、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサおよびチップ状のインダクタから選ばれる少なくとも一つの部品を含むことが好ましい。
上記第１および第２の製造方法では、前記未硬化のインナービアの形成は、前記板状体Ａの厚み方向に貫通する貫通孔を形成した後、前記貫通孔に導電性樹脂組成物を充填することにより行われることが好ましい。
上記第１および第２の製造方法では、配線パターンを形成する工程がエッチングであることが好ましい。
本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物からなる電気絶縁性基板を用いているため、放熱性が高い回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。また、多層構造とすることによって、さらに高密度に回路部品を実装可能な回路部品内蔵モジュールを得ることができる。さらに、無機フィラーを選択することによって、電気絶縁性基板の熱伝導度、線膨張係数、誘電率などを制御することが可能である。したがって、電気絶縁性基板の線膨張係数を半導体素子とほぼ同じにすることが可能であるため、半導体素子を内蔵した回路部品内蔵モジュールを得ることができる。また、電気絶縁性基板の熱伝導度を向上させることができるため、放熱を必要とする半導体素子などを内蔵した回路部品内蔵モジュールを得ることができる。さらに、電気絶縁性基板の誘電率を低くすることもできるため、高周波回路用の回路部品内蔵モジュールを得ることができる。
また、本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、配線パターンを形成した離型フィルムを用いることによって、配線パターンを電気絶縁性基板に埋設することができるため、表面が平滑な回路部品内蔵モジュールが得られる。したがって、表面の配線パターンにさらに回路部品を実装する場合に、高密度で回路部品を実装することができる。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態の一例について説明する。
（実施形態１）
この実施形態１は、本発明の回路部品内蔵モジュールの一例であり、図１は、この実施形態の回路部品内蔵モジュール１００の斜視断面図である。
図１を参照して、この実施形態の回路部品内蔵モジュール１００は、電気絶縁性基板１０１と、電気絶縁性基板１０１の一主面および他主面に形成された配線パターン１０２ａおよび１０２ｂと、配線パターン１０２ｂに接続され電気絶縁性基板１０１の内部に配置された回路部品１０３と、配線パターン１０２ａおよび１０２ｂを電気的に接続するインナービア１０４とを含む。
電気絶縁性基板１０１は、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる。無機フィラーには、たとえば、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮまたはＳｉＯ2などを用いることができる。無機フィラーは、混合物に対して７０重量％から９５重量％であることが好ましい。無機フィラーの平均粒子径は、０．１μｍ〜１００μｍ以下であることが好ましい。熱硬化性樹脂には、たとえば、耐熱性が高いエポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、耐熱性が特に高いため特に好ましい。なお、混合物は、さらに分散剤、着色剤、カップリング剤または離型剤を含んでいてもよい。
配線パターン１０２ａおよび１０２ｂは、電気導電性を有する物質からなり、たとえば、銅箔や導電性樹脂組成物からなる。配線パターンとして銅箔を用いる場合、たとえば、電解メッキにより作製された厚さ１８μｍ〜３５μｍ程度の銅箔が使用できる。銅箔は、電気絶縁性基板１０１との接着性を向上させるため、電気絶縁性基板１０１と接触する面を粗化することが望ましい。また、銅箔には、接着性および耐酸化性向上のため、銅箔表面をカップリング処理したものや、銅箔表面に錫、亜鉛またはニッケルをメッキしたものを使用してもよい。また、配線パターン１０２ａおよび１０２ｂには、エッチング法または打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームを用いてもよい。
回路部品１０３は、たとえば、能動部品１０３ａおよび受動部品１０３ｂを含む。能動部品１０３ａとしては、たとえば、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素子が用いられる。半導体素子は、半導体ベアーチップであってもよい。受動部品１０３ｂとしては、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサまたはチップ状インダクタなどが用いられる。なお、回路部品１０３は、受動部品１０３ｂを含まない場合であってもよい。
配線パターン１０２ｂと能動部品１０３ａとの接続には、たとえばフリップチップボンディングが用いられる。
インナービア１０４は、たとえば、熱硬化性の導電性物質からなる。熱硬化性の導電性物質としては、たとえば、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物を用いることができる。金属粒子としては、金、銀、銅またはニッケルなどを用いることができる。金、銀、銅またはニッケルは導電性が高いため好ましく、銅は導電性が高くマイグレーションも少ないため特に好ましい。熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂は、耐熱性が高いため特に好ましい。
この実施形態１に示した回路部品内蔵モジュール１００では、配線パターン１０２ａと配線パターン１０２ｂとが、電気絶縁性基板１０１の貫通孔に充填されたインナービア１０４によって接続される。したがって、回路部品内蔵モジュール１００では、高密度に回路部品１０３を実装することができる。
また、回路部品内蔵モジュール１００では、電気絶縁性基板１０１に含まれる無機フィラーによって回路部品で発生した熱が速やかに伝導される。したがって、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られる。
また、回路部品内蔵モジュール１００では、電気絶縁性基板１０１に用いる無機フィラーを選択することによって、電気絶縁性基板１０１の線膨張係数、熱伝導度、誘電率などを容易に制御することができる。電気絶縁性基板１０１の線膨張係数を半導体素子と略等しくすると、温度変化によるクラックの発生等を防止することができるため、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られる。電気絶縁性基板１０１の熱伝導性を向上させると、高密度で回路部品を実装した場合にも、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られる。電気絶縁性基板１０１の誘電率を低くすることによって、誘電損失の少ない高周波回路用モジュールが得られる。
また、回路部品内蔵モジュール１００では、電気絶縁性基板１０１によって回路部品１０３を外気から遮断することができるため、湿度による信頼性低下を防止することができる。
また、本発明の回路部品内蔵モジュール１００は、電気絶縁性基板１０１の材料として、無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物を用いているため、セラミック基板と異なり、高温で焼成する必要がなく製造が容易である。
なお、図１に示した回路部品内蔵モジュール１００では、配線パターン１０２ａが電気絶縁性基板１０１に埋設されていない場合を示したが、配線パターン１０２ａが電気絶縁性基板１０１に埋設されていてもよい（図３（ｈ）参照）。
また、図１に示した回路部品内蔵モジュール１００では、配線パターン１０２ａ上に回路部品が実装されていない場合を示したが、配線パターン１０２ａ上に回路部品を実装してもよく、さらに回路部品内蔵モジュールを樹脂モールドしてもよい（以下の実施形態において同様である）。配線パターン１０２ａ上に回路部品を実装することによって、さらに高密度に回路部品を実装できる。
（実施形態２）
この実施形態２では、図１に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の一実施形態を説明する。実施形態２で用いられる材料および回路部品は、実施形態１で説明したものである。
図２（ａ）〜（ｈ）は回路部品内蔵モジュールの製造工程の一実施形態を示す断面図である。
まず、図２（ａ）に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物２００を形成する。板状の混合物２００は、無機フィラーと未硬化状態の熱硬化性樹脂とを混合してペースト状混練物とし、そのペースト状混練物を一定厚みに成型することによって形成することができる。
なお、板状の混合物２００を、熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度で熱処理をしてもよい。熱処理をすることによって、混合物２００の可撓性を維持しながら粘着性を除去することができるため、その後の処理が容易になる。また、溶剤によって熱硬化性樹脂を溶解させた混合物では、熱処理をすることによって、溶剤の一部を除去することができる。
その後、図２（ｂ）に示すように、混合物２００の所望の位置に貫通孔２０１を形成することによって、貫通孔２０１が形成された板状体を形成する。貫通孔２０１は、たとえば、レーザ加工、ドリルによる加工または金型による加工で形成することができる。レーザ加工は、微細なピッチで貫通孔２０１を形成することができ、削り屑が発生しないため好ましい。レーザ加工では、炭酸ガスレーザやエキシマレーザを用いると加工が容易である。なお、貫通孔２０１は、ペースト状混練物を成型して板状の混合物２００を形成する際に、同時に形成してもよい。
その後、図２（ｃ）に示すように、貫通孔２０１に導電性樹脂組成物２０２を充填することによって、貫通孔２０１に導電性樹脂組成物２０２が充填された板状体を形成する。
図２（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、図２（ｄ）に示すように、銅箔２０３に回路部品２０４をフリップチップボンディングする。回路部品２０４は、導電性接着剤２０５を介して銅箔２０３と電気的に接続されている。導電性接着剤２０５には、たとえば、金、銀、銅、銀−パラジウム合金などを熱硬化性樹脂で混練したものが使用できる。また、導電性接着剤２０５の代わりに、金ワイヤボンディング法で作製したバンプまたは半田によるバンプを回路部品側にあらかじめ形成し、熱処理によって金または半田の溶解して回路部品２０４を実装することも可能である。さらに、半田バンプと導電性接着剤とを併用することも可能である。
なお、銅箔２０３に実装した回路部品２０４と銅箔２０３との間に封止樹脂を注入してもよい（以下の実施形態において、回路部品と銅箔との間あるいは回路部品と配線パターンとの間に封止樹脂を注入してもよいことは同様である）。封止樹脂の注入によって、後の工程で半導体素子を板状体に埋設する際に、半導体素子と配線パターンとの間に隙間ができることを防止することができる。封止樹脂には通常のフリップチップボンディングに使用されるアンダーフィル樹脂を用いることができる。
図２（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、銅箔２０６を形成する。
その後、図２（ｆ）に示すように、回路部品２０４を実装した銅箔２０３、図２（ｃ）の板状体および銅箔２０６を位置合わせして重ねる。
その後、図２（ｇ）に示すように、位置合わせして重ねたものを加圧することによって回路部品２０４が埋設された板状体を形成した後、これを加熱することによって、混合物２００および導電性樹脂組成物２０２中の熱硬化性樹脂を硬化させ、回路部品２０４が埋設された板状体を形成する。加熱は、混合物２００および導電性樹脂組成物２０２中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度（たとえば１５０℃〜２６０℃）で行い、混合物２００は電気絶縁性基板２０７となり、導電性樹脂組成物はインナービア２０８となる。この工程によって、銅箔２０３および２０６と回路部品２０４と電気絶縁性基板２０７とが機械的に強固に接着する。また、インナービア２０８によって、銅箔２０３および２０６が電気的に接続される。なお、加熱によって混合物２００および導電性樹脂組成物２０２中の熱硬化性樹脂を硬化させる際に、加熱しながら１０ｋｇ／ｃｍ2〜２００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で加圧することによって、回路部品モジュールの機械的強度を向上させることができる（以下の実施形態において同様である）。
その後、図２（ｈ）に示すように、銅箔２０３および２０６を加工することによって配線パターン２０９および２１０を形成する。
このようにして、実施形態１で説明した回路部品内蔵モジュールが形成される。上記製造方法によれば、実施形態１で説明した回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。
なお、実施形態２では、貫通孔２０１に充填する導電性物質として導電性樹脂組成物２０２を用いたが、熱硬化性の導電性物質であればよい（以下の実施形態において同様である）。
（実施形態３）
この実施形態３では、図１に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の他の一実施形態を説明する。実施形態３で用いられる材料および回路部品は、実施形態１で説明したものである。
図３（ａ）〜（ｈ）は、実施形態３における回路部品内蔵モジュールの製造工程を示す断面図である。
まず、図３（ａ）に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物３００を形成する。この工程は図２（ａ）と同様であるため、重複する説明は省略する。
その後、図３（ｂ）に示すように、混合物３００の所望の位置に、貫通孔３０１を形成する。この工程は図２（ｂ）と同様であるため、重複する説明は省略する。
その後、図３（ｃ）に示すように、貫通孔３０１に導電性樹脂組成物３０２を充填することによって、貫通孔３０１に導電性樹脂組成物３０２が充填された板状体を形成する。
図３（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、図３（ｄ）に示すように、離型フィルム３０５上に配線パターン３０３を形成し、配線パターン３０３に回路部品３０４を実装する。回路部品３０４を実装する方法は、図２（ｄ）で説明した方法と同様であるため、重複する説明は省略する。離型フィルム３０５には、たとえば、ポリエチレンテレフタレートやポリフェニレンサルファイトのフィルムを用いることができる。配線パターン３０３は、たとえば、離型フィルム３０５に銅箔を接着した後フォトリソ工程およびエッチング工程を行うことによって形成できる。また、配線パターン３０３には、エッチング法または打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームを用いてもよい。
図３（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、図３（ｅ）に示すように、離型フィルム３０７上に配線パターン３０６を形成する。配線パターン３０６は、配線パターン３０３と同様の方法で形成できる。
その後、図３（ｆ）に示すように、配線パターン３０３および３０６と導電性物質３０２とが所望の部分で接続されるように、離型フィルム３０５、図２（ｃ）の板状体および離型フィルム３０７を位置合わせして重ねる。
その後、図３（ｇ）に示すように、位置合わせして重ねたものを加圧し加熱することによって、混合物３００および導電性樹脂組成物３０２中の熱硬化性樹脂を硬化させ、回路部品３０４ならびに配線パターン３０３および３０６が埋設された板状体を形成する。加熱は、混合物３００および導電性樹脂組成物３０２中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度（たとえば１５０℃〜２６０℃）で行い、混合物３００は電気絶縁性基板３０８となり、導電性樹脂組成物３０２はインナービア３０９となる。インナービア３０９によって、配線パターン３０３および３０６が電気的に接続される。
その後、図３（ｈ）に示すように、離型フィルム３０５および３０７を図３（ｇ）の板状体から剥離する。
このようにして、実施形態１で説明した回路部品内蔵モジュールが形成される。上記製造方法によれば、実施形態１で説明した回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。
なお、本方法では、あらかじめ配線パターン３０６を形成した離型フィルム３０７を用いるため、配線パターン３０６が電気絶縁性基板３０８に埋め込まれ表面が平坦な回路部品内蔵モジュールを製造できる。表面が平坦であることによって配線パターン３０６上に高密度に部品を実装することができるため、より高密度に回路部品を実装できる。
（実施形態４）
この実施形態４では、本発明の多層構造を有する回路部品内蔵モジュールの一実施形態を説明する。図４は、この実施形態４の回路部品内蔵モジュール４００の斜視断面図である。
図４を参照して、この実施形態の回路部品内蔵モジュール４００は、積層された電気絶縁性基板４０１ａ、４０１ｂおよび４０１ｃからなる電気絶縁性基板４０１と、電気絶縁性基板４０１の主面および内部に形成された配線パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃおよび４０２ｄと、電気絶縁性基板４０１の内部に配置され配線パターン４０２ａ、４０２ｂまたは４０２ｃに接続された回路部品４０３と、配線パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃおよび４０２ｄを電気的に接続するインナービア４０４とを含む。
電気絶縁性基板４０１ａ、４０１ｂおよび４０１ｃは、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる。無機フィラーには、たとえば、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮまたはＳｉＯ2などを用いることができる。無機フィラーは、混合物に対して７０重量％〜９５重量％であることが好ましい。無機フィラーの平均粒子径は、０．１μｍ〜１００μｍであることが好ましい。熱硬化性樹脂には、たとえば、耐熱性が高いエポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、耐熱性が特に高いため特に好ましい。なお、混合物は、さらに分散剤、着色剤、カップリング剤または離型剤を含んでいてもよい。
配線パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃおよび４０２ｄは、実施形態１で説明した配線パターン１０２ａおよび１０２ｂと同様であるので、重複する説明は省略する。
回路部品４０３は、たとえば、能動部品４０３ａや受動部品４０３ｂを含む。能動部品４０３ａとしては、たとえば、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素子が用いられる。半導体素子は、半導体ベアーチップであってもよい。受動部品４０３ｂとしては、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサまたはチップ状インダクタなどが用いられる。なお、回路部品４０３は、受動部品４０３ｂを含まない場合であってもよい。
配線パターン４０２ａ、４０２ｂおよび４０２ｃと能動部品４０３ａとの接続には、たとえばフリップチップボンディングが用いられる。
インナービア４０４は、たとえば、熱硬化性の導電性物質からなる。インナービア４０４としては、たとえば、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物を用いることができる。金属粒子の材料としては、金、銀、銅またはニッケルなどの金属を用いることができる。金、銀、銅またはニッケルは導電性が高いため好ましく、銅は導電性が高くマイグレーションも少ないため特に好ましい。また、熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂は、耐熱性が高いため特に好ましい。
なお、図４に示した回路部品内蔵モジュール４００は、配線パターン４０２ｄが電気絶縁性基板４０１ｃに埋設されていない場合を示したが、配線パターン４０２ｄが電気絶縁性基板４０１ｃに埋設されていてもよい（図６（ｇ）参照）。
また、図４には３層構造の回路部品内蔵モジュール４００を示したが、設計に応じた多層構造とすることができる（以下の実施形態において同様である）。
（実施形態５）
この実施形態５では、実施形態４に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の一実施形態を説明する。実施形態５で用いられる材料および回路部品は、実施形態４で説明したものである。
図５を参照して、実施形態４に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の一例を説明する。図５（ａ）〜（ｈ）は、この実施形態の回路部品内蔵モジュールの製造工程を示す断面図である。
まず、図５（ａ）に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物５００を形成し、貫通孔に導電性樹脂組成物５０１を充填することによって、貫通孔に導電性樹脂組成物５０１が充填された板状体を形成する。この工程は、図２（ａ）〜（ｃ）で説明した工程と同様であるので、重複する説明は省略する。
一方、離型フィルム５０３上に配線パターン５０６を形成し、配線パターン５０６上に能動部品５０４および受動部品５０５を実装する。この工程は、図３（ｄ）で説明したものと同様であり、重複する説明は省略する。
その後、図５（ｂ）に示すように、図５（ａ）の板状体と離型フィルム５０３とを位置合わせして重ねて加圧した後、離型フィルム５０３を剥離することによって、配線パターン５０６、能動部品５０４および受動部品５０５が埋設された板状体を形成する。
図５（ａ）および（ｂ）の工程と平行して、図５（ａ）および（ｂ）と同様の工程で、配線パターン５０６および回路部品が埋設された板状体を複数形成する（図５（ｃ）および（ｄ）、図５（ｅ）および（ｆ）参照）。なお、配線パターン５０６と回路部品は、設計に応じて各層ごとに異なる。
その後、図５（ｇ）に示すように、図５（ｂ）、（ｄ）および（ｆ）の板状体を位置合わせして重ね、図５（ｆ）の板状体の配線パターンが形成されていない主面上にさらに銅箔５０７を重ねる。
その後、図５（ｈ）に示すように、図５（ｇ）で重ねた板状体および銅箔５０７を加圧し加熱することによって多層構造を有する板状体を形成する。加熱は、混合物５００および導電性樹脂組成物５０１中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度（たとえば１５０℃〜２６０℃）で行い、混合物５００は電気絶縁性基板５０８となり、導電性樹脂組成物５０１はインナービア５０９となる。この工程によって、回路部品５０４および５０５、銅箔５０７および電気絶縁性基板５０８が機械的に強固に接着する。また、インナービア５０９によって、配線パターン５０６および銅箔５０７が電気的に接続される。その後、銅箔５０７を加工して配線パターン５１０を形成する。
このようにして、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを形成できる。上記製造方法によれば、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。
（実施形態６）
この実施形態６では、実施形態４で説明した回路部品内蔵モジュールの製造方法の他の一実施形態を説明する。実施形態６で用いられる材料および回路部品は、実施形態４で説明したものである。
図６を参照して、この実施形態における回路部品内蔵モジュールの製造方法の一例を説明する。図６（ａ）〜（ｇ）は、この実施形態における回路部品内蔵モジュールの製造工程を示す断面図である。
まず、図６（ａ）に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物６００を形成し、貫通孔に導電性物質６０１を充填することによって貫通孔に導電性樹脂組成物６０１が充填された板状体を形成する。この工程は、図２（ａ）〜（ｃ）で説明したものと同様であり、重複する説明は省略する。一方、離型フィルム６０３上に配線パターン６０６を形成し、配線パターン６０６上に能動部品６０４および受動部品６０５を実装する。この工程は、図３（ｄ）で説明したものと同様であり、重複する説明は省略する。
その後、図６（ｂ）に示すように、図６（ａ）の板状の混合物６００と離型フィルム６０３とを位置合わせして重ねて加圧した後、離型フィルム６０３を剥離することによって、配線パターン６０６、能動部品６０４および受動部品６０５が埋設された板状体を形成する。
図６（ａ）および（ｂ）の工程と平行して、図６（ａ）および（ｂ）と同様の工程で、配線パターン６０６および回路部品が埋設された板状体を形成する（図６（ｃ）および（ｄ）参照）。なお、配線パターン６０６と回路部品は、設計に応じて各層ごとに異なる。
図６（ａ）および（ｂ）の工程と平行して、図６（ｅ）に示すように、離型フィルム６０３上に、配線パターン６０７を形成する。
その後、図６（ｆ）に示すように、図６（ｂ）および（ｄ）の板状体を位置合わせして重ね、図６（ｄ）の板状体の配線パターン６０６が形成されていない主面上に、さらに図６（ｅ）の離型フィルム６０３を配線パターン６０７が内側になるように重ねる。
その後、図６（ｇ）に示すように、図６（ｆ）で重ねた板状体および離型フィルム６０３を加圧し加熱することによって、多層構造を有する板状体を形成する。加熱は、混合物６００および導電性樹脂組成物６０１中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度（たとえば１５０℃〜２６０℃）で行い、混合物６００は電気絶縁性基板６０８となり、導電性樹脂組成物６０１はインナービア６０９となる。この工程によって、能動部品６０４、受動部品６０５、配線パターン６０６および６０７、および電気絶縁性基板６０８が機械的に強固に接着する。また、インナービア６０９によって、配線パターン６０６および６０７が電気的に接続される。
その後、多層構造を有する板状体から離型フィルム６０３を剥離することによって、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを形成できる。
このようにして、上記製造方法によれば、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。
以下に、本発明の具体的な実施例を説明する。
（実施例１）
本発明の回路部品内蔵モジュールの作製に際し、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる電気絶縁性基板の作製方法の一例について説明する。
本実施例では、表１に示す配合組成で電気絶縁性基板を作製した。なお、比較例を試料番号１に示す。
Figure 0004279893
 この実施例では、液状エポキシ樹脂には、日本ペルノックス（株）製のエポキシ樹脂（ＷＥ−２０２５、酸無水系硬化剤含む）を用いた。フェノール樹脂には、大日本インキ（株）製のフェノール樹脂（フェノライト、ＶＨ４１５０）を用いた。シアネート樹脂には、旭チバ（株）製のシアネート樹脂（ＡｒｏＣｙ、Ｍ−３０）を用いた。この実施例では、添加物としてカーボンブラックまたは分散剤を加えた。
板状体の作製は、まず、表１の組成で混合されたペースト状の混合物を、所定量だけ離型フィルム上に滴下する。ペースト状の混合物は、無機フィラーと液状の熱硬化性樹脂とを攪拌混合機によって１０分程度混合して作製した。使用した攪拌混合機は、所定の容量の容器に無機フィラーと液状の熱硬化性樹脂とを投入し、容器自身を回転させながら公転させるもので、混合物の粘度が比較的高くても充分な分散状態が得られる。離型フィルムには厚み７５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、フィルム表面にシリコンによる離型処理を施した。
次に、離型フィルム上のペースト状の混合物にさらに離型フィルムを重ね、加圧プレスで厚さ５００μｍになるようにプレスして、板状の混合物を得た。
次に、離型フィルムで挟まれた板状の混合物を離型フィルムごと加熱し、板状の混合物の粘着性が無くなる条件下で熱処理した。熱処理は、１２０℃の温度で１５分間保持である。この熱処理によって、板状の混合物の粘着性が失われるため、離型フィルムの剥離が容易になる。この実施例で用いた液状エポキシ樹脂は、硬化温度が１３０℃であるため、この熱処理条件下では、未硬化状態（Ｂステージ）である。
次に、板状の混合物から離型フィルムを剥離し、板状の混合物を耐熱性離型フィルム（ＰＰＳ：ポリフェニレンサルファイト、厚さ７５μｍ）で挟んで、５０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で加圧しながら１７０℃の温度で加熱することによって板状の混合物を硬化させた。
次に、硬化した板状の混合物から耐熱性離型フィルムを剥離することによって、電気絶縁性基板を得た。
この電気絶縁性基板を所定の寸法に加工して、熱伝導度、線膨張係数などを測定した。熱伝導度は、１０ｍｍ角に切断した試料の表面を加熱ヒータに接触させて加熱し、反対面の温度上昇から計算で求めた。線膨張係数は、室温から１４０℃まで温度上昇させた場合の電気絶縁性基板の寸法変化を測定し、その寸法変化の平均値から求めた。絶縁耐圧は、電気絶縁性基板の厚み方向にＡＣ電圧を印加した場合の絶縁耐圧を求め、単位厚み当たりの絶縁耐圧を計算した。
表１に示すように、上記の方法で作製された電気絶縁性基板は、無機フィラーとしてＡｌ2Ｏ3を用いた場合には、従来のガラス−エポキシ基板（熱伝導度０．２ｗ／ｍＫ〜０．３ｗ／ｍＫ）に比べて熱伝導度が約１０倍以上となった。Ａｌ2Ｏ3の量を８５重量％以上とすることによって、熱伝導度を２．８ｗ／ｍＫ以上とすることができた。Ａｌ2Ｏ3はコストが安いという利点もある。
また、無機フィラーとしてＡｌＮ、ＭｇＯを用いた場合では、Ａｌ2Ｏ3を用いた場合と同等以上の熱伝導度が得られた。
また、無機フィラーとして非晶質ＳｉＯ2を用いた場合では、線膨張係数がシリコン半導体（線膨張係数３×１０-6／℃）により近くなった。したがって、無機フィラーとして非晶質ＳｉＯ2を用いた電気絶縁性基板は、半導体を直接実装するフリップチップ用基板として好ましい。
また、無機フィラーとしてＳｉＯ2を用いた場合には、誘電率が低い電気絶縁性基板が得られた。ＳｉＯ2は比重が軽いという利点もある。無機フィラーとしてＳｉＯ2を用いた回路部品内蔵モジュールは、携帯電話などの高周波用モジュールとして好ましい。
また、無機フィラーとしてＢＮを用いた場合には、熱伝導度が高く線膨張係数が低い電気絶縁性基板が得られた。
表１の比較例（試料番号１）に示すように、無機フィラーとして６０重量％のＡｌ2Ｏ3を用いた場合を除いて、電気絶縁性基板の絶縁耐圧は、１０ｋＶ／ｍｍ以上であった。電気絶縁性基板の絶縁耐圧は、電気絶縁性基板の材料である無機フィラーと熱硬化性樹脂との接着性の指標となる。すなわち、無機フィラーと熱硬化性樹脂との接着性が悪いと、その間に微小な隙間が生じて絶縁耐圧が低下する。このような微小な隙間は回路部品内蔵モジュールの信頼性低下を招く。一般に、絶縁耐圧が１０ｋＶ／ｍｍ以上であれば無機フィラーと熱硬化性樹脂との接着性が良好であると判断できる。したがって、無機フィラーの量は７０重量％以上であることが好ましい。
なお、熱硬化性樹脂の含有量が低いと電気絶縁性基板の強度が低下するため、熱硬化性樹脂は４．８重量％以上であることが好ましい。
（実施例２）
実施例２は、実施形態２で説明した方法で回路部品内蔵モジュールを作製した一例である。
本実施例に使用した電気絶縁性基板の組成は、Ａｌ2Ｏ3（昭和電工（株）製ＡＳ−４０、球状、平均粒子径１２μｍ）が９０重量％、液状エポキシ樹脂（日本レック（株）製、ＥＦ−４５０）が９．５重量％、カーボンブラック（東洋カーボン（株）製）が０．２重量％、カップリング剤（味の素（株）製、チタネート系、４６Ｂ）が０．３重量％である。
上記材料を実施例１と同様の条件で処理することによって、板状体（厚み５００μｍ）を作製した。上記板状体を所定の大きさに切断し、炭酸ガスレーザを用いてインナービアホール接続をするための貫通孔（直径０．１５ｍｍ）を形成した（図２（ｂ）参照）。
この貫通孔に、導電性樹脂組成物をスクリーン印刷法によって充填した（図２（ｃ）参照）。導電性樹脂組成物は、球状の銅粒子８５重量％と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ製、エピコート８２８）３重量％と、グルシジルエステル系エポキシ樹脂（東都化成製、ＹＤ−１７１）９重量％と、アミンアダクト硬化剤（味の素製、ＭＹ−２４）３重量％とを混練して作製した。
次に、厚さ３５μｍの銅箔の片面を粗化し、粗化した面に導電性接着剤を用いて半導体素子をフリップチップボンディングした（図２（ｄ）参照）。
次に、半導体素子を実装した銅箔と、導電性樹脂組成物を充填した板状体と、別途作製した銅箔（片面を粗化処理した銅箔で厚さ３５μｍ）とを位置合わせして重ねた（図２（ｆ）参照）。この時、銅箔の粗化面は、板状体側になるように重ねた。
次に、これを熱プレス機によってプレス温度１２０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2で５分間加熱加圧した。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中の熱硬化性樹脂が軟化するため、半導体素子が板状体中に容易に埋没した。
次に、加熱温度を上昇させて１７５℃で６０分間加熱した（図２（ｇ）参照）。この加熱によって、板状体中のエポキシ樹脂および導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化し、半導体素子および銅箔と板状体とが機械的に強固に接続された。また、この加熱によって、導電性樹脂組成物と銅箔とが電気的（インナービア接続）、機械的に接続された。
次に、半導体素子が埋設された板状体の表面の銅箔を、フォトリソ工程およびエッチング工程によってエッチングし、配線パターンを形成した（図２（ｈ）参照）。このようにして、回路部品内蔵モジュールを作成した。
本実施例によって作製された回路部品内蔵モジュールの信頼性を評価するため、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行った。半田リフロー試験は、ベルト式リフロー試験機を用い、最高温度が２６０℃で１０秒のサイクルを１０回繰り返すことで行った。温度サイクル試験は、１２５℃で３０分間保持した後、−６０℃の温度で３０分間保持する工程を２００サイクル繰り返すことによって行った。
半田リフロー試験および温度サイクル試験のいずれにおいても、本実施例の回路部品内蔵モジュールにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわかる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
（実施例３）
実施例３は、実施形態３で説明した方法で回路部品内蔵モジュールを作製した一例である。
まず、実施例２と同様の方法で、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体（厚さ５００μｍ）を作製した（図３（ｃ）参照）。
次に、離型フィルム（ポリフェニレンサルファイト製、厚さ１５０μｍ）に、厚さ３５μｍの銅箔を接着剤によって接着した。この銅箔は、片面が粗化処理されており、光沢面が接着剤側になるように接着した。
次に、離型フィルム上の銅箔を、フォトリソ工程およびエッチング工程によってエッチングして、配線パターンを形成した。さらにこの配線パターン上に、半田バンプを用いて半導体素子をフリップチップボンディングした（図３（ｄ）参照）。
次に、配線パターンに実装した半導体素子と配線パターンとの隙間に封止樹脂を注入した。具体的には、７０℃に加熱したホットプレートを傾け、そのホットプレート上に、半導体素子を実装した配線パターンを有する離型フィルムを設置した後、半導体素子と配線パターンとの間に注射器で徐々に封止樹脂を注入した。１０秒程度で半導体素子と配線パターンとの間に封止樹脂を注入できた。ホットプレートで加熱するのは、封止樹脂の粘度を下げて短時間に注入できるようにするためである。また、ホットプレートを傾けるのは注入を容易にするためである。封止樹脂には、テクノアルファー（株）製ＥＬ１８Ｂを用いた。ＥＬ１８Ｂは、一液性のエポキシ樹脂にＳｉＯ2粉末を混入した樹脂である。
一方、上記工程と平行して、上記工程と同様に、片面に配線パターンが形成された離型フィルム（ポリフェニレンサルファイト製、厚さ１５０μｍ）を作製した（図３（ｅ）参照）。
次に、半導体素子をボンディングした離型フィルムと、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体と、片面に配線パターンが形成された離型フィルムとを、位置合わせして重ねた（図３（ｆ）参照）。
次に、これを熱プレス機によってプレス温度１２０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2で５分間加熱加圧した。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中の熱硬化性樹脂が軟化するため、半導体素子および配線パターンが板状体中に容易に埋没した。
次に、加熱温度を上昇させて１７５℃で６０分間加熱した（図３（ｇ）参照）。この加熱によって、板状体および導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化するため、半導体素子および配線パターンと板状体とが機械的に強固に接続された。また、この加熱によって、導電性樹脂組成物と配線パターンとが電気的（インナービア接続）、機械的に接続された。さらに、この加熱によって、半導体素子と配線パターンとの間に注入された封止樹脂も硬化した。
次に、板状体から離型フィルムを剥離した（図３（ｈ）参照）。ポリフェニレンサルファイト製の離型フィルムは、上記加熱温度以上の耐熱性がある。また、銅箔の粗化された面は板状体およびインナービアと接着し、銅箔の光沢面は離型フィルムと接着している。したがって、板状体およびインナービアと銅箔との接着強度は、離型フィルムと銅箔との接着強度よりも大きいため、離型フィルムだけを剥離することができる。このようにして、回路部品内蔵モジュールを作成した。
実施例３によって作製された回路部品内蔵モジュールの信頼性を評価するため、実施例２と同様の条件で、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行った。
半田リフロー試験および温度サイクル試験のいずれにおいても、実施例３の回路部品内蔵モジュールにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわかる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
（実施例４）
この実施例４は、実施形態５で説明した方法で多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを作製した一例である。
この実施例４では、回路部品として、半導体素子とチップ部品とを用いた。
まず、実施例２と同様の方法で、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体を形成した。
次に、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体と、回路部品がフリップチップボンディングされた配線パターンを備える離型フィルム（ポリフェニレンサルファイト製）とを、位置合わせして重ねた（図５（ａ）参照）。
次に、これを熱プレス機によって、プレス温度１２０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2で５分間加熱加圧した。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中の熱硬化性樹脂が軟化するため、回路部品が板状体中に容易に埋没した。そして、離型フィルムを板状体から剥離することによって回路部品が埋設された板状体を形成した（図５（ｂ）参照）。
この板状体を複数個作製し、複数個の板状体と銅箔とを位置合わせして重ねた（図５（ｇ）参照）。
次に、これを熱プレス機によって、プレス温度１７５℃、圧力５０ｋｇ／ｃｍ2で６０分間加熱加圧した。この加熱加圧処理によって、回路部品が埋設された複数の板状体と銅箔とが一体となって、一つの板状体が形成された。この加熱加圧処理によって、板状体および導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化し、回路部品および配線パターンと板状体とが機械的に強固に接続された。また、この加熱加圧処理によって、銅箔および配線パターンと導電性樹脂組成物とが電気的（インナービア接続）、機械的に接続された。
次に、回路部品が埋設された板状体の表面の銅箔を、フォトリソ工程およびエッチング工程によってエッチングすることによって、配線パターンを形成した（図５（ｈ）参照）。このようにして、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを作製した。
実施例４によって作製された回路部品内蔵モジュールの信頼性を評価するため、実施例２と同様の条件で、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行った。
半田リフロー試験および温度サイクル試験のいずれにおいても、実施例４の回路部品内蔵モジュールにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわかる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
（実施例５）
この実施例５は、実施形態６で説明した方法で多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを作製した一例である。
まず、実施例２と同様の方法で、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体を形成した。次に、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体と、回路部品がフリップチップボンディングされた配線パターンを備える離型フィルム（ポリフェニレンサルファイト製）とを、位置合わせして重ねた（図６（ａ）参照）。
次に、これを熱プレス機によって、プレス温度１２０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2で５分間加熱加圧した。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中の熱硬化性樹脂が軟化するため、回路部品が板状体中に容易に埋没した。そして、離型フィルムを板状体から剥離することによって板状体を形成した（図６（ｂ）参照）。同様に、回路部品が埋設された板状体を形成した（図６（ｄ）参照）。
次に、離型フィルム（ポリフェニレンサルファイト製）の片面に配線パターンを形成した（図６（ｅ）参照）。
次に、回路部品が埋設された２個の板状体と、配線パターンが形成された離型フィルムとを位置合わせして重ねた（図６（ｆ）参照）。
次に、これを熱プレス機によって、プレス温度１７５℃、圧力５０ｋｇ／ｃｍ2で６０分間加熱加圧した。この加熱加圧処理によって、回路部品が埋設された複数の板状体と離型フィルムとが一体となって、一つの板状体が形成された。この加熱加圧処理によって、板状体中のエポキシ樹脂が硬化し、回路部品および配線パターンと板状体とが機械的に強固に接続された。また、この加熱加圧処理によって導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化し、配線パターンと導電性樹脂組成物とが電気的（インナービア接続）、機械的に接続された。
次に、一体となった板状体から離型フィルムを剥離することによって、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを作製した（図６（ｇ）参照）。
実施例５によって作製された回路部品内蔵モジュールの信頼性を評価するため、実施例２と同様の条件で、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行った。
半田リフロー試験および温度サイクル試験のいずれにおいても、実施例５の回路部品内蔵モジュールにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわかる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
本発明の回路部品内蔵モジュールの一実施形態を示す斜視断面図である。 本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法の一実施形態を示す工程図である。 本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法の他の一実施形態を示す工程図である。 本発明の回路部品内蔵モジュールの他の一実施形態を示す斜視断面図である。 本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法の他の一実施形態を示す工程図である。 本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法の他の一実施形態を示す工程図である。
符号の説明
１００、４００ 回路部品内蔵モジュール
１０１、４０１、４０１ａ、４０１ｂ、４０１ｃ 電気絶縁性基板
１０２ａ、１０２ｂ、４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃ、４０２ｄ 配線パターン
１０３、４０３ 回路部品
１０３ａ、４０３ａ 能動部品
１０３ｂ、４０３ｂ 受動部品
１０４、４０４ インナービア

Claims (12)

  1. 無機フィラー７０重量％〜９５重量％と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を用いて板状体Ａを形成する工程と、
    前記板状体Ａに未硬化のインナービアを形成する工程と、
    第１の銅箔の一主面に少なくとも１つ以上の回路部品を実装する工程と、
    前記第１の銅箔の前記一主面上に、前記板状体Ａを位置合わせして重ね、さらにその上に第２の銅箔を重ねて加圧することによって、前記回路部品が埋設された板状体Ｂを形成する工程と、
    前記第１および第２の銅箔を加工して配線パターンを形成する工程とを含み、
    前記第１の銅箔の前記一主面上に、前記板状体Ａを位置合わせして重ね、さらにその上に第２の銅箔を重ねて加圧することによって、前記回路部品が埋設された板状体Ｂを形成する工程は、１５０℃〜２６０℃の温度範囲に加熱し、かつ、１０〜２００Ｋｇ／ｃｍ2の範囲の圧力で加圧し行われることを特徴とする回路部品内蔵モジュールの製造方法。
  2. 無機フィラー７０重量％〜９５重量％と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を用いて板状体Ａを形成する工程と、
    前記板状体Ａに未硬化のインナービアを形成する工程と、
    第１の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成し、前記配線パターン上に少なくとも１つ以上の回路部品を実装する工程と、
    第２の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成する工程と、
    前記第１の離型フィルムと前記板状体Ａと前記第２の離型フィルムとを前記配線パターンが前記板状体Ａ側に向くようにこの順序で位置合わせして重ねて加圧することによって前記回路部品が埋設された板状体Ｂを形成する工程と、
    前記第１および第２の離型フィルムを前記板状体Ｂから剥離する工程とを含み、
    前記第１の離型フィルムと前記板状体Ａと前記第２の離型フィルムとを前記配線パターンが前記板状体Ａ側に向くようにこの順序で位置合わせして重ねて加圧することによって前記回路部品が埋設された板状体Ｂを形成する工程は、１５０℃〜２６０℃の温度範囲に加熱し、かつ、１０〜２００Ｋｇ／ｃｍ2の範囲の圧力で加圧し行われることを特徴とする回路部品内蔵モジュールの製造方法。
  3. 前記銅箔または前記配線パターンに前記回路部品を実装した後、前記銅箔または前記配線パターンと前記回路部品との間に封止樹脂を注入する工程をさらに含む請求項１または２に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
  4. 前記板状体Ａを形成する工程が、前記混合物を板状に成型した後、前記板状の混合物を前記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度で熱処理することによって、前記板状の混合物の粘着性を失わせる工程を含む請求項１または２に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
  5. 前記回路部品を前記板状体Ａに埋設することによって前記板状体Ｂを形成する工程を、前記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度下で行う請求項１または２に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
  6. 前記回路部品を前記配線パターンに実装する工程は、前記回路部品と前記配線パターンとを半田によって電気的および機械的に接続する工程からなる請求項１または２に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
  7. 前記回路部品が能動部品を含み、前記能動部品を前記配線パターンに実装する際に、前記能動部品の金バンプと前記配線パターンとを導電性接着剤によって電気的に接続する請求項１または２に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
  8. 前記回路部品が半導体ベアーチップを含み、前記半導体ベアーチップは前記配線パターンにフリップチップボンディングされている請求項１または２に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
  9. 前記回路部品が、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサおよびチップ状のインダクタから選ばれる少なくとも一つの部品を含む請求項１または２に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
  10. 前記未硬化のインナービアの形成は、前記板状体Ａの厚み方向に貫通する貫通孔を形成した後、前記貫通孔に導電性樹脂組成物を充填することにより行われる請求項１または２に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
  11. 前記第１および第２の銅箔を加工して配線パターンを形成する工程がエッチングである請求項１に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
  12. 前記第１の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成する工程および、前記第２の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成する工程がエッチングである請求項２に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
JP2008051743A 1997-11-25 2008-03-03 回路部品内蔵モジュールの製造方法 Expired - Lifetime JP4279893B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008051743A JP4279893B2 (ja) 1997-11-25 2008-03-03 回路部品内蔵モジュールの製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32259597 1997-11-25
JP2008051743A JP4279893B2 (ja) 1997-11-25 2008-03-03 回路部品内蔵モジュールの製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002014625A Division JP4606685B2 (ja) 1997-11-25 2002-01-23 回路部品内蔵モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008153693A JP2008153693A (ja) 2008-07-03
JP4279893B2 true JP4279893B2 (ja) 2009-06-17

Family

ID=18145465

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008051743A Expired - Lifetime JP4279893B2 (ja) 1997-11-25 2008-03-03 回路部品内蔵モジュールの製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (4) US6038133A (ja)
EP (1) EP0920058B1 (ja)
JP (1) JP4279893B2 (ja)
KR (1) KR100377088B1 (ja)
CN (1) CN1157105C (ja)
DE (1) DE69842095D1 (ja)
TW (1) TW416259B (ja)

Families Citing this family (256)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1014443A4 (en) * 1996-09-20 2001-02-07 Tdk Corp PASSIVE ELECTRONIC COMPONENTS, INTEGRATED CIRCUIT ELEMENTS, AND DISC
US5922514A (en) * 1997-09-17 1999-07-13 Dale Electronics, Inc. Thick film low value high frequency inductor, and method of making the same
US6038133A (en) * 1997-11-25 2000-03-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module and method for producing the same
CA2295576A1 (en) * 1998-05-06 1999-11-11 Ngk Insulators, Ltd. Substrate material for printed circuit, process for production thereof, and intermediate block for said substrate material
EP1041620A3 (en) * 1999-04-02 2005-01-05 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Method of transferring ultrathin substrates and application of the method to the manufacture of a multi-layer thin film device
US7038310B1 (en) * 1999-06-09 2006-05-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Power module with improved heat dissipation
DE10011005B4 (de) * 1999-07-01 2004-03-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Multi-Chip-Modul und Verfahren zum Herstellen eines Multi-Chip-Moduls
KR101084526B1 (ko) * 1999-09-02 2011-11-18 이비덴 가부시키가이샤 프린트배선판 및 그 제조방법
CN101232775B (zh) * 1999-09-02 2010-06-09 伊比登株式会社 印刷布线板及其制造方法
JP2001169032A (ja) * 1999-09-30 2001-06-22 Ricoh Co Ltd デジタル複写機、画像形成システム、およびデジタル複写機のスレーブ機
JP3973340B2 (ja) * 1999-10-05 2007-09-12 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置、配線基板、及び、それらの製造方法
JP4186756B2 (ja) * 2003-08-29 2008-11-26 松下電器産業株式会社 回路基板及びその製造方法
JP2001164232A (ja) * 1999-12-09 2001-06-19 Sony Chem Corp 熱硬化性接着材料
US6538210B2 (en) * 1999-12-20 2003-03-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module, radio device having the same, and method for producing the same
JP4251421B2 (ja) * 2000-01-13 2009-04-08 新光電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP3485513B2 (ja) * 2000-01-19 2004-01-13 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US6871396B2 (en) * 2000-02-09 2005-03-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transfer material for wiring substrate
TW569424B (en) * 2000-03-17 2004-01-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Module with embedded electric elements and the manufacturing method thereof
JP2001339011A (ja) * 2000-03-24 2001-12-07 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP3830726B2 (ja) * 2000-04-26 2006-10-11 松下電器産業株式会社 熱伝導基板とその製造方法およびパワーモジュール
TW502492B (en) * 2000-05-30 2002-09-11 Alps Electric Co Ltd Electronic circuit unit
KR100463092B1 (ko) * 2000-06-27 2004-12-23 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 세라믹 적층 소자
CN1196392C (zh) * 2000-07-31 2005-04-06 日本特殊陶业株式会社 布线基板及其制造方法
JP3570359B2 (ja) * 2000-08-24 2004-09-29 三菱電機株式会社 高周波モジュール
US6473293B2 (en) * 2000-10-12 2002-10-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Capacitor unit, method for producing the same, and solid electrolytic capacitor
US7190080B1 (en) * 2000-10-13 2007-03-13 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal pillar
US7264991B1 (en) * 2000-10-13 2007-09-04 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using conductive adhesive
EP1204305A3 (en) * 2000-11-03 2004-01-07 Tyco Electronics AMP GmbH Device comprising an electrical circuit carried by a carrier element and method for the manufacture of such a device
TW511405B (en) 2000-12-27 2002-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Device built-in module and manufacturing method thereof
US20020158305A1 (en) * 2001-01-05 2002-10-31 Sidharth Dalmia Organic substrate having integrated passive components
TW511415B (en) * 2001-01-19 2002-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Component built-in module and its manufacturing method
US7498196B2 (en) 2001-03-30 2009-03-03 Megica Corporation Structure and manufacturing method of chip scale package
EP1389897A1 (en) * 2001-04-24 2004-02-18 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Printed circuit board, its manufacturing method, and csp manufacturing methdo
EP2315510A3 (en) * 2001-06-05 2012-05-02 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Wiring board provided with passive element
KR100488412B1 (ko) * 2001-06-13 2005-05-11 가부시키가이샤 덴소 내장된 전기소자를 갖는 인쇄 배선 기판 및 그 제조 방법
WO2002103792A2 (en) 2001-06-19 2002-12-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device
US20030057544A1 (en) * 2001-09-13 2003-03-27 Nathan Richard J. Integrated assembly protocol
US20030059976A1 (en) * 2001-09-24 2003-03-27 Nathan Richard J. Integrated package and methods for making same
US6855892B2 (en) * 2001-09-27 2005-02-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Insulation sheet, multi-layer wiring substrate and production processes thereof
JP2003115664A (ja) * 2001-10-05 2003-04-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電圧変換モジュール
US20030066679A1 (en) * 2001-10-09 2003-04-10 Castro Abram M. Electrical circuit and method of formation
TW550997B (en) * 2001-10-18 2003-09-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Module with built-in components and the manufacturing method thereof
JP4392157B2 (ja) * 2001-10-26 2009-12-24 パナソニック電工株式会社 配線板用シート材及びその製造方法、並びに多層板及びその製造方法
TW544882B (en) 2001-12-31 2003-08-01 Megic Corp Chip package structure and process thereof
TW503496B (en) * 2001-12-31 2002-09-21 Megic Corp Chip packaging structure and manufacturing process of the same
US6673698B1 (en) 2002-01-19 2004-01-06 Megic Corporation Thin film semiconductor package utilizing a glass substrate with composite polymer/metal interconnect layers
TW584950B (en) 2001-12-31 2004-04-21 Megic Corp Chip packaging structure and process thereof
TW200302685A (en) * 2002-01-23 2003-08-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Circuit component built-in module and method of manufacturing the same
US8455994B2 (en) * 2002-01-31 2013-06-04 Imbera Electronics Oy Electronic module with feed through conductor between wiring patterns
FI119215B (fi) 2002-01-31 2008-08-29 Imbera Electronics Oy Menetelmä komponentin upottamiseksi alustaan ja elektroniikkamoduuli
FI115285B (fi) * 2002-01-31 2005-03-31 Imbera Electronics Oy Menetelmä komponentin upottamiseksi alustaan ja kontaktin muodostamiseksi
US20030153119A1 (en) * 2002-02-14 2003-08-14 Nathan Richard J. Integrated circuit package and method for fabrication
JP2003249763A (ja) * 2002-02-25 2003-09-05 Fujitsu Ltd 多層配線基板及びその製造方法
US6873529B2 (en) * 2002-02-26 2005-03-29 Kyocera Corporation High frequency module
DE10209922A1 (de) * 2002-03-07 2003-10-02 Infineon Technologies Ag Elektronisches Modul, Nutzen mit zu vereinzelnden elektronischen Modulen und Verfahren zu deren Herstellung
US7061100B2 (en) 2002-04-03 2006-06-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor built-in millimeter-wave band module
US6596384B1 (en) 2002-04-09 2003-07-22 International Business Machines Corporation Selectively roughening conductors for high frequency printed wiring boards
AU2003219352A1 (en) 2002-04-11 2003-10-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electronic device and method of manufacturing same
US7485489B2 (en) * 2002-06-19 2009-02-03 Bjoersell Sten Electronics circuit manufacture
US6903458B1 (en) 2002-06-20 2005-06-07 Richard J. Nathan Embedded carrier for an integrated circuit chip
US7260890B2 (en) * 2002-06-26 2007-08-28 Georgia Tech Research Corporation Methods for fabricating three-dimensional all organic interconnect structures
DE10228593A1 (de) * 2002-06-26 2004-01-15 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit einer Gehäusepackung
US6987307B2 (en) 2002-06-26 2006-01-17 Georgia Tech Research Corporation Stand-alone organic-based passive devices
US6900708B2 (en) * 2002-06-26 2005-05-31 Georgia Tech Research Corporation Integrated passive devices fabricated utilizing multi-layer, organic laminates
TWI294262B (en) * 2002-06-28 2008-03-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd A light reception/emission device built-in module with optical and electrical wiring combined therein and method of making the same
DE10234951B4 (de) * 2002-07-31 2009-01-02 Qimonda Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschaltungsmodulen
US7874066B2 (en) * 2002-07-31 2011-01-25 Sony Corporation Method of manufacturing a device-incorporated substrate
DE10240461A1 (de) * 2002-08-29 2004-03-11 Infineon Technologies Ag Universelles Gehäuse für ein elektronisches Bauteil mit Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2004057673A1 (en) * 2002-12-23 2004-07-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electronic device and use thereof
EP1434242B1 (en) * 2002-12-27 2010-11-24 Panasonic Corporation Capacitor and method for producing the same, and circuit board with a built-in capacitor and method for producing the same
JP4489411B2 (ja) * 2003-01-23 2010-06-23 新光電気工業株式会社 電子部品実装構造の製造方法
US7394663B2 (en) * 2003-02-18 2008-07-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component built-in module and method of manufacturing the same
FI119583B (fi) 2003-02-26 2008-12-31 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi
FI20030293A (fi) * 2003-02-26 2004-08-27 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi ja elektroniikkamoduuli
US7489914B2 (en) * 2003-03-28 2009-02-10 Georgia Tech Research Corporation Multi-band RF transceiver with passive reuse in organic substrates
US8222723B2 (en) 2003-04-01 2012-07-17 Imbera Electronics Oy Electric module having a conductive pattern layer
US8704359B2 (en) 2003-04-01 2014-04-22 Ge Embedded Electronics Oy Method for manufacturing an electronic module and an electronic module
FI115601B (fi) * 2003-04-01 2005-05-31 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi ja elektroniikkamoduuli
US20040211590A1 (en) * 2003-04-25 2004-10-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multilayer printed wiring board and integrated circuit using the same
DE10320646A1 (de) * 2003-05-07 2004-09-16 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil, sowie Systemträger und Nutzen zur Herstellung desselben
US7141874B2 (en) * 2003-05-14 2006-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component packaging structure and method for producing the same
US7248482B2 (en) * 2003-05-16 2007-07-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module with built-in circuit component and method for producing the same
JP4016340B2 (ja) * 2003-06-13 2007-12-05 ソニー株式会社 半導体装置及びその実装構造、並びにその製造方法
TWI245597B (en) * 2003-06-30 2005-12-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Printed circuit boards and method for fabricating the same
TW200507131A (en) 2003-07-02 2005-02-16 North Corp Multi-layer circuit board for electronic device
US7141884B2 (en) * 2003-07-03 2006-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module with a built-in semiconductor and method for producing the same
WO2005004567A1 (ja) * 2003-07-04 2005-01-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. 部品内蔵基板の製造方法
WO2005008733A2 (en) * 2003-07-14 2005-01-27 Avx Corporation Modular electronic assembly and method of making
US20070069393A1 (en) * 2003-07-24 2007-03-29 Toshiyuki Asahi Wiring board embedded with spherical semiconductor element
US20050059856A1 (en) * 2003-08-21 2005-03-17 Mara Fox Kissing game for two persons
FI20031201A (fi) * 2003-08-26 2005-02-27 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi ja elektroniikkamoduuli
US7180169B2 (en) * 2003-08-28 2007-02-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module and method for manufacturing the same
US7686201B2 (en) * 2003-09-01 2010-03-30 Tyco Healthcare Group Lp Circular stapler for hemorrhoid operations
WO2005027223A1 (ja) * 2003-09-09 2005-03-24 Sanyo Electric Co., Ltd 回路素子と絶縁膜を含む半導体モジュールとその製造方法およびその応用
FI20031341A (fi) 2003-09-18 2005-03-19 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi
WO2005039262A1 (ja) * 2003-09-29 2005-04-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 部品内蔵モジュールの製造方法及び部品内蔵モジュール
US7319599B2 (en) * 2003-10-01 2008-01-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module incorporating a capacitor, method for manufacturing the same, and capacitor used therefor
JP2005158770A (ja) * 2003-11-20 2005-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層基板とその製造方法及び前記積層基板を用いたモジュールの製造方法とその製造装置
CN100413070C (zh) 2004-01-30 2008-08-20 松下电器产业株式会社 部件内置模块、配备部件内置模块的电子设备以及部件内置模块的制造方法
JP4841806B2 (ja) * 2004-02-02 2011-12-21 新光電気工業株式会社 キャパシタ装置とそれを備えた半導体装置、及びキャパシタ装置の製造方法
US7258549B2 (en) 2004-02-20 2007-08-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Connection member and mount assembly and production method of the same
JP4342353B2 (ja) * 2004-03-17 2009-10-14 三洋電機株式会社 回路装置およびその製造方法
JP4298559B2 (ja) * 2004-03-29 2009-07-22 新光電気工業株式会社 電子部品実装構造及びその製造方法
US7078816B2 (en) * 2004-03-31 2006-07-18 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Circuitized substrate
US20050218491A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Alps Electric Co., Ltd. Circuit component module and method of manufacturing the same
US7064963B2 (en) * 2004-04-01 2006-06-20 Delphi Technologies, Inc. Multi-substrate circuit assembly
FI20040592A (fi) * 2004-04-27 2005-10-28 Imbera Electronics Oy Lämmön johtaminen upotetusta komponentista
FI20041680A (fi) * 2004-04-27 2005-10-28 Imbera Electronics Oy Elektroniikkamoduuli ja menetelmä sen valmistamiseksi
US6974724B2 (en) * 2004-04-28 2005-12-13 Nokia Corporation Shielded laminated structure with embedded chips
DE102004022884B4 (de) 2004-05-06 2007-07-19 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit einem Umverdrahtungssubstrat und Verfahren zur Herstellung desselben
JP2005340675A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Toshiba Corp プリント配線板および磁気ディスク装置
JP4592333B2 (ja) * 2004-05-31 2010-12-01 三洋電機株式会社 回路装置およびその製造方法
FI117814B (fi) 2004-06-15 2007-02-28 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi
US8345433B2 (en) * 2004-07-08 2013-01-01 Avx Corporation Heterogeneous organic laminate stack ups for high frequency applications
WO2006011320A1 (ja) * 2004-07-30 2006-02-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. 複合型電子部品及びその製造方法
FI117812B (fi) * 2004-08-05 2007-02-28 Imbera Electronics Oy Komponentin sisältävän kerroksen valmistaminen
US8487194B2 (en) * 2004-08-05 2013-07-16 Imbera Electronics Oy Circuit board including an embedded component
US7615856B2 (en) * 2004-09-01 2009-11-10 Sanyo Electric Co., Ltd. Integrated antenna type circuit apparatus
JP4252019B2 (ja) * 2004-09-01 2009-04-08 三洋電機株式会社 回路装置およびその製造方法
JP4424351B2 (ja) * 2004-09-08 2010-03-03 パナソニック株式会社 立体的電子回路装置の製造方法
JP3928665B2 (ja) * 2004-09-13 2007-06-13 株式会社村田製作所 チップ型電子部品内蔵型多層基板及びその製造方法
CN101053079A (zh) 2004-11-03 2007-10-10 德塞拉股份有限公司 堆叠式封装的改进
JP2006135771A (ja) * 2004-11-08 2006-05-25 Renesas Technology Corp 電子部品モジュール
TWI241695B (en) * 2004-11-19 2005-10-11 Ind Tech Res Inst Structure of an electronic package and method for fabricating the same
JP2006165175A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Alps Electric Co Ltd 回路部品モジュールおよび電子回路装置並びに回路部品モジュールの製造方法
KR100688768B1 (ko) * 2004-12-30 2007-03-02 삼성전기주식회사 칩 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
US7785932B2 (en) * 2005-02-01 2010-08-31 Nagraid S.A. Placement method of an electronic module on a substrate and device produced by said method
US8119458B2 (en) * 2005-02-01 2012-02-21 Nagraid S.A. Placement method of an electronic module on a substrate
FI119714B (fi) * 2005-06-16 2009-02-13 Imbera Electronics Oy Piirilevyrakenne ja menetelmä piirilevyrakenteen valmistamiseksi
FI122128B (fi) * 2005-06-16 2011-08-31 Imbera Electronics Oy Menetelmä piirilevyrakenteen valmistamiseksi
WO2006134220A1 (en) * 2005-06-16 2006-12-21 Imbera Electronics Oy Method for manufacturing a circuit board structure, and a circuit board structure
US7327006B2 (en) * 2005-06-23 2008-02-05 Nokia Corporation Semiconductor package
US20070041680A1 (en) * 2005-08-18 2007-02-22 Stmicroelectronics S.A. Process for assembling passive and active components and corresponding integrated circuit
MX2008003075A (es) * 2005-09-05 2008-03-18 Denki Kagaku Kogyo Kk Composicion de resina y tablero de circuito integrado hibrido que hace uso de la misma.
KR100935139B1 (ko) * 2005-09-20 2010-01-06 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 부품 내장 모듈의 제조 방법 및 부품 내장 모듈
JP2007096185A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Sanyo Electric Co Ltd 回路基板
US20090115067A1 (en) * 2005-12-15 2009-05-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module having built-in electronic component and method for manufacturing such module
US8058101B2 (en) 2005-12-23 2011-11-15 Tessera, Inc. Microelectronic packages and methods therefor
TWI276382B (en) * 2006-02-07 2007-03-11 Asustek Comp Inc Circuit board
FI20060256L (fi) 2006-03-17 2006-03-20 Imbera Electronics Oy Piirilevyn valmistaminen ja komponentin sisältävä piirilevy
JPWO2007114334A1 (ja) * 2006-03-31 2009-08-20 パナソニック株式会社 回路基板、回路基板の検査方法、およびその製造方法
US7658988B2 (en) * 2006-04-03 2010-02-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Printed circuits prepared from filled epoxy compositions
JP5285842B2 (ja) * 2006-04-13 2013-09-11 パナソニック株式会社 集積回路実装基板および電力線通信装置
US7564137B2 (en) * 2006-04-27 2009-07-21 Atmel Corporation Stackable integrated circuit structures and systems devices and methods related thereto
US20070262435A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-15 Atmel Corporation Three-dimensional packaging scheme for package types utilizing a sacrificial metal base
JP4850576B2 (ja) * 2006-05-01 2012-01-11 アルプス電気株式会社 回路モジュールの製造方法、及びそれに使用される回路モジュール用の集合基板
US7439840B2 (en) 2006-06-27 2008-10-21 Jacket Micro Devices, Inc. Methods and apparatuses for high-performing multi-layer inductors
US7808434B2 (en) * 2006-08-09 2010-10-05 Avx Corporation Systems and methods for integrated antennae structures in multilayer organic-based printed circuit devices
US7603771B2 (en) * 2006-08-29 2009-10-20 Mutual-Tek Industries Co., Ltd. Method of manufacturing a combined multilayer circuit board having embedded chips
US20080123318A1 (en) * 2006-11-08 2008-05-29 Atmel Corporation Multi-component electronic package with planarized embedded-components substrate
US7989895B2 (en) 2006-11-15 2011-08-02 Avx Corporation Integration using package stacking with multi-layer organic substrates
US20080135282A1 (en) * 2006-12-11 2008-06-12 Motorola, Inc. Printed multilayer circuit containing active devices and method of manufaturing
JP5175476B2 (ja) * 2007-02-28 2013-04-03 三洋電機株式会社 回路装置の製造方法
US7579215B2 (en) * 2007-03-30 2009-08-25 Motorola, Inc. Method for fabricating a low cost integrated circuit (IC) package
DE102007024189A1 (de) * 2007-05-24 2008-11-27 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Baugruppe
EP2066161A4 (en) * 2007-06-19 2010-11-17 Murata Manufacturing Co METHOD FOR MANUFACTURING INCORPORATED COMPONENT SUBSTRATE AND THIS SUBSTRATE
JP5012896B2 (ja) * 2007-06-26 2012-08-29 株式会社村田製作所 部品内蔵基板の製造方法
US7623365B2 (en) 2007-08-29 2009-11-24 Micron Technology, Inc. Memory device interface methods, apparatus, and systems
US20090140401A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 Stanley Craig Beddingfield System and Method for Improving Reliability of Integrated Circuit Packages
DE102007058094A1 (de) * 2007-12-03 2009-06-04 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Leiterplattenschicht (Schaltungsebene) für eine insbesondere mehrschichtige Leiterplatte (keramisches Substrat)
KR100919413B1 (ko) * 2007-12-20 2009-09-29 (주) 휴브글로벌 함몰형 패턴을 구비하는 기판 및 그 제조 방법
US7935893B2 (en) * 2008-02-14 2011-05-03 Ibiden Co., Ltd. Method of manufacturing printed wiring board with built-in electronic component
US8024858B2 (en) 2008-02-14 2011-09-27 Ibiden Co., Ltd. Method of manufacturing printed wiring board with built-in electronic component
JP2009218545A (ja) * 2008-03-12 2009-09-24 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板及びその製造方法
JP2009231818A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板及びその製造方法
CN101982027A (zh) * 2008-03-24 2011-02-23 松下电器产业株式会社 电子电路板以及使用其的电力线通信装置
CN101683006B (zh) * 2008-03-27 2012-04-18 揖斐电株式会社 电子部件内置线路板及其制造方法
US7759163B2 (en) * 2008-04-18 2010-07-20 Infineon Technologies Ag Semiconductor module
DE102008022733B4 (de) * 2008-05-05 2011-05-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Funktionseinheit und Verfahren zu deren Herstellung
JP2009277940A (ja) * 2008-05-15 2009-11-26 Panasonic Corp 半導体パッケージ、実装用回路基板および実装構造体
JPWO2009147936A1 (ja) * 2008-06-02 2011-10-27 イビデン株式会社 多層プリント配線板の製造方法
US8183087B2 (en) * 2008-09-09 2012-05-22 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming a fan-out structure with integrated passive device and discrete component
US8106520B2 (en) 2008-09-11 2012-01-31 Micron Technology, Inc. Signal delivery in stacked device
KR101015651B1 (ko) * 2008-12-05 2011-02-22 삼성전기주식회사 칩 내장 인쇄회로기판 및 그 제조방법
EP2410827B1 (en) 2009-03-19 2018-09-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Circuit board and mother laminated body
US9355962B2 (en) * 2009-06-12 2016-05-31 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package stacking system with redistribution and method of manufacture thereof
US9450556B2 (en) 2009-10-16 2016-09-20 Avx Corporation Thin film surface mount components
US8390108B2 (en) * 2009-12-16 2013-03-05 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with stacking interconnect and method of manufacture thereof
JP5081267B2 (ja) * 2010-03-25 2012-11-28 パナソニック株式会社 回路部品内蔵モジュールおよび回路部品内蔵モジュールの製造方法
US9159708B2 (en) 2010-07-19 2015-10-13 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages with area array unit connectors
US8482111B2 (en) 2010-07-19 2013-07-09 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages
KR101075241B1 (ko) 2010-11-15 2011-11-01 테세라, 인코포레이티드 유전체 부재에 단자를 구비하는 마이크로전자 패키지
JP5585426B2 (ja) 2010-12-07 2014-09-10 Ｔｄｋ株式会社 配線板、電子部品内蔵基板、配線板の製造方法及び電子部品内蔵基板の製造方法
US20120146206A1 (en) 2010-12-13 2012-06-14 Tessera Research Llc Pin attachment
JP5772949B2 (ja) * 2011-03-24 2015-09-02 株式会社村田製作所 配線基板
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
US8618659B2 (en) 2011-05-03 2013-12-31 Tessera, Inc. Package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
JP5349532B2 (ja) 2011-05-20 2013-11-20 パナソニック株式会社 部品内蔵モジュールの製造方法
US8836136B2 (en) 2011-10-17 2014-09-16 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
JP5574067B2 (ja) * 2012-02-17 2014-08-20 株式会社村田製作所 部品内蔵基板
JP5574068B2 (ja) * 2012-02-17 2014-08-20 株式会社村田製作所 部品内蔵基板
US8946757B2 (en) 2012-02-17 2015-02-03 Invensas Corporation Heat spreading substrate with embedded interconnects
US8372741B1 (en) 2012-02-24 2013-02-12 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US9349706B2 (en) 2012-02-24 2016-05-24 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US9281260B2 (en) 2012-03-08 2016-03-08 Infineon Technologies Ag Semiconductor packages and methods of forming the same
US8901730B2 (en) 2012-05-03 2014-12-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and apparatus for package on package devices
US8835228B2 (en) 2012-05-22 2014-09-16 Invensas Corporation Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect
TWI463619B (zh) * 2012-06-22 2014-12-01 矽品精密工業股份有限公司 半導體封裝件及其製法
US9391008B2 (en) 2012-07-31 2016-07-12 Invensas Corporation Reconstituted wafer-level package DRAM
US9502390B2 (en) 2012-08-03 2016-11-22 Invensas Corporation BVA interposer
US8975738B2 (en) 2012-11-12 2015-03-10 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with terminals on dielectric mass
US8878353B2 (en) 2012-12-20 2014-11-04 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with bond elements to encapsulation surface
US9136254B2 (en) 2013-02-01 2015-09-15 Invensas Corporation Microelectronic package having wire bond vias and stiffening layer
US9034696B2 (en) 2013-07-15 2015-05-19 Invensas Corporation Microelectronic assemblies having reinforcing collars on connectors extending through encapsulation
US8883563B1 (en) 2013-07-15 2014-11-11 Invensas Corporation Fabrication of microelectronic assemblies having stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
US9023691B2 (en) 2013-07-15 2015-05-05 Invensas Corporation Microelectronic assemblies with stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
CN107240580B (zh) * 2013-07-23 2019-11-05 乾坤科技股份有限公司 一种导线架、电子组件以及电感器
US9167710B2 (en) 2013-08-07 2015-10-20 Invensas Corporation Embedded packaging with preformed vias
US9685365B2 (en) 2013-08-08 2017-06-20 Invensas Corporation Method of forming a wire bond having a free end
US20150076714A1 (en) 2013-09-16 2015-03-19 Invensas Corporation Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface
US9087815B2 (en) 2013-11-12 2015-07-21 Invensas Corporation Off substrate kinking of bond wire
US9082753B2 (en) 2013-11-12 2015-07-14 Invensas Corporation Severing bond wire by kinking and twisting
US9583456B2 (en) 2013-11-22 2017-02-28 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9263394B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9379074B2 (en) 2013-11-22 2016-06-28 Invensas Corporation Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
US9214454B2 (en) 2014-03-31 2015-12-15 Invensas Corporation Batch process fabrication of package-on-package microelectronic assemblies
US10381326B2 (en) 2014-05-28 2019-08-13 Invensas Corporation Structure and method for integrated circuits packaging with increased density
US9646917B2 (en) 2014-05-29 2017-05-09 Invensas Corporation Low CTE component with wire bond interconnects
US9412714B2 (en) 2014-05-30 2016-08-09 Invensas Corporation Wire bond support structure and microelectronic package including wire bonds therefrom
JP6358334B2 (ja) * 2014-09-03 2018-07-18 株式会社村田製作所 部品内蔵基板および基板探傷法
US9735084B2 (en) 2014-12-11 2017-08-15 Invensas Corporation Bond via array for thermal conductivity
US9999136B2 (en) 2014-12-15 2018-06-12 Ge Embedded Electronics Oy Method for fabrication of an electronic module and electronic module
KR102356810B1 (ko) 2015-01-22 2022-01-28 삼성전기주식회사 전자부품내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US9888579B2 (en) 2015-03-05 2018-02-06 Invensas Corporation Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips
US9502372B1 (en) 2015-04-30 2016-11-22 Invensas Corporation Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer
US9761554B2 (en) 2015-05-07 2017-09-12 Invensas Corporation Ball bonding metal wire bond wires to metal pads
US10426037B2 (en) * 2015-07-15 2019-09-24 International Business Machines Corporation Circuitized structure with 3-dimensional configuration
US10490528B2 (en) 2015-10-12 2019-11-26 Invensas Corporation Embedded wire bond wires
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
US10332854B2 (en) 2015-10-23 2019-06-25 Invensas Corporation Anchoring structure of fine pitch bva
US10181457B2 (en) 2015-10-26 2019-01-15 Invensas Corporation Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out
US9911718B2 (en) 2015-11-17 2018-03-06 Invensas Corporation ‘RDL-First’ packaged microelectronic device for a package-on-package device
US9659848B1 (en) 2015-11-18 2017-05-23 Invensas Corporation Stiffened wires for offset BVA
US9984992B2 (en) 2015-12-30 2018-05-29 Invensas Corporation Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces
DE102016101526A1 (de) 2016-01-28 2017-08-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines Multichip-Bauelements
US9935075B2 (en) 2016-07-29 2018-04-03 Invensas Corporation Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding
CN106129052A (zh) * 2016-08-10 2016-11-16 江阴芯智联电子科技有限公司 双向集成埋入式芯片重布线基板结构及其制作方法
US10299368B2 (en) 2016-12-21 2019-05-21 Invensas Corporation Surface integrated waveguides and circuit structures therefor
FR3061600B1 (fr) * 2017-01-03 2020-06-26 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Dispositif electronique comprenant une puce rainuree
JP6947842B2 (ja) * 2017-11-21 2021-10-13 株式会社Ｆｕｊｉ ３次元積層電子デバイスの製造方法
US11342256B2 (en) 2019-01-24 2022-05-24 Applied Materials, Inc. Method of fine redistribution interconnect formation for advanced packaging applications
WO2020196752A1 (ja) * 2019-03-28 2020-10-01 株式会社村田製作所 モジュール
IT201900006736A1 (it) 2019-05-10 2020-11-10 Applied Materials Inc Procedimenti di fabbricazione di package
IT201900006740A1 (it) 2019-05-10 2020-11-10 Applied Materials Inc Procedimenti di strutturazione di substrati
US11931855B2 (en) 2019-06-17 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Planarization methods for packaging substrates
US11862546B2 (en) 2019-11-27 2024-01-02 Applied Materials, Inc. Package core assembly and fabrication methods
US11257790B2 (en) 2020-03-10 2022-02-22 Applied Materials, Inc. High connectivity device stacking
US11454884B2 (en) 2020-04-15 2022-09-27 Applied Materials, Inc. Fluoropolymer stamp fabrication method
US11400545B2 (en) 2020-05-11 2022-08-02 Applied Materials, Inc. Laser ablation for package fabrication
DE102020207279A1 (de) * 2020-06-10 2021-12-16 Vitesco Technologies Germany Gmbh Leiterplatte mit einem eingebetteten Halbleiterbauelement, Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte
US11232951B1 (en) 2020-07-14 2022-01-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for laser drilling blind vias
US11676832B2 (en) 2020-07-24 2023-06-13 Applied Materials, Inc. Laser ablation system for package fabrication
US11521937B2 (en) 2020-11-16 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Package structures with built-in EMI shielding
US11404318B2 (en) 2020-11-20 2022-08-02 Applied Materials, Inc. Methods of forming through-silicon vias in substrates for advanced packaging
US11705365B2 (en) 2021-05-18 2023-07-18 Applied Materials, Inc. Methods of micro-via formation for advanced packaging

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55133597A (en) * 1979-04-06 1980-10-17 Hitachi Ltd Multilayer circuit board
JPS6223100Y2 (ja) * 1980-07-08 1987-06-12
GB2138205B (en) * 1983-04-13 1986-11-05 Philips Electronic Associated Methods of manufacturing a microwave circuit
JPS60109296A (ja) 1983-11-17 1985-06-14 三洋電機株式会社 印刷配線基板の接続方法
US4635356A (en) * 1984-12-28 1987-01-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a circuit module
US4808717A (en) * 1986-09-17 1989-02-28 Sumitomo Chemical Company, Limited Thermosetting resin composition
GB2197540B (en) * 1986-11-12 1991-04-17 Murata Manufacturing Co A circuit structure.
JPH01251778A (ja) * 1988-03-31 1989-10-06 Toshiba Corp Ｉｃカード
US5153987A (en) * 1988-07-15 1992-10-13 Hitachi Chemical Company, Ltd. Process for producing printed wiring boards
US5045381A (en) * 1988-09-30 1991-09-03 Hitachi, Ltd. Thermosetting resin composition, printed circuit board using the resin composition and process for producing printed circuit board
JPH0362844A (ja) * 1989-02-27 1991-03-18 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH0369191A (ja) 1989-08-08 1991-03-25 Nec Corp 電子部品内蔵の多層プリント基板
JP2712091B2 (ja) 1990-03-30 1998-02-10 株式会社東芝 印刷配線板の接続装置
US5161093A (en) * 1990-07-02 1992-11-03 General Electric Company Multiple lamination high density interconnect process and structure employing a variable crosslinking adhesive
JPH0471297A (ja) 1990-07-11 1992-03-05 Nippon Chemicon Corp 部品内蔵多層基板
JP2816028B2 (ja) * 1991-02-18 1998-10-27 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JPH06120671A (ja) 1991-03-12 1994-04-28 Japan Radio Co Ltd 部品埋め込み多層配線基板
JP3094481B2 (ja) 1991-03-13 2000-10-03 松下電器産業株式会社 電子回路装置とその製造方法
US5111278A (en) * 1991-03-27 1992-05-05 Eichelberger Charles W Three-dimensional multichip module systems
JPH05283608A (ja) * 1992-03-31 1993-10-29 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置および樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2800550B2 (ja) 1992-04-24 1998-09-21 日立化成工業株式会社 印刷配線用基板の製造方法
JP2601128B2 (ja) * 1992-05-06 1997-04-16 松下電器産業株式会社 回路形成用基板の製造方法および回路形成用基板
JP3208176B2 (ja) 1992-05-18 2001-09-10 イビデン株式会社 電子回路部品を埋め込んだ多層プリント配線板
JP3086332B2 (ja) 1992-06-08 2000-09-11 日本シイエムケイ株式会社 多層プリント配線板の製造方法
US5828126A (en) * 1992-06-17 1998-10-27 Vlsi Technology, Inc. Chip on board package with top and bottom terminals
US5324687A (en) * 1992-10-16 1994-06-28 General Electric Company Method for thinning of integrated circuit chips for lightweight packaged electronic systems
JPH06200124A (ja) 1993-01-07 1994-07-19 Matsushita Electric Works Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料
US5353498A (en) * 1993-02-08 1994-10-11 General Electric Company Method for fabricating an integrated circuit module
JPH08510358A (ja) * 1993-04-14 1996-10-29 アムコール・エレクトロニクス・インク 集積回路チップと基板との相互接続
US5401913A (en) * 1993-06-08 1995-03-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Electrical interconnections between adjacent circuit board layers of a multi-layer circuit board
JPH0730060A (ja) 1993-07-12 1995-01-31 Rohm Co Ltd 両面型ハイブリッド集積回路装置の構造
US5412538A (en) * 1993-07-19 1995-05-02 Cordata, Inc. Space-saving memory module
US5677045A (en) * 1993-09-14 1997-10-14 Hitachi, Ltd. Laminate and multilayer printed circuit board
EP0645950B1 (en) * 1993-09-21 1998-09-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Connecting member of a circuit substrate and method of manufacturing multilayer circuit substrates by using the same
EP0645805B1 (en) * 1993-09-29 2000-11-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for mounting a semiconductor device on a circuit board, and a circuit board with a semiconductor device mounted thereon
US5492586A (en) * 1993-10-29 1996-02-20 Martin Marietta Corporation Method for fabricating encased molded multi-chip module substrate
US5652042A (en) * 1993-10-29 1997-07-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive paste compound for via hole filling, printed circuit board which uses the conductive paste
DE69504336T2 (de) * 1994-05-27 1999-01-21 Ake Gustafson Verfahren zur herstellung eines elektronischen moduls und nach diesem verfahren hergestelltes modul
JPH0897561A (ja) 1994-09-27 1996-04-12 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd 多層回路板
JP3229525B2 (ja) 1995-07-26 2001-11-19 株式会社日立製作所 Ｌｓｉ内蔵型多層回路板およびその製法
JPH09116273A (ja) * 1995-08-11 1997-05-02 Shinko Electric Ind Co Ltd 多層回路基板及びその製造方法
US5806177A (en) * 1995-10-31 1998-09-15 Sumitomo Bakelite Company Limited Process for producing multilayer printed circuit board
EP0805614B1 (en) * 1995-11-17 2005-04-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Multilayered wiring board, prefabricated material for multilayered wiring board, process of manufacturing multilayered wiring board, electronic parts package, and method for forming conductive pillar
JPH09249795A (ja) 1996-03-18 1997-09-22 Toshiba Chem Corp エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JPH09260552A (ja) * 1996-03-22 1997-10-03 Nec Corp 半導体チップの実装構造
JP3314133B2 (ja) 1996-03-29 2002-08-12 京セラ株式会社 配線基板
JPH09270584A (ja) 1996-03-29 1997-10-14 Kyocera Corp 多層配線基板
JP3166611B2 (ja) * 1996-04-19 2001-05-14 富士ゼロックス株式会社 プリント配線板及びその製造方法
JP3266508B2 (ja) * 1996-05-27 2002-03-18 京セラ株式会社 配線基板及びその製造方法
JP3197213B2 (ja) * 1996-05-29 2001-08-13 松下電器産業株式会社 プリント配線板およびその製造方法
US5822856A (en) * 1996-06-28 1998-10-20 International Business Machines Corporation Manufacturing circuit board assemblies having filled vias
US6143116A (en) * 1996-09-26 2000-11-07 Kyocera Corporation Process for producing a multi-layer wiring board
JP3726985B2 (ja) * 1996-12-09 2005-12-14 ソニー株式会社 電子部品の製造方法
JP3199664B2 (ja) 1997-06-30 2001-08-20 京セラ株式会社 多層配線基板の製造方法
US6038133A (en) * 1997-11-25 2000-03-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module and method for producing the same
US5939782A (en) * 1998-03-03 1999-08-17 Sun Microsystems, Inc. Package construction for integrated circuit chip with bypass capacitor

Also Published As

Publication number Publication date
KR100377088B1 (ko) 2003-06-18
CN1219837A (zh) 1999-06-16
US20040088416A1 (en) 2004-05-06
DE69842095D1 (de) 2011-02-24
TW416259B (en) 2000-12-21
US6338767B1 (en) 2002-01-15
EP0920058A2 (en) 1999-06-02
EP0920058A3 (en) 1999-11-03
US6625037B2 (en) 2003-09-23
EP0920058B1 (en) 2011-01-12
US7068519B2 (en) 2006-06-27
US6038133A (en) 2000-03-14
US20020036054A1 (en) 2002-03-28
KR19990045559A (ko) 1999-06-25
JP2008153693A (ja) 2008-07-03
CN1157105C (zh) 2004-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4279893B2 (ja) 回路部品内蔵モジュールの製造方法
JP3375555B2 (ja) 回路部品内蔵モジュールおよびその製造方法
US6955948B2 (en) Method of manufacturing a component built-in module
JP3429734B2 (ja) 配線基板、多層配線基板、回路部品実装体及び、配線基板の製造方法
JP4272693B2 (ja) 部品内蔵モジュールの製造方法
US6060150A (en) Sheet for a thermal conductive substrate, a method for manufacturing the same, a thermal conductive substrate using the sheet and a method for manufacturing the same
JP3547423B2 (ja) 部品内蔵モジュール及びその製造方法
JP3553043B2 (ja) 部品内蔵モジュールとその製造方法
US6939738B2 (en) Component built-in module and method for producing the same
JP3598060B2 (ja) 回路部品内蔵モジュール及びその製造方法並びに無線装置
EP0907205A2 (en) Semiconductor package and method for manufacturing the same
JPH10173097A (ja) 熱伝導基板用シート状物とその製造方法及びそれを用いた熱伝導基板とその製造方法
JP4606685B2 (ja) 回路部品内蔵モジュール
JP2003188340A (ja) 部品内蔵モジュールとその製造方法
JP2004274035A (ja) 電子部品内蔵モジュールとその製造方法
JP5081267B2 (ja) 回路部品内蔵モジュールおよび回路部品内蔵モジュールの製造方法
JP2002246745A (ja) 三次元実装パッケージ及びその製造方法、三次元実装パッケージ製造用接着材
JP2005045228A (ja) 光学情報記録媒体とその製造方法
JP3107535B2 (ja) 配線基板、回路部品実装体、および配線基板の製造方法
JP2002252465A (ja) 多層配線基板とその製造方法
JP3247888B2 (ja) 電子部品パッケージ及び、電子部品のパッケージの製造方法
JP3429743B2 (ja) 配線基板
JP2004039934A (ja) 回路部品実装体およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081211

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090123

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090219

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090312

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319

Year of fee payment: 5

EXPY Cancellation because of completion of term