CN1157105C - 内装电路器件组件及其制造方法 - Google Patents

内装电路器件组件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1157105C
CN1157105C CNB981225918A CN98122591A CN1157105C CN 1157105 C CN1157105 C CN 1157105C CN B981225918 A CNB981225918 A CN B981225918A CN 98122591 A CN98122591 A CN 98122591A CN 1157105 C CN1157105 C CN 1157105C
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
circuit device
built
wiring pattern
device assembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB981225918A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1219837A (zh
Inventor
�йȳ�һ
中谷诚一
����һ
平野浩一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1219837A publication Critical patent/CN1219837A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1157105C publication Critical patent/CN1157105C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
    • H05K1/186—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit manufactured by mounting on or connecting to patterned circuits before or during embedding
    • H05K1/187—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit manufactured by mounting on or connecting to patterned circuits before or during embedding the patterned circuits being prefabricated circuits, which are not yet attached to a permanent insulating substrate, e.g. on a temporary carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F16/00—Information retrieval; Database structures therefor; File system structures therefor
    • G06F16/90—Details of database functions independent of the retrieved data types
    • G06F16/95—Retrieval from the web
    • G06F16/958—Organisation or management of web site content, e.g. publishing, maintaining pages or automatic linking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/105—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L69/00—Network arrangements, protocols or services independent of the application payload and not provided for in the other groups of this subclass
    • H04L69/30—Definitions, standards or architectural aspects of layered protocol stacks
    • H04L69/32—Architecture of open systems interconnection [OSI] 7-layer type protocol stacks, e.g. the interfaces between the data link level and the physical level
    • H04L69/322—Intralayer communication protocols among peer entities or protocol data unit [PDU] definitions
    • H04L69/329—Intralayer communication protocols among peer entities or protocol data unit [PDU] definitions in the application layer [OSI layer 7]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
    • H05K1/188—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit manufactured by mounting on or attaching to a structure having a conductive layer, e.g. a metal foil, such that the terminals of the component are connected to or adjacent to the conductive layer before embedding, and by using the conductive layer, which is patterned after embedding, at least partially for connecting the component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4614—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards the electrical connections between the circuit boards being made during lamination
    • H05K3/4617—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards the electrical connections between the circuit boards being made during lamination characterized by laminating only or mainly similar single-sided circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1017—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
    • H01L2225/1035—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the device being entirely enclosed by the support, e.g. high-density interconnect [HDI]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1047—Details of electrical connections between containers
    • H01L2225/1058—Bump or bump-like electrical connections, e.g. balls, pillars, posts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01025—Manganese [Mn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10378—Interposers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
    • H05K3/4069—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in organic insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4652—Adding a circuit layer by laminating a metal foil or a preformed metal foil pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4652—Adding a circuit layer by laminating a metal foil or a preformed metal foil pattern
    • H05K3/4658—Adding a circuit layer by laminating a metal foil or a preformed metal foil pattern characterized by laminating a prefabricated metal foil pattern, e.g. by transfer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/901—Printed circuit
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1089—Methods of surface bonding and/or assembly therefor of discrete laminae to single face of additional lamina
    • Y10T156/109—Embedding of laminae within face of additional laminae
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24893—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including particulate material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Databases & Information Systems (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)

Abstract

提供一种采用由含有无机填充物和热固性树脂的混合物构成的电绝缘性衬底能以高密度进行电路器件安装且可靠性高的内装电路器件组件及其制造方法。内装电路器件组件包括：电绝缘性衬底401、在电绝缘性衬底401的主表面和内部形成的配线图案402a、402b、402c和402d、与配线图案连接的电路器件403、及与配线图案402a、402b、402c和402d电气连接的内通路404。电绝缘性衬底401，由含有70重量%～95重量%的无机填充物和热固性树脂的混合物构成。

Description

内装电路器件组件及其制造方法
技术领域
本发明涉及内装电路器件组件，尤其涉及例如将有源器件配置在电绝缘性衬底内部的内装电路器件组件。
背景技术
近年来，伴随着电子设备的高性能化和小型化的需求，进一步要求电路器件的高密度、高功能化。因此，需要有与电路器件的高密度、高功能化对应的电路衬底。
作为使电路器件高密度化的方法，可以考虑使电路多层化的方法，但在现有的环氧玻璃衬底中，由于必须采用贯通孔结构等，因而很难进行高密度安装。因此，作为实现电路高密度化的最好方法，开发了能以最短距离连接LSI间或器件间的配线图案的内通路孔连接法，并在各方面都取得了进展。
在内通路孔连接法中，可以利用被称作内通路的连接部仅在必要的各层之间进行电气连接，并能以高密度安装电路器件(USP5481795、USP5484647、USP5652042)。
但是，现有的采用了内通路孔连接法的衬底，由于用树脂类的材料构成，所以存在着热传导系数低的问题。在内装电路器件组件中，电路器件的安装密度越高，则对由器件产生的热进行散热的要求越高，但在现有的衬底中不能进行充分的散热，因而存在着使内装电路器件组件的可靠性降低的问题。
发明内容
本发明是为解决上述现有技术的问题而开发的，其目的是提供一种能以高密度进行电路器件的安装、且可靠性高的内装电路器件组件及其制造方法。
为达到上述目的，本发明的第1内装电路器件组件，包含：由含有70重量％～95重量％的无机填充物(相对于混合物)和热固性树脂的混合物构成的电绝缘性衬底；在上述电绝缘性衬底的至少主表面上形成的多个配线图案(一个配线图案由在同一平面上形成的一组电气配线构成)；配置在上述电绝缘性衬底内部并与上述配线图案电气连接的电路器件；及为与上述多个配线图案电气连接而在上述电绝缘性衬底内形成的内通路，所述内通路与所述多个配线图案中的至少一个配线图案电连接，且所述电路器件与所述多个配线图案中的至少一个配线图案电连接。
在上述第1内装电路器件组件中，由于利用在电绝缘性衬底内形成的内通路进行内通路孔连接，所以能以高密度安装电路器件。
另外，在上述第1内装电路器件组件中，通过将电路器件安装于在电绝缘性衬底内部形成的配线图案，能以更高的密度安装电路器件。
此外，在上述第1内装电路器件组件中，由电路器件产生的热可通过无机填充物迅速散热，所以可以得到可靠性高的内装电路器件组件。
另外，在上述第1内装电路器件组件中，可以通过选择无机填充物并根据内装电路器件改变电绝缘性衬底的热传导系数、线膨胀系数、介电常数、绝缘强度等。此外，在包含半导体器件和片状电容器的内装电路器件组件中，可以通过缩短半导体器件和片状电容器的距离而减低电信号的噪声。
在上述第1内装电路器件组件中，配线图案最好在电绝缘性衬底的主表面及内部形成。通过将电路器件安装于在电绝缘性衬底内部形成的配线图案，能以更高的密度安装电路器件。
在上述第1内装电路器件组件中，电路器件最好包含有源器件，内通路最好由导电性树脂组成物构成。通过使电路器件包含有源器件，可以形成具有所需功能的电路器件。而当内通路由导电性树脂组成物构成时，将使制造变得易于进行。
在上述第1内装电路器件组件中，最好由电绝缘性衬底将电路器件与外部空气隔断。这是因为通过将电路器件与外部空气隔断能够防止因湿度造成的电路器件的可靠性降低。
在上述第1内装电路器件组件中，热固性树脂最好包括从环氧树脂、酚醛树脂及氰酸盐(シアネ-ト)树脂中选择的至少一种热固性树脂。这是因为这些树脂具有优良的耐热性和电绝缘性。
在上述第1内装电路器件组件中，无机填充物最好包括从Al2O3、MgO、BN、AlN及SiO2中选择的至少一种无机填充物。通过使用这些无机填充物可以得到散热性优良的电绝缘性衬底。此外，当使用MgO作为无机填充物时，可以增大电绝缘性衬底的线膨胀系数。而当使用SiO2(尤其是非晶体SiO2)作为无机填充物时，可以减小电绝缘性衬底的介电常数。另外，当使用BN作为无机填充物时，可以减小线膨胀系数。
在上述第1内装电路器件组件中，无机填充物的平均粒子直径最好为0.1μm～100μm。
在上述第1内装电路器件组件中，配线图案最好包含从铜和导电性树脂组成物中选择的至少一种导电性物质。由于铜的电阻小，所以通过使用铜可以形成微细的配线图案。而通过使用导电性树脂组成物，则能够很容易地形成电气配线。
在上述第1内装电路器件组件中，配线图案最好由采用蚀刻法或冲切法形成的金属板引线骨架构成。这是因为金属板引线骨架的电阻低。通过采用蚀刻法可以形成图案微细的配线图案。通过采用冲切法可以用简易的设备形成配线图案。
在上述第1内装电路器件组件中，电路器件最好包括从片状电阻、片状电容及片状电感中选择的至少一种元件。这是因为如果是片状元件则易于埋设在电绝缘性衬底内。
在上述第1内装电路器件组件中，混合物最好包括从分散剂、着色剂、耦合剂和脱模剂中选择的至少一种添加剂。利用分散剂可以将热固性树脂中的无机填充物以良好的均匀性分散。由于利用着色剂可以对电绝缘性衬底进行着色，所以能改善内装电路器件组件的散热性。由于利用耦合剂可以提高热固性树脂与无机填充物的粘着强度，所以能使电绝缘性衬底的绝缘性提高。由于利用脱模剂可以提高金属模与混合物的脱模性，所以能提高生产率。
在上述第1内装电路器件组件中，电绝缘性衬底的线膨胀系数最好为8×10-6/℃～20×10-6/℃，且电绝缘性衬底的热传导系数最好为1w/mK～10w/mK。这是因为可以得到接近陶瓷衬底的热传导系数并得到散热性优良的衬底。
在上述第1内装电路器件组件中，有源器件最好包含半导体裸芯片，并且最好将半导体裸芯片以倒装接合的方式安装在配线图案上。通过将半导体裸芯片倒装接合在配线图案上，能以高密度安装半导体器件。
在上述第1内装电路器件组件中，在导电性树脂组合物内，作为导电性成分，最好包含由从金、银、铜及镍中选择的一种金属构成的金属粒子，作为树脂成分，最好包含环氧树脂。这是因为上述金属的电阻低，而环氧树脂具有优良的耐热性及电绝缘性。
本发明的第1内装电路器件组件制造方法，包括以下工序：将含有70重量％～95重量％的无机填充物(相对于混合物)和未固化状态的热固性树脂的混合物加工成具有贯通孔的第1板状体；通过向上述贯通孔内充填热固性导电物质而形成在上述贯通孔内充填了热固性导电物质的第2板状体；将电路器件安装在第1薄膜的配线图案部分上；在对准位置后将上述第2板状体重叠于上述第1薄膜的安装了上述电路器件的一侧，进一步在其上重叠具有配线图案部分的第2薄膜并进行加压，从而形成埋设有上述电路器件的第3板状体；通过对上述第3板状体进行加热而形成使上述热固性树脂及导电性物质固化了的第4板状体。
按照上述第1制造方法，可以很容易地制造本发明的内装电路器件组件。
本发明的第2内装电路器件组件制造方法，是具有多层结构的内装电路器件组件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：将含有70重量％～95重量％的无机填充物(相对于混合物)和未固化状态的热固性树脂的混合物加工成具有贯通孔的第1板状体；通过向上述贯通孔内充填热固性导电物质而形成在上述贯通孔内充填了热固性导电物质的第2板状体；在脱模薄膜的一主表面上形成配线图案，并将电路器件安装在上述配线图案上；在对准位置后将上述第2板状体重叠于上述脱模薄膜的上述一主表面侧，并通过加压而形成埋设有上述电路器件的第3板状体；通过将上述脱模薄膜从上述第3板状体上剥离而形成第4板状体；在对准位置后将多个上述第4板状体重叠，进一步在对准位置后重叠含有配线图案部分的薄膜并进行加压和加热，从而形成使上述热固性树脂及导电性物质固化了的具有多层结构的第5板状体。
按照上述第2制造方法，可以很容易地制造具有多层结构的本发明的内装电路器件组件。
在上述第1和第2制造方法中，电路器件最好包含有源器件，导电性物质最好由导电性树脂组成物构成。通过使电路器件包含有源器件，可以形成具有所需功能的电路器件。而当导电性物质由导电性树脂组成物构成时，由于对贯通孔的充填和固化都很容易，所以将使制造变得易于进行。
在上述第1和第2制造方法中，第1和第2薄膜最好由铜箔构成，在形成热固性树脂及导电性物质固化的板状体后，最好还包括将配线图案部分以外的铜箔除去从而形成配线图案的工序。通过该工序，可以很容易地在电绝缘性衬底的主表面上形成配线图案。
在上述第1和第2制造方法中，第1和第2薄膜最好由在一个主表面上形成有配线图案的脱模薄膜构成，在形成热固性树脂及导电性物质固化的板状体后，最好还包括将脱模薄膜从板状体剥离的工序。通过该工序，可以很容易地在电绝缘性衬底的主表面上形成配线图案。
在上述第1和第2制造方法中，在将电路器件安装在铜箔或配线图案上之后，最好还包括在铜箔或配线图案与电路器件之间注入密封树脂的工序。通过该工序，可以防止在电路器件与配线图案之间形成空间，并能牢固地进行电路器件与配线图案之间的连接。
在上述第1和第2制造方法中，对热固性树脂及导电性物质加热而使其固化时的温度，最好在150℃以上、260℃以下。通过在该温度范围内进行加热，可以使热固性树脂固化而不会对电路器件造成大的损坏。
在上述第1和第2制造方法中，在对热固性树脂及导电性物质加热而使其固化时，最好一面加热、一面以10kg/cm2～200kg/cm2的压力进行加压。通过一面加热一面加压，可以制得机械强度优良的内装电路器件组件。
在上述第1和第2制造方法中，在形成第1板状体的工序将混合物成型为板状后，最好还包括在比热固性树脂的固化温度低的温度(例如比固化开始温度低的温度)下对板状混合物进行热处理从而使板状混合物失去粘着性的工序。这是因为通过使板状混合物失去粘着性可以使其后面的工序容易进行。
在上述第1和第2制造方法中，最好使将电路器件埋设于第2板状体从而形成第3板状体的工序在比热固性树脂的固化温度低的温度下进行。通过在比热固性树脂的固化温度低的温度下进行该工序，由于不是使热固性树脂固化而是可以使其软化，所以很容易将电路器件埋设于第2板状体，并且，还能使内装电路器件组件的表面变得平滑。
在上述第1和第2制造方法中，将电路器件安装在配线图案上的工序，最好由利用软钎料在电路器件与配线图案之间进行电气和机械连接的工序构成。按照上述工序，在进行加热以使热固性树脂固化时，能够防止因加热而造成的电路器件与配线图案之间的连接不良。
在上述第1和第2制造方法中，在将有源器件安装在配线图案上时，最好利用导电性粘结剂将有源器件的金凸起与配线图案电气连接。通过利用导电性粘结剂，在后面的工序中进行加热时，可以防止发生连接不良或器件的位置错动。
附图说明
图1是表示本发明的内装电路器件组件一实施形态的斜视断面图。
图2表示本发明的内装电路器件组件制造方法一实施形态的工序图。
图3是表示本发明的内装电路器件组件制造方法的另一实施形态的工序图。
图4表示本发明的内装电路器件组件另一实施形态的斜视断面图。
图5是表示本发明的内装电路器件组件制造方法的另一实施形态的工序图。
图6是表示本发明的内装电路器件组件制造方法的另一实施形态的工序图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明实施形态的一例。
(实施形态1)
本实施形态1是本发明的内装电路器件组件的一例，图1是本实施形态的内装电路器件组件100的斜视断面图。
参照图1可知，本实施形态的内装电路器件组件100，包含电绝缘性衬底101、在电绝缘性衬底101的一主表面和另一主表面上形成的配线图案102a和102b、与配线图案102b连接并配置于电绝缘性衬底101内部的电路器件103、及将配线图案102a和102b电气连接的内通路104。
电绝缘性衬底101，由含有无机填充物和热固性树脂的混合物构成。无机填充物，例如，可采用Al2O3、MgO、BN、AIN或SiO2等。无机填充物，相对于混合物最好为70重量％～95重量％。无机填充物的平均粒子直径最好为0.1μm～100μm以下。对于热固性树脂，例如最好是耐热性优良的环氧树脂、酚醛树脂或氰酸盐(シアネ-ト)树脂。环氧树脂因耐热性特别优良所以尤为理想。此外，混合物还可以包含分散剂、着色剂、耦合剂或脱模剂。
配线图案102a和102b，由具有导电性的物质构成，例如，可以使用通过电解电镀制作的厚18μm～35μm左右的铜箔。为提高与电绝缘性衬底101的粘着性，最好对铜箔的与电绝缘性衬底101接触的面进行粗化处理。此外，对铜箔来说，为提高粘着性和耐氧化性，可使用对铜箔表面进行了耦合处理的或在铜箔表面镀锡、锌或镍的铜箔。另外，对于配线图案102a和102b，也可以采用由蚀刻法或冲切法形成的金属板引线骨架。
电路器件103，例如包括有源器件103a和无源元件103b。作为有源器件103a，例如采用晶体管、IC、LSI等半导体器件。半导体器件也可以是半导体裸芯片。作为无源元件103b，采用片状电阻、片状电容及片状电感等。此外，电路器件103在某些情况下也可以不包含无源元件103b。
对于配线图案102b与有源器件103a的连接，例如，可采用倒装片接合方式。通过以倒装接合方式安装半导体裸芯片，能以高密度安装电路器件。
内通路104由导电性物质构成。作为内通路104，例如，可采用将金属粒子与热固性树脂混合的导电性树脂组成物。作为金属粒子，可采用金、银、铜或镍等。金、银、铜或镍，因导电性优良而适于选用，其中，铜不仅导电性优良而且晶界迁移量小，因而尤为理想。作为热固性树脂，例如，可采用环氧树脂、酚醛树脂或氰酸盐(シアネ-ト)树脂。环氧树脂因耐热性优良所以特别适用。
在本实施形态给出的内装电路器件组件100中，配线图案102a和配线图案102b，由电绝缘性衬底101的充填了贯通孔的内通路104连接。因此，在内装电路器件组件100中，能以高密度安装电路器件103。
另外，在内装电路器件组件100中，由电路器件产生的热可以通过电绝缘性衬底101所含有的无机填充物迅速传导。因此，可以制得可靠性高的内装电路器件组件。
另外，在内装电路器件组件100中，通过选择在电绝缘性衬底101中使用的无机填充物，可以很容易地控制电绝缘性衬底101的线膨胀系数、热传导系数、介电常数等。如使电绝缘性衬底101的线膨胀系数与半导体器件基本相等时，则由于能够防止因温度变化而产生的裂纹，所以可以制成可靠性高的内装电路器件组件。如使电绝缘性衬底101的热传导性提高，则即使是在以高密度安装电路器件的情况下，也能制成可靠性高的内装电路器件组件。通过降低电绝缘性衬底101的介电常数，可以制成介质损耗小的高频电路用组件。
另外，在内装电路器件组件100中，可以由电绝缘性衬底101将电路器件103与外部空气隔断，所以能够防止因湿度造成的可靠性降低。
另外，本发明的内装电路器件组件100，作为电绝缘性衬底101的材料，采用无机填充物和热固性树脂的混合物，所以，与陶瓷衬底不同，不需要在高温下烧成，因而容易进行制造。
在图1所示的内装电路器件组件100中，示出了没有将配线图案102a埋设在电绝缘性衬底101内的情况，但也可以将配线图案102a埋设在电绝缘性衬底101内(参照图3(h))。
另外，在图1所示的内装电路器件组件100中，示出了在配线图案102a上没有安装电路器件的情况，但也可以将电路器件安装在配线图案102a上，另外，也可以对内装电路器件组件进行树脂模制成型(在以下的实施形态中相同)。通过将电路器件安装在配线图案102a上，能以更高的密度安装电路器件。
(实施形态2)
在本实施形态2中，说明图1所示内装电路器件组件的制造方法的一实施形态。在实施形态2中采用的材料和电路器件，已在实施形态1中作过说明。
图2(a)～(h)是表示内装电路器件组件的制造工序的一实施形态的断面图。
首先，如图2(a)所示，通过对含有无机填充物和热固性树脂的混合物进行加工而形成板状混合物200。板状混合物200可以通过将无机填充物和未固化的热固性树脂混合而制成糊状的均匀混合物并将该糊状的均匀混合物按一定厚度成型后形成。
另外，也可以在比热固性树脂的固化温度低的温度下对板状混合物200进行热处理。通过进行热处理，可以在保持混合物200的挠曲性的同时，将粘着性除去，所以使其后的处理容易进行。此外，在用溶剂将热固性树脂溶解后的混合物中，通过进行热处理，可以将一部分溶剂除去。
然后，如图2(b)所示，通过在混合物200的所需位置形成贯通孔201，形成开有贯通孔201的板状体。贯通孔201，例如，通过激光加工、钻头加工或金属模加工形成。激光加工，由于能以微细的间距形成贯通孔201而且不产生切削碎屑，所以是理想的加工方式。在激光加工中，如采用二氧化碳气体激光器或受激准分子激光器，则很容易进行加工。此外，贯通孔201，也可以在对糊状的均匀混合物进行成型加工而形成板状混合物200时，同时形成。
在这之后，如图2(c)所示，通过向贯通孔201内充填导电性树脂组成物202而形成在贯通孔201内充填了导电性树脂组成物202的板状体。
如图2(d)所示，与图2(a)～(c)的工序并行地将电路器件204以倒装接合方式安装在铜箔203上。电路器件204通过导电性粘着剂205与铜箔203电气连接。对于导电性粘着剂205，例如可将金、银、铜、银-钯合金等均匀混合于热固性树脂后使用。此外，也可以代替导电性粘着剂205而在电路器件侧预先形成以金丝焊法制作的凸起或软钎料的凸起，并通过热处理将金或软钎料熔化而安装电路器件204。进一步，也可以将软钎料凸起和导电性粘着剂同时使用。
另外，还可以在安装于铜箔203的电路器件204与铜箔203之间注入密封树脂(在以下的实施形态中，同样可以在电路器件与铜箔之间或电路器件与配线图案之间注入密封树脂)。通过注入密封树脂，当在后面的工序中将半导体器件埋设于板状体时，能够防止在半导体器件与配线图案之间形成间隙。对于密封树脂，可采用通常在倒装片接合法中使用的填充(ア ンダフイル)树脂。
与图2(a)～(c)的工序并行地形成铜箔206。
然后，如图2(f)所示，在对准位置后将安装了电路器件204的铜箔203、图2(c)的板状体及铜箔206重叠。
接着，如图2(g)所示，通过对上述对准位置后重叠的部分进行加压，形成埋设了电路器件204的板状体，然后进行加热，从而形成使混合物200及导电性树脂组合物202中的热固性树脂固化并埋设了电路器件204的板状体。加热过程可在使混合物200及导电性树脂组合物202中的热固性树脂固化的温度以上的温度(例如150℃～260℃)进行，混合物200变成电绝缘性衬底207，导电性树脂组合物变成内通路208。通过该工序，使铜箔203和206、电路器件204、电绝缘性衬底207牢固地机械粘合。此外，通过内通路208将铜箔203和206电气连接。而在通过加热使混合物200及导电性树脂组合物202中的热固性树脂固化时，如一面进行加热、一面以10kg/cm2～200kg/cm2的压力进行加压，则可以提高电路器件组件的机械强度(在以下的实施形态中相同)。
在这之后，如图2(h)所示，通过对铜箔203和206进行加工，形成配线图案209和210。
这样，就形成了在实施形态1中说明过的内装电路器件组件。如采用上述制造方法，则可以很容易地制造在实施形态1中说明过的内装电路器件组件。
另外，在实施形态2中，作为充填贯通孔201的导电性物质，采用了导电性树脂组合物202，但只要是热固性的导电性物质即可(在以下的实施形态中相同)。
(实施形态3)
在本实施形态3中，说明图1所示内装电路器件组件的制造方法的另一实施形态。在实施形态3中采用的材料和电路器件，已在实施形态1中作过说明。
图3(a)～(h)是表示实施形态3的内装电路器件组件制造工序的断面图。
首先，如图3(a)所示，通过对含有无机填充物和热固性树脂的混合物进行加工而形成板状混合物300。因该工序与图2(a)相同，故将重复的说明省略。
然后，如图3(b)所示，在混合物300的所需位置形成贯通孔301。因该工序与图2(b)相同，故将重复的说明省略。
在这之后，如图3(c)所示，通过向贯通孔301内充填导电性树脂组成物302而形成在贯通孔301内充填了导电性树脂组成物302的板状体。
如图3(d)所示，与图3(a)～(c)的工序并行地在脱模薄膜305上形成配线图案303，并将电路器件304安装在配线图案303上。安装电路器件304的方法，因与图2(d)中说明过的方法相同，故将重复的说明省略。对于脱模薄膜305，例如可采用聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚苯撑硫醚薄膜。配线图案303，例如可在将铜箔粘着于脱模薄膜305之后通过进行光刻工序和蚀刻工序形成。此外，配线图案303，也可以采用由蚀刻法或冲切法形成的金属板引线骨架。
如图3(e)所示，与图3(a)～(c)的工序并行地在脱模薄膜307上形成配线图案306。配线图案306可以按照与配线图案303相同的方法形成。
然后，如图3(f)所示，在对准位置后将脱模薄膜305、图3(c)的板状体及脱模薄膜307重叠，使配线图案303和306与导电性物质302在所需部分上连接。
接着，如图3(g)所示，通过对上述对准位置后重叠的部分进行加压和加热，使混合物300及导电性树脂组合物302中的热固性树脂固化，从而形成埋设了电路器件304及配线图案303和306的板状体。加热过程可在使混合物300及导电性树脂组合物302中的热固性树脂固化的温度以上的温度(例如150℃～260℃)进行，混合物300变成电绝缘性衬底308，导电性树脂组合物302变成内通路309。通过内通路309将配线图案303和306电气连接。
在这之后，如图3(h)所示，将脱模薄膜305和307从图3(g)的板状体剥离。
这样，就形成了在实施形态1中说明过的内装电路器件组件。如采用上述制造方法，则可以很容易地制造在实施形态1中说明过的内装电路器件组件。
另外，在本方法中，由于采用了预先形成有配线图案306的脱模薄膜307，所以，可以制成将配线图案306埋入电绝缘性衬底308而表面平坦的内装电路器件组件。由于表面平坦因而可以将器件以高密度安装在配线图案306上，因而能以更高的密度安装电路器件。
(实施形态4)
在本实施形态4中，说明本发明的具有多层结构的内装电路器件组件的一实施形态。图4是本实施形态4的内装电路器件组件400的斜视断面图。
参照图4可知，本实施形态的内装电路器件组件400，包含由层叠的电绝缘性衬底401a、401b和401c构成的电绝缘性衬底401、在电绝缘性衬底401的主表面和内部形成的配线图案402a、402b、402c和402d、配置在电绝缘性衬底401内部并与配线图案402a、402b或402c连接的电路器件403、及将配线图案402a、402b、402c和402d电气连接的内通路404。
电绝缘性衬底401a、401b和401c，由含有无机填充物和热固性树脂的混合物构成。无机填充物，例如，可采用Al2O3、MgO、BN、AlN或SiO2等。无机填充物，相对于混合物最好为70重量％～95重量％。无机填充物的平均粒子直径最好为0.1μm～100μm。对于热固性树脂，例如最好是耐热性好的环氧树脂、酚醛树脂或氰酸盐(シアネ-ト)树脂。环氧树脂因耐热性特别优良所以尤为理想。此外，混合物还可以包含分散剂、着色剂、耦合剂或脱模剂。
配线图案402a、402b、402c和402d，因与实施形态1中说明过的配线图案102a和102b相同，故将重复的说明省略。
电路器件403，例如包括有源器件403a和无源元件403b。作为有源器件403a，例如采用晶体管、IC、LSI等半导体器件。半导体器件也可以是半导体裸芯片。作为无源元件403b，采用片状电阻、片状电容及片状电感等。此外，电路器件403在某些情况下也可以不包含无源元件103b。
对于配线图案402a、402b和402c与有源器件403a的连接，例如，采用倒装片接合方式。通过以倒装接合方式安装半导体裸芯片，能以高密度安装电路元件。
内通路404由导电性物质构成。作为内通路404，例如，可采用将金属粒子与热固性树脂混合后的导电性树脂组成物。作为金属粒子，可采用金、银、铜或镍等金属。金、银、铜或镍，因导电性优良而适于选用，其中，铜不仅导电性优良而且晶界迁移量小，因而尤为理想。而作为热固性树脂，例如，可采用环氧树脂、酚醛树脂或氰酸盐(シアネ-ト)树脂。环氧树脂因耐热性优良所以特别适用。
图4所示的内装电路器件组件400，示出了没有将配线图案402d埋设在电绝缘性衬底401c内的情况，但也可以将配线图案402d埋设在电绝缘性衬底401c内(参照图6(g))。
另外，在图4中示出了3层结构的内装电路器件组件400，但可以采用与设计对应的多层结构(在以下的实施形态中相同)。
(实施形态5)
在本实施形态5中，说明实施形态4所示内装电路器件组件的制造方法的一实施形态。在实施形态5中采用的材料和电路器件，已在实施形态4中作过说明。
参照图5说明实施形态4中示出的内装电路器件组件的制造方法的一例。图5(a)～(h)是表示本实施形态的内装电路器件组件制造工序的断面图。
首先，如图5(a)所示，通过对含有无机填充物和热固性树脂的混合物进行加工而形成板状混合物500，并通过向贯通孔内充填导电性树脂组成物501而形成在贯通孔内充填了导电性树脂组成物501的板状体。因该工序与在图2(a)～(c)中说明过的工序相同，故将重复的说明省略。
另一方面，在脱模薄膜503上形成配线图案506，并将有源器件504和无源元件505安装在配线图案506上。因该工序与在图3(d)中说明过的相同，故将重复的说明省略。
在这之后，如图5(b)所示，在对准位置后将图5(a)的板状体和脱模薄膜503重叠并进行加压，然后将脱模薄膜503剥离，从而形成埋设了配线图案506、有源器件504和无源元件505的板状体。
与图5(a)和(b)的工序并行地按照与图5(a)和(b)相同的工序形成多个埋设了配线图案506和电路器件的板状体(参照图5(c)和(d)、图5(e)和(f))。配线图案506和电路器件，根据设计每层各不相同。
然后，如图5(g)所示，在对准位置后将图5(b)、(d)和(f)的板状体重叠，并进一步将铜箔507重叠在图5(f)的板状体的没有形成配线图案的主表面上。
接着，如图5(h)所示，通过对在图5(g)中重叠的板状体和铜箔507进行加压和加热，形成具有多层结构的板状体。加热过程可在使混合物500及导电性树脂组合物501中的热固性树脂固化的温度以上的温度(例如150℃～260℃)进行，混合物500变成电绝缘性衬底508，导电性树脂组合物501变成内通路509。通过该工序，使电路器件504和505、铜箔507和电绝缘性衬底508牢固地机械接合。此外，通过内通路509将配线图案506和铜箔507电气连接。然后，通过对铜箔507进行加工而形成配线图案510。
这样，就可形成具有多层结构的内装电路器件组件。如采用上述制造方法，则可以很容易地制造具有多层结构的内装电路器件组件。
(实施形态6)
在本实施形态6中，说明在实施形态4中说明过的内装电路器件组件的制造方法的另一实施形态。在实施形态6中采用的材料和电路器件，已在实施形态4中作过说明。
参照图6说明本实施形态的内装电路器件组件的制造方法的一例。图6(a)～(g)是表示本实施形态的内装电路器件组件制造工序的断面图。
首先，如图6(a)所示，通过对含有无机填充物和热固性树脂的混合物进行加工而形成板状混合物600，并通过向贯通孔内充填导电性树脂组成物601而形成在贯通孔内充填了导电性树脂组成物601的板状体。因该工序与图2(a)～(c)中说明过的相同，故将重复的说明省略。另一方面，在脱模薄膜603上形成配线图案606，并将有源器件604和无源元件605安装在配线图案606上。因该工序与在图3(d)中说明过的相同，故将重复的说明省略。
在这之后，如图6(b)所示，在对准位置后将图6(a)的板状混合物600和脱模薄膜603重叠并进行加压，然后将脱模薄膜603剥离，从而形成埋设了配线图案606、有源器件604和无源元件605的板状体。
与图6(a)和(b)的工序并行地按照与图6(a)和(b)相同的工序形成埋设了配线图案606和电路器件的板状体(参照图6(c)和(d))。而配线图案606和电路器件，根据设计每层各不相同。
如图6(e)所示，与图6(a)和(b)的工序并行地在脱模薄膜603上形成配线图案607。
然后，如图6(f)所示，在对准位置后将图6(b)和(d)的板状体重叠，并进一步将图6(e)的脱模薄膜603重叠在图6(d)的板状体的没有形成配线图案606的主表面上，使配线图案607成为内侧。
接着，如图6(g)所示，通过对在图6(f)中重叠的板状体和脱模薄膜603进行加压和加热，形成具有多层结构的板状体。加热过程可在使混合物600及导电性树脂组合物601中的热固性树脂固化的温度以上的温度(例如150℃～260℃)进行，混合物600变成电绝缘性衬底608，导电性树脂组合物601变成内通路609。通过该工序，使有源器件604、无源元件605、配线图案606和607、及电绝缘性衬底608牢固地机械粘合。此外，通过内通路609将配线图案606和607电气连接。
然后，通过将脱模薄膜603从具有多层结构的板状体剥离，即可形成具有多层结构的内装电路器件组件。
这样，如采用上述制造方法，则可以很容易地制造具有多层结构的内装电路器件组件。
[实施例]
以下，说明本发明的具体实施例。
(实施例1)
首先，说明制作本发明的内装电路器件组件时制作由含有无机填充物和热固性树脂的混合物构成的电绝缘性衬底的方法的一例。
在本实施例中，按表1所示的配合比例制作了电绝缘性衬底。同时，以试样编号1示出比较例。
                                                                [表1]
试料编号       无机填充物        热硬化树脂    其他添加物(wt％)  热传导系数(W/mK)  线膨胀系数(ppm/℃) 介电常数1MHz 介电损耗1MHz(％) 绝缘强度(AC)KV/mm
  种类  量(wt％)     种类    量(wt％)
    1  Al2O3     60 液态环氧树脂WE-2025     39.8   カ一ボソブラツク(0.2)     0.52     45     3.5     0.3     8.1
    2  Al2O3     70     29.8     0.87     32     4.7     0.3     10.1
    3  Al2O3     80     19.8     1.2     26     5.8     0.3     16.5
    4  Al2O3     85     14.8     2.8     21     6.1     0.2     15.5
    5  Al2O3     90     9.8     4.5     16     6.7     0.2     18.7
    6  Al2O3     95     4.8     5.5     11     7.1     0.2     17.1
    7  MgO     78  液态环氧树脂WE-2025     21.8   カ一ボソブラツク(0.2)     4.2     24     8.1     0.4     15.2
    8  BN     77     22.8     5.5     10     6.8     0.3     17.4
    9  AlN     85     14.8     5.8     18     7.3     0.3     19.3
    10  SiO2     75     24.8     2.2     7     3.5     0.2     18.2
    11  Al2O3     90   酚醛树脂     9.8   カ一ボソブラツク(0.2)     4.1     31     7.7     0.5     13.2
    12  Al2O3     90   氰酸盐树脂     9.8   分散剂(0.2)     3.8     15     6.7     0.2     14.5
液态环氧树脂：日本ヘルノツクス(株)制WE-2025     Al2O3：昭和电工(株)制SA-40
酚醛树脂：大日本イソキ(株)制フエノライトVH-4150 SiO2：关东化学(株)试药1级
氰酸盐树脂：旭チバ(株)制AroCyM-30               AlN：ダウ社制
碳黑：东洋カ一ボソ(株)制R-930                   BN：电气化学工业(株)制
分散剂：第1工业制药(株)制ブライサ一フS-208F     MgO：关东化学(株)试药1级
在本实施例中，对于液态环氧树脂，采用了日本ペルノツクス(股份公司)生产的环氧树脂(WE-2025，含酸酐系固化剂)。对于酚醛树脂，采用了大日本油墨(股份公司)生产的酚醛树脂(酚醛树脂，VH4150)。对于氰酸盐(シアネ-ト)树脂，采用了旭チバ(股份公司)生产的氰酸盐(シアネ-ト)树脂(AroCy M-30)。在本实施例中，作为添加物加入了炭黑或分散剂。
板状体的制作，首先，将按表1的组成混合好的糊状混合物仅以规定量滴落在脱模薄膜上。糊状混合物，用搅拌混合机将无机填充物和液态的热固性树脂混拌10分钟左右制成。所使用的搅拌混合机，将无机填充物和液态的热固性树脂投入规定容量的容器并一面使容器本身转动一面公转，所以，即使混合物的粘度比较高，也能得到充分的分散状态。对于脱模薄膜，采用厚75μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜，在薄膜的表面用硅进行脱模处理。
然后，再将脱模薄膜重叠在脱模薄膜上的糊状混合物上，用加压压力机压到500μm的厚度，从而制得板状混合物。
接着，隔着各脱模薄膜对由脱模薄膜夹在中间的板状混合物进行加热，在将板状混合物的粘着性去掉的条件下进行了热处理。热处理在120℃的温度下保持15分钟。通过该热处理，使板状混合物失去粘着性，所以，使脱模薄膜很容易剥离。在本实施例中使用的液态环氧树脂，固化温度为130℃，所以在该热处理的条件下，为未固化状态(半熔阶段)。
然后，将脱模薄膜从板状混合物剥离，并用耐热型脱模薄膜(PPS：聚苯撑硫醚，厚75μm)将板状混合物夹在中间，一面以50kg/cm2的压力加压，一面在170℃温度下加热，从而使板状混合物固化。
下一步，将耐热型脱模薄膜从已固化的板状混合物剥离，从而制成电绝缘性衬底。
在将该电绝缘性衬底加工成规定尺寸后，测定了热传导系数、线膨胀系数、绝缘强度等。电绝缘性衬底的绝缘强度，是电绝缘性衬底的材料即无机填充物和热固性树脂的粘着性指标。就是说，如无机填充物和热固性树脂的粘着性差，则在其间将产生微小的间隙，因而使绝缘强度降低。这种微小的间隙将导致内装电路器件组件的可靠性降低。热传导系数，可以通过使切割成10mm四方形的试样表面与加热热源接触而进行加热并根据其相反一面的温度上升计算求得。线膨胀系数，可以测定当温度从室温上升到140℃时的电绝缘性衬底的尺寸变化并根据该尺寸变化的平均值求得。绝缘强度，可求出当在电绝缘性衬底的厚度方向施加AC电压时的绝缘强度，并计算出每单位厚度的绝缘强度。
如表1所示，当按上述方法制成的电绝缘性衬底采用了Al2O3作为无机填充物时，与现有的环氧玻璃衬底(热传导系数为0.2w/mK～0.3w/mK)相比，热传导系数约提高10倍以上。通过使Al2O3的量为85重量％以上，可以使热传导系数提高到2.8w/mK以上。Al2O3还具有成本低廉的优点。
此外，当采用了AlN、MgO作为无机填充物时，得到了不低于使用Al2O3时的热传导系数。
另外，当采用了非晶体SiO2作为无机填充物时，线膨胀系数更加接近硅半导体(线膨胀系数3×10-6/℃)。因此，将非晶体SiO2用作无机填充物的电绝缘性衬底，适合于作为直接安装半导体的倒装片用衬底。
而当采用了SiO2作为无机填充物时，得到了介电常数低的电绝缘性衬底。SiO2还具有比重轻的优点。采用了SiO2作为无机填充物的内装电路器件组件，适合于作为携带式电话机等的高频用组件。
另外，当采用了BN作为无机填充物时，得到了热传导系数高而线膨胀系数低的电绝缘性衬底。
如表1的比较例(试样编号1)所示，除采用60重量％的Al2O3作为无机填充物的情况以外，电绝缘性衬底的绝缘强度，均在10kV/mm以上。一般说来，绝缘强度如在10kV/mm以上，则可以判断为无机填充物和热固性树脂的粘着性良好。因此，无机填充物的量最好在70重量％以上。
另外，当热固性树脂的含量低时，电绝缘性衬底的强度降低，所以热固性树脂最好在4.8重量％以上。
(实施例2)
实施例2是用在实施形态2中说明过的方法制作内装电路器件组件的一例。
在本实施例中使用的电绝缘性衬底的组成为：90重量％的Al2O3(昭和电工(股份公司)制、AS-40、球状、平均粒子直径12μm)、9.5重量％的液态环氧树脂(日本レツク(股份公司)制、EF-450)、0.2重量％的炭黑(东洋カ-ボン(股份公司)制)、0.3重量％的耦合剂(味の素(股份公司)制、钛酸酯系、46B)。
按照与实施例1相同的条件对上述材料进行处理，从而制成板状体(厚500μm)。将上述板状体切割成规定的大小，并用二氧化碳气体激光器形成用于进行内通路孔连接的贯通孔(直径0.15mm)(参照图2(b))。
用丝网印刷法将导电性树脂组成物充填在该贯通孔内(参照图2(c))。导电性树脂组成物，可通过将85重量％的球状铜粒子、3重量％的双酚A型环氧树脂(油化シエルエボキシ制、エビコ一ト828)、9重量％的环氧丙基酯(ゲルシジルエステル)系环氧树脂(东都化成制、YD-171)、3重量％的氨基加合物固化剂(味の素制，MY-24)均匀混合而形成。
然后，对厚35μm的铜箔的一个面进行粗化处理，并用倒装接合法以导电性粘结剂将半导体器件安装在粗化后的面上(参照图2(d))。
接着，在对准位置后将安装了半导体器件的铜箔、充填了导电性树脂组合物的板状体、及另外制作的铜箔(一个面进行粗化处理后的铜箔，厚35μm)重叠(参照图2(f))。这时，在重叠时使铜箔的粗化面成为板状体侧。
下一步，用热压机在温度120℃、压力10kg/cm2的条件下将其加热加压5分钟。由于在比固化温度低的温度下进行加热，板状体中的热固性树脂软化，所以很容易将半导体器件埋入板状体中。
接着，提高加热温度并在175℃下加热60分钟(参照图2(g))。通过该加热，使板状体中的环氧树脂及导电性树脂组成物中的环氧树脂固化，并将半导体器件及铜箔与板状体牢固地机械连接。此外，通过该加热，还将导电性树脂组成物与铜箔电气连接(内通路连接)并机械地连接。
然后，通过光刻工序和蚀刻工序对埋设了半导体器件的板状体表面的铜箔进行蚀刻，形成配线图案(参照图2(h))。按照如上方式，即可制成内装电路器件组件。
为了评价按照本实施例制成的内装电路器件组件的可靠性，进行了回流焊试验和温度循环试验。回流焊试验，用带式回流焊机在260℃的最高温度下按10秒的周期反复进行了10次。温度循环试验，将在125℃下保持30分钟、然后在-60℃下保持30分钟的工序反复循环200次。
在回流焊试验和温度循环试验的任何一种试验中，在本实施例的内装电路器件组件上都没有产生裂纹，即使用超声波探伤装置也没有检查出格外异常之处。从该试验可知，半导体器件与电绝缘性衬底的连接非常牢固。此外，由导电性树脂组成物构成的内通路连接的电阻值，在试验开始前后也几乎没有发生变化。
(实施例3)
实施例3是用在实施形态3中说明过的方法制作内装电路器件组件的一例。
首先，按照与实施例2相同的方法，制成在贯通孔内充填了导电性树脂组成物的板状体(厚500μm)(参照图3(c))。
然后，用粘结剂将在厚35μm的铜箔粘着在脱模薄膜(聚苯撑硫醚制，厚150μm)上。该铜箔，在一个面上进行粗化处理，并在粘结时使光泽面为粘结剂侧。
接着，通过光刻工序和蚀刻工序对脱模薄膜上的铜箔进行蚀刻，形成配线图案。进一步，以倒装接合方式用软钎料凸起将半导体器件安装在该配线图案上(参照图3(d))。
下一步，在已安装在配线图案上的半导体器件与配线图案之间的间隙内注入密封树脂。具体地说，使加热到70℃的加热板倾斜，并将具有已安装好半导体器件的配线图案的脱模薄膜设置在该加热板上，然后，用注射器将密封树脂慢慢地注入半导体器件与配线图案之间。在10秒左右即可将密封树脂注入半导体器件与配线图案之间。之所以用加热板加热，是因为可以使密封树脂的粘度减小并能在短时间内完成注入。此外，之所以使加热板倾斜，是为了便于注入。对于密封树脂，采用了テクノアルフア-(股份公司)生产的EL18B。EL18B是一种在液态环氧树脂内混入了SiO2粉末的树脂。
另一方面，与上述工序并行、并与上述工序同样地制成在一个面上形成了配线图案的脱模薄膜(聚苯撑硫醚制，厚150μm)(参照图3(e))。
然后，在对准位置后将接合了半导体器件的脱模薄膜、在贯通孔内充填了导电性树脂组成物的板状体、在一个面上形成了配线图案的脱模薄膜重叠在一起(参照图3(f))。
下一步，用热压机在温度120℃、压力10kg/cm2的条件下将其加热加压5分钟。由于在比固化温度低的温度下加热，板状体中的热固性树脂软化，所以很容易将半导体器件和配线图案埋入板状体中。
接着，提高加热温度并在175℃下加热60分钟(参照图3(g))。通过该加热，使板状体及导电性树脂组成物中的环氧树脂固化，所以将半导体器件和配线图案与板状体牢固地机械连接。此外，通过该加热，还将导电性树脂组成物与配线图案电气连接(内通路连接)并机械地连接。进一步，通过该加热，还使注入半导体器件与配线图案之间的密封树脂固化。
然后，将脱模薄膜从板状体剥离(参照图3(h))。聚苯撑硫醚制脱模薄膜，具有上述加热温度以上的耐热性。此外，使铜箔的粗化后的面与板状体及内通路粘着，并使铜箔的光泽面与脱模薄膜粘着。因此，板状体及内通路与铜箔的粘着强度要大于脱模薄膜与铜箔的粘着强度，所以，可以只将脱模薄膜剥离。按照如上方式，即可制成内装电路器件组件。
为了评价按照实施例3制成的内装电路器件组件的可靠性，在与实施例2同样的条件下进行了回流焊试验和温度循环试验。
在回流焊试验和温度循环试验的任何一种试验中，在实施例3的内装电路器件组件上都没有产生裂纹，即使用超声波探伤装置也没有检查出格外异常之处。从该试验可知，半导体器件与电绝缘性衬底的连接非常牢固。此外，由导电性树脂组成物构成的内通路连接的电阻值，在试验开始前后也几乎没有发生变化。
(实施例4)
本实施例4是用在实施形态5中说明过的方法制作具有多层结构的内装电路器件组件的一例。
在本实施例4中，作为电路器件，采用了半导体器件和片状器件。
首先，按照与实施例2相同的方法，制成在贯通孔内充填了导电性树脂组成物的板状体。
然后，在对准位置后将充填了导电性树脂组成物的板状体与备有以倒装接合方式安装了电路器件的配线图案的脱模薄膜(聚苯撑硫醚制)重叠(参照图5(a))。
接着，用热压机在加压温度120℃、压力10kg/cm2的条件下将其加热加压5分钟。由于在比固化温度低的温度下加热，板状体中的热固性树脂软化，所以很容易将电路器件埋入板状体中。然后，通过将脱模薄膜从板状体剥离，形成埋入了电路器件的板状体(参照图5(b))。
制作多个这样的板状体，并在对准位置后将多个板状体与铜箔重叠(参照图5(g))。
下一步，用热压机在加压温度175℃、压力50kg/cm2的条件下将其加热加压60分钟。通过该加热加压处理，使埋入了电路器件的多个板状体与铜箔构成一体，形成一个板状体。通过该加热加压处理，使板状体及导电性树脂组成物中的环氧树脂固化，并将电路器件和配线图案与板状体牢固地机械连接。此外，通过该加热加压处理，还将铜箔和配线图案与导电性树脂组成物电气连接(内通路连接)并机械地连接。
然后，通过光刻工序和蚀刻工序对埋设了电路器件的板状体表面的铜箔进行蚀刻，形成配线图案(参照图5(h))。按照如上方式，即可制成具有多层结构的内装电路器件组件。
为了评价按照实施例4制成的内装电路器件组件的可靠性，在与实施例2同样的条件下进行了回流焊试验和温度循环试验。
在回流焊试验和温度循环试验的任何一种试验中，在实施例4的内装电路器件组件上都没有产生裂纹，即使用超声波探伤装置也没有检查出格外异常之处。从该试验可知，半导体器件与电绝缘性衬底的连接非常牢固。此外，由导电性树脂组成物构成的内通路连接的电阻值，在试验开始前后也几乎没有发生变化。
(实施例5)
本实施例5是用在实施形态6中说明过的方法制作具有多层结构的内装电路器件组件的一例。
首先，按照与实施例2相同的方法，制成在贯通孔内充填了导电性树脂组成物的板状体。然后，在对准位置后将在贯通孔中充填了导电性树脂组成物的板状体与备有以倒装接合方式安装了电路器件的配线图案的脱模薄膜(聚苯撑硫醚制)重叠(参照图6(a))。
然后，用热压机在加压温度120℃、压力10kg/cm2的条件下将其加热加压5分钟。由于在比固化温度低的温度下加热，板状体中的热固性树脂软化，所以很容易将电路器件埋入板状体中。接着，通过将脱模薄膜从板状体剥离而形成了板状体(参照图6(b))。以同样方式形成埋入了电路器件的板状体(参照图6(d))。
下一步，在脱模薄膜(聚苯撑硫醚制)的一个面上形成了配线图案(参照图6(e))。
接着，在对准位置后将埋入了电路器件的2个板状体与形成了配线图案的脱模薄膜重叠在一起(参照图6(f))。
然后，用热压机在加压温度175℃、压力50kg/cm2的条件下将其加热加压60分钟。通过该加热加压处理，使埋入了电路器件的多个板状体与脱模薄膜构成一体，形成一个板状体。通过该加热加压处理，使板状体中的环氧树脂固化，并将电路器件和配线图案与板状体牢固地机械连接。此外，通过该加热加压处理，还使导电性树脂组成物中的环氧树脂固化，并将配线图案与导电性树脂组成物电气连接(内通路连接)并机械地连接。
下一步，将脱模薄膜从构成一体的板状体剥离，从而形成具有多层结构的内装电路器件组件(参照图6(g))。
为了评价按照实施例5制成的内装电路器件组件的可靠性，在与实施例2同样的条件下进行了回流焊试验和温度循环试验。
在回流焊试验和温度循环试验的任何一种试验中，在实施例5的内装电路器件组件上都没有产生裂纹，即使用超声波探伤装置也没有检查出格外异常之处。从该试验可知，半导体器件与电绝缘性衬底的连接非常牢固。此外，由导电性树脂组成物构成的内通路连接的电阻值，在试验开始前后也几乎没有发生变化。
如上所述，在本发明的内装电路器件组件中，采用了由含有无机填充物和热固性树脂的混合物构成的电绝缘性衬底，同时采用了内通路孔连接法，所以，能以高密度安装电路器件，而且散热性也强。因此，对本发明的内装电路器件组件来说，可以得到能以高密度安装电路器件且可靠性高的内装电路器件组件。
另外，在本发明的内装电路器件组件中，由于采用多层结构，所以能以更高的密度安装电路器件。
在本发明的内装电路器件组件中，还可以通过选择无机填充物而对电绝缘性衬底的热传导系数、线膨胀系数、介电常数等进行控制。因此，在本发明的内装电路器件组件中，可以使电绝缘性衬底的线膨胀系数与半导体器件基本相同，所以适合于用作在内部装有半导体器件的内装电路器件组件。此外，由于可以提高电绝缘性衬底的热传导系数，所以适合于用作在内部装有必须散热的半导体器件等的内装电路器件组件。另外，由于可以减小电绝缘性衬底的介电常数，所以适合于用作高频电路用内装电路器件组件。
按照本发明的内装电路器件组件制造方法，可以很容易地制造上述内装电路器件组件。
另外，在本发明的内装电路器件组件制造方法中，通过采用形成有配线图案的脱模薄膜，可以将配线图案埋设在电绝缘性衬底内，所以，可以制成表面平滑的内装电路器件组件。因此，当在表面的配线图案上进一步安装电路器件时，能以高密度安装电路器件。

Claims (36)

1.一种内装电路器件组件，包含：由含有70重量％～95重量％的无机填充物和热固性树脂的混合物构成的电绝缘性衬底；在上述电绝缘性衬底的至少主表面上形成的多个配线图案；配置在上述电绝缘性衬底内部并与上述配线图案电气连接的电路器件；及为与上述多个配线图案电气连接而在上述电绝缘性衬底内形成的内通路，所述内通路与所述多个配线图案中的至少一个配线图案电连接，且所述电路器件与所述多个配线图案中的至少一个配线图案电连接。
2.根据权利要求1所述的内装电路器件组件，其特征在于：上述电路器件包含有源器件，上述内通路由导电性树脂组成物构成。
3.根据权利要求1所述的内装电路器件组件，其特征在于：上述配线图案，也在电绝缘性衬底的内部形成。
4.根据权利要求1所述的内装电路器件组件，其特征在于：上述电路器件借助上述电绝缘性衬底与外部空气隔断。
5.根据权利要求1所述的内装电路器件组件，其特征在于：上述热固性树脂包括从环氧树脂、酚醛树脂及氰酸盐(シアネ-ト)树脂中选择的至少一种热固性树脂。
6.根据权利要求1所述的内装电路器件组件，其特征在于：上述无机填充物包括从Al2O3、MgO、BN、AIN及SiO2中选择的至少一种无机填充物。
7.根据权利要求1所述的内装电路器件组件，其特征在于：上述无机填充物的平均粒子直径为0.1μm～100μm。
8.根据权利要求1所述的内装电路器件组件，其特征在于：上述配线图案包含从铜和导电性树脂组成物中选择的至少一种导电性物质。
9.根据权利要求1所述的内装电路器件组件，其特征在于：上述配线图案由采用蚀刻法或冲切法形成的金属板引线骨架构成。
10.根据权利要求1所述的内装电路器件组件，其特征在于：上述电路器件包括从片状电阻、片状电容及片状电感中选择的至少一种器件。
11.根据权利要求1所述的内装电路器件组件，其特征在于：上述混合物还包括从分散剂、着色剂、耦合剂和脱模剂中选择的至少一种添加剂。
12.根据权利要求1所述的内装电路器件组件，其特征在于：上述电绝缘性衬底的线膨胀系数为8×10-6/℃～20×10-6/℃，且上述电绝缘性衬底的热传导系数为1w/mK～10w/mK。
13.根据权利要求2所述的内装电路器件组件，其特征在于：上述有源器件，包含半导体裸芯片，上述半导体裸芯片以倒装接合方式安装在上述配线图案上。
14.根据权利要求2所述的内装电路器件组件，其特征在于：上述导电性树脂组合物中，作为导电性成分，含有由从金、银、铜及镍中选择的一种金属构成的金属粒子，作为树脂成分，含有环氧树脂。
15.一种内装电路器件组件制造方法，包括以下工序：将含有70重量％～95重量％的无机填充物和未固化状态的热固性树脂的混合物加工成具有贯通孔的第1板状体；通过向上述贯通孔内充填热固性导电物质而形成在上述贯通孔内充填了热固性导电物质的第2板状体；将电路器件安装在第1薄膜的配线图案部分上；在对准位置后将上述第2板状体重叠于上述第1薄膜的安装了上述电路器件的一侧，进一步在其上重叠具有配线图案部分的第2薄膜并进行加压，从而形成埋设了上述电路器件的第3板状体；通过对上述第3板状体进行加热而形成使上述热固性树脂及导电性物质固化了的第4板状体。
16.根据权利要求15所述的内装电路器件组件制造方法，其特征在于：上述电路器件包含有源器件，上述导电性物质由导电性树脂组成物构成。
17.根据权利要求15所述的内装电路器件组件制造方法，其特征在于：上述第1和第2薄膜由铜箔构成，在形成上述第4板状体后，还包括将上述配线图案部分以外的铜箔除去从而形成配线图案的工序。
18。根据权利要求15所述的内装电路器件组件制造方法，其特征在于：上述第1和第2薄膜，由在一个主表面上形成有配线图案的脱模薄膜构成，在形成上述第4板状体后，还包括将上述脱模薄膜从上述第4板状体剥离的工序。
19.根据权利要求15所述的内装电路器件组件制造方法，其特征在于：在将上述电路器件安装在上述配线图案部分之后，还包括在上述电路器件与上述配线图案之间注入密封树脂的工序。
20.根据权利要求15所述的内装电路器件组件制造方法，其特征在于：对上述热固性树脂及上述导电性物质进行加热而使其固化时的温度，在150℃以上、260℃以下。
21.根据权利要求15所述的内装电路器件组件制造方法，其特征在于：在对上述热固性树脂及上述导电性物质进行加热而使其固化时，一面加热、一面以10kg/cm2～200kg/cm2的压力进行加压。
22.根据权利要求15所述的内装电路器件组件制造方法，其特征在于：在形成上述第1板状体的工序将上述混合物成型为板状后，还包括在比上述热固性树脂的固化温度低的温度下对上述板状混合物进行热处理从而使上述板状混合物失去粘着性的工序。
23.根据权利要求15所述的内装电路器件组件制造方法，其特征在于：使将上述电路器件埋设于上述第2板状体从而形成上述第3板状体的工序在比上述热固性树脂的固化温度低的温度下进行。
24.根据权利要求15所述的内装电路器件组件制造方法，其特征在于：将上述电路器件安装在上述配线图案上的工序，由利用软钎料在上述电路器件与上述配线图案之间进行电气和机械连接的工序构成。
25.根据权利要求16所述的内装电路器件组件制造方法，其特征在于：将上述有源器件安装在上述配线图案上的工序，由利用导电性粘结剂将上述电路器件的金凸起与上述配线图案电气连接的工序构成。
26.一种内装电路器件组件制造方法，用于制造具有多层结构的内装电路器件组件，该电路器件组件制造方法的特征在于，包括以下工序：将含有70重量％～95重量％的无机填充物和未固化状态的热固性树脂的混合物加工成具有贯通孔的第1板状体；通过向上述贯通孔内充填热固性导电物质而形成在上述贯通孔内充填了热固性导电物质的第2板状体；在脱模薄膜的一主表面上形成配线图案，并将电路器件安装在上述配线图案上；在对准位置后将上述第2板状体重叠于上述脱模薄膜的上述一主表面侧，并通过加压而形成埋设了上述电路器件的第3板状体；通过将上述脱模薄膜从上述第3板状体上剥离而形成第4板状体；在对准位置后将多个上述第4板状体重叠，并进一步在对准位置后重叠含有配线图案部分的薄膜并进行加压和加热，从而形成使上述热固性树脂及上述导电性物质固化了的具有多层结构的第5板状体。
27.根据权利要求26所述的内装电路器件组件制造方法，其特征在于：上述电路器件包含有源器件，上述导电性物质由导电性树脂组成物构成。
28.根据权利要求26所述的内装电路器件组件制造方法，其特征在于：包含上述配线图案部分的薄膜由铜箔构成，在形成第5板状体后，还包括将上述配线图案部分以外的铜箔除去从而形成配线图案的工序。
29.根据权利要求26所述的内装电路器件组件制造方法，其特征在于：包含上述配线图案部分的薄膜，由在一个主表面上形成有配线图案的脱模薄膜构成，在形成上述第5板状体后，还包括将上述脱模薄膜从上述笫5板状体剥离的工序。
30.根据权利要求26所述的内装电路器件组件制造方法，其特征在于：在将上述电路器件安装在上述配线图案后，还包括在上述电路器件与上述配线图案之间注入密封树脂的工序。
31.根据权利要求26所述的内装电路器件组件制造方法，其特征在于：对上述热固性树脂及上述导电性物质进行加热而使其固化时的温度，在150℃以上、260℃以下。
32.根据权利要求26所述的内装电路器件组件制造方法，其特征在于：在对上述热固性树脂及上述导电性物质进行加热而使其固化时，一面加热、一面以10kg/cm2-200kg/cm2的压力进行加压。
33.根据权利要求26所述的内装电路器件组件制造方法，其特征在于：在形成上述第1板状体的工序将上述混合物成型为板状后，还包括在比上述热固性树脂的固化温度低的温度下对上述板状混合物进行热处理从而使上述板状混合物失去粘着性的工序。
34.根据权利要求26所述的内装电路器件组件制造方法，其特征在于：使将上述电路器件埋设于上述第2板状体从而形成上述第3板状体的工序在比上述热固性树脂的固化温度低的温度下进行。
35.根据权利要求26所述的内装电路器件组件制造方法，其特征在于：将上述电路器件安装在上述配线图案上的工序，由利用软钎料在上述电路器件与上述配线图案之间进行电气和机械连接的工序构成。
36.根据权利要求27所述的内装电路器件组件制造方法，其特征在于：将上述有源器件安装在上述配线图案上的工序，由利用导电性粘结剂将上述有源器件的金凸起与上述配线图案电气连接的工序构成。
CNB981225918A 1997-11-25 1998-11-25 内装电路器件组件及其制造方法 Expired - Lifetime CN1157105C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP322595/1997 1997-11-25
JP322595/97 1997-11-25
JP32259597 1997-11-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1219837A CN1219837A (zh) 1999-06-16
CN1157105C true CN1157105C (zh) 2004-07-07

Family

ID=18145465

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB981225918A Expired - Lifetime CN1157105C (zh) 1997-11-25 1998-11-25 内装电路器件组件及其制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (4) US6038133A (zh)
EP (1) EP0920058B1 (zh)
JP (1) JP4279893B2 (zh)
KR (1) KR100377088B1 (zh)
CN (1) CN1157105C (zh)
DE (1) DE69842095D1 (zh)
TW (1) TW416259B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106129052A (zh) * 2016-08-10 2016-11-16 江阴芯智联电子科技有限公司 双向集成埋入式芯片重布线基板结构及其制作方法

Families Citing this family (255)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6329715B1 (en) * 1996-09-20 2001-12-11 Tdk Corporation Passive electronic parts, IC parts, and wafer
US5922514A (en) * 1997-09-17 1999-07-13 Dale Electronics, Inc. Thick film low value high frequency inductor, and method of making the same
US6038133A (en) * 1997-11-25 2000-03-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module and method for producing the same
AU3538299A (en) * 1998-05-06 1999-11-23 Ngk Insulators, Ltd. Printed circuit board material and method of manufacturing board material and intermediate block body for board material
EP1041620A3 (en) * 1999-04-02 2005-01-05 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Method of transferring ultrathin substrates and application of the method to the manufacture of a multi-layer thin film device
US7038310B1 (en) * 1999-06-09 2006-05-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Power module with improved heat dissipation
DE10011005B4 (de) * 1999-07-01 2004-03-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Multi-Chip-Modul und Verfahren zum Herstellen eines Multi-Chip-Moduls
KR100823767B1 (ko) 1999-09-02 2008-04-21 이비덴 가부시키가이샤 프린트배선판 및 프린트배선판의 제조방법
KR101084525B1 (ko) * 1999-09-02 2011-11-18 이비덴 가부시키가이샤 프린트배선판 및 그 제조방법
JP2001169032A (ja) * 1999-09-30 2001-06-22 Ricoh Co Ltd デジタル複写機、画像形成システム、およびデジタル複写機のスレーブ機
JP3973340B2 (ja) * 1999-10-05 2007-09-12 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置、配線基板、及び、それらの製造方法
JP4186756B2 (ja) * 2003-08-29 2008-11-26 松下電器産業株式会社 回路基板及びその製造方法
JP2001164232A (ja) * 1999-12-09 2001-06-19 Sony Chem Corp 熱硬化性接着材料
US6538210B2 (en) * 1999-12-20 2003-03-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module, radio device having the same, and method for producing the same
JP4251421B2 (ja) * 2000-01-13 2009-04-08 新光電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP3485513B2 (ja) * 2000-01-19 2004-01-13 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US6871396B2 (en) * 2000-02-09 2005-03-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transfer material for wiring substrate
TW569424B (en) 2000-03-17 2004-01-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Module with embedded electric elements and the manufacturing method thereof
JP2001339011A (ja) * 2000-03-24 2001-12-07 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP3830726B2 (ja) * 2000-04-26 2006-10-11 松下電器産業株式会社 熱伝導基板とその製造方法およびパワーモジュール
TW502492B (en) * 2000-05-30 2002-09-11 Alps Electric Co Ltd Electronic circuit unit
US6570469B2 (en) * 2000-06-27 2003-05-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multilayer ceramic device including two ceramic layers with multilayer circuit patterns that can support semiconductor and saw chips
TW533758B (en) * 2000-07-31 2003-05-21 Ngk Spark Plug Co Printed wiring substrate and method for manufacturing the same
JP3570359B2 (ja) * 2000-08-24 2004-09-29 三菱電機株式会社 高周波モジュール
US6504705B2 (en) * 2000-10-12 2003-01-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrolytic capacitor, circuit board containing electrolytic capacitor, and method for producing the same
US7190080B1 (en) * 2000-10-13 2007-03-13 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal pillar
US7264991B1 (en) * 2000-10-13 2007-09-04 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using conductive adhesive
EP1204305A3 (en) * 2000-11-03 2004-01-07 Tyco Electronics AMP GmbH Device comprising an electrical circuit carried by a carrier element and method for the manufacture of such a device
TW511405B (en) * 2000-12-27 2002-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Device built-in module and manufacturing method thereof
US20020158305A1 (en) * 2001-01-05 2002-10-31 Sidharth Dalmia Organic substrate having integrated passive components
TW511415B (en) * 2001-01-19 2002-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Component built-in module and its manufacturing method
US7498196B2 (en) 2001-03-30 2009-03-03 Megica Corporation Structure and manufacturing method of chip scale package
US20040099441A1 (en) * 2001-04-24 2004-05-27 Akira Ichiryu Printed circuit board,its manufacturing method and csp manufacturing method
EP2315510A3 (en) * 2001-06-05 2012-05-02 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Wiring board provided with passive element
KR100488412B1 (ko) * 2001-06-13 2005-05-11 가부시키가이샤 덴소 내장된 전기소자를 갖는 인쇄 배선 기판 및 그 제조 방법
US6878573B2 (en) 2001-06-19 2005-04-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device
US20030057544A1 (en) * 2001-09-13 2003-03-27 Nathan Richard J. Integrated assembly protocol
US20030059976A1 (en) * 2001-09-24 2003-03-27 Nathan Richard J. Integrated package and methods for making same
US6855892B2 (en) * 2001-09-27 2005-02-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Insulation sheet, multi-layer wiring substrate and production processes thereof
JP2003115664A (ja) * 2001-10-05 2003-04-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電圧変換モジュール
US20030066679A1 (en) * 2001-10-09 2003-04-10 Castro Abram M. Electrical circuit and method of formation
TW550997B (en) * 2001-10-18 2003-09-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Module with built-in components and the manufacturing method thereof
JP4392157B2 (ja) * 2001-10-26 2009-12-24 パナソニック電工株式会社 配線板用シート材及びその製造方法、並びに多層板及びその製造方法
TW544882B (en) 2001-12-31 2003-08-01 Megic Corp Chip package structure and process thereof
TW503496B (en) 2001-12-31 2002-09-21 Megic Corp Chip packaging structure and manufacturing process of the same
US6673698B1 (en) 2002-01-19 2004-01-06 Megic Corporation Thin film semiconductor package utilizing a glass substrate with composite polymer/metal interconnect layers
TW584950B (en) 2001-12-31 2004-04-21 Megic Corp Chip packaging structure and process thereof
TW200302685A (en) * 2002-01-23 2003-08-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Circuit component built-in module and method of manufacturing the same
US8455994B2 (en) * 2002-01-31 2013-06-04 Imbera Electronics Oy Electronic module with feed through conductor between wiring patterns
FI119215B (fi) * 2002-01-31 2008-08-29 Imbera Electronics Oy Menetelmä komponentin upottamiseksi alustaan ja elektroniikkamoduuli
FI115285B (fi) * 2002-01-31 2005-03-31 Imbera Electronics Oy Menetelmä komponentin upottamiseksi alustaan ja kontaktin muodostamiseksi
US20030153119A1 (en) * 2002-02-14 2003-08-14 Nathan Richard J. Integrated circuit package and method for fabrication
JP2003249763A (ja) * 2002-02-25 2003-09-05 Fujitsu Ltd 多層配線基板及びその製造方法
US6873529B2 (en) * 2002-02-26 2005-03-29 Kyocera Corporation High frequency module
DE10209922A1 (de) 2002-03-07 2003-10-02 Infineon Technologies Ag Elektronisches Modul, Nutzen mit zu vereinzelnden elektronischen Modulen und Verfahren zu deren Herstellung
EP1351301B1 (en) 2002-04-03 2009-06-17 Panasonic Corporation Semiconductor built-in millimeter-wave band module
US6596384B1 (en) * 2002-04-09 2003-07-22 International Business Machines Corporation Selectively roughening conductors for high frequency printed wiring boards
TWI270968B (en) * 2002-04-11 2007-01-11 Koninkl Philips Electronics Nv Electronic device and method of manufacturing same
US7485489B2 (en) * 2002-06-19 2009-02-03 Bjoersell Sten Electronics circuit manufacture
US6903458B1 (en) 2002-06-20 2005-06-07 Richard J. Nathan Embedded carrier for an integrated circuit chip
US6900708B2 (en) * 2002-06-26 2005-05-31 Georgia Tech Research Corporation Integrated passive devices fabricated utilizing multi-layer, organic laminates
US7260890B2 (en) 2002-06-26 2007-08-28 Georgia Tech Research Corporation Methods for fabricating three-dimensional all organic interconnect structures
US6987307B2 (en) 2002-06-26 2006-01-17 Georgia Tech Research Corporation Stand-alone organic-based passive devices
DE10228593A1 (de) 2002-06-26 2004-01-15 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit einer Gehäusepackung
TWI294262B (en) * 2002-06-28 2008-03-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd A light reception/emission device built-in module with optical and electrical wiring combined therein and method of making the same
DE10234951B4 (de) * 2002-07-31 2009-01-02 Qimonda Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschaltungsmodulen
WO2004014114A1 (ja) * 2002-07-31 2004-02-12 Sony Corporation 素子内蔵基板の製造方法および素子内蔵基板、ならびに、プリント配線板の製造方法およびプリント配線板
DE10240461A1 (de) * 2002-08-29 2004-03-11 Infineon Technologies Ag Universelles Gehäuse für ein elektronisches Bauteil mit Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung
JP4653493B2 (ja) * 2002-12-23 2011-03-16 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 電子装置及びその用途
DE60335074D1 (de) * 2002-12-27 2011-01-05 Panasonic Corp Kondensator und Verfahren zu dessen Herstellung, und Leiterplatte mit einem eingebauten Kondensator und Verfahren zu deren Herstellung
JP4489411B2 (ja) * 2003-01-23 2010-06-23 新光電気工業株式会社 電子部品実装構造の製造方法
US7394663B2 (en) * 2003-02-18 2008-07-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component built-in module and method of manufacturing the same
FI119583B (fi) 2003-02-26 2008-12-31 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi
FI20030293A (fi) * 2003-02-26 2004-08-27 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi ja elektroniikkamoduuli
US7489914B2 (en) * 2003-03-28 2009-02-10 Georgia Tech Research Corporation Multi-band RF transceiver with passive reuse in organic substrates
US8704359B2 (en) 2003-04-01 2014-04-22 Ge Embedded Electronics Oy Method for manufacturing an electronic module and an electronic module
FI115601B (fi) * 2003-04-01 2005-05-31 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi ja elektroniikkamoduuli
US8222723B2 (en) 2003-04-01 2012-07-17 Imbera Electronics Oy Electric module having a conductive pattern layer
US20040211590A1 (en) * 2003-04-25 2004-10-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multilayer printed wiring board and integrated circuit using the same
DE10320646A1 (de) * 2003-05-07 2004-09-16 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil, sowie Systemträger und Nutzen zur Herstellung desselben
US7141874B2 (en) * 2003-05-14 2006-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component packaging structure and method for producing the same
US7248482B2 (en) * 2003-05-16 2007-07-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module with built-in circuit component and method for producing the same
JP4016340B2 (ja) * 2003-06-13 2007-12-05 ソニー株式会社 半導体装置及びその実装構造、並びにその製造方法
TWI245597B (en) * 2003-06-30 2005-12-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Printed circuit boards and method for fabricating the same
TW200507131A (en) 2003-07-02 2005-02-16 North Corp Multi-layer circuit board for electronic device
US7141884B2 (en) * 2003-07-03 2006-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module with a built-in semiconductor and method for producing the same
JP4183708B2 (ja) * 2003-07-04 2008-11-19 株式会社村田製作所 部品内蔵基板の製造方法
WO2005008733A2 (en) * 2003-07-14 2005-01-27 Avx Corporation Modular electronic assembly and method of making
JPWO2005010987A1 (ja) * 2003-07-24 2006-09-14 松下電器産業株式会社 球状半導体素子埋設配線板
US20050059856A1 (en) * 2003-08-21 2005-03-17 Mara Fox Kissing game for two persons
FI20031201A (fi) * 2003-08-26 2005-02-27 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi ja elektroniikkamoduuli
US7180169B2 (en) * 2003-08-28 2007-02-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module and method for manufacturing the same
US7686201B2 (en) * 2003-09-01 2010-03-30 Tyco Healthcare Group Lp Circular stapler for hemorrhoid operations
KR100886292B1 (ko) * 2003-09-09 2009-03-04 산요덴키가부시키가이샤 회로 소자를 포함하는 반도체 모듈과 반도체 장치, 그들의 제조 방법 및 표시 장치
FI20031341A (fi) 2003-09-18 2005-03-19 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi
WO2005039262A1 (ja) * 2003-09-29 2005-04-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 部品内蔵モジュールの製造方法及び部品内蔵モジュール
US7319599B2 (en) * 2003-10-01 2008-01-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module incorporating a capacitor, method for manufacturing the same, and capacitor used therefor
JP2005158770A (ja) * 2003-11-20 2005-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層基板とその製造方法及び前記積層基板を用いたモジュールの製造方法とその製造装置
CN100413070C (zh) * 2004-01-30 2008-08-20 松下电器产业株式会社 部件内置模块、配备部件内置模块的电子设备以及部件内置模块的制造方法
JP4841806B2 (ja) * 2004-02-02 2011-12-21 新光電気工業株式会社 キャパシタ装置とそれを備えた半導体装置、及びキャパシタ装置の製造方法
US7258549B2 (en) 2004-02-20 2007-08-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Connection member and mount assembly and production method of the same
JP4342353B2 (ja) * 2004-03-17 2009-10-14 三洋電機株式会社 回路装置およびその製造方法
JP4298559B2 (ja) * 2004-03-29 2009-07-22 新光電気工業株式会社 電子部品実装構造及びその製造方法
US7078816B2 (en) * 2004-03-31 2006-07-18 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Circuitized substrate
US20050218491A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Alps Electric Co., Ltd. Circuit component module and method of manufacturing the same
US7064963B2 (en) * 2004-04-01 2006-06-20 Delphi Technologies, Inc. Multi-substrate circuit assembly
FI20041680A (fi) * 2004-04-27 2005-10-28 Imbera Electronics Oy Elektroniikkamoduuli ja menetelmä sen valmistamiseksi
FI20040592A (fi) * 2004-04-27 2005-10-28 Imbera Electronics Oy Lämmön johtaminen upotetusta komponentista
US6974724B2 (en) * 2004-04-28 2005-12-13 Nokia Corporation Shielded laminated structure with embedded chips
DE102004022884B4 (de) 2004-05-06 2007-07-19 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit einem Umverdrahtungssubstrat und Verfahren zur Herstellung desselben
JP2005340675A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Toshiba Corp プリント配線板および磁気ディスク装置
JP4592333B2 (ja) * 2004-05-31 2010-12-01 三洋電機株式会社 回路装置およびその製造方法
FI117814B (fi) 2004-06-15 2007-02-28 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi
US8345433B2 (en) * 2004-07-08 2013-01-01 Avx Corporation Heterogeneous organic laminate stack ups for high frequency applications
WO2006011320A1 (ja) * 2004-07-30 2006-02-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. 複合型電子部品及びその製造方法
FI117812B (fi) * 2004-08-05 2007-02-28 Imbera Electronics Oy Komponentin sisältävän kerroksen valmistaminen
US8487194B2 (en) * 2004-08-05 2013-07-16 Imbera Electronics Oy Circuit board including an embedded component
JP4252019B2 (ja) * 2004-09-01 2009-04-08 三洋電機株式会社 回路装置およびその製造方法
US7615856B2 (en) * 2004-09-01 2009-11-10 Sanyo Electric Co., Ltd. Integrated antenna type circuit apparatus
CN100539135C (zh) * 2004-09-08 2009-09-09 松下电器产业株式会社 立体电路装置、使用它的电子机器及其制造方法
JP3928665B2 (ja) * 2004-09-13 2007-06-13 株式会社村田製作所 チップ型電子部品内蔵型多層基板及びその製造方法
KR101313391B1 (ko) 2004-11-03 2013-10-01 테세라, 인코포레이티드 적층형 패키징
JP2006135771A (ja) * 2004-11-08 2006-05-25 Renesas Technology Corp 電子部品モジュール
TWI241695B (en) * 2004-11-19 2005-10-11 Ind Tech Res Inst Structure of an electronic package and method for fabricating the same
JP2006165175A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Alps Electric Co Ltd 回路部品モジュールおよび電子回路装置並びに回路部品モジュールの製造方法
KR100688768B1 (ko) * 2004-12-30 2007-03-02 삼성전기주식회사 칩 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
US8119458B2 (en) * 2005-02-01 2012-02-21 Nagraid S.A. Placement method of an electronic module on a substrate
US7785932B2 (en) * 2005-02-01 2010-08-31 Nagraid S.A. Placement method of an electronic module on a substrate and device produced by said method
GB2441265B (en) * 2005-06-16 2012-01-11 Imbera Electronics Oy Method for manufacturing a circuit board structure, and a circuit board structure
FI119714B (fi) 2005-06-16 2009-02-13 Imbera Electronics Oy Piirilevyrakenne ja menetelmä piirilevyrakenteen valmistamiseksi
FI122128B (fi) * 2005-06-16 2011-08-31 Imbera Electronics Oy Menetelmä piirilevyrakenteen valmistamiseksi
US7327006B2 (en) * 2005-06-23 2008-02-05 Nokia Corporation Semiconductor package
US20070041680A1 (en) * 2005-08-18 2007-02-22 Stmicroelectronics S.A. Process for assembling passive and active components and corresponding integrated circuit
ES2361186T3 (es) * 2005-09-05 2011-06-14 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Composición de resina y placa base integrada híbrida que hace uso de la misma.
JP4766049B2 (ja) * 2005-09-20 2011-09-07 株式会社村田製作所 部品内蔵モジュールの製造方法および部品内蔵モジュール
JP2007096185A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Sanyo Electric Co Ltd 回路基板
CN101331605A (zh) * 2005-12-15 2008-12-24 松下电器产业株式会社 电子部件内置模块和其制造方法
US8058101B2 (en) 2005-12-23 2011-11-15 Tessera, Inc. Microelectronic packages and methods therefor
TWI276382B (en) * 2006-02-07 2007-03-11 Asustek Comp Inc Circuit board
FI20060256L (fi) 2006-03-17 2006-03-20 Imbera Electronics Oy Piirilevyn valmistaminen ja komponentin sisältävä piirilevy
WO2007114334A1 (ja) * 2006-03-31 2007-10-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 回路基板、回路基板の検査方法、およびその製造方法
US7658988B2 (en) * 2006-04-03 2010-02-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Printed circuits prepared from filled epoxy compositions
JP5285842B2 (ja) * 2006-04-13 2013-09-11 パナソニック株式会社 集積回路実装基板および電力線通信装置
US7564137B2 (en) * 2006-04-27 2009-07-21 Atmel Corporation Stackable integrated circuit structures and systems devices and methods related thereto
US20070262435A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-15 Atmel Corporation Three-dimensional packaging scheme for package types utilizing a sacrificial metal base
JP4850576B2 (ja) * 2006-05-01 2012-01-11 アルプス電気株式会社 回路モジュールの製造方法、及びそれに使用される回路モジュール用の集合基板
US7439840B2 (en) 2006-06-27 2008-10-21 Jacket Micro Devices, Inc. Methods and apparatuses for high-performing multi-layer inductors
US7808434B2 (en) * 2006-08-09 2010-10-05 Avx Corporation Systems and methods for integrated antennae structures in multilayer organic-based printed circuit devices
US7603771B2 (en) * 2006-08-29 2009-10-20 Mutual-Tek Industries Co., Ltd. Method of manufacturing a combined multilayer circuit board having embedded chips
US20080123318A1 (en) * 2006-11-08 2008-05-29 Atmel Corporation Multi-component electronic package with planarized embedded-components substrate
US7989895B2 (en) 2006-11-15 2011-08-02 Avx Corporation Integration using package stacking with multi-layer organic substrates
US20080135282A1 (en) * 2006-12-11 2008-06-12 Motorola, Inc. Printed multilayer circuit containing active devices and method of manufaturing
JP5175476B2 (ja) * 2007-02-28 2013-04-03 三洋電機株式会社 回路装置の製造方法
US7579215B2 (en) * 2007-03-30 2009-08-25 Motorola, Inc. Method for fabricating a low cost integrated circuit (IC) package
DE102007024189A1 (de) * 2007-05-24 2008-11-27 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Baugruppe
WO2008155957A1 (ja) * 2007-06-19 2008-12-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. 部品内蔵基板の製造方法および部品内蔵基板
JP5012896B2 (ja) * 2007-06-26 2012-08-29 株式会社村田製作所 部品内蔵基板の製造方法
US7623365B2 (en) 2007-08-29 2009-11-24 Micron Technology, Inc. Memory device interface methods, apparatus, and systems
US20090140401A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 Stanley Craig Beddingfield System and Method for Improving Reliability of Integrated Circuit Packages
DE102007058094A1 (de) * 2007-12-03 2009-06-04 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Leiterplattenschicht (Schaltungsebene) für eine insbesondere mehrschichtige Leiterplatte (keramisches Substrat)
KR100919413B1 (ko) * 2007-12-20 2009-09-29 (주) 휴브글로벌 함몰형 패턴을 구비하는 기판 및 그 제조 방법
US7935893B2 (en) * 2008-02-14 2011-05-03 Ibiden Co., Ltd. Method of manufacturing printed wiring board with built-in electronic component
US8024858B2 (en) * 2008-02-14 2011-09-27 Ibiden Co., Ltd. Method of manufacturing printed wiring board with built-in electronic component
JP2009218545A (ja) * 2008-03-12 2009-09-24 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板及びその製造方法
JP2009231818A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板及びその製造方法
WO2009119077A1 (ja) * 2008-03-24 2009-10-01 パナソニック株式会社 電子回路基板、およびこれを用いた電力線通信装置
CN101683006B (zh) * 2008-03-27 2012-04-18 揖斐电株式会社 电子部件内置线路板及其制造方法
US7759163B2 (en) * 2008-04-18 2010-07-20 Infineon Technologies Ag Semiconductor module
DE102008022733B4 (de) * 2008-05-05 2011-05-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Funktionseinheit und Verfahren zu deren Herstellung
JP2009277940A (ja) * 2008-05-15 2009-11-26 Panasonic Corp 半導体パッケージ、実装用回路基板および実装構造体
WO2009147936A1 (ja) * 2008-06-02 2009-12-10 イビデン株式会社 多層プリント配線板の製造方法
US8183087B2 (en) * 2008-09-09 2012-05-22 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming a fan-out structure with integrated passive device and discrete component
US8106520B2 (en) 2008-09-11 2012-01-31 Micron Technology, Inc. Signal delivery in stacked device
KR101015651B1 (ko) * 2008-12-05 2011-02-22 삼성전기주식회사 칩 내장 인쇄회로기판 및 그 제조방법
WO2010106839A1 (ja) 2009-03-19 2010-09-23 株式会社村田製作所 回路基板及びマザー積層体
US9355962B2 (en) * 2009-06-12 2016-05-31 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package stacking system with redistribution and method of manufacture thereof
US9450556B2 (en) 2009-10-16 2016-09-20 Avx Corporation Thin film surface mount components
US8390108B2 (en) * 2009-12-16 2013-03-05 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with stacking interconnect and method of manufacture thereof
JP5081267B2 (ja) * 2010-03-25 2012-11-28 パナソニック株式会社 回路部品内蔵モジュールおよび回路部品内蔵モジュールの製造方法
US8482111B2 (en) 2010-07-19 2013-07-09 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages
US9159708B2 (en) 2010-07-19 2015-10-13 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages with area array unit connectors
KR101075241B1 (ko) 2010-11-15 2011-11-01 테세라, 인코포레이티드 유전체 부재에 단자를 구비하는 마이크로전자 패키지
JP5585426B2 (ja) * 2010-12-07 2014-09-10 Ｔｄｋ株式会社 配線板、電子部品内蔵基板、配線板の製造方法及び電子部品内蔵基板の製造方法
US20120146206A1 (en) 2010-12-13 2012-06-14 Tessera Research Llc Pin attachment
WO2012128269A1 (ja) * 2011-03-24 2012-09-27 株式会社村田製作所 配線基板
US8618659B2 (en) 2011-05-03 2013-12-31 Tessera, Inc. Package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
JP5349532B2 (ja) 2011-05-20 2013-11-20 パナソニック株式会社 部品内蔵モジュールの製造方法
US8404520B1 (en) 2011-10-17 2013-03-26 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
US8946757B2 (en) 2012-02-17 2015-02-03 Invensas Corporation Heat spreading substrate with embedded interconnects
CN104094679B (zh) * 2012-02-17 2017-08-29 株式会社村田制作所 元器件内置基板
CN104106320B (zh) * 2012-02-17 2017-04-19 株式会社村田制作所 元器件内置基板
US9349706B2 (en) 2012-02-24 2016-05-24 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US8372741B1 (en) 2012-02-24 2013-02-12 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US9281260B2 (en) * 2012-03-08 2016-03-08 Infineon Technologies Ag Semiconductor packages and methods of forming the same
US8901730B2 (en) 2012-05-03 2014-12-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and apparatus for package on package devices
US8835228B2 (en) 2012-05-22 2014-09-16 Invensas Corporation Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect
TWI463619B (zh) * 2012-06-22 2014-12-01 矽品精密工業股份有限公司 半導體封裝件及其製法
US9391008B2 (en) 2012-07-31 2016-07-12 Invensas Corporation Reconstituted wafer-level package DRAM
US9502390B2 (en) 2012-08-03 2016-11-22 Invensas Corporation BVA interposer
US8975738B2 (en) 2012-11-12 2015-03-10 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with terminals on dielectric mass
US8878353B2 (en) 2012-12-20 2014-11-04 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with bond elements to encapsulation surface
US9136254B2 (en) 2013-02-01 2015-09-15 Invensas Corporation Microelectronic package having wire bond vias and stiffening layer
US9023691B2 (en) 2013-07-15 2015-05-05 Invensas Corporation Microelectronic assemblies with stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
US8883563B1 (en) 2013-07-15 2014-11-11 Invensas Corporation Fabrication of microelectronic assemblies having stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
US9034696B2 (en) 2013-07-15 2015-05-19 Invensas Corporation Microelectronic assemblies having reinforcing collars on connectors extending through encapsulation
CN104347572B (zh) * 2013-07-23 2017-07-04 乾坤科技股份有限公司 一种导线架及其制造方法
US9167710B2 (en) 2013-08-07 2015-10-20 Invensas Corporation Embedded packaging with preformed vias
US9685365B2 (en) 2013-08-08 2017-06-20 Invensas Corporation Method of forming a wire bond having a free end
US20150076714A1 (en) 2013-09-16 2015-03-19 Invensas Corporation Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface
US9082753B2 (en) 2013-11-12 2015-07-14 Invensas Corporation Severing bond wire by kinking and twisting
US9087815B2 (en) 2013-11-12 2015-07-21 Invensas Corporation Off substrate kinking of bond wire
US9263394B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9583456B2 (en) 2013-11-22 2017-02-28 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9379074B2 (en) 2013-11-22 2016-06-28 Invensas Corporation Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
US9214454B2 (en) 2014-03-31 2015-12-15 Invensas Corporation Batch process fabrication of package-on-package microelectronic assemblies
US10381326B2 (en) 2014-05-28 2019-08-13 Invensas Corporation Structure and method for integrated circuits packaging with increased density
US9646917B2 (en) 2014-05-29 2017-05-09 Invensas Corporation Low CTE component with wire bond interconnects
US9412714B2 (en) 2014-05-30 2016-08-09 Invensas Corporation Wire bond support structure and microelectronic package including wire bonds therefrom
CN206835472U (zh) 2014-09-03 2018-01-02 株式会社村田制作所 部件内置基板
US9735084B2 (en) 2014-12-11 2017-08-15 Invensas Corporation Bond via array for thermal conductivity
US9999136B2 (en) 2014-12-15 2018-06-12 Ge Embedded Electronics Oy Method for fabrication of an electronic module and electronic module
KR102356810B1 (ko) 2015-01-22 2022-01-28 삼성전기주식회사 전자부품내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US9888579B2 (en) 2015-03-05 2018-02-06 Invensas Corporation Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips
US9502372B1 (en) 2015-04-30 2016-11-22 Invensas Corporation Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer
US9761554B2 (en) 2015-05-07 2017-09-12 Invensas Corporation Ball bonding metal wire bond wires to metal pads
US10426037B2 (en) * 2015-07-15 2019-09-24 International Business Machines Corporation Circuitized structure with 3-dimensional configuration
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
US10490528B2 (en) 2015-10-12 2019-11-26 Invensas Corporation Embedded wire bond wires
US10332854B2 (en) 2015-10-23 2019-06-25 Invensas Corporation Anchoring structure of fine pitch bva
US10181457B2 (en) 2015-10-26 2019-01-15 Invensas Corporation Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out
US9911718B2 (en) 2015-11-17 2018-03-06 Invensas Corporation ‘RDL-First’ packaged microelectronic device for a package-on-package device
US9659848B1 (en) 2015-11-18 2017-05-23 Invensas Corporation Stiffened wires for offset BVA
US9984992B2 (en) 2015-12-30 2018-05-29 Invensas Corporation Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces
DE102016101526A1 (de) 2016-01-28 2017-08-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines Multichip-Bauelements
US9935075B2 (en) 2016-07-29 2018-04-03 Invensas Corporation Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding
US10299368B2 (en) 2016-12-21 2019-05-21 Invensas Corporation Surface integrated waveguides and circuit structures therefor
FR3061600B1 (fr) * 2017-01-03 2020-06-26 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Dispositif electronique comprenant une puce rainuree
JP6947842B2 (ja) * 2017-11-21 2021-10-13 株式会社Ｆｕｊｉ ３次元積層電子デバイスの製造方法
US11342256B2 (en) 2019-01-24 2022-05-24 Applied Materials, Inc. Method of fine redistribution interconnect formation for advanced packaging applications
WO2020196752A1 (ja) * 2019-03-28 2020-10-01 株式会社村田製作所 モジュール
IT201900006740A1 (it) 2019-05-10 2020-11-10 Applied Materials Inc Procedimenti di strutturazione di substrati
IT201900006736A1 (it) 2019-05-10 2020-11-10 Applied Materials Inc Procedimenti di fabbricazione di package
US11931855B2 (en) 2019-06-17 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Planarization methods for packaging substrates
US11862546B2 (en) 2019-11-27 2024-01-02 Applied Materials, Inc. Package core assembly and fabrication methods
US11257790B2 (en) 2020-03-10 2022-02-22 Applied Materials, Inc. High connectivity device stacking
US11454884B2 (en) 2020-04-15 2022-09-27 Applied Materials, Inc. Fluoropolymer stamp fabrication method
US11400545B2 (en) 2020-05-11 2022-08-02 Applied Materials, Inc. Laser ablation for package fabrication
DE102020207279A1 (de) * 2020-06-10 2021-12-16 Vitesco Technologies Germany Gmbh Leiterplatte mit einem eingebetteten Halbleiterbauelement, Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte
US11232951B1 (en) 2020-07-14 2022-01-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for laser drilling blind vias
US11676832B2 (en) 2020-07-24 2023-06-13 Applied Materials, Inc. Laser ablation system for package fabrication
US11521937B2 (en) 2020-11-16 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Package structures with built-in EMI shielding
US11404318B2 (en) 2020-11-20 2022-08-02 Applied Materials, Inc. Methods of forming through-silicon vias in substrates for advanced packaging
US11705365B2 (en) 2021-05-18 2023-07-18 Applied Materials, Inc. Methods of micro-via formation for advanced packaging

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55133597A (en) * 1979-04-06 1980-10-17 Hitachi Ltd Multilayer circuit board
JPS6223100Y2 (zh) * 1980-07-08 1987-06-12
GB2138205B (en) * 1983-04-13 1986-11-05 Philips Electronic Associated Methods of manufacturing a microwave circuit
JPS60109296A (ja) 1983-11-17 1985-06-14 三洋電機株式会社 印刷配線基板の接続方法
US4635356A (en) * 1984-12-28 1987-01-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a circuit module
US4808717A (en) * 1986-09-17 1989-02-28 Sumitomo Chemical Company, Limited Thermosetting resin composition
GB2197540B (en) * 1986-11-12 1991-04-17 Murata Manufacturing Co A circuit structure.
JPH01251778A (ja) * 1988-03-31 1989-10-06 Toshiba Corp Ｉｃカード
US5153987A (en) * 1988-07-15 1992-10-13 Hitachi Chemical Company, Ltd. Process for producing printed wiring boards
US5045381A (en) * 1988-09-30 1991-09-03 Hitachi, Ltd. Thermosetting resin composition, printed circuit board using the resin composition and process for producing printed circuit board
JPH0362844A (ja) * 1989-02-27 1991-03-18 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH0369191A (ja) 1989-08-08 1991-03-25 Nec Corp 電子部品内蔵の多層プリント基板
JP2712091B2 (ja) 1990-03-30 1998-02-10 株式会社東芝 印刷配線板の接続装置
US5161093A (en) * 1990-07-02 1992-11-03 General Electric Company Multiple lamination high density interconnect process and structure employing a variable crosslinking adhesive
JPH0471297A (ja) 1990-07-11 1992-03-05 Nippon Chemicon Corp 部品内蔵多層基板
JP2816028B2 (ja) * 1991-02-18 1998-10-27 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JPH06120671A (ja) 1991-03-12 1994-04-28 Japan Radio Co Ltd 部品埋め込み多層配線基板
JP3094481B2 (ja) 1991-03-13 2000-10-03 松下電器産業株式会社 電子回路装置とその製造方法
US5111278A (en) * 1991-03-27 1992-05-05 Eichelberger Charles W Three-dimensional multichip module systems
JPH05283608A (ja) * 1992-03-31 1993-10-29 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置および樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2800550B2 (ja) 1992-04-24 1998-09-21 日立化成工業株式会社 印刷配線用基板の製造方法
JP2601128B2 (ja) * 1992-05-06 1997-04-16 松下電器産業株式会社 回路形成用基板の製造方法および回路形成用基板
JP3208176B2 (ja) 1992-05-18 2001-09-10 イビデン株式会社 電子回路部品を埋め込んだ多層プリント配線板
JP3086332B2 (ja) 1992-06-08 2000-09-11 日本シイエムケイ株式会社 多層プリント配線板の製造方法
US5828126A (en) * 1992-06-17 1998-10-27 Vlsi Technology, Inc. Chip on board package with top and bottom terminals
US5324687A (en) * 1992-10-16 1994-06-28 General Electric Company Method for thinning of integrated circuit chips for lightweight packaged electronic systems
JPH06200124A (ja) 1993-01-07 1994-07-19 Matsushita Electric Works Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料
US5353498A (en) * 1993-02-08 1994-10-11 General Electric Company Method for fabricating an integrated circuit module
JPH08510358A (ja) * 1993-04-14 1996-10-29 アムコール・エレクトロニクス・インク 集積回路チップと基板との相互接続
US5401913A (en) * 1993-06-08 1995-03-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Electrical interconnections between adjacent circuit board layers of a multi-layer circuit board
JPH0730060A (ja) 1993-07-12 1995-01-31 Rohm Co Ltd 両面型ハイブリッド集積回路装置の構造
US5412538A (en) * 1993-07-19 1995-05-02 Cordata, Inc. Space-saving memory module
US5677045A (en) * 1993-09-14 1997-10-14 Hitachi, Ltd. Laminate and multilayer printed circuit board
EP0645950B1 (en) * 1993-09-21 1998-09-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Connecting member of a circuit substrate and method of manufacturing multilayer circuit substrates by using the same
EP0645805B1 (en) * 1993-09-29 2000-11-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for mounting a semiconductor device on a circuit board, and a circuit board with a semiconductor device mounted thereon
US5652042A (en) * 1993-10-29 1997-07-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive paste compound for via hole filling, printed circuit board which uses the conductive paste
US5492586A (en) * 1993-10-29 1996-02-20 Martin Marietta Corporation Method for fabricating encased molded multi-chip module substrate
US5879502A (en) * 1994-05-27 1999-03-09 Gustafson; Ake Method for making an electronic module and electronic module obtained according to the method
JPH0897561A (ja) 1994-09-27 1996-04-12 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd 多層回路板
JP3229525B2 (ja) 1995-07-26 2001-11-19 株式会社日立製作所 Ｌｓｉ内蔵型多層回路板およびその製法
JPH09116273A (ja) * 1995-08-11 1997-05-02 Shinko Electric Ind Co Ltd 多層回路基板及びその製造方法
US5806177A (en) * 1995-10-31 1998-09-15 Sumitomo Bakelite Company Limited Process for producing multilayer printed circuit board
EP0805614B1 (en) * 1995-11-17 2005-04-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Multilayered wiring board, prefabricated material for multilayered wiring board, process of manufacturing multilayered wiring board, electronic parts package, and method for forming conductive pillar
JPH09249795A (ja) 1996-03-18 1997-09-22 Toshiba Chem Corp エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JPH09260552A (ja) * 1996-03-22 1997-10-03 Nec Corp 半導体チップの実装構造
JPH09270584A (ja) 1996-03-29 1997-10-14 Kyocera Corp 多層配線基板
JP3314133B2 (ja) 1996-03-29 2002-08-12 京セラ株式会社 配線基板
JP3166611B2 (ja) * 1996-04-19 2001-05-14 富士ゼロックス株式会社 プリント配線板及びその製造方法
JP3266508B2 (ja) * 1996-05-27 2002-03-18 京セラ株式会社 配線基板及びその製造方法
JP3197213B2 (ja) * 1996-05-29 2001-08-13 松下電器産業株式会社 プリント配線板およびその製造方法
US5822856A (en) * 1996-06-28 1998-10-20 International Business Machines Corporation Manufacturing circuit board assemblies having filled vias
US6143116A (en) * 1996-09-26 2000-11-07 Kyocera Corporation Process for producing a multi-layer wiring board
JP3726985B2 (ja) * 1996-12-09 2005-12-14 ソニー株式会社 電子部品の製造方法
JP3199664B2 (ja) 1997-06-30 2001-08-20 京セラ株式会社 多層配線基板の製造方法
US6038133A (en) * 1997-11-25 2000-03-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module and method for producing the same
US5939782A (en) * 1998-03-03 1999-08-17 Sun Microsystems, Inc. Package construction for integrated circuit chip with bypass capacitor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106129052A (zh) * 2016-08-10 2016-11-16 江阴芯智联电子科技有限公司 双向集成埋入式芯片重布线基板结构及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW416259B (en) 2000-12-21
US7068519B2 (en) 2006-06-27
US20040088416A1 (en) 2004-05-06
EP0920058A3 (en) 1999-11-03
DE69842095D1 (de) 2011-02-24
JP4279893B2 (ja) 2009-06-17
US20020036054A1 (en) 2002-03-28
US6625037B2 (en) 2003-09-23
KR19990045559A (ko) 1999-06-25
US6038133A (en) 2000-03-14
EP0920058B1 (en) 2011-01-12
US6338767B1 (en) 2002-01-15
KR100377088B1 (ko) 2003-06-18
CN1219837A (zh) 1999-06-16
EP0920058A2 (en) 1999-06-02
JP2008153693A (ja) 2008-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1157105C (zh) 内装电路器件组件及其制造方法
CN1205662C (zh) 内置电元件的组件及其制造方法
CN1146988C (zh) 半导体功率器件的封装及其组装方法
CN1288731C (zh) 半导体装置、粘合剂和粘合膜
CN1237595C (zh) 具有树脂部件作为加固件的焊料球的形成
CN1204789C (zh) 绝缘片和多层布线基板及其制造方法
CN1132509C (zh) 传热基板用片状物和它的制造方法及使用它的传热基板和制造方法
CN1251560C (zh) 零件内藏模块及其制造方法
CN100346473C (zh) 内装半导体的毫米波段模块
CN1577821A (zh) 层压片
CN1390088A (zh) 电力组件及其制造方法
CN1204790C (zh) 引线框及其制造方法和导热性基板的制造方法
CN1300845C (zh) 半导体装置制造用粘合薄片、以及应用该薄片的半导体装置的制造方法
CN1261007C (zh) 线路板及其制造方法
CN1882224A (zh) 配线基板及其制造方法
CN1280883C (zh) 半导体装置制造用的粘接片
CN1723556A (zh) 可叠置的半导体器件及其制造方法
CN1275246A (zh) 半导体装置及其制造方法、电路基板和电子装置
CN1507150A (zh) 压电部件的制造方法及压电部件
CN1867224A (zh) 部件内置基板和部件内置基板的制造方法
CN1898794A (zh) 含有低k电介质的半导体器件用的电子封装材料
CN1551719A (zh) 具有内置电路元件的组件及其制造方法
CN1268180C (zh) 电路衬底
CN1101594C (zh) 半导体单元的封装体、其封装方法及其封装材料
CN1723746A (zh) 电路基板的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20040707