JP3314133B2 - 配線基板 - Google Patents

配線基板

Info

Publication number
JP3314133B2
JP3314133B2 JP07784396A JP7784396A JP3314133B2 JP 3314133 B2 JP3314133 B2 JP 3314133B2 JP 07784396 A JP07784396 A JP 07784396A JP 7784396 A JP7784396 A JP 7784396A JP 3314133 B2 JP3314133 B2 JP 3314133B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum nitride
wiring board
resin
nitride powder
aluminum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP07784396A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH09270482A (ja
Inventor
昭彦 西本
桂 林
幸洋 平松
理一 笹森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP07784396A priority Critical patent/JP3314133B2/ja
Publication of JPH09270482A publication Critical patent/JPH09270482A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3314133B2 publication Critical patent/JP3314133B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、多層配線
基板及び半導体素子収納用パッケージなどに適した高熱
伝導かつ耐薬品性に優れた、無機質フィラーと有機樹脂
との複合材料からなる絶縁基板を備えた配線基板に関す
るものである。
【0002】
【従来技術】従来より、配線基板、例えば、半導体素子
を収納するパッケージに使用される配線基板として、比
較的高密度の配線が可能な多層セラミック配線基板が多
用されている。この多層セラミック配線基板は、アルミ
ナなどの絶縁基板と、その表面に形成されたWやMo等
の高融点金属からなる配線回路とから構成されるもの
で、この絶縁基板の一部に凹部が形成され、この凹部内
に半導体素子が収納され、蓋体によって凹部を気密に封
止されるものである。
【0003】ところが、このような多層セラミック配線
基板を構成するセラミックスは、硬くて脆い性質を有す
ることから、製造工程または搬送工程において、セラミ
ックスの欠けや割れ等が発生しやすく、半導体素子の気
密封止性が損なわれることがあるために歩留りが低い等
の問題があった。
【0004】また、多層セラミック配線基板において
は、焼結前のグリーンシートにメタライズインクを印刷
して、印刷後のシートを積層して焼結させて製造される
が、その製造工程において、高温での焼成により焼成収
縮が生じるために、得られる基板に反り等の変形や寸法
のばらつき等が発生しやすいという問題があり、回路基
板の超高密度化やフリップチップ等のような基板の平坦
度の厳しい要求に対して、十分に対応できないという問
題があった。
【0005】そこで、最近では、有機樹脂を含む絶縁基
板の表面に銅箔を接着しエッチング法により微細な回路
を形成したり、回路パターンを印刷した後に積層して多
層化したプリント基板も提案されている。また、このよ
うなプリント基板においては、その強度を高めるため
に、絶縁基板を、有機樹脂に対して無機質フィラーを分
散させた複合材料により構成した基板も提案されてお
り、これらの複合材料からなる絶縁基板上に多数の半導
体素子を搭載したマルチチップモジュール(MCM)等
への適用も検討されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、集積回
路の微細化が進むにつれ、半導体素子からの熱の発生も
多くなるため、このような有機樹脂を含む基板において
もその放熱性が重要な要素となっているが、これまでの
プリント基板の熱伝導率は、1W/m・Kと低く、発熱
の大きいICチップ用の基板としては用いることができ
ず、熱伝導性の改善が強く望まれている。
【0007】熱伝導性を高める方法としては、絶縁基板
において高熱伝導性の材料を複合化させることが最も容
易な方法である。そこで、従来より高熱伝導性材料とし
て知られる窒化アルミニウムを無機質フィラーとして有
機樹脂と複合化させることが有効であると考えられる。
【0008】ところが、無機質フィラーとして窒化アル
ミニウムを用いて有機樹脂と複合化させた配線基板を製
造する際、メッキ工程において酸やアルカリ等の薬品に
対して窒化アルミニウムが腐食して絶縁基板が劣化する
という問題があり、特にアルカリ性の薬品に対しては、
窒化アルミニウム自体が溶解するため劣化が著しいとい
う問題があった。
【0009】
【問題を解決するための手段】本発明者等は、前記問題
に対して鋭意検討を重ねた結果、無機質フィラーとして
窒化アルミニウムを用いて有機樹脂と複合化させる場
合、窒化アルミニウムの表面に酸化アルミニウム層を形
成して複合化させると、基板の熱伝導率を高めるととも
にメッキ工程において酸やアルカリ等の薬品に対する劣
化を防止できることを見いだした。
【0010】即ち、本発明の配線基板は、絶縁性基板
と、銅、アルミニウム、銀、金のうちの少なくとも1種
の低抵抗金属からなる配線回路を具備した配線基板であ
って、前記絶縁基板が、表面に1.2〜10重量%の酸
化アルミニウム層を有する窒化アルミニウム粉末を全量
中30〜80体積%含む無機フィラーと、有機樹脂との
複合材料からなることを特徴とするものである。また、
かかる構成において、前記窒化アルミニウム粉末は、窒
化アルミニウム粉末を酸化処理して作製されたものであ
ることを特徴とするものである。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明の配線基板は、絶縁基板
と、その表面または内部に配設された配線回路とを具備
するものであり、特に絶縁基板は、無機質フィラーと有
機樹脂との複合材料から構成されるものである。
【0012】本発明によれば、絶縁基板における無機質
フィラーとして、表面に酸化アルミニウム層を形成した
窒化アルミニウム粉末を用いることが重要である。窒化
アルミニウム粉末を用いることにより、それ自体が高熱
伝導性を有することから、絶縁基板全体の熱伝導性を高
める作用をなす。また、窒化アルミニウム単体では、酸
やアルカリに対して劣化する性質を有するが、その表面
に酸化アルミニウム層を形成することにより酸やアルカ
リ等の薬品に対する劣化が防止できる。
【0013】ここで、無機質フィラーとして用いられる
窒化アルミニウム粉末は、還元窒化法、直接窒化法のい
ずれによるものを用いても構わない。また、粉末形状と
しては、アスペクト比(=長径/短径)が1〜2の範囲
のものが良好に使用できる。
【0014】アスペクト比が2を越えると、フィラーの
流動性がなくなるため樹脂との混合が難しく、フィラー
の配合量を増加できない。また、粉末の平均粒径は20
μm以下、望ましくは10μm以下、最適には7μm以
下のものが良好に使用できる。
【0015】これは、平均粒径が20μmを越えると基
板を微細加工する際に適当でないためである。
【0016】また、窒化アルミニウム粉末の表面には酸
化アルミニウム層が形成されるが、この酸化アルミニウ
ム量は、粉末中に含まれる酸素を酸化アルミニウム(A
23 )換算した量で、1.2〜10重量%で、望ま
しくは1.5〜8重量%の量であるのが良く、粉末表面
の酸化アルミニウム層の厚みは1〜50nmが適当であ
る。なお、前記酸化アルミニウム量が1.2重量%より
低くなると、酸化アルミニウム層の生成が十分でなく、
耐薬品性の向上が期待できず、10重量%より高いと絶
縁基板の熱伝導率が低下するためである。
【0017】窒化アルミニウム粉末への酸化アルミニウ
ム層の形成は、例えば、窒化アルミニウム粉末を酸化性
雰囲気中で加熱処理して窒化アルミニウムを酸化させる
ことが最も安易である。この酸化処理の温度は、粉末の
粒径あるいは処理時間によって若干異なるが、700〜
1400℃の温度範囲が適当で、雰囲気としては大気
中、水蒸気、炭酸ガス等の酸化性ガスであればいずれの
雰囲気でも良く、これらのガスを混合して使用しても良
い。
【0018】一方、上記窒化アルミニウム粉末が分散さ
れる有機樹脂としては、PPE(ポリフェニレンエーテ
ル樹脂)、BTレジン(ビスマレイドトリアジン)、エ
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール
樹脂等の樹脂からなり、とりわけ原料として室温で液体
の熱硬化性樹脂であることが望ましいが、熱可塑性のも
のであっても使用でき、さらにはこれらのものを混合し
て用いることもできる。
【0019】また、無機質フィラーとして上記窒化アル
ミニウム粉末は、全量中、30〜80体積%の割合で有
機樹脂と複合化させることが好適である。これは、窒化
アルミニウム粉末量が30体積%より少ないと、絶縁基
板の熱膨張係数が大きく成りICチップなどの半導体素
子の実装の信頼性が損なわれるとともに、高熱伝導化の
効果が小さく、また、80体積%を越えると、無機質フ
ィラーと有機樹脂とを均一に混練することが難しく、樹
脂が不均一に存在してポーラスになるため絶縁基板とし
ての特性が発揮できないためである。
【0020】さらに、本発明によれば、無機質フィラー
としての窒化アルミニウム粉末を他の無機質フィラーと
の組み合わせで用いることができる。組み合わせること
のできる無機質フィラーとしては、SiO2 、Al2
3 、ZrO2 、TiO2 、SiC、BaTiO3 、Sr
TiO3 、ゼオライト、CaTiO3 、ほう酸アルミニ
ウム等の公知の材料が使用できる。これらフィラーの形
状は平均粒径が20μm以下、特に10μm以下、最適
には7μm以下の略球形状の粉末のものが好適である。
この時、窒化アルミニウム粉末量は30体積%を下回る
ことなく、無機質フィラーの合計量が80体積%を越え
ないように配合することが望ましい。
【0021】具体的に、配線基板を作製するには、ま
ず、表面に酸化アルミニウム層が形成された窒化アルミ
ニウム粉末を含む無機質フィラーと有機樹脂とを前述し
た割合で秤量し、これに希釈溶剤、樹脂の硬化促進剤な
どを加えた後、混練機(ニーダ)、3本ロールなどの混
合手段により十分に混合してスラリーを調製する。
【0022】そして、このスラリーを用いて、ドクター
ブレード法、圧延法、押し出し法などの手法によりシー
ト状に成形した後、望ましくは、このシートを半硬化さ
せる。半硬化には、有機樹脂は熱可塑性樹脂の場合に
は、加熱下で混合したものを冷却し、熱硬化性樹脂の場
合には、完全固化するに十分な温度よりもやや低い温度
に加熱すればよい。
【0023】そして、このシートの表面に配線回路を形
成する。配線回路パターンを形成する金属としては、配
線基板の高精度および高集積化の適応するには、銅、ア
ルミニウム、金、銀のうちの少なくとも1種からなるこ
とが望ましい。配線回路の形成には、上記金属の金属箔
を絶縁層に接着剤で張りつけた後に、回路パターンのレ
ジストを形成して酸等によって不要な部分の金属をエッ
チング除去するか、予め打ち抜きした金属箔を張りつけ
る。また、他の方法としては、絶縁層の表面に導体ペー
ストを回路パターンにスクリーン印刷、グラビア印刷、
フォトレジスト法等によって形成して乾燥後、加圧して
絶縁層に密着させることで形成できる。
【0024】さらに無電解メッキや蒸着法などの手法に
より形成することもできる。
【0025】次に、このようにして配線回路パターンが
形成されたシートに対して、所望によりスルーホールや
ビアホールなどを打ち抜き法あるいはレーザー加工によ
り形成して金属ペーストを充填した後、上記のようにし
て配線回路が形成された複数の絶縁層を積層圧着した
後、180〜250℃の温度に加熱して絶縁基板を完全
に硬化させることにより、多層配線基板を作製すること
ができる。
【0026】このように、本発明の配線基板は、無機フ
ィラーと樹脂とを均一に混合した複合材料よりなる基板
表面に、銅、アルミニウム、金、銀のうちの少なくとも
1種からなる配線回路を形成された基板であり、今後の
半導体の主要な実装形式と考えられているフリップチッ
プ方式の実装に適した高密度の配線基板を提供できると
ともに、無機フィラーとして、表面に酸化アルミニウム
層を形成した窒化アルミニウムを用いることにより、基
板の熱伝導性を高めるとともに、酸やアルカリ等の薬品
に対して劣化のない信頼性の高い基板を提供できる。
【0027】
【実施例】本発明の配線基板を作製するにあたり、無機
質フィラーとして、平均粒径5μm、平均アスペクト比
1.1、酸素量1重量%の還元窒化法により得られた窒
化アルミニウム粉末と、平均粒径5μmの溶融シリカ、
平均粒径5μmのAl2 3 粉末、平均粒径5μmのZ
rO2 粉末、平均粒径5μmのTiO2 粉末を、有機樹
脂としてBTレジン、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂を
準備した。また、試料No.25については平均粒径(短
径)3.3μm、平均アスペクト比1.5の窒化アルミ
ニウム粉末、試料No.26については平均粒径(短径)
2.5μm、平均アスペクト比2の窒化アルミニウム粉
末をそれぞれ用いた。
【0028】そして、上記窒化アルミニウム粉末に対し
て、表1に示す温度条件で大気中、30分酸化処理を行
った。処理後の窒化アルミニウム粉末表面の酸素量は、
LECO社酸素窒素同時分析装置により測定し、その酸
素量を酸化アルミニウム換算した量を表1に示した。
【0029】そして、これらの粉末を用いて、表1に示
す割合で調合した後、さらに希釈溶剤として、BTレジ
ンの場合は酢酸ブチル、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂
の場合はメチルエチルケトンを用い、さらに硬化促進剤
を加え、混練機で混合し、スラリーを調製した。このス
ラリーをドクターブレード法により、厚み200μmの
シート状に成形した。このシートを50mm□にカット
し、パンチング法によりビアホールを形成した。このシ
ートに銅を主成分とする導体ペーストをスクリーン印刷
法により回路を形成し、ビアホールにも導体ペーストを
埋め込んだ。このようにして得られたシートを8層積層
し、200℃、30分、大気中で樹脂を硬化し、多層配
線基板を得た。
【0030】得られた多層配線基板に対して、レーザー
フラッシュ法(試料厚み3mm)によりの熱伝導率を測
定した。また、耐薬品性は、酸性薬品として35%−H
Cl溶液を、アルカリ性薬品として4N−NaOH溶液
を用いて、該溶液を25℃に保持して100時間浸漬し
た後、該浸漬前後の重量変化を測定すると共に外観を目
視及び顕微鏡により観察し、変化が認められないものを
○、製品の一部が溶出または変色したものを×で表示し
た。
【0031】
【表1】
【0032】表1から明らかなように、酸化アルミニウ
ム量が1.2重量%未満の試料No.1、2は、高熱伝導
性を有するものの、耐薬品性が悪いものであった。ま
た、酸化アルミニウム量が10重量%を越える試料No.
12、13は、熱伝導率が低下し、窒化アルミニウム配
合による効果が小さい。また、窒化アルミニウム量が3
0体積%より少ない試料No.14、15も熱伝導率が低
く、80体積%を越える試料No.27では熱伝導率が高
いものの、ポーラスな組織となり耐薬品性が低下した。
【0033】これらの比較例以外の本発明品は、いずれ
も熱伝導率が2W/m・K以上、耐薬品性においてはH
Clに対して1mg/cm2 以下、NaOHに対して1
mg/cm2 以下の重量減少を示すもので、高熱伝導性
および耐薬品性に優れるものであった。
【0034】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の配線基板
は、絶縁基板が無機フィラーと樹脂との複合材料からな
るとともに、高熱伝導性を有し、且つ酸やアルカリ等の
薬品に対して劣化のない信頼性の高いものであり、ま
た、銅、アルミニウム等の低抵抗金属の配線回路を具備
することから、高集積化やフリップチップ方式などの実
装に適した高密度の配線基板を提供できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/13 H05K 1/03 610

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁性基板と、銅、アルミニウム、銀、金
    のうちの少なくとも1種の低抵抗金属からなる配線回路
    を具備した配線基板において、前記絶縁基板が、表面に
    1.2〜10重量%の酸化アルミニウム層を有する窒化
    アルミニウム粉末を全量中30〜80体積%の割合で含
    む無機フィラーと、有機樹脂との複合材料からなること
    を特徴とする配線基板。
  2. 【請求項2】前記窒化アルミニウム粉末は、窒化アルミ
    ニウム粉末を酸化処理して作製されたものである請求項
    1記載の配線基板。
JP07784396A 1996-03-29 1996-03-29 配線基板 Expired - Fee Related JP3314133B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07784396A JP3314133B2 (ja) 1996-03-29 1996-03-29 配線基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07784396A JP3314133B2 (ja) 1996-03-29 1996-03-29 配線基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09270482A JPH09270482A (ja) 1997-10-14
JP3314133B2 true JP3314133B2 (ja) 2002-08-12

Family

ID=13645342

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP07784396A Expired - Fee Related JP3314133B2 (ja) 1996-03-29 1996-03-29 配線基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3314133B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6038133A (en) 1997-11-25 2000-03-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module and method for producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09270482A (ja) 1997-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002167270A (ja) 低温焼成磁器およびその製造方法
US5062891A (en) Metallic inks for co-sintering process
JP3537620B2 (ja) 多層配線基板
JP2001097767A (ja) アルミナ質焼結体及びその製造方法、並びに配線基板及びその製造方法
US7056853B2 (en) Oxide ceramic material, ceramic substrate employing the same, ceramic laminate device, and power amplifier module
JP3517062B2 (ja) 銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板
JPH0719964B2 (ja) 銀系配線セラミック基板
JP3314133B2 (ja) 配線基板
JP2001342063A (ja) 低温焼成磁器組成物、低温焼成磁器とその製造方法、並びにそれを用いた配線基板とその製造方法
JP2989975B2 (ja) 窒化アルミニウム質基板の製造方法
JPH0576795B2 (ja)
KR100261793B1 (ko) 고강도 고신뢰성 회로기판 및 그 제조방법
JP3554171B2 (ja) 回路基板の製造方法
JPH10190241A (ja) 多層配線基板
JP3411140B2 (ja) メタライズ組成物およびそれを用いた配線基板の製造方法
JP2002050869A (ja) 多層配線基板の製造方法
JPH09270584A (ja) 多層配線基板
JPH1051108A (ja) 転写シート及びそれを用いた配線基板の製造方法
JP3420424B2 (ja) 配線基板
JP2004140385A (ja) 多層配線基板
KR100493834B1 (ko) 다공질 세라믹스 및 그 제조방법 및 마이크로 스트립 기판
JP3232002B2 (ja) 配線基板
JP5057612B2 (ja) 低温焼成磁器およびこれを用いた配線基板
JP2003017861A (ja) 多層配線基板及びその製造方法
JPH0997862A (ja) 高強度回路基板およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees