JPH10190241A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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- JPH10190241A JPH10190241A JP8348471A JP34847196A JPH10190241A JP H10190241 A JPH10190241 A JP H10190241A JP 8348471 A JP8348471 A JP 8348471A JP 34847196 A JP34847196 A JP 34847196A JP H10190241 A JPH10190241 A JP H10190241A
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- metal
- dielectric constant
- insulating layer
- resin
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁特性、機械特性等に優れていると共に、
ＩＣチップ等から発生するノイズの吸収除去性能に優
れ、従来の配線基板のように外部にチップコンデンサー
等を設置することなしに十分に安定した性能が発揮でき
るコンパクトで、且つ内部配線間のインダクタンスが低
減された多層配線基板を提供することにある。 【解決手段】 無機フィラー含有樹脂から成る絶縁層に
金属配線回路を配設した配線層を積層して成る多層配線
基板において、前記絶縁層の少なくとも一層が、金属フ
ィラーを含有する高誘電率絶縁層から構成されているこ
とを特徴とする多層配線基板。
ＩＣチップ等から発生するノイズの吸収除去性能に優
れ、従来の配線基板のように外部にチップコンデンサー
等を設置することなしに十分に安定した性能が発揮でき
るコンパクトで、且つ内部配線間のインダクタンスが低
減された多層配線基板を提供することにある。 【解決手段】 無機フィラー含有樹脂から成る絶縁層に
金属配線回路を配設した配線層を積層して成る多層配線
基板において、前記絶縁層の少なくとも一層が、金属フ
ィラーを含有する高誘電率絶縁層から構成されているこ
とを特徴とする多層配線基板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板に関
し、より詳細には、ＩＣチップ等からのノイズ除去性に
優れた高誘電率絶縁層を有する高密度多層配線基板に関
する。
し、より詳細には、ＩＣチップ等からのノイズ除去性に
優れた高誘電率絶縁層を有する高密度多層配線基板に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、多層配線基板、例えば、半導
体素子を収容するパッケージに使用される多層配線基板
として、高密度の配線が可能なセラミック多層配線基板
が多用されている。この多層配線基板は、アルミナなど
の絶縁基板と、その表面に形成されたＷやＭｏ等の高融
点金属から成る配線導体とから構成されるもので、この
絶縁基板の一部に凹部が形成され、この凹部内に半導体
素子が収納され、蓋体によって凹部を気密に封止させる
ものである。
体素子を収容するパッケージに使用される多層配線基板
として、高密度の配線が可能なセラミック多層配線基板
が多用されている。この多層配線基板は、アルミナなど
の絶縁基板と、その表面に形成されたＷやＭｏ等の高融
点金属から成る配線導体とから構成されるもので、この
絶縁基板の一部に凹部が形成され、この凹部内に半導体
素子が収納され、蓋体によって凹部を気密に封止させる
ものである。
【０００３】ところが、ＩＣチップの高速化に伴い、そ
れから発生するノイズが問題となり、このノイズを除去
するため、一般にセラミック多層板の外部や内部にチッ
プコンデンサーを設けたり、多層配線板内に高誘電率層
を設けることによりノイズ除去が行われている（特開平
３−８７０９１）。一方、プリント基板においても近年
高密度化が進み、上記セラミック多層配線板と同様にノ
イズの問題が顕在化してきた。そこで、プリント基板に
おいてもセラミックの場合と同様にチップコンデンサー
を外部に設けることが提案されている。
れから発生するノイズが問題となり、このノイズを除去
するため、一般にセラミック多層板の外部や内部にチッ
プコンデンサーを設けたり、多層配線板内に高誘電率層
を設けることによりノイズ除去が行われている（特開平
３−８７０９１）。一方、プリント基板においても近年
高密度化が進み、上記セラミック多層配線板と同様にノ
イズの問題が顕在化してきた。そこで、プリント基板に
おいてもセラミックの場合と同様にチップコンデンサー
を外部に設けることが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなプリント基板においてノイズを除去するために多
層基板外部にチップコンデンサーを設けた場合、内部配
線間のインダクタンスが増大すると共に基板自体が大き
くなるという問題があった。
ようなプリント基板においてノイズを除去するために多
層基板外部にチップコンデンサーを設けた場合、内部配
線間のインダクタンスが増大すると共に基板自体が大き
くなるという問題があった。
【０００５】また、従来より樹脂を含有する絶縁層は、
高絶縁性を有するものの、樹脂の比誘電率が４〜５と非
常に低く、高強度化を目的とした樹脂＋無機質フィラー
の複合材料からなる絶縁層においても４程度であり、高
誘電率化が難しいという問題があった。
高絶縁性を有するものの、樹脂の比誘電率が４〜５と非
常に低く、高強度化を目的とした樹脂＋無機質フィラー
の複合材料からなる絶縁層においても４程度であり、高
誘電率化が難しいという問題があった。
【０００６】また、フィラー自体をチタン酸バリウム、
チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸
ストロンチウム等の高誘電率材料によって構成すること
も提案されているが、樹脂中に高誘電率フィラーを分散
させただけでは、分極領域が小さく高誘電率化させるの
が難しい。またこのような材料は強度が弱いために、基
板の高強度化が図れないという問題があった。
チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸
ストロンチウム等の高誘電率材料によって構成すること
も提案されているが、樹脂中に高誘電率フィラーを分散
させただけでは、分極領域が小さく高誘電率化させるの
が難しい。またこのような材料は強度が弱いために、基
板の高強度化が図れないという問題があった。
【０００７】従って、本発明の目的は、絶縁特性、機械
特性等に優れていると共に、ＩＣチップ等から発生する
ノイズの吸収除去性能に優れ、従来の配線基板のように
外部にチップコンデンサー等を設置することなしに十分
に安定した性能が発揮できるコンパクトで、且つ内部配
線間のインダクタンスが低減された多層配線基板を提供
することにある。
特性等に優れていると共に、ＩＣチップ等から発生する
ノイズの吸収除去性能に優れ、従来の配線基板のように
外部にチップコンデンサー等を設置することなしに十分
に安定した性能が発揮できるコンパクトで、且つ内部配
線間のインダクタンスが低減された多層配線基板を提供
することにある。
【０００８】
【問題点を解決するための手段】本発明者等は、上記問
題点に対して鋭意検討を重ねた結果、無機フィラー含有
樹脂製の絶縁層を積層した積層体の少なくとも一層にＭ
ｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ等の金属フィラーを含有させると絶縁層の誘
電率を高めることができ、これをコンデンサ層として機
能させることで顕著にノイズ除去性能に優れ、これ等に
配線回路を配設して得られた多層配線基板は、外部にチ
ップコンデンサーを設けることなく十分にＩＣチップか
らのノイズを除去できることを見出し、この知見に基き
本発明を完成するに至った。
題点に対して鋭意検討を重ねた結果、無機フィラー含有
樹脂製の絶縁層を積層した積層体の少なくとも一層にＭ
ｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ等の金属フィラーを含有させると絶縁層の誘
電率を高めることができ、これをコンデンサ層として機
能させることで顕著にノイズ除去性能に優れ、これ等に
配線回路を配設して得られた多層配線基板は、外部にチ
ップコンデンサーを設けることなく十分にＩＣチップか
らのノイズを除去できることを見出し、この知見に基き
本発明を完成するに至った。
【０００９】本発明によれば、無機フィラー含有樹脂か
ら成る絶縁層に金属配線回路を配設した配線層を積層し
て成る多層配線基板において、前記絶縁基板の少なくと
も一層が、金属フィラーを含有する高誘電率絶縁層から
構成されていることを特徴とする多層配線基板が提供さ
れる。
ら成る絶縁層に金属配線回路を配設した配線層を積層し
て成る多層配線基板において、前記絶縁基板の少なくと
も一層が、金属フィラーを含有する高誘電率絶縁層から
構成されていることを特徴とする多層配線基板が提供さ
れる。
【００１０】本発明の多層配線基板は、無機フィラー含
有樹脂製絶縁基板に金属配線回路を配設した配線層を積
層して得られた多層配線基板であって、該多層化された
絶縁基板の少なくとも一層が有機樹脂と金属フィラーか
ら構成された高誘電率基板層から成り、該基板層の樹脂
中に於ける該金属フィラーが均一に分散していることが
顕著な特徴である。
有樹脂製絶縁基板に金属配線回路を配設した配線層を積
層して得られた多層配線基板であって、該多層化された
絶縁基板の少なくとも一層が有機樹脂と金属フィラーか
ら構成された高誘電率基板層から成り、該基板層の樹脂
中に於ける該金属フィラーが均一に分散していることが
顕著な特徴である。
【００１１】この高誘電率絶縁基板層を存在せしめ、こ
れをコンデンサ層として機能させることで、本発明の多
層配線基板は、絶縁性に優れているだけでなく、ノイズ
除去性能に顕著に優れたものとなる。
れをコンデンサ層として機能させることで、本発明の多
層配線基板は、絶縁性に優れているだけでなく、ノイズ
除去性能に顕著に優れたものとなる。
【００１２】
【発明の実施の態様】本発明の多層配線基板において、
絶縁層の形成に用いられる樹脂としては、通常、熱硬化
性樹脂、或いは、高融点の耐熱性熱可塑性樹脂、又は、
これらの樹脂から成る組成物等が用いられる。
絶縁層の形成に用いられる樹脂としては、通常、熱硬化
性樹脂、或いは、高融点の耐熱性熱可塑性樹脂、又は、
これらの樹脂から成る組成物等が用いられる。
【００１３】熱硬化性樹脂としては、絶縁材料としての
電気的特性、耐熱性、及び機械強度を有する熱硬化性樹
脂であれば特に限定されるものではなく、例えば、フェ
ノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹
脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ビスマレイドトリア
ジン樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹
脂、ポリウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アリ
ル樹脂、等が使用できる。
電気的特性、耐熱性、及び機械強度を有する熱硬化性樹
脂であれば特に限定されるものではなく、例えば、フェ
ノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹
脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ビスマレイドトリア
ジン樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹
脂、ポリウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アリ
ル樹脂、等が使用できる。
【００１４】本発明においては、とりわけ、絶縁基板形
成、積層体形成における作業性等の観点から、硬化前の
原料としての状態が室温である程度以上の流動性を有す
る液状のものが好ましい。
成、積層体形成における作業性等の観点から、硬化前の
原料としての状態が室温である程度以上の流動性を有す
る液状のものが好ましい。
【００１５】この点、及び、硬化樹脂の絶縁特性、耐熱
特性、機械特性等の点から、フェノール樹脂、エポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリフェニレンエ
ーテル樹脂、ビスマレイドトリアジン樹脂等の使用が好
ましい。
特性、機械特性等の点から、フェノール樹脂、エポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリフェニレンエ
ーテル樹脂、ビスマレイドトリアジン樹脂等の使用が好
ましい。
【００１６】特に好ましい樹脂として、ポリイミド樹
脂、フッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ビスマ
レイドトリアジン樹脂を挙げることができる。本発明の
絶縁層形成用樹脂として用いることのできる熱可塑性樹
脂としては、高融点耐熱性熱可塑性樹脂、例えば、メタ
キシレンジアミンアジパミド等の芳香族系ポリアミド樹
脂、芳香族系ポリエステル樹脂等を例示できる。
脂、フッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ビスマ
レイドトリアジン樹脂を挙げることができる。本発明の
絶縁層形成用樹脂として用いることのできる熱可塑性樹
脂としては、高融点耐熱性熱可塑性樹脂、例えば、メタ
キシレンジアミンアジパミド等の芳香族系ポリアミド樹
脂、芳香族系ポリエステル樹脂等を例示できる。
【００１７】又、本発明で、前記絶縁層中に配合される
無機質フィラーとしては、ＳｉＯ2、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｚｒ
Ｏ2 、ＴｉＯ2 、ＡｌＮ，ＳｉＣ、ＢａＴｉＯ3 、Ｓｒ
ＴｉＯ3 、ＭｇＴｉＯ3 、ゼオライト、ＣａＴｉＯ3 、
ほう酸アルミニウム等の公知の材料が使用できる。
無機質フィラーとしては、ＳｉＯ2、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｚｒ
Ｏ2 、ＴｉＯ2 、ＡｌＮ，ＳｉＣ、ＢａＴｉＯ3 、Ｓｒ
ＴｉＯ3 、ＭｇＴｉＯ3 、ゼオライト、ＣａＴｉＯ3 、
ほう酸アルミニウム等の公知の材料が使用できる。
【００１８】又、該フィラーは、必ずしもこれに限定さ
れるものではないが、粉末状粒子であることが好まし
く、特に好ましくは、平均粒径１０μｍ以下、最適には
０．５乃至７μｍのものが良好に使用できる。平均粒径
が２０μｍを越える粒径の粒子から成る無機質フィラー
は、得られた基板の精密な微細加工がやや困難となる傾
向を有する。
れるものではないが、粉末状粒子であることが好まし
く、特に好ましくは、平均粒径１０μｍ以下、最適には
０．５乃至７μｍのものが良好に使用できる。平均粒径
が２０μｍを越える粒径の粒子から成る無機質フィラー
は、得られた基板の精密な微細加工がやや困難となる傾
向を有する。
【００１９】なお、本発明の上記絶縁基板に於ける、樹
脂と無機フィラーとの配合比は、体積比率で、１５：８
５乃至５０：５０、より好ましくは、２０：８０乃至４
０：６０の範囲にあることがシートの成形性及び得られ
た基板の熱膨張係数、強度、剛性等の機械特性及び微細
加工性の観点から好ましい。
脂と無機フィラーとの配合比は、体積比率で、１５：８
５乃至５０：５０、より好ましくは、２０：８０乃至４
０：６０の範囲にあることがシートの成形性及び得られ
た基板の熱膨張係数、強度、剛性等の機械特性及び微細
加工性の観点から好ましい。
【００２０】本発明の多層配線基板に於いては、該多層
基板を構成する絶縁層の少なくとも一層が、金属フィラ
ーを含有した高誘電率絶縁層であることが重要である。
基板を構成する絶縁層の少なくとも一層が、金属フィラ
ーを含有した高誘電率絶縁層であることが重要である。
【００２１】該フィラーに用いられる金属材料として
は、具体的には、Ｍｏ、Ｗ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，
Ｃｒ，Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ，Ｎｉ等を例示出来るが、特に
Ｍｏ、Ｗ，Ｃｕが好ましい。
は、具体的には、Ｍｏ、Ｗ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，
Ｃｒ，Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ，Ｎｉ等を例示出来るが、特に
Ｍｏ、Ｗ，Ｃｕが好ましい。
【００２２】金属フィラーの形状としては、針状、板
状、球状又は不定形状等の粒子粉末、更に塊状、繊維
状、フレーク状等のものも使用できるが、得られた基板
の絶縁性、微細加工性の観点から粉末粒子状のものの使
用が好ましい。
状、球状又は不定形状等の粒子粉末、更に塊状、繊維
状、フレーク状等のものも使用できるが、得られた基板
の絶縁性、微細加工性の観点から粉末粒子状のものの使
用が好ましい。
【００２３】特に、平均粒径１０μｍ以下、最適には
０．５乃至７μｍの範囲にある粒子粉末が好適である。
金属フィラーの含有量としては、前記樹脂成分をはじめ
とする絶縁成分の合計配合量に対して、０．１乃至３０
体積％が良く、望ましくは０．５乃至２０体積％であ
る。
０．５乃至７μｍの範囲にある粒子粉末が好適である。
金属フィラーの含有量としては、前記樹脂成分をはじめ
とする絶縁成分の合計配合量に対して、０．１乃至３０
体積％が良く、望ましくは０．５乃至２０体積％であ
る。
【００２４】金属フィラーの含有率が０．１体積％より
少ないと誘電率が本願発明の目的を達成できる程度にま
で向上せず、３０体積％より多いと絶縁性が低下し、絶
縁抵抗が小さく成りすぎて、導体間の短絡を誘起しがち
となり好ましくない。
少ないと誘電率が本願発明の目的を達成できる程度にま
で向上せず、３０体積％より多いと絶縁性が低下し、絶
縁抵抗が小さく成りすぎて、導体間の短絡を誘起しがち
となり好ましくない。
【００２５】本発明のこの高誘電率絶縁層に於いては、
該絶縁層中に於いて、個々の金属フィラー粒子等が、樹
脂及び無機フィラー中に充分に分散して個々に独立した
粒子として存在し、金属フィラーどうしが連続状に連結
することにより基板の絶縁性並びに誘電率を低下させる
ことのないように形成することが重要である。
該絶縁層中に於いて、個々の金属フィラー粒子等が、樹
脂及び無機フィラー中に充分に分散して個々に独立した
粒子として存在し、金属フィラーどうしが連続状に連結
することにより基板の絶縁性並びに誘電率を低下させる
ことのないように形成することが重要である。
【００２６】これを担保するため、金属フィラー表面を
樹脂等で被覆したり、酸化皮膜を形成させる等により絶
縁物質で表面処理したものを用いても良い。
樹脂等で被覆したり、酸化皮膜を形成させる等により絶
縁物質で表面処理したものを用いても良い。
【００２７】本発明の配線基板には、その表面乃至内部
に金属から成る配線回路が配設されるが、該配線回路に
用いられる金属としては、例えば、銅、アルミニウム、
銀、金等の金属、及びこれらの金属の組合せ、又はこれ
らの金属を主体とする低抵抗合金等が使用される。
に金属から成る配線回路が配設されるが、該配線回路に
用いられる金属としては、例えば、銅、アルミニウム、
銀、金等の金属、及びこれらの金属の組合せ、又はこれ
らの金属を主体とする低抵抗合金等が使用される。
【００２８】本発明において、高誘電率絶縁層をコンデ
ンサとして機能させるための構造について図１に基き説
明する。図１の配線基板１は、絶縁層２が複数積層され
た構造からなり、そのうちの１層が高誘電率絶縁層３に
より形成されている。そして高誘電率絶縁層３の上下面
には１対の電極層４，５が形成されている。また、電極
層４，５は、ビアホール導体６，７によって配線基板１
の表面に導出され、表面に形成された金属配線回路８，
９と電気的に接続されている。
ンサとして機能させるための構造について図１に基き説
明する。図１の配線基板１は、絶縁層２が複数積層され
た構造からなり、そのうちの１層が高誘電率絶縁層３に
より形成されている。そして高誘電率絶縁層３の上下面
には１対の電極層４，５が形成されている。また、電極
層４，５は、ビアホール導体６，７によって配線基板１
の表面に導出され、表面に形成された金属配線回路８，
９と電気的に接続されている。
【００２９】このような構成において、一対の電極層
４，５間に静電容量が発生し、ビアホール導体６，７を
経由して、配線回路８，９にて静電容量が取り出され
る。そして、例えば、配線回路８，９と配線基板１表面
に搭載されたＩＣなどの半導体素子（図示せず）と接続
することにより、ＩＣ作動時におけるノイズ除去を有効
に行うことができる。
４，５間に静電容量が発生し、ビアホール導体６，７を
経由して、配線回路８，９にて静電容量が取り出され
る。そして、例えば、配線回路８，９と配線基板１表面
に搭載されたＩＣなどの半導体素子（図示せず）と接続
することにより、ＩＣ作動時におけるノイズ除去を有効
に行うことができる。
【００３０】本発明の多層配線基板を作製する方法とし
ては、必ずしもこれに限定されるものではないが、例え
ば、上記樹脂、無機フィラー、その他の原料を所定量秤
量し、これに希釈溶剤、樹脂の硬化促進剤等を加えた
後、ニーダ等の混練機、３本ロール等により充分に混合
して絶縁層形成用スラリーを調製する。
ては、必ずしもこれに限定されるものではないが、例え
ば、上記樹脂、無機フィラー、その他の原料を所定量秤
量し、これに希釈溶剤、樹脂の硬化促進剤等を加えた
後、ニーダ等の混練機、３本ロール等により充分に混合
して絶縁層形成用スラリーを調製する。
【００３１】該スラリーは、前記樹脂と無機質フィラー
との複合材料に、トルエン、酢酸ブチル、メチルエチル
ケトン、メタノール、メチルセロソルブアセテート、イ
ソプロピルアルコール等の溶剤を添加して所定の粘度を
有する様にスラリー粘度を調整する。
との複合材料に、トルエン、酢酸ブチル、メチルエチル
ケトン、メタノール、メチルセロソルブアセテート、イ
ソプロピルアルコール等の溶剤を添加して所定の粘度を
有する様にスラリー粘度を調整する。
【００３２】一方、上記樹脂に金属フィラーを添加混合
して上記と同様にして高誘電率絶縁層形成用スラリーを
調製する。これらのスラリーの粘度は、用いる成形方法
により変動するが、通常１００乃至３０００ポイズに調
整される。そして、このスラリーを用いて、ドクターブ
レード法、圧延法、押出法、射出成形法などの方法によ
りシート状に成形した後、望ましくは、このシートを半
硬化状にする。
して上記と同様にして高誘電率絶縁層形成用スラリーを
調製する。これらのスラリーの粘度は、用いる成形方法
により変動するが、通常１００乃至３０００ポイズに調
整される。そして、このスラリーを用いて、ドクターブ
レード法、圧延法、押出法、射出成形法などの方法によ
りシート状に成形した後、望ましくは、このシートを半
硬化状にする。
【００３３】半硬化状にするには、例えば、樹脂が熱可
塑性の場合には、溶剤等が極少量残存した状態に加熱途
中で冷却し、熱硬化性樹脂の場合には、完全硬化（固
化）する温度よりもやや低温で加熱する等の方法によ
る。このようにして、絶縁層および高誘電率絶縁層を形
成する。
塑性の場合には、溶剤等が極少量残存した状態に加熱途
中で冷却し、熱硬化性樹脂の場合には、完全硬化（固
化）する温度よりもやや低温で加熱する等の方法によ
る。このようにして、絶縁層および高誘電率絶縁層を形
成する。
【００３４】次いで、これらの絶縁層の表面に配線回路
を配設する。配線回路パターンを形成する金属として
は、配線基板の高精度及び高集積化に適応するため、
銅、アルミニウム、金、銀の内から選ばれた少なくとも
一種を用いることが望ましい。
を配設する。配線回路パターンを形成する金属として
は、配線基板の高精度及び高集積化に適応するため、
銅、アルミニウム、金、銀の内から選ばれた少なくとも
一種を用いることが望ましい。
【００３５】配線回路の形成には、例えば、上記金属の
金属箔を絶縁層に接着剤により貼り付けた後に、回路パ
ターンのレジストを形成し、酸等によって不要部分の金
属箔層をエッチング除去するか、予め打ち抜きした金属
箔を貼り付ける方法、又は、絶縁層の表面に導体ペース
トを施し、回路パターンをスクリーン印刷、グラビヤ印
刷、フォトレジスト等によって形成させ、それを乾燥
後、加圧して絶縁層に密着させる方法、更に、無電解メ
ッキや蒸着等による方法を例示できる。
金属箔を絶縁層に接着剤により貼り付けた後に、回路パ
ターンのレジストを形成し、酸等によって不要部分の金
属箔層をエッチング除去するか、予め打ち抜きした金属
箔を貼り付ける方法、又は、絶縁層の表面に導体ペース
トを施し、回路パターンをスクリーン印刷、グラビヤ印
刷、フォトレジスト等によって形成させ、それを乾燥
後、加圧して絶縁層に密着させる方法、更に、無電解メ
ッキや蒸着等による方法を例示できる。
【００３６】次に、このようにして配線回路パターンが
形成された絶縁層に対して、所望によりスルーホールや
バイアホールなどを打ち抜き法或いはレーザーフォト加
工により形成して金属ペーストを充填する。または内壁
にメッキした後、配線回路パターンが形成された、少な
くとも一層が金属フィラーを含む高誘電率絶縁層である
絶縁層を積層圧着した後、１８０乃至２５０℃の温度で
加熱して樹脂を完全硬化させ多層配線基板を作製する。
形成された絶縁層に対して、所望によりスルーホールや
バイアホールなどを打ち抜き法或いはレーザーフォト加
工により形成して金属ペーストを充填する。または内壁
にメッキした後、配線回路パターンが形成された、少な
くとも一層が金属フィラーを含む高誘電率絶縁層である
絶縁層を積層圧着した後、１８０乃至２５０℃の温度で
加熱して樹脂を完全硬化させ多層配線基板を作製する。
【００３７】なお、高誘電率絶縁層の上下面に図１に示
したように電極層を形成し、バイアホール導体を経由し
て基板表面に導出させることによりコンデンサとしての
容量を引き出すことができる。
したように電極層を形成し、バイアホール導体を経由し
て基板表面に導出させることによりコンデンサとしての
容量を引き出すことができる。
【００３８】このように構成された本発明の多層配線基
板は、外部にチップコンデンサーを設けることなく基本
的にコンデンサを内蔵させることができ、これをＩＣチ
ップと接続することによりＩＣチップからのノイズを充
分に除去できると共に、小型化を図ることができるため
に、高密度の配線基板を提供することが出来る。
板は、外部にチップコンデンサーを設けることなく基本
的にコンデンサを内蔵させることができ、これをＩＣチ
ップと接続することによりＩＣチップからのノイズを充
分に除去できると共に、小型化を図ることができるため
に、高密度の配線基板を提供することが出来る。
【００３９】
【実施例】本発明における高誘電率絶縁層の特性を評価
するために以下の実験を行った。まず、無機フィラーと
して平均粒径が５μｍの溶融シリカ３０体積％と、ＢＴ
レジン（ビスマレイドトリアジン樹脂）７０体積％を秤
量した。更に、上記樹脂に金属フィラーとして表面に樹
脂コートを施したＭｏ、Ｗ，Ｃｕを全量中の割合（金属
量）が表１に示す比率になるように添加した。これに溶
媒として酢酸ブチル、及び樹脂の硬化促進剤を添加し、
攪拌翼が公転及び自転する攪拌機により１０分間混合
し、スラリーを調製した。このスラリーをドクターブレ
ード法により、厚み１００μｍのシート状に成形し、２
００℃、２時間、窒素中で樹脂成分を硬化させ、高誘電
率絶縁層を形成した。得られた絶縁層に対して、比誘電
率および誘電正接を１ＭＨｚで測定した。又絶縁層自体
の絶縁抵抗を直流１００Ｖを印加し測定した。結果を表
１に示す。
するために以下の実験を行った。まず、無機フィラーと
して平均粒径が５μｍの溶融シリカ３０体積％と、ＢＴ
レジン（ビスマレイドトリアジン樹脂）７０体積％を秤
量した。更に、上記樹脂に金属フィラーとして表面に樹
脂コートを施したＭｏ、Ｗ，Ｃｕを全量中の割合（金属
量）が表１に示す比率になるように添加した。これに溶
媒として酢酸ブチル、及び樹脂の硬化促進剤を添加し、
攪拌翼が公転及び自転する攪拌機により１０分間混合
し、スラリーを調製した。このスラリーをドクターブレ
ード法により、厚み１００μｍのシート状に成形し、２
００℃、２時間、窒素中で樹脂成分を硬化させ、高誘電
率絶縁層を形成した。得られた絶縁層に対して、比誘電
率および誘電正接を１ＭＨｚで測定した。又絶縁層自体
の絶縁抵抗を直流１００Ｖを印加し測定した。結果を表
１に示す。
【００４０】
【表１】 表１によれば、樹脂と無機フィラーから成る絶縁基板に
金属フィラーを０．１乃至３０体積％含有させることに
より、比誘電率を高めることが出来る。
金属フィラーを０．１乃至３０体積％含有させることに
より、比誘電率を高めることが出来る。
【００４１】次に、この高誘電率絶縁層を用いてコンデ
ンサを内蔵する配線基板を作成した。まず、上記の高誘
電率絶縁層の上下面にＣｕ箔からなる電極層を形成する
とともにスルーホールを形成し、Ｃｕ導体インクを充填
して下面の電極層と接続し、上面の電極層とは非接触と
した。また、金属フィラーを含有しないスラリーを用い
てシート状に成形して作製した絶縁層にスルーホールを
形成、Ｃｕ粉末を含むペーストを充填し、あるいはスル
ーホールを有しない絶縁層を用いて、高誘電率絶縁層の
上面側にスルーホール導体を形成した絶縁層を３層、下
面側にスルーホールを有しない絶縁層を３層とし、図１
に示したように位置合わせして積層し、２００℃、２ｈ
ｒ窒素中で樹脂成分を硬化させることにより、コンデン
サを内蔵する配線基板を作製することができた。
ンサを内蔵する配線基板を作成した。まず、上記の高誘
電率絶縁層の上下面にＣｕ箔からなる電極層を形成する
とともにスルーホールを形成し、Ｃｕ導体インクを充填
して下面の電極層と接続し、上面の電極層とは非接触と
した。また、金属フィラーを含有しないスラリーを用い
てシート状に成形して作製した絶縁層にスルーホールを
形成、Ｃｕ粉末を含むペーストを充填し、あるいはスル
ーホールを有しない絶縁層を用いて、高誘電率絶縁層の
上面側にスルーホール導体を形成した絶縁層を３層、下
面側にスルーホールを有しない絶縁層を３層とし、図１
に示したように位置合わせして積層し、２００℃、２ｈ
ｒ窒素中で樹脂成分を硬化させることにより、コンデン
サを内蔵する配線基板を作製することができた。
【００４２】
【発明の効果】本発明の多層配線基板は、絶縁特性、機
械特性に優れているだけでなく、その積層構成絶縁基板
の少なくとも一層に、金属フィラー配合基板層が積層さ
れているため、ＩＣチップからのノイズを、外部チップ
コンデンサーを設置することなく有効に除去することが
出来る。
械特性に優れているだけでなく、その積層構成絶縁基板
の少なくとも一層に、金属フィラー配合基板層が積層さ
れているため、ＩＣチップからのノイズを、外部チップ
コンデンサーを設置することなく有効に除去することが
出来る。
【図１】本発明の多層配線基板構造を説明するための略
図。
図。
１ 配線基板 ２ 絶縁層 ３ 高誘電率絶縁層 ４ 上面側電極層 ５ 下面側電極層 ６ バイアホール導体 ７ バイアホール導体 ８ 金属配線回路 ９ 金属配線回路
Claims (5)
- 【請求項１】 無機フィラー含有樹脂から成る絶縁層に
金属配線回路を配設した配線層を積層して成る多層配線
基板において、前記絶縁層の少なくとも一層が、金属フ
ィラーを含有する高誘電率絶縁層から構成されているこ
とを特徴とする多層配線基板。 - 【請求項２】 前記高誘電率絶縁層に含有される金属フ
ィラーの含有率が０．１乃至３０％体積である請求項１
記載の多層配線基板。 - 【請求項３】 前記金属フィラーがＭｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＮｉから
選ばれた少なくとも一種である請求項１記載の多層配線
基板。 - 【請求項４】 前記配線回路の金属が、銅、アルミニウ
ム、銀、金から選ばれた少なくとも一種である請求項１
記載の多層配線基板。 - 【請求項５】 前記高誘電率絶縁層に含有される金属フ
ィラーが該絶縁層中で分散された状態で存在し、その各
々が電気的に絶縁されている前項までの請求項のいずれ
かに記載の多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8348471A JPH10190241A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8348471A JPH10190241A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10190241A true JPH10190241A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18397238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8348471A Withdrawn JPH10190241A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10190241A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004081952A1 (ja) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | The Circle For The Promotion Of Science And Engineering | ポリマーコンポジット高誘電率材料、多層配線板及びモジュール基板 |
| WO2007102461A1 (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ｌｃフィルタおよびそれを用いた電子装置 |
| US7286367B2 (en) | 2002-01-11 | 2007-10-23 | Denso Corporation | Printed circuit board with a built-in passive device, manufacturing method of the printed circuit board, and elemental board for the printed circuit board |
| US7592250B2 (en) | 2002-07-18 | 2009-09-22 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Multilayer wiring board, manufacturing method thereof, semiconductor device, and wireless electronic device |
| US8331102B2 (en) | 1999-09-02 | 2012-12-11 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
| US8717772B2 (en) | 1999-09-02 | 2014-05-06 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
| JP2016027685A (ja) * | 2014-07-08 | 2016-02-18 | Tdk株式会社 | 伝送線路および電子部品 |
-
1996
- 1996-12-26 JP JP8348471A patent/JPH10190241A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8830691B2 (en) | 1999-09-02 | 2014-09-09 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board and method of manufacturing printed circuit board |
| US8331102B2 (en) | 1999-09-02 | 2012-12-11 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
| US8717772B2 (en) | 1999-09-02 | 2014-05-06 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
| US8763241B2 (en) | 1999-09-02 | 2014-07-01 | Ibiden Co., Ltd. | Method of manufacturing printed wiring board |
| US8780573B2 (en) | 1999-09-02 | 2014-07-15 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
| US8842440B2 (en) | 1999-09-02 | 2014-09-23 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board and method of manufacturing printed circuit board |
| US9060446B2 (en) | 1999-09-02 | 2015-06-16 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
| US7286367B2 (en) | 2002-01-11 | 2007-10-23 | Denso Corporation | Printed circuit board with a built-in passive device, manufacturing method of the printed circuit board, and elemental board for the printed circuit board |
| DE10300530B4 (de) * | 2002-01-11 | 2013-11-21 | Denso Corporation | Leiterplatte mit einem eingebauten Kondensator und Herstellungsverfahren der Leiterplatte |
| US7592250B2 (en) | 2002-07-18 | 2009-09-22 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Multilayer wiring board, manufacturing method thereof, semiconductor device, and wireless electronic device |
| WO2004081952A1 (ja) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | The Circle For The Promotion Of Science And Engineering | ポリマーコンポジット高誘電率材料、多層配線板及びモジュール基板 |
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| JP2016027685A (ja) * | 2014-07-08 | 2016-02-18 | Tdk株式会社 | 伝送線路および電子部品 |
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