JP4126753B2

JP4126753B2 - 多層板

Info

Publication number: JP4126753B2
Application number: JP16292898A
Authority: JP
Inventors: 高好小関; 資幸赤松; 幸生松下
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1998-05-26
Filing date: 1998-05-26
Publication date: 2008-07-30
Anticipated expiration: 2018-05-26
Also published as: JPH11340636A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気機器用配線板に有用な多層板に関するものであり、さらに詳しくは、高速信号処理用配線板として有用で、かつ電源用配線基板としてコンデンサ機能を具備させることができる多機能な多層板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
精密機器，電子計算機，通信機器等に用いられる配線板においては、演算処理速度の高速化及び回路の高密度化への要請が高まっており、これらの要請に対応するために配線板の多層化が急速に進んでいる。従来このような多層板には、その構成要素となる樹脂として、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、低誘電率樹脂であるフッ素樹脂、あるいはポリブタジエン樹脂等が用いられており、その特性改善努力も精力的に進められている。また一方、配線板の実装技術においては、従来からデジタルＩＣ等の電子部品を搭載する場合において、誤作動やノイズ防止のために多量のコンデンサをデジタルＩＣ等の電子部品の各ピンに取りつけ、電源安定化のためのローパスフィルタを形成しているが、高密度実装化及び信号速度向上によりこのコンデンサについても小型化、低インダクタンス化への改良が進められている。
【０００３】
しかしコンデンサの配線板への取り付けは、高密度実装が必要となっている配線板に余分な取り付け面積を確保しなければならないものであり、部品点数やその取り付けコストの削減を行うことが困難となり、更にコンデンサの取り付けのために形成したリード回路の浮遊容量が、新たなノイズを発生させる原因になっていた。また高速信号処理基板では、部品間を結ぶ結線もインダクタンスとして働くようになるため、輻射ノイズの発生の原因となっていた。
【０００４】
このような事情から従来ノイズ防止用に多量に取りつけていたコンデンサを不要にするために電源層と接地層の間に、エポキシ樹脂に無機充填剤を配合した樹脂組成物をガラスクロスに含浸させて形成した高電気容量絶縁層を設けた多層板が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし上記のような従来の高電気容量絶縁層を設けた多層板では、高電気容量絶縁層中に配合された樹脂自体の誘電率が低く、無機充填剤を配合しても高電気容量絶縁層の電気容量を充分に高くすることができなかった。
【０００６】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、高電気容量絶縁層の電気容量を更に向上することができる多層板を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に記載の多層板は、第一導体層３と第二導体層４の間にシアノ基を側鎖に有するポリマーを含有する高電気容量絶縁層２を形成したものであって、シアノ基を側鎖に有するポリマーが配合された樹脂組成物を金属箔８に塗工することにより形成された樹脂付き金属箔１０と、エポキシ樹脂と高誘電率無機充填剤が配合された樹脂組成物を金属箔８に塗工することにより形成された樹脂付き金属箔１１とを、樹脂層９，１２同士が重なるようにして積層し、これを加熱加圧成形することによって樹脂付き金属箔１０，１１の樹脂層９，１２を加熱硬化させて高電気容量絶縁層２を形成して成ることを特徴とするものである。
【０００９】
また本発明の請求項２に記載の多層板は、請求項１の構成に加えて、上記高誘電率無機充填剤として、チタン酸ジルコン酸ナトリウム系セラミック、二酸化チタン系セラミック、チタン酸バリウム系セラミック、チタン酸鉛系セラミック、チタン酸ストロンチウム系セラミック、チタン酸カルシウム系セラミック、チタン酸ビスマス系セラミック、チタン酸マグネシウム系セラミック、及びジルコン酸系セラミックからなる群の中から選択された少なくとも一種のものを用いて成ることを特徴とするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００１４】
本発明においては、高電気容量絶縁層２を、シアノ基を側鎖に有するポリマーが配合された樹脂組成物を硬化させることによって形成するものである。ここで高電気容量絶縁層２は電気容量が５０ｐＦ／ｃｍ²〜３００ｎＦ／ｃｍ²の範囲となるように形成することが好ましい。このシアノ基を側鎖に有するポリマーとしては、下記（１）に示す構造を繰り返し単位とする、シアノエチルヒドロキシエチルセルロースや、下記一般式（２）に示すシアノエチルブルランを用いる。
【００１５】
【化３】
また上記のシアノ基を側鎖に有するポリマーが配合された樹脂組成物には、比誘電率が８〜１７０００の高誘電率無機充填剤を配合することができる。ここで高誘電率無機充填剤としては、チタン酸ジルコン酸ナトリウム系セラミック、二酸化チタン系セラミック、チタン酸バリウム系セラミック、チタン酸鉛系セラミック、チタン酸ストロンチウム系セラミック、チタン酸カルシウム系セラミック、チタン酸ビスマス系セラミック、チタン酸マグネシウム系セラミック、ジルコン酸系セラミック等を用いることができ、これらのものを単独で用いる他、二種以上を適宜組み合わせて用いることもできる。ここで高誘電率無機充填剤は、シアノ基を側鎖に有するポリマー１００重量部に対して、１００〜９００重量部の範囲で配合することが好ましい。
【００１６】
またこの樹脂組成物は、シクロヘキサノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトニトリル等の溶剤を配合して希釈することもできる。この場合、上記のシアノ基を側鎖に有するポリマー１００重量部に対して、溶剤を１００〜９００重量部配合して、樹脂組成物の粘度を２００ｃｐｓ〜１０００ｃｐｓとすることが好ましい。
【００１７】
上記のような樹脂組成物にて高電気容量絶縁層２を形成するにあたっては、上記の樹脂組成物を金属箔８に塗工して樹脂層９を形成した図３（ａ）に示すような樹脂付き金属箔１０を用いて多層板１を作製することにより、多層板１中に高電気容量絶縁層２を形成することができる。
【００１８】
樹脂付き金属箔１０を形成する際に用いる金属箔８としては、銅、アルミニウム、真鍮、ニッケル、鉄等を材料とする金属箔８の他、これらの金属の合金箔や複合箔を用いることができる。この金属箔８の厚みは、５〜１５０μｍの範囲とすることが好ましく、また必要に応じて表面粗化の処理や接着剤塗工の処理を行うことができる。また樹脂付き金属箔１０の樹脂層９の厚みは５〜２５０μｍの範囲とすることが好ましく、必要とされるコンデンサ容量に応じて適切な厚みを選択するものである。特に電気容量を向上するためには、樹脂層９の厚みを薄く形成することが好ましい。
【００１９】
多層板１を作製するにあたっては、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を加熱硬化させてなる樹脂層と、銅箔等の金属箔からなる導電層によって構成され、必要に応じてエッチング処理やバイアホール加工を施して回路を形成した内層材を用意する。次に上記の樹脂付き金属箔１０を、樹脂層９が内層材側に面するように内層材に重ね、加熱加圧成形して一体化させる。更に必要に応じてエッチング処理やスルーホール加工を施して回路形成を行うことにより、多層板１を作製する。またこの多層板１をコア材とし、これにプリプレグ、銅箔等の金属箔、樹脂付き金属箔、金属箔張積層板等を重ね、加熱加圧成形することによって一体化させ、必要に応じてエッチング処理やスルーホール加工を施すことにより、多層板１を作製することもできる。このようにして多層板１０を作製すると、内層材の導電層からなる層と樹脂付き金属箔１０の金属箔９からなる層を、一方を電源層となる第一導体層３、他方を接地層となる第二導体層４として形成し、この第一導体層３と第二導体層４との間に、高電気容量絶縁層２を形成することができる。ここで電源層及び接地層は、多層板の外部の電源ラインに接続されるものである。
【００２０】
また図３（ａ）、（ｂ）に示すように、上記のような樹脂付き金属箔１０を二枚用い、これらの樹脂付き金属箔１０を、樹脂層９同士が重なるように積層したものを加熱加圧成形することによって一体化させ、必要に応じてエッチング処理やバイアホール加工を施すことにより内層基板７を作製することもできる。このようにすると、樹脂付き金属箔１０の金属箔８からなる層の一方を第一導体層３、他方を第二導体層４として形成し、第一導体層３と第二導体層４の間に高電気容量絶縁層２を形成することができる。そしてこのような内層基板７をコア材とし、これにプリプレグ、銅箔等の金属箔、樹脂付き金属箔、金属箔張積層板等を重ね、加熱加圧成形することによって一体化させ、必要に応じてエッチング処理やスルーホール加工を施すことにより、多層板１を作製することができる。
【００２１】
本発明では、内層基板７を作製する際に用いる樹脂付き金属箔として、シアノ基を側鎖に有するポリマーが配合された樹脂組成物を金属箔８に塗工して樹脂層９を形成することにより作製した樹脂付き金属箔１０と、エポキシ樹脂と高誘電率無機充填材を配合して誘電率を向上させた樹脂組成物を金属箔８に塗布することにより樹脂層１２を形成して作製した樹脂付き金属箔１１とを用意する。ここで、エポキシ樹脂としては、例えば臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（東都化成製、「ＹＤＢ−５００」）４００重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成製、「ＹＤＣＮ−７０１」）４４重量部、ジシアンジアミド４０．５重量部、２−エチル−４−メチルイミダゾール０．４４重量部を配合したものを用いることができる。この場合はこの二種類の樹脂付き金属箔１０、１１を、樹脂層９、１２同士が重なるように積層し、加熱加圧成形することによって一体化させ、必要に応じてエッチング処理やバイアホール加工を施すことにより内層基板７を作製する。このようにすると、二種類の樹脂付き金属箔１０、１１の金属箔８からなる層の一方を第一導体層３、他方を第二導電４として形成し、第一導体層３と第二導体層４の間に高電気容量絶縁層２を形成することができる。そしてこのような内層基板７をコア材とし、これにプリプレグ、銅箔等の金属箔、樹脂付き金属箔、金属箔張積層板等を重ね、加熱加圧成形することによって一体化させ、必要に応じてエッチング処理やスルーホール加工を施すことにより、多層板１を作製することができる。
【００２２】
図１は、上記のようにして作製される多層板１の一例を示すものである。この図１に示す多層板１では、シアノ基を側鎖に有するポリマーが配合された樹脂組成物を硬化させることによって形成された高電気容量絶縁層２の両面に、必要に応じて回路形成された金属箔からなる第一導体層３と第二導体層４が形成されており、更にその第一導体層３及び第二導体層４の外側に、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を硬化させることによって形成された低電気容量層６が形成されている。そして更に低電気容量層６の外側には、金属箔等からなる回路５が形成されている。また更に必要に応じて所定の位置にスルーホール加工（図示せず）が施されている。
【００２３】
図２に、本発明の多層板１にデジタルＩＣ等の電子部品１３を搭載したものを示す。この図２に示すものでは、多層板１に、電子部品１３の電源側のリード１４と接地側のリード１５にそれぞれ電気的に接続されるスルーホール１６、１７を形成し、スルーホール１６、１７の内壁にはめっき処理等により導電層１８を形成している。また多層板１に搭載されている電子部品１３の、電源側のリード１４と、接地側のリード１５は、それぞれ多層板１の回路５に半田付け等により電気的に接続され、回路５を介してスルーホール内壁１６、１７の導電層１８に電気的に接続されている。
【００２４】
ここで電源側のリード１４は、スルーホール１６の導電層１８を介して第一導電体３に電気的に接続させると共に、第二導電体４とは電気的に絶縁させ、また接地側のリード１５はスルーホール１７の導電層１８を介して第二導電体と電気的に接続させると共に、第一導電体３とは電気的に絶縁させる。そのためには例えば図２に示すように、第一導体層３の、接地側のリード１４と電気的に接続するスルーホール１７の周辺部に相当する部分をあらかじめエッチング処理等により取り除くと共に、第二導体層４の、電源側のリード１４に接続されるスルーホール１６の周辺部に相当する部分も同様にエッチング処理等により取り除いておくものである。
【００２５】
上記のようにして多層板１中において、第一導体層３と第二導体層４の間に高電気容量絶縁層２を形成すると、第一導体層３、第二導体層４、及び高電気容量絶縁層２にてコンデンサが形成される。そしてこの多層板１にデジタルＩＣ等の電子部品１３の電源側に接続するリードを多層板１の電源層である第一導体層３に、デジタルＩＣ等の電子部品１３の接地側に接続するリードを多層板１の接地層である第二導体層４にそれぞれ接続するように搭載すると、誤作動やノイズを防止することができるものであり、このとき多量のコンデンサ多層板１に実装すると共にデジタルＩＣ等の電子部品１３の各ピンに取りつけるような必要がないので、コンデンサのための余分な取り付け面積を確保する必要がなく、回路の高密度化を達成することができるものである。
【００２６】
また従来のようにチップコンデンサを介して電流供給を行う場合にはチップコンデンサと電子部品とをつなぐ経路が長くなってこの経路がインダクタンスとして働き、輻射ノイズの発生の原因となっていていたのに対して、電子部品１３への電流供給は多層板の内層に構成される第一導体層３、第二導体層４、及び高電気容量絶縁層２にて構成されるコンデンサを介して行うことができるため、電子部品１３とコンデンサとの経路を短くすることができ、高速信号処理基板においても輻射ノイズの発生を抑制することができるものである。
【００２７】
またシアノ基を側鎖に有するポリマーが配合された高電気容量絶縁層２を用いているので、第一導体層３、第二導体層４、及び高電気容量絶縁層２にて形成されるコンデンサの電気容量を向上することができ、多層板１に搭載されたデジタルＩＣ等の電子部品１３の誤作動やノイズの防止の効果を優れたものとすることができる。特にシアノ基を側鎖に有するポリマーと高誘電率無機充填剤が配合された樹脂組成物にて高電気容量絶縁層２を形成すると、第一導体層３、第二導体層４、及び高電気容量絶縁層２にて形成されるコンデンサの電気容量を著しく向上することができ、多層板１に搭載されたデジタルＩＣ等の電子部品１３の誤作動やノイズの防止の効果を更に優れたものとすることができる。
【００２８】
【実施例】
以下、本発明を実施例によって詳述する。
（参考例１）
厚み１８μｍの銅箔８に、シアノ基を側鎖に有するポリマー（信越化学工業（株）製、「シアノレジンＣＲ−Ｓ」）のみからなる樹脂組成物を塗工して５０μｍの樹脂層９を形成した２枚の樹脂付き銅箔１０を、図４（ａ）のように樹脂層９同士が重なるように積層し、１７５℃、３０ｋｇ／ｃｍ2の条件で２０分間加熱加圧成形を行った。さらにエッチング処理及びバイアホール加工を施して回路形成を行い、内層基板７を作製した。
【００２９】
この内層基板７の両側に、図４（ｂ）のように、
・臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量５００、東都化成製、「ＹＤＢ−５００」）４００重量部
・クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２２０、東都化成製、「ＹＤＣＮ−７０１」）４４重量部
・ジシアンジアミド１０．５重量部
・２―エチル−４メチルイミダゾール０．４４重量部
の組成からなるエポキシ樹脂組成物を、ガラスクロスに含浸・乾燥させて得られる厚み０．１ｍｍのプリプレグ２２を重ねた。更にその両側に、１８μｍの銅箔８に上記の組成のエポキシ樹脂組成物を塗工して厚み０．１ｍｍの樹脂層２０を形成した樹脂付き銅箔２１を、樹脂層２０がプリプレグ２２と重なるように積層した。このものを１７０℃、２０ｋｇ／ｃｍ²の条件で２０分間加熱加圧成形を行って、多層板１を作製した。この多層板１にエッチング処理及びスルーホール加工を施して回路形成を行った。
（参考例２）
厚み１８μｍの銅箔８に、シアノ基を側鎖に有するポリマー（信越化学工業（株）製、「シアノレジンＣＲ−Ｓ」）１００重量部及び酸化チタン１００重量部からなる樹脂組成物を塗工して５０μｍの樹脂層９を形成した２枚の樹脂付き銅箔１０を、図４（ａ）のように樹脂層９同士が重なるように積層し、１７５℃、３０ｋｇ／ｃｍ²の条件で２０分間加熱加圧成形を行った。さらにエッチング処理及びバイアホール加工を施して回路形成を行い、内層基板７を作製した。
【００３０】
この内層基板７の両側に、図４（ｂ）のように参考例１と同様のエポキシ樹脂組成物を、ガラスクロスに含浸乾燥させて得られる厚み０．１ｍｍのプリプレグ２２を重ねた。更にその両側に、１８μｍの銅箔８に上記の組成のエポキシ樹脂組成物を塗工して厚み０．１ｍｍの樹脂層２０を形成した樹脂付き銅箔２１を、樹脂層２０がプリプレグ２２と重なるように積層した。このものを１７０℃、２０ｋｇ／ｃｍ²の条件で２０分間加熱加圧成形を行って、多層板１を作製した。この多層板１にエッチング処理及びスルーホール加工を施して回路形成を行った。
（参考例３）
参考例１と同様のエポキシ樹脂組成物を、ガラスクロスに含浸乾燥させて得られる厚み０．１ｍｍのプリプレグを２枚積層すると共にその両側に厚み１８μｍの銅箔８を積層し、１７５℃、３０ｋｇ／ｃｍ²の条件で２０分間加圧成形を行って、図５（ａ）に示すように一対の銅箔８の間に低電気容量絶縁層６を形成し、更に片側の銅箔にエッチング処理を施すことによって、図５（ｂ）に示すような内層材２３を作製した。一方厚み１８μｍの銅箔８に、シアノ基を側鎖に有するポリマー（信越化学工業（株）製、「シアノレジンＣＲ−Ｓ」）のみからなる樹脂組成物を塗工して厚み５０μｍの樹脂層９を形成した樹脂付き銅箔１０を作製した。次に図５（ｃ）に示すように樹脂付き銅箔１０の樹脂層９を内層材２３のエッチングを施した銅箔８に重ねるように樹脂付き銅箔１０と内層材２３を積層し、１７５℃、３０ｋｇ／ｃｍ²の条件で２０分間加圧成形を行い、一体成形すると共に、シアノ基を側鎖に有するポリマーからなる樹脂組成物を加熱硬化して高電気容量層２を形成した。更に図５（ｄ）のように内層材２３側の銅箔８にエッチング処理を施すと共にバイアホール加工を施して回路形成を行って、内層基板７を作製した。そして図５（ｅ）のように、この内層基板７に、参考例１と同様のエポキシ樹脂組成物を、ガラスクロスに含浸乾燥させて得られる厚み０．１ｍｍのプリプレグ２２を重ね、更に１８μｍの銅箔８に上記の組成のエポキシ樹脂組成物を塗工して厚み０．１ｍｍの樹脂層２０を形成した樹脂付き銅箔２１（（株）松下電工製、「Ｒ１７６１」）を、このプリプレグ２２の外面に、樹脂層２０がプリプレグ２２と重なるように積層したものを、１７０℃、２０ｋｇ／ｃｍ²の条件で２０分間加熱加圧成形を行って、多層板１を作製した。この多層板に図５（ｆ）に示すように、エッチング処理及びスルーホール加工を施して回路形成を行った。
【００３１】
このようにして、高電気容量絶縁層２の両面に、回路形成された金属箔からなる第一導体層３と第二導体層４が形成され、更にその第一導体層３及び第二導体層４の外側に、エポキシ樹脂組成物を硬化させることによって形成された低電気容量層６が形成され、そして更に低電気容量層６の外側には、金属箔等からなる回路５が形成された多層板１を作製した。
（実施例１）
厚み１８μｍの銅箔８に、シアノ基を側鎖に有するポリマー（信越化学工業（株）製、「シアノレジンＣＲ−Ｓ」）１００重量部及び酸化チタン１００重量部からなる樹脂組成物を塗工して５０μｍの樹脂層９を形成した樹脂付き銅箔１０と、厚み１８μｍの銅箔８に、参考例１のエポキシ樹脂組成物１００重量部に酸化チタンを１５０重量部配合した酸化チタン含有エポキシ樹脂組成物を塗工して５０μｍの樹脂層１２を形成した樹脂付き銅箔１１とを、図４（ａ）に示すように樹脂層９、１２同士が重なるように積層し、１７５℃、３０ｋｇ／ｃｍ2の条件で２０分間加熱加圧成形を行った。さらにエッチング処理及びバイアホール加工を施して回路形成を行い、内層基板７を作製した。
【００３２】
この内層基板７の両側に、図４（ｂ）のように参考例１と同様のエポキシ樹脂組成物を、ガラスクロスに含浸乾燥させて得られる厚み０．１ｍｍのプリプレグを重ね、更にその両側に、１８μｍの銅箔に上記の組成のエポキシ樹脂組成物を塗工して厚み０．１ｍｍの樹脂層を形成した樹脂付き銅箔を、樹脂層がプリプレグと重なるように積層し、１７０℃、２０ｋｇ／ｃｍ²の条件で２０分間加熱加圧成形を行って、多層板１を作製した。この多層板１にエッチング処理及びスルーホール加工を施して回路形成を行った。
（比較例）
参考例１と同様のエポキシ樹脂組成物を、ガラスクロスに含浸乾燥させて得られる厚み０．１ｍｍのプリプレグを２枚積層し、その両側に厚み１８μｍの銅箔８を積層したものを、１７５℃、３０ｋｇ／ｃｍ²の条件で２０分間加熱加圧成形した。さらにエッチング処理及びバイアホール加工を施して回路形成を行い、内層基板７を作製した。この内層基板７の両側に上記と同様の組成からなるエポキシ樹脂組成物を、ガラスクロスに含浸乾燥させて得られる厚み０．１ｍｍのプリプレグを重ね、更にその両側に、１８μｍの銅箔に上記の組成のエポキシ樹脂組成物を塗工して厚み０．１ｍｍの樹脂層を形成した樹脂付き銅箔を、樹脂層がプリプレグと重なるように積層し、１７０℃、２０ｋｇ／ｃｍ²の条件で２０分間加熱加圧成形を行って、多層板１を作製した。この多層板１にエッチング処理及びスルーホール加工を施して回路形成を行った。
【００３３】
このようにして図６に示すような、エポキシ樹脂組成物を硬化させることによって形成された低電気容量絶縁層６の両面に、回路形成された金属箔からなる第一導体層３と第二導体層４が形成され、更にその第一導体層３及び第二導体層４の外側に、エポキシ樹脂組成物を硬化させることによって形成された低電気容量層６が形成され、そして更に低電気容量層６の外側には、金属箔等からなる回路５が形成された多層板１´を作製した。
【００３４】
上記のような各実施例、参考例及び比較例の多層板について、電源電圧のゆらぎ、信号波形のみだれ、及び輻射ノイズを評価した。ここで電源電圧及び信号波形はオシロスコープにて測定した。また輻射ノイズは、入力信号の周波数を１６ＭＨｚとし、測定対象から３ｍ離れた位置に設置したアンテナにて輻射ノイズの３００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの範囲の垂直偏波成分を検出し、その平均値にて評価した。
【００３５】
以上の評価結果を表１に示す。
【００３６】
【表１】
表１から判るように、比較例１と比べて実施例１及び参考例１〜３では、電源電圧の変動値が小さく、かつ、輻射ノイズが低減したことが確認できた。また信号波形のみだれは観測されなかった。
【００３７】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項１に記載の多層板は、第一導体層と第二導体層の間にシアノ基を側鎖に有するポリマーを含有する高電気容量絶縁層を形成した多層板であって、シアノ基を側鎖に有するポリマーが配合された樹脂組成物を金属箔に塗工することにより形成された樹脂付き金属箔と、エポキシ樹脂と高誘電率無機充填剤が配合された樹脂組成物を金属箔に塗工することにより形成された樹脂付き金属箔とを、樹脂層同士が重なるようにして積層し、これを加熱加圧成形することによって樹脂付き金属箔の樹脂層を加熱硬化させて前記高電気容量絶縁層を形成しため、第一導体層、第二導体層、及び高電気容量絶縁層にてコンデンサを形成することができ、この多層板にデジタルＩＣ等の電子部品の電源側に接続するリードを多層板の導電層に、デジタルＩＣ等の電子部品の接地側に接続するリードを多層板の第二導体層にそれぞれ接続するように搭載すると、誤作動やノイズを防止することができるものであり、このとき多量のコンデンサを多層板に実装すると共にデジタルＩＣ等の電子部品の各ピンに取りつけるような必要がないので、コンデンサのための余分な取り付け面積を確保する必要がなく、回路の高密度化を達成することができるものである。また電子部品への電流供給は多層板の内層に構成される第一導体層、第二導体層、及び高電気容量絶縁層にて構成されるコンデンサを介して行うことができ、電子部品とコンデンサとの経路を短くすることができて、高速信号処理基板においても輻射ノイズの発生を抑制することができるものである。またシアノ基を側鎖に有するポリマーが配合された高電気容量絶縁層にて電源層、接地層、及び高電気容量絶縁層にて形成されるコンデンサの電気容量を向上することができ、多層板に搭載されたデジタルＩＣ等の電子部品の誤作動やノイズの防止の効果を優れたものとすることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の多層板に電子部品を搭載した様子を示す断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、本発明の多層板の製造に用いる内層基板の製造工程の一例を示す正面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、本発明の多層板の製造工程の一例を示す断面図である。
【図５】（ａ）乃至（ｆ）は、本発明の多層板の製造工程の他の例を示す断面図である。
【図６】比較例の多層板を示す断面図である。
【符号の説明】
１多層板
２高電気容量絶縁層
３第一導体層
４第二導体層
７内層基板
８金属箔
９樹脂層
１０樹脂付き金属箔
１１樹脂付き金属箔
１２樹脂層

Claims

第一導体層と第二導体層の間にシアノ基を側鎖に有するポリマーを含有する高電気容量絶縁層を形成した多層板であって、シアノ基を側鎖に有するポリマーが配合された樹脂組成物を金属箔に塗工することにより形成された樹脂付き金属箔と、エポキシ樹脂と高誘電率無機充填剤が配合された樹脂組成物を金属箔に塗工することにより形成された樹脂付き金属箔とを、樹脂層同士が重なるようにして積層し、これを加熱加圧成形することによって樹脂付き金属箔の樹脂層を加熱硬化させて前記高電気容量絶縁層を形成して成ることを特徴とする多層板。
上記高誘電率無機充填剤として、チタン酸ジルコン酸ナトリウム系セラミック、二酸化チタン系セラミック、チタン酸バリウム系セラミック、チタン酸鉛系セラミック、チタン酸ストロンチウム系セラミック、チタン酸カルシウム系セラミック、チタン酸ビスマス系セラミック、チタン酸マグネシウム系セラミック、及びジルコン酸系セラミックからなる群の中から選択された少なくとも一種のものを用いて成ることを特徴とする請求項１に記載の多層板。