JPH11340636A

JPH11340636A - 多層板

Info

Publication number: JPH11340636A
Application number: JP10162928A
Authority: JP
Inventors: Takayoshi Koseki; 高好小関; Toshiyuki Akamatsu; 資幸赤松; Yukio Matsushita; 幸生松下
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1998-05-26
Filing date: 1998-05-26
Publication date: 1999-12-10
Anticipated expiration: 2018-05-26
Also published as: JP4126753B2

Abstract

(57)【要約】【課題】高電気容量絶縁層の電気容量を更に向上する
ことができる多層板を提供する。【解決手段】第一導体層３と第二導体層４の間にシア
ノ基を側鎖に有するポリマーを含有する高電気容量絶縁
層２を形成する。第一導体層３、第二導体層４、及び高
電気容量絶縁層２にてコンデンサが形成される。この多
層板１にデジタルＩＣ等の電子部品の電源側に接続する
リードを多層板１の第一導体層３に、デジタルＩＣ等の
電子部品の接地側のリードを多層板１の第二導体層４に
それぞれ接続するように搭載すると、誤作動やノイズを
防止する。シアノ基を側鎖に有するポリマーが配合され
た高電気容量絶縁層２にて第一導体層３、第二導体層
４、及び高電気容量絶縁層２にて形成されるコンデンサ
の電気容量を向上することができ、多層板１に搭載され
たデジタルＩＣ等の電子部品の誤作動やノイズの防止の
効果を優れたものとすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気機器用配線板
に有用な多層板に関するものであり、さらに詳しくは、
高速信号処理用配線板として有用で、かつ電源用配線基
板としてコンデンサ機能を具備させることができる多機
能な多層板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】精密機器，電子計算機，通信機器等に用
いられる配線板においては、演算処理速度の高速化及び
回路の高密度化への要請が高まっており、これらの要請
に対応するために配線板の多層化が急速に進んでいる。
従来このような多層板には、その構成要素となる樹脂と
して、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、低誘電率樹脂で
あるフッ素樹脂、あるいはポリブタジエン樹脂等が用い
られており、その特性改善努力も精力的に進められてい
る。また一方、配線板の実装技術においては、従来から
デジタルＩＣ等の電子部品を搭載する場合において、誤
作動やノイズ防止のために多量のコンデンサをデジタル
ＩＣ等の電子部品の各ピンに取りつけ、電源安定化のた
めのローパスフィルタを形成しているが、高密度実装化
及び信号速度向上によりこのコンデンサについても小型
化、低インダクタンス化への改良が進められている。

【０００３】しかしコンデンサの配線板への取り付け
は、高密度実装が必要となっている配線板に余分な取り
付け面積を確保しなければならないものであり、部品点
数やその取り付けコストの削減を行うことが困難とな
り、更にコンデンサの取り付けのために形成したリード
回路の浮遊容量が、新たなノイズを発生させる原因にな
っていた。また高速信号処理基板では、部品間を結ぶ結
線もインダクタンスとして働くようになるため、輻射ノ
イズの発生の原因となっていた。

【０００４】このような事情から従来ノイズ防止用に多
量に取りつけていたコンデンサを不要にするために電源
層と接地層の間に、エポキシ樹脂に無機充填剤を配合し
た樹脂組成物をガラスクロスに含浸させて形成した高電
気容量絶縁層を設けた多層板が提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし上記のような従
来の高電気容量絶縁層を設けた多層板では、高電気容量
絶縁層中に配合された樹脂自体の誘電率が低く、無機充
填剤を配合しても高電気容量絶縁層の電気容量を充分に
高くすることができなかった。

【０００６】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、高電気容量絶縁層の電気容量を更に向上すること
ができる多層板を提供することを目的とするものであ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の多層板は、第一導体層３と第二導体層４の間にシアノ
基を側鎖に有するポリマーを含有する高電気容量絶縁層
２を形成して成ることを特徴とするものである。

【０００８】また本発明の請求項２に記載の多層板は、
請求項１の構成に加えて、記高電気容量絶縁層に高誘電
率無機充填剤を含有させて成ることを特徴とするもので
ある。

【０００９】また本発明の請求項３に記載の多層板は、
請求項１又は２の構成に加えて、上記高誘電率無機充填
剤として、チタン酸ジルコン酸ナトリウム系セラミッ
ク、二酸化チタン系セラミック、チタン酸バリウム系セ
ラミック、チタン酸鉛系セラミック、チタン酸ストロン
チウム系セラミック、チタン酸カルシウム系セラミッ
ク、チタン酸ビスマス系セラミック、チタン酸マグネシ
ウム系セラミック、及びジルコン酸系セラミックからな
る群の中から選択された少なくとも一種のものを用いて
成ることを特徴とするものである。

【００１０】また本発明の請求項４に記載の多層板は、
請求項１乃至３のいずれかの構成に加えて、シアノ基を
側鎖に有するポリマーが配合された樹脂組成物を金属箔
８に塗工して樹脂付き金属箔１０を形成し、樹脂付き金
属箔１０の樹脂層９を加熱硬化させて上記高電気容量絶
縁層２を形成して成ることを特徴とするものである。

【００１１】また本発明の請求項５に記載の多層板は、
請求項１乃至４のいずれかの構成に加えて、シアノ基を
側鎖に有するポリマーが配合された樹脂組成物を金属箔
８に塗工して樹脂付き金属箔１０を形成し、一対の樹脂
付き金属箔１０，１０を樹脂層９，９同士が重なるよう
に積層し、これを加熱加圧成形することによって樹脂付
き金属箔１０，１０の樹脂層９，９を加熱硬化させて高
電気容量絶縁層２を形成して成ることを特徴とするもの
である。

【００１２】また本発明の請求項６に記載の多層板は、
請求項１乃至４のいずれかの構成に加えて、シアノ基を
側鎖に有するポリマーが配合された樹脂組成物を金属箔
８に塗工することにより形成された樹脂付き金属箔１０
と、エポキシ樹脂と高誘電率無機充填剤が配合された樹
脂組成物を金属箔８に塗工することにより形成された樹
脂付き金属箔１１とを、樹脂層９，１２同士が重なるよ
うにして積層し、これを加熱加圧成形することによって
樹脂付き金属箔１０，１１の樹脂層９，１２を加熱硬化
させて高電気容量絶縁層２を形成して成ることを特徴と
するものである。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。

【００１４】本発明においては、高電気容量絶縁層２
を、シアノ基を側鎖に有するポリマーが配合された樹脂
組成物を硬化させることによって形成するものである。
ここで高電気容量絶縁層２は電気容量が５０ｐＦ／ｃｍ
²〜３００ｎＦ／ｃｍ²の範囲となるように形成すること
が好ましい。このシアノ基を側鎖に有するポリマーとし
ては、例えば下記（１）に示す構造を繰り返し単位とす
る、シアノエチルヒドロキシエチルセルロースや、下記
一般式（２）に示すシアノエチルブルラン等を用いるこ
とができる。

【００１５】

【化１】また上記のシアノ基を側鎖に有するポリマーが配合され
た樹脂組成物には、比誘電率が８〜１７０００の高誘電
率無機充填剤を配合することができる。ここで高誘電率
無機充填剤としては、チタン酸ジルコン酸ナトリウム系
セラミック、二酸化チタン系セラミック、チタン酸バリ
ウム系セラミック、チタン酸鉛系セラミック、チタン酸
ストロンチウム系セラミック、チタン酸カルシウム系セ
ラミック、チタン酸ビスマス系セラミック、チタン酸マ
グネシウム系セラミック、ジルコン酸系セラミック等を
用いることができ、これらのものを単独で用いる他、二
種以上を適宜組み合わせて用いることもできる。ここで
高誘電率無機充填剤は、シアノ基を側鎖に有するポリマ
ー１００重量部に対して、１００〜９００重量部の範囲
で配合することが好ましい。

【００１６】またこの樹脂組成物は、シクロヘキサノ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトニトリル等
の溶剤を配合して希釈することもできる。この場合、上
記のシアノ基を側鎖に有するポリマー１００重量部に対
して、溶剤を１００〜９００重量部配合して、樹脂組成
物の粘度を２００ｃｐｓ〜１０００ｃｐｓとすることが
好ましい。

【００１７】上記のような樹脂組成物にて高電気容量絶
縁層２を形成するにあたっては、上記の樹脂組成物を金
属箔８に塗工して樹脂層９を形成した図３（ａ）に示す
ような樹脂付き金属箔１０を用いて多層板１を作製する
ことにより、多層板１中に高電気容量絶縁層２を形成す
ることができる。

【００１８】樹脂付き金属箔１０を形成する際に用いる
金属箔８としては、銅、アルミニウム、真鍮、ニッケ
ル、鉄等を材料とする金属箔８の他、これらの金属の合
金箔や複合箔を用いることができる。この金属箔８の厚
みは、５〜１５０μｍの範囲とすることが好ましく、ま
た必要に応じて表面粗化の処理や接着剤塗工の処理を行
うことができる。また樹脂付き金属箔１０の樹脂層９の
厚みは５〜２５０μｍの範囲とすることが好ましく、必
要とされるコンデンサ容量に応じて適切な厚みを選択す
るものである。特に電気容量を向上するためには、樹脂
層９の厚みを薄く形成することが好ましい。

【００１９】多層板１を作製するにあたっては、例え
ば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を
加熱硬化させてなる樹脂層と、銅箔等の金属箔からなる
導電層によって構成され、必要に応じてエッチング処理
やバイアホール加工を施して回路を形成した内層材を用
意する。次に上記の樹脂付き金属箔１０を、樹脂層９が
内層材側に面するように内層材に重ね、加熱加圧成形し
て一体化させる。更に必要に応じてエッチング処理やス
ルーホール加工を施して回路形成を行うことにより、多
層板１を作製する。またこの多層板１をコア材とし、こ
れにプリプレグ、銅箔等の金属箔、樹脂付き金属箔、金
属箔張積層板等を重ね、加熱加圧成形することによって
一体化させ、必要に応じてエッチング処理やスルーホー
ル加工を施すことにより、多層板１を作製することもで
きる。このようにして多層板１０を作製すると、内層材
の導電層からなる層と樹脂付き金属箔１０の金属箔９か
らなる層を、一方を電源層となる第一導体層３、他方を
接地層となる第二導体層４として形成し、この第一導体
層３と第二導体層４との間に、高電気容量絶縁層２を形
成することができる。ここで電源層及び接地層は、多層
板の外部の電源ラインに接続されるものである。

【００２０】また図３（ａ）、（ｂ）に示すように、上
記のような樹脂付き金属箔１０を二枚用い、これらの樹
脂付き金属箔１０を、樹脂層９同士が重なるように積層
したものを加熱加圧成形することによって一体化させ、
必要に応じてエッチング処理やバイアホール加工を施す
ことにより内層基板７を作製することもできる。このよ
うにすると、樹脂付き金属箔１０の金属箔８からなる層
の一方を第一導体層３、他方を第二導体層４として形成
し、第一導体層３と第二導体層４の間に高電気容量絶縁
層２を形成することができる。そしてこのような内層基
板７をコア材とし、これにプリプレグ、銅箔等の金属
箔、樹脂付き金属箔、金属箔張積層板等を重ね、加熱加
圧成形することによって一体化させ、必要に応じてエッ
チング処理やスルーホール加工を施すことにより、多層
板１を作製することができる。

【００２１】また内層基板７を作製する際に用いる樹脂
付き金属箔として、シアノ基を側鎖に有するポリマーが
配合された樹脂組成物を金属箔８に塗工して樹脂層９を
形成することにより作製した樹脂付き金属箔１０と、エ
ポキシ樹脂と高誘電率無機充填材を配合して誘電率を向
上させた樹脂組成物を金属箔８に塗布することにより樹
脂層１２を形成して作製した樹脂付き金属箔１１とを用
意しても良い。ここで、エポキシ樹脂としては、例えば
臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（東都化成製、
「ＹＤＢ−５００」）４００重量部、クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂（東都化成製、「ＹＤＣＮ−７０
１」）４４重量部、ジシアンジアミド４０．５重量部、
２−エチル−４−メチルイミダゾール０．４４重量部を
配合したものを用いることができる。この場合はこの二
種類の樹脂付き金属箔１０、１１を、樹脂層９、１２同
士が重なるように積層し、加熱加圧成形することによっ
て一体化させ、必要に応じてエッチング処理やバイアホ
ール加工を施すことにより内層基板７を作製する。この
ようにすると、二種類の樹脂付き金属箔１０、１１の金
属箔８からなる層の一方を第一導体層３、他方を第二導
電４として形成し、第一導体層３と第二導体層４の間に
高電気容量絶縁層２を形成することができる。そしてこ
のような内層基板７をコア材とし、これにプリプレグ、
銅箔等の金属箔、樹脂付き金属箔、金属箔張積層板等を
重ね、加熱加圧成形することによって一体化させ、必要
に応じてエッチング処理やスルーホール加工を施すこと
により、多層板１を作製することができる。

【００２２】図１は、上記のようにして作製される多層
板１の一例を示すものである。この図１に示す多層板１
では、シアノ基を側鎖に有するポリマーが配合された樹
脂組成物を硬化させることによって形成された高電気容
量絶縁層２の両面に、必要に応じて回路形成された金属
箔からなる第一導体層３と第二導体層４が形成されてお
り、更にその第一導体層３及び第二導体層４の外側に、
エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を硬化
させることによって形成された低電気容量層６が形成さ
れている。そして更に低電気容量層６の外側には、金属
箔等からなる回路５が形成されている。また更に必要に
応じて所定の位置にスルーホール加工（図示せず）が施
されている。

【００２３】図２に、本発明の多層板１にデジタルＩＣ
等の電子部品１３を搭載したものを示す。この図２に示
すものでは、多層板１に、電子部品１３の電源側のリー
ド１４と接地側のリード１５にそれぞれ電気的に接続さ
れるスルーホール１６、１７を形成し、スルーホール１
６、１７の内壁にはめっき処理等により導電層１８を形
成している。また多層板１に搭載されている電子部品１
３の、電源側のリード１４と、接地側のリード１５は、
それぞれ多層板１の回路５に半田付け等により電気的に
接続され、回路５を介してスルーホール内壁１６、１７
の導電層１８に電気的に接続されている。

【００２４】ここで電源側のリード１４は、スルーホー
ル１６の導電層１８を介して第一導電体３に電気的に接
続させると共に、第二導電体４とは電気的に絶縁させ、
また接地側のリード１５はスルーホール１７の導電層１
８を介して第二導電体と電気的に接続させると共に、第
一導電体３とは電気的に絶縁させる。そのためには例え
ば図２に示すように、第一導体層３の、接地側のリード
１４と電気的に接続するスルーホール１７の周辺部に相
当する部分をあらかじめエッチング処理等により取り除
くと共に、第二導体層４の、電源側のリード１４に接続
されるスルーホール１６の周辺部に相当する部分も同様
にエッチング処理等により取り除いておくものである。

【００２５】上記のようにして多層板１中において、第
一導体層３と第二導体層４の間に高電気容量絶縁層２を
形成すると、第一導体層３、第二導体層４、及び高電気
容量絶縁層２にてコンデンサが形成される。そしてこの
多層板１にデジタルＩＣ等の電子部品１３の電源側に接
続するリードを多層板１の電源層である第一導体層３
に、デジタルＩＣ等の電子部品１３の接地側に接続する
リードを多層板１の接地層である第二導体層４にそれぞ
れ接続するように搭載すると、誤作動やノイズを防止す
ることができるものであり、このとき多量のコンデンサ
多層板１に実装すると共にデジタルＩＣ等の電子部品１
３の各ピンに取りつけるような必要がないので、コンデ
ンサのための余分な取り付け面積を確保する必要がな
く、回路の高密度化を達成することができるものであ
る。

【００２６】また従来のようにチップコンデンサを介し
て電流供給を行う場合にはチップコンデンサと電子部品
とをつなぐ経路が長くなってこの経路がインダクタンス
として働き、輻射ノイズの発生の原因となっていていた
のに対して、電子部品１３への電流供給は多層板の内層
に構成される第一導体層３、第二導体層４、及び高電気
容量絶縁層２にて構成されるコンデンサを介して行うこ
とができるため、電子部品１３とコンデンサとの経路を
短くすることができ、高速信号処理基板においても輻射
ノイズの発生を抑制することができるものである。

【００２７】またシアノ基を側鎖に有するポリマーが配
合された高電気容量絶縁層２を用いているので、第一導
体層３、第二導体層４、及び高電気容量絶縁層２にて形
成されるコンデンサの電気容量を向上することができ、
多層板１に搭載されたデジタルＩＣ等の電子部品１３の
誤作動やノイズの防止の効果を優れたものとすることが
できる。特にシアノ基を側鎖に有するポリマーと高誘電
率無機充填剤が配合された樹脂組成物にて高電気容量絶
縁層２を形成すると、第一導体層３、第二導体層４、及
び高電気容量絶縁層２にて形成されるコンデンサの電気
容量を著しく向上することができ、多層板１に搭載され
たデジタルＩＣ等の電子部品１３の誤作動やノイズの防
止の効果を更に優れたものとすることができる。

【００２８】

【実施例】以下、本発明を実施例によって詳述する。（実施例１）厚み１８μｍの銅箔８に、シアノ基を側鎖
に有するポリマー（信越化学工業（株）製、「シアノレ
ジンＣＲ−Ｓ」）のみからなる樹脂組成物を塗工して
５０μｍの樹脂層９を形成した２枚の樹脂付き銅箔１０
を、図４（ａ）のように樹脂層９同士が重なるように積
層し、１７５℃、３０ｋｇ／ｃｍ²の条件で２０分間加
熱加圧成形を行った。さらにエッチング処理及びバイア
ホール加工を施して回路形成を行い、内層基板７を作製
した。

【００２９】この内層基板７の両側に、図４（ｂ）のよ
うに、・臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当
量５００、東都化成製、「ＹＤＢ−５００」）４００
重量部・クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量
２２０、東都化成製、「ＹＤＣＮ−７０１」）４４重
量部・ジシアンジアミド１０．５重量部・２―エチル−４メチルイミダゾール０．４４重量部の組成からなるエポキシ樹脂組成物を、ガラスクロスに
含浸・乾燥させて得られる厚み０．１ｍｍのプリプレグ
２２を重ねた。更にその両側に、１８μｍの銅箔８に上
記の組成のエポキシ樹脂組成物を塗工して厚み０．１ｍ
ｍの樹脂層２０を形成した樹脂付き銅箔２１を、樹脂層
２０がプリプレグ２２と重なるように積層した。このも
のを１７０℃、２０ｋｇ／ｃｍ²の条件で２０分間加熱
加圧成形を行って、多層板１を作製した。この多層板１
にエッチング処理及びスルーホール加工を施して回路形
成を行った。（実施例２）厚み１８μｍの銅箔８に、シアノ基を側鎖
に有するポリマー（信越化学工業（株）製、「シアノレ
ジンＣＲ−Ｓ」）１００重量部及び酸化チタン１００
重量部からなる樹脂組成物を塗工して５０μｍの樹脂層
９を形成した２枚の樹脂付き銅箔１０を、図４（ａ）の
ように樹脂層９同士が重なるように積層し、１７５℃、
３０ｋｇ／ｃｍ²の条件で２０分間加熱加圧成形を行っ
た。さらにエッチング処理及びバイアホール加工を施し
て回路形成を行い、内層基板７を作製した。

【００３０】この内層基板７の両側に、図４（ｂ）のよ
うに実施例１と同様のエポキシ樹脂組成物を、ガラスク
ロスに含浸乾燥させて得られる厚み０．１ｍｍのプリプ
レグ２２を重ねた。更にその両側に、１８μｍの銅箔８
に上記の組成のエポキシ樹脂組成物を塗工して厚み０．
１ｍｍの樹脂層２０を形成した樹脂付き銅箔２１を、樹
脂層２０がプリプレグ２２と重なるように積層した。こ
のものを１７０℃、２０ｋｇ／ｃｍ²の条件で２０分間
加熱加圧成形を行って、多層板１を作製した。この多層
板１にエッチング処理及びスルーホール加工を施して回
路形成を行った。（実施例３）実施例１と同様のエポキシ樹脂組成物を、
ガラスクロスに含浸乾燥させて得られる厚み０．１ｍｍ
のプリプレグを２枚積層すると共にその両側に厚み１８
μｍの銅箔８を積層し、１７５℃、３０ｋｇ／ｃｍ²の
条件で２０分間加圧成形を行って、図５（ａ）に示すよ
うに一対の銅箔８の間に低電気容量絶縁層６を形成し、
更に片側の銅箔にエッチング処理を施すことによって、
図５（ｂ）に示すような内層材２３を作製した。一方厚
み１８μｍの銅箔８に、シアノ基を側鎖に有するポリマ
ー（信越化学工業（株）製、「シアノレジンＣＲ−
Ｓ」）のみからなる樹脂組成物を塗工して厚み５０μｍ
の樹脂層９を形成した樹脂付き銅箔１０を作製した。次
に図５（ｃ）に示すように樹脂付き銅箔１０の樹脂層９
を内層材２３のエッチングを施した銅箔８に重ねるよう
に樹脂付き銅箔１０と内層材２３を積層し、１７５℃、
３０ｋｇ／ｃｍ²の条件で２０分間加圧成形を行い、一
体成形すると共に、シアノ基を側鎖に有するポリマーか
らなる樹脂組成物を加熱硬化して高電気容量層２を形成
した。更に図５（ｄ）のように内層材２３側の銅箔８に
エッチング処理を施すと共にバイアホール加工を施して
回路形成を行って、内層基板７を作製した。そして図５
（ｅ）のように、この内層基板７に、実施例１と同様の
エポキシ樹脂組成物を、ガラスクロスに含浸乾燥させて
得られる厚み０．１ｍｍのプリプレグ２２を重ね、更に
１８μｍの銅箔８に上記の組成のエポキシ樹脂組成物を
塗工して厚み０．１ｍｍの樹脂層２０を形成した樹脂付
き銅箔２１（（株）松下電工製、「Ｒ１７６１」）を、
このプリプレグ２２の外面に、樹脂層２０がプリプレグ
２２と重なるように積層したものを、１７０℃、２０ｋ
ｇ／ｃｍ²の条件で２０分間加熱加圧成形を行って、多
層板１を作製した。この多層板に図５（ｆ）に示すよう
に、エッチング処理及びスルーホール加工を施して回路
形成を行った。

【００３１】このようにして、高電気容量絶縁層２の両
面に、回路形成された金属箔からなる第一導体層３と第
二導体層４が形成され、更にその第一導体層３及び第二
導体層４の外側に、エポキシ樹脂組成物を硬化させるこ
とによって形成された低電気容量層６が形成され、そし
て更に低電気容量層６の外側には、金属箔等からなる回
路５が形成された多層板１を作製した。（実施例４）厚み１８μｍの銅箔８に、シアノ基を側鎖
に有するポリマー（信越化学工業（株）製、「シアノレ
ジンＣＲ−Ｓ」）１００重量部及び酸化チタン１００
重量部からなる樹脂組成物を塗工して５０μｍの樹脂層
９を形成した樹脂付き銅箔１０と、厚み１８μｍの銅箔
８に、実施例１のエポキシ樹脂組成物１００重量部に酸
化チタンを１５０重量部配合した酸化チタン含有エポキ
シ樹脂組成物を塗工して５０μｍの樹脂層１２を形成し
た樹脂付き銅箔１１とを、図４（ａ）に示すように樹脂
層９、１２同士が重なるように積層し、１７５℃、３０
ｋｇ／ｃｍ²の条件で２０分間加熱加圧成形を行った。
さらにエッチング処理及びバイアホール加工を施して回
路形成を行い、内層基板７を作製した。

【００３２】この内層基板７の両側に、図４（ｂ）のよ
うに実施例１と同様のエポキシ樹脂組成物を、ガラスク
ロスに含浸乾燥させて得られる厚み０．１ｍｍのプリプ
レグを重ね、更にその両側に、１８μｍの銅箔に上記の
組成のエポキシ樹脂組成物を塗工して厚み０．１ｍｍの
樹脂層を形成した樹脂付き銅箔を、樹脂層がプリプレグ
と重なるように積層し、１７０℃、２０ｋｇ／ｃｍ²の
条件で２０分間加熱加圧成形を行って、多層板１を作製
した。この多層板１にエッチング処理及びスルーホール
加工を施して回路形成を行った。（比較例）実施例１と同様のエポキシ樹脂組成物を、ガ
ラスクロスに含浸乾燥させて得られる厚み０．１ｍｍの
プリプレグを２枚積層し、その両側に厚み１８μｍの銅
箔８を積層したものを、１７５℃、３０ｋｇ／ｃｍ²の
条件で２０分間加熱加圧成形した。さらにエッチング処
理及びバイアホール加工を施して回路形成を行い、内層
基板７を作製した。この内層基板７の両側に上記と同様
の組成からなるエポキシ樹脂組成物を、ガラスクロスに
含浸乾燥させて得られる厚み０．１ｍｍのプリプレグを
重ね、更にその両側に、１８μｍの銅箔に上記の組成の
エポキシ樹脂組成物を塗工して厚み０．１ｍｍの樹脂層
を形成した樹脂付き銅箔を、樹脂層がプリプレグと重な
るように積層し、１７０℃、２０ｋｇ／ｃｍ²の条件で
２０分間加熱加圧成形を行って、多層板１を作製した。
この多層板１にエッチング処理及びスルーホール加工を
施して回路形成を行った。

【００３３】このようにして図６に示すような、エポキ
シ樹脂組成物を硬化させることによって形成された低電
気容量絶縁層６の両面に、回路形成された金属箔からな
る第一導体層３と第二導体層４が形成され、更にその第
一導体層３及び第二導体層４の外側に、エポキシ樹脂組
成物を硬化させることによって形成された低電気容量層
６が形成され、そして更に低電気容量層６の外側には、
金属箔等からなる回路５が形成された多層板１´を作製
した。

【００３４】上記のような各実施例及び比較例の多層板
について、電源電圧のゆらぎ、信号波形のみだれ、及び
輻射ノイズを評価した。ここで電源電圧及び信号波形は
オシロスコープにて測定した。また輻射ノイズは、入力
信号の周波数を１６ＭＨｚとし、測定対象から３ｍ離れ
た位置に設置したアンテナにて輻射ノイズの３００ＭＨ
ｚ〜１ＧＨｚの範囲の垂直偏波成分を検出し、その平均
値にて評価した。

【００３５】以上の評価結果を表１に示す。

【００３６】

【表１】表１から判るように、比較例１と比べて実施例１〜４で
は、電源電圧の変動値が小さく、かつ、輻射ノイズが低
減したことが確認できた。また信号波形のみだれは観測
されなかった。

【００３７】

【発明の効果】上記のように本発明の請求項１に記載の
多層板は、第一導体層と第二導体層の間にシアノ基を側
鎖に有するポリマーを含有する高電気容量絶縁層を形成
したため、第一導体層、第二導体層、及び高電気容量絶
縁層にてコンデンサを形成することができ、この多層板
にデジタルＩＣ等の電子部品の電源側に接続するリード
を多層板の導電層に、デジタルＩＣ等の電子部品の接地
側に接続するリードを多層板の第二導体層にそれぞれ接
続するように搭載すると、誤作動やノイズを防止するこ
とができるものであり、このとき多量のコンデンサを多
層板に実装すると共にデジタルＩＣ等の電子部品の各ピ
ンに取りつけるような必要がないので、コンデンサのた
めの余分な取り付け面積を確保する必要がなく、回路の
高密度化を達成することができるものである。また電子
部品への電流供給は多層板の内層に構成される第一導体
層、第二導体層、及び高電気容量絶縁層にて構成される
コンデンサを介して行うことができ、電子部品とコンデ
ンサとの経路を短くすることができて、高速信号処理基
板においても輻射ノイズの発生を抑制することができる
ものである。またシアノ基を側鎖に有するポリマーが配
合された高電気容量絶縁層にて電源層、接地層、及び高
電気容量絶縁層にて形成されるコンデンサの電気容量を
向上することができ、多層板に搭載されたデジタルＩＣ
等の電子部品の誤作動やノイズの防止の効果を優れたも
のとすることができるものである。

【００３８】また本発明の請求項２に記載の多層板は、
上記高電気容量絶縁層に高誘電率無機充填剤を含有させ
ため、第一導体層、第二導体層、及び高電気容量絶縁層
にて形成されるコンデンサの電気容量を著しく向上する
ことができ、多層板に搭載されたデジタルＩＣ等の電子
部品の誤作動やノイズの防止の効果を更に優れたものと
することができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の一例を示す断面図であ
る。

【図２】本発明の多層板に電子部品を搭載した様子を示
す断面図である。

【図３】（ａ）、（ｂ）は、本発明の多層板の製造に用
いる内層基板の製造工程の一例を示す正面図である。

【図４】（ａ）、（ｂ）は、本発明の多層板の製造工程
の一例を示す断面図である。

【図５】（ａ）乃至（ｆ）は、本発明の多層板の製造工
程の他の例を示す断面図である。

【図６】比較例の多層板を示す断面図である。

【符号の説明】

１多層板２高電気容量絶縁層３第一導体層４第二導体層７内層基板８金属箔９樹脂層１０樹脂付き金属箔１１樹脂付き金属箔１２樹脂層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第一導体層と第二導体層の間にシアノ基
を側鎖に有するポリマーを含有する高電気容量絶縁層を
形成して成ることを特徴とする多層板。
【請求項２】上記高電気容量絶縁層に高誘電率無機充
填剤を含有させて成ることを特徴とする請求項１に記載
の多層板。
【請求項３】上記高誘電率無機充填剤として、チタン
酸ジルコン酸ナトリウム系セラミック、二酸化チタン系
セラミック、チタン酸バリウム系セラミック、チタン酸
鉛系セラミック、チタン酸ストロンチウム系セラミッ
ク、チタン酸カルシウム系セラミック、チタン酸ビスマ
ス系セラミック、チタン酸マグネシウム系セラミック、
及びジルコン酸系セラミックからなる群の中から選択さ
れた少なくとも一種のものを用いて成ることを特徴とす
る請求項１又は２に記載の多層板。
【請求項４】シアノ基を側鎖に有するポリマーが配合
された樹脂組成物を金属箔に塗工して樹脂付き金属箔を
形成し、樹脂付き金属箔の樹脂層を加熱硬化させて上記
高電気容量絶縁層を形成して成ることを特徴とする請求
項１乃至３のいずれかに記載の多層板。
【請求項５】シアノ基を側鎖に有するポリマーが配合
された樹脂組成物を金属箔に塗工して樹脂付き金属箔を
形成し、一対の樹脂付き金属箔を樹脂層同士が重なるよ
うに積層し、これを加熱加圧成形することによって樹脂
付き金属箔の樹脂層を加熱硬化させて高電気容量絶縁層
を形成して成ることを特徴とする請求項１乃至４のいず
れかに記載の多層板。
【請求項６】シアノ基を側鎖に有するポリマーが配合
された樹脂組成物を金属箔に塗工することにより形成さ
れた樹脂付き金属箔と、エポキシ樹脂と高誘電率無機充
填剤が配合された樹脂組成物を金属箔に塗工することに
より形成された樹脂付き金属箔とを、樹脂層同士が重な
るようにして積層し、これを加熱加圧成形することによ
って樹脂付き金属箔の樹脂層を加熱硬化させて高電気容
量絶縁層を形成して成ることを特徴とする請求項１乃至
４のいずれかに記載の多層板。