CN206835472U - 部件内置基板 - Google Patents

部件内置基板 Download PDF

Info

Publication number
CN206835472U
CN206835472U CN201590000888.7U CN201590000888U CN206835472U CN 206835472 U CN206835472 U CN 206835472U CN 201590000888 U CN201590000888 U CN 201590000888U CN 206835472 U CN206835472 U CN 206835472U
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductor
build
components
built
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201590000888.7U
Other languages
English (en)
Inventor
多胡茂
品川博史
足立登志郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN206835472U publication Critical patent/CN206835472U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/04—Analysing solids
    • G01N29/043—Analysing solids in the interior, e.g. by shear waves
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/04—Analysing solids
    • G01N29/11—Analysing solids by measuring attenuation of acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5383—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5384—Conductive vias through the substrate with or without pins, e.g. buried coaxial conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
    • H05K1/0269—Marks, test patterns or identification means for visual or optical inspection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/01—Indexing codes associated with the measuring variable
    • G01N2291/015—Attenuation, scattering
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/04—Wave modes and trajectories
    • G01N2291/048—Transmission, i.e. analysed material between transmitter and receiver
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/26—Scanned objects
    • G01N2291/269—Various geometry objects
    • G01N2291/2697—Wafer or (micro)electronic parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06517—Bump or bump-like direct electrical connections from device to substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06548—Conductive via connections through the substrate, container, or encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5386—Geometry or layout of the interconnection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3512—Cracking
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/0285—Using ultrasound, e.g. for cleaning, soldering or wet treatment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

本实用新型提供一种即使将面状导体设置为覆盖内置部件也能够从该面状导体一侧非破坏地精度良好地对内部构造进行检查的部件内置基板以及基板探伤法。部件内置基板(1)具备：将多个绝缘层(21～26)层叠的层叠体(2)；内置于所述层叠体(2)的内置部件(3)；和在相对于所述内置部件(3)的所述层叠方向的一侧设置于所述层叠体(2)以使得与所述内置部件(3)重叠的面状导体(14、15)，在所述面状导体(14、15)设置多个开口(16)，所述多个开口(16)被配置为在从所述层叠方向透视的情况下，遍及所述内置部件所位于的区域的大致整个区域地与所述内置部件(3)重叠。

Description

部件内置基板
技术领域
本实用新型涉及非破坏地对具有内置部件的部件内置基板的内部构造进行检查的技术。特别地，涉及适合于非破坏地对基板内部的裂缝等进行检查的构成的部件内置基板以及基板探伤法。
背景技术
以往，在部件内置基板中，存在进行对内置部件或其周围的裂缝的有无等进行检查的基板探伤法的情况。
此外，在现有的部件内置基板中，为了去除从IC芯片等内置部件产生的电磁噪声，或者防止来自外部的电磁噪声对内置部件造成影响，存在将内置部件电磁屏蔽的情况(例如参照专利文献1)。在专利文献1的部件内置基板中，通过将金属膜设置为覆盖内置IC部件，来将内置IC部件电磁屏蔽。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-134669号公报
实用新型内容
-实用新型要解决的课题-
在专利文献1的部件内置基板中，由于内置IC部件的顶面侧被金属膜电磁屏蔽，因此认为即使要从内置IC部件的顶面侧检查裂缝的有无等，使用了超声波、X射线、红外线等的非破坏检查也被屏蔽电极阻碍。因此，本实用新型提供一种即使将面状导体设置为覆盖内置部件也能够非破坏地且高精度地从该面状导体侧检查内部构造的部件内置基板以及基板探伤法。
-解决课题的手段-
本实用新型所涉及的部件内置基板具备：层叠体，在层叠方向上层叠多个绝缘层；内置部件，内置于所述层叠体；面状导体，在相对于所述内置部件的所述层叠方向的一侧设置于所述层叠体以使得与所述内置部件重叠；和1个以上的导体，在相对于所述内置部件的所述层叠方向的一侧，与设置于所述层叠体的所述面状导体不同，在所述面状导体设置多个开口，所述多个开口被配置为在从所述层叠方向透视的情况下，遍及所述内置部件所位于的区域的大致整个区域地与所述内置部件重叠，在从所述层叠方向透视的情况下，所述多个开口至少具有在所述层叠方向的一侧，相对于与所述面状导体不同的1个以上的导体的全部不重叠的部分。
根据该构成，通过与内置部件重叠的面状导体具有多个开口，从而从层叠方向的一侧传送的超声波、X射线、红外线等探伤波容易经由开口通过面状导体，传送到内置部件以及其周围。因此，能够非破坏地精度良好地检查部件内置基板的内部构造。
此外，根据该构成，能够防止向内置部件以及其周围传送的探伤波被导体遮挡。
优选所述导体包含线路状导体，所述线路状导体在从所述层叠方向透视的情况下，在所述层叠方向上与所述内置部件以及所述面状导体重叠并且绕过所述开口而延伸。由此，能够防止线路状导体遮挡超声波向内置部件以及其周围的传送。
优选所述面状导体与接地电位连接。该构成特别适合所述内置部件包含有源元件的情况。这样，能够通过面状导体将内置部件电磁屏蔽。并且，即使是内置部件为噪声源的有源元件，也能够通过面状导体防止电磁噪声泄漏到外部。
优选所述多个开口被规则排列地设置于所述面状导体。例如，所述面状导体在从所述层叠方向透视所述层叠体的情况下，也可以是网眼状或者格子状。由此，超声波经由相对于内置部件以及其周围的广泛范围分散配置的开口而传送，因此能够以均衡的精度进行裂缝的有无的检查。
优选所述面状导体被设置多个，多个所述面状导体相对于所述内置部件被设置于所述层叠方向的一侧以及另一侧这两侧。由此，能够将内置部件的层叠方向的一侧和另一个分别电磁屏蔽。
此外，本实用新型所涉及的基板探伤法优选针对所述的部件内置基板，从层叠方向的一侧发送超声波，接收经由所述部件内置基板而传送的超声波，基于接收到的该超声波的强度，得到所述部件内置基板的内部构造的信息。
-实用新型效果-
根据本实用新型，即使设置与内置部件重叠的面状导体，超声波也能够经由设置于面状导体的多个开口而通过面状导体，因此能够使用超声波来精度良好地进行内置部件以及其周围的裂缝的有无的检查。
附图说明
图1是表示本实用新型的实施方式所涉及的部件内置基板的主要部分的图，其中图1(A)是表示具备本实用新型的实施方式所涉及的部件内置基板1的模块部件9的主要部分的透视俯视图，图1(B)是表示具备本实用新型的实施方式所涉及的部件内置基板1的模块部件9的主要部分的侧面剖视图。。
图2是本实用新型的实施方式所涉及的部件内置基板具备的每个绝缘层的分解俯视图，其中图2(A)是从顶面11侧观察绝缘层21的俯视图，图2(B)是从顶面11侧观察绝缘层22的俯视图，图2(C)是从顶面11 侧来观察绝缘层23的俯视图，图2(D)是从顶面11侧观察绝缘层24的俯视图，图2(E)是从顶面11侧观察绝缘层25的俯视图，图2(F)是从顶面11侧观察绝缘层26的俯视图。
图3是表示针对本实用新型的实施方式所涉及的部件内置基板的基板探伤法的第1应用例的示意性的侧视图。
图4是表示针对本实用新型的实施方式所涉及的部件内置基板的基板探伤法的第2应用例的示意性的侧视图。
图5是表示本实用新型的实施方式所涉及的屏蔽电极的变形例的俯视图，图5(A)是表示第1变形例所涉及的面状导体14A的图，图5(B) 是表示第2变形例所涉及的面状导体14B的图，图5(C)是表示第3变形例所涉及的面状导体14C的图。
具体实施方式
以下，对本实用新型的实施方式所涉及的部件内置基板进行说明。
图1(A)是表示具备本实用新型的实施方式所涉及的部件内置基板1 的模块部件9的主要部分的透视俯视图。图1(B)是表示具备本实用新型的实施方式所涉及的部件内置基板1的模块部件9的主要部分的侧面剖视图。
模块部件9具备部件内置基板1和表面安装部件8。部件内置基板1 是厚度方向较薄的平板状，具有相对于厚度方向垂直的顶面11和底面12。表面安装部件8被表面安装于部件内置基板1的顶面11。另外，这里，表面安装部件8是滤波器部件。
此外，部件内置基板1具备：层叠体2、内置部件3、屏蔽电极4、布线部5、部件连接部6和外部连接部7。层叠体2是由绝缘性陶瓷或绝缘性树脂构成的厚度方向较薄的平板，是将厚度方向设为层叠方向来将合计 6层的绝缘层21、22、23、24、25、26层叠而成的。内置部件3被内置设置于层叠体2。另外，这里，内置部件3是进一步内置有源元件所构成的振荡电路13和其周边电路而被构成的。屏蔽电极4被设置于层叠体2的内部，与接地电位连接并将内置部件3电磁屏蔽。布线部5被设置于层叠体2的内部，与表面安装部件8、内置部件3电连接。部件连接部6被设置于层叠体2的顶面11，与表面安装部件8电连接以及物理连接。外部连接部7被设置于层叠体2的底面12，电连接以及物理连接有外部基板。
如图1(A)所示，表面安装部件8俯视下为大致四边形状。此外，内置部件3也在俯视透视层叠体2下为大致四边形状。表面安装部件8被设置为与内置部件3的俯视的角部之一的附近局部重叠。此外，振荡电路 13在从内置部件3与表面安装部件8重叠的区域脱离的位置被内置设置于内置部件3。
屏蔽电极4具有俯视层叠体2下与内置部件3重叠的面状导体14、15。面状导体14在层叠体2的内部被设置于内置部件3的顶面11侧。面状导体15在层叠体2的内部被设置于内置部件3的底面12侧。也就是说，面状导体14被设置为在层叠体2中比内置部件3更靠顶面11侧，从顶面11 侧透视的情况下与内置部件3重叠。面状导体15被设置为在层叠体2中比内置部件3更靠底面12侧，从底面12侧透视的情况下与内置部件3重叠。并且，面状导体14被设置为在从顶面11侧透视的情况下，除去内置部件3与表面安装部件8局部重叠的区域，在内置部件3所位于的区域的大致全部区域与内置部件3重叠，覆盖振荡电路13的整体。此外，面状导体15被设置为在从底面12侧透视的情况下，包括内置部件3与表面安装部件8局部重叠的区域的内置部件3所位于的区域的大致全部区域与内置部件3重叠，覆盖振荡电路13的整体。
此外，分别在面状导体14和面状导体15，设置分散排列的多个圆形的开口16，以使得在从顶面11侧、底面12侧透视的情况下，在内置部件 3所位于的区域的大致整面与内置部件3重叠。另外，各开口16最好设定为超声波、X射线、红外线等探伤波容易透射的开口直径，这里，设为超声波容易透射的开口直径、例如左右。此外，面状导体14的开口16和面状导体15的开口16被设定配置以使得相互对置。
图2(A)是从顶面11侧观察绝缘层21的俯视图。绝缘层21是相当于从层叠体2的顶面11侧起第1层的绝缘层、即在顶面11露出的绝缘层。在绝缘层21的顶面11侧的表面，设置部件连接部6。部件连接部6构成为包含部件连接电极31、32、33。
部件连接电极31、32、33分别构成为衬垫状导体，按照该记载顺序在横幅方向上排列。位于中央的部件连接电极32与所述的表面安装部件 (滤波器部件)8中的接地端子连接。位于横幅方向的左侧的部件连接电极31与所述的表面安装部件(滤波器部件)8中的滤波器输出端子连接。位于横幅方向的右侧的部件连接电极33与所述的表面安装部件(滤波器部件)8中的滤波器输入端子连接。
此外，在绝缘层21的层内形成构成布线部5的层间连接导体51、52、 53。层间连接导体51贯通绝缘层21，在顶面11侧的端部与部件连接电极 31连接。层间连接导体52贯通绝缘层21，在顶面11侧的端部与部件连接电极32连接。层间连接导体53贯通绝缘层21，在顶面11侧的端部与部件连接电极33连接。
图2(B)是从顶面11侧观察绝缘层22的俯视图。绝缘层22是相当于从层叠体2的顶面11侧第2层的绝缘层。在绝缘层22的顶面11侧的表面，形成构成布线部5的衬垫状导体34、线路状导体35和衬垫状导体 36。
衬垫状导体34与层间连接导体51的底面12侧的端部连接，经由层间连接导体51以及部件连接电极31，与表面安装部件8的滤波器输出端子连接。线路状导体35与层间连接导体52的底面12侧的端部连接，经由层间连接导体52以及部件连接电极32，与表面安装部件8的接地端子连接。并且，线路状导体35在绝缘层22的顶面11侧的表面，从安装表面安装部件8的角部部分被引出到后述的与屏蔽电极4(面状导体14)重叠的中央部。此外，线路状导体35在后述的与屏蔽电极4(面状导体14) 重叠的中央部，延伸为绕过与开口16对置的区域，以使得在层叠方向上不与开口16重叠。衬垫状导体36与层间连接导体53的底面12侧的端部连接，经由层间连接导体53以及部件连接电极33，与表面安装部件8的滤波器输入端子连接。
如上所述，通过将线路状导体35这样的与面状导体14不同的导体设定为不会覆盖开口16的形状或引绕，从而即使线路状导体35(其他导体) 被设置为相对于面状导体14在层叠方向上重叠，超声波、X射线、红外线等探伤波也能够在不被线路状导体35(其他导体)遮挡的情况下，经由开口16而到达内置部件3或其周围。
此外，在绝缘层22的层内形成构成布线部5的层间连接导体54、55、 56。层间连接导体54贯通绝缘层22，在顶面11侧的端部与衬垫状导体 34连接。层间连接导体55贯通绝缘层22，在顶面11侧的端部与线路状导体35连接。层间连接导体56贯通绝缘层22，在顶面11侧的端部与衬垫状导体36连接。
图2(C)是从顶面11侧来观察绝缘层23的俯视图。绝缘层23是相当于从层叠体2的顶面11侧起第3层的绝缘层。在绝缘层23的顶面11 侧的表面，形成构成布线部5的衬垫状导体37以及线路状导体38、和构成屏蔽电极4的面状导体14。
衬垫状导体37与层间连接导体54的底面12侧的端部连接，经由层间连接导体54、51、衬垫状导体34以及部件连接电极31，与表面安装部件8的滤波器输出端子连接。线路状导体38与层间连接导体56的底面12 侧的端部连接，经由层间连接导体56、53、衬垫状导体36以及部件连接电极33，与表面安装部件8的滤波器输入端子连接。并且，线路状导体 38在绝缘层23的顶面11侧的表面，在安装表面安装部件8的角部部分，被引出到外周附近的规定位置。此外，构成屏蔽电极4的面状导体14与层间连接导体55的底面12侧的端部连接，经由层间连接导体55、52、线路状导体35以及部件连接电极32，与表面安装部件8的接地端子连接。
此外，在绝缘层23的层内，形成构成布线部5的层间连接导体57、 58、59。层间连接导体57贯通绝缘层23，在顶面11侧的端部与衬垫状导体37连接。层间连接导体58贯通绝缘层23，在顶面11侧的端部与线路状导体38连接。层间连接导体59贯通绝缘层23，在顶面11侧的端部与面状导体14连接。
图2(D)是从顶面11侧观察绝缘层24的俯视图。绝缘层24是相当于从层叠体2的顶面11侧起第4层的绝缘层。在绝缘层24形成开口，内置有内置部件3。在包围内置部件3的周围的绝缘层24的顶面11侧的表面，形成构成布线部5的衬垫状导体39、40、41。
衬垫状导体39与层间连接导体57的底面12侧的端部连接，经由层间连接导体57、54、51、衬垫状导体37、34以及部件连接电极31，与表面安装部件8的滤波器输出端子连接。衬垫状导体40与层间连接导体58 的底面12侧的端部连接，经由层间连接导体58、56、53、线路状导体38、衬垫状导体36以及部件连接电极33，与表面安装部件8的滤波器输入端子连接。衬垫状导体41与层间连接导体59的底面12侧的端部连接，经由层间连接导体59、55、52、面状导体14、线路状导体35以及部件连接电极32，与表面安装部件8的接地端子连接。
此外，在绝缘层24的层内，形成构成布线部5的层间连接导体60、 61、62。层间连接导体60贯通绝缘层24，在顶面11侧的端部与衬垫状导体39连接。层间连接导体61贯通绝缘层24，在顶面11侧的端部与衬垫状导体40连接。层间连接导体62贯通绝缘层24，在顶面11侧的端部与衬垫状导体41连接。
图2(E)是从顶面11侧观察绝缘层25的俯视图。绝缘层25是相当于从层叠体2的顶面11侧起第5层的绝缘层。在绝缘层25中，不是在顶面11侧的表面而是在底面12侧的表面，形成构成布线部5的线路状导体 42、43、44、45、46、和构成屏蔽电极4的面状导体15。此外，在绝缘层 25的层内，形成构成布线部5的层间连接导体63、64、65、67、68、69。
层间连接导体63贯通绝缘层25，在顶面11侧的端部与被设置于第4 层的绝缘层24的层间连接导体60连接，在底面12侧的端部与线路状导体42连接。线路状导体42经由层间连接导体63、60、57、54、51、衬垫状导体39、37、34以及部件连接电极31，与表面安装部件8的滤波器输出端子连接。并且，线路状导体42在绝缘层25的底面12侧的表面，在安装表面安装部件8的角部部分，被引出到外周附近的规定的位置。
层间连接导体64贯通绝缘层25，在顶面11侧的端部与被设置于第4 层的绝缘层24的层间连接导体61连接，在底面12侧的端部与线路状导体43连接。线路状导体43经由层间连接导体64、61、58、56、53、衬垫状导体40、36、线路状导体38以及部件连接电极33，与表面安装部件8 的滤波器输入端子连接。并且，线路状导体43在绝缘层25的底面12侧的表面，从安装表面安装部件8的角部部分，被引出到与内置部件3重叠的中央部。层间连接导体65贯通绝缘层25，在底面12侧的端部与线路状导体43连接，在顶面11侧的端部与内置部件3的未图示的端子电极(信号输出端子)连接。
层间连接导体66贯通绝缘层25，在顶面11侧的端部与被设置于第4 层的绝缘层24的层间连接导体62连接，在底面12侧的端部与线路状导体44连接。线路状导体44经由层间连接导体66、62、59、55、52、衬垫状导体41、面状导体14、线路状导体35以及部件连接电极32，与表面安装部件8的接地端子连接。并且，线路状导体44在绝缘层25的底面12 侧的表面，被从外周部附近引出到中央部，与面状导体15连接。层间连接导体67贯通绝缘层25，在底面12侧的端部与线路状导体44连接，在顶面11侧的端部与内置部件3的未图示的端子电极(接地端子)连接。
层间连接导体68贯通绝缘层25，在底面12侧的端部与线路状导体 45连接，在顶面11侧的端部与内置部件3的未图示的端子电极(接地端子)连接。线路状导体45在绝缘层25的底面12侧的表面，被从外周部附近引出到中央部，与面状导体15连接。
层间连接导体69贯通绝缘层25，在底面12侧的端部与线路状导体 46连接，在顶面11侧的端部与内置部件3的未图示的端子电极(电源电压端子)连接。线路状导体46在绝缘层25的底面12侧的表面，被从中央部引出到外周部附近的规定位置。
构成屏蔽电极4的面状导体15具有与内置部件3的底面侧的一部分重叠的形状，经由线路状导体44、45，与构成屏蔽电极4的另一个面状导体14、内置部件3的接地端子、表面安装部件8的接地端子等连接。
图2(F)是从顶面11侧观察绝缘层26的俯视图。绝缘层26是相当于从层叠体2的顶面11侧起第6层的绝缘层，即在底面12露出的绝缘层。在绝缘层26中，不是在顶面11侧的表面而是在底面12侧的表面，形成构成外部连接部7的多个衬垫状导体(包含衬垫状导体47、48、49、50。)。此外，在绝缘层26的层内，形成构成布线部5的层间连接导体70、71、 72、73。
层间连接导体70贯通绝缘层26，在顶面11侧的端部与被设置于第5 层的绝缘层25的线路状导体42连接，在底面12侧的端部与衬垫状导体 47连接。因此，衬垫状导体47经由层间连接导体70、63、60、57、54、 51、线路状导体42、衬垫状导体39、37、34以及部件连接电极31，与表面安装部件8的滤波器输出端子连接。
层间连接导体71贯通绝缘层26，在顶面11侧的端部与被设置于第5 层的绝缘层25的线路状导体44连接，在底面12侧的端部与衬垫状导体 48连接。因此，衬垫状导体48经由层间连接导体71、67、66、62、59、 55、52、线路状导体44、35、面状导体14、衬垫状导体41以及部件连接电极32，与表面安装部件8以及内置部件3的接地端子连接。
层间连接导体72贯通绝缘层26，在顶面11侧的端部与被设置于第5 层的绝缘层25的线路状导体45连接，在底面12侧的端部与衬垫状导体 49连接。因此，衬垫状导体49经由层间连接导体72、68、66、62、59、 55、52、线路状导体45、44、35、面状导体14、衬垫状导体41以及部件连接电极32，与表面安装部件8以及内置部件3的接地端子连接。
层间连接导体73贯通绝缘层26，在顶面11侧的端部与被设置于第5 层的绝缘层25的线路状导体46连接，在底面12侧的端部与衬垫状导体50连接。因此，衬垫状导体50经由层间连接导体73、69以及线路状导体 46，与内置部件3的电源电压端子连接。
在以上那样构成的部件内置基板1中，配置构成屏蔽电极4的2个面状导体14、15，以使得在层叠方向上重叠地夹着内置部件3。因此，能够从层叠方向的两面侧分别将内置部件3电磁屏蔽。因此，即使内置部件3 具备作为噪声源的振荡电路13，也能够防止由振荡电路13产生的电磁噪声对外部造成负面影响。此外，也能够防止内置部件3受到来自外部的电磁噪声所导致的负面影响。并且，在该部件内置基板1中，使2个面状导体14、15分别被分散配置多个开口16。因此，即使在部件内置基板1的制造时等在内置部件3或其周围产生裂缝，也能够通过使用超声波、X射线、红外线等探伤波的基板探伤法来检查部件内置基板1的内部构造。
图3是示意性地表示针对部件内置基板1的基板探伤法的第1应用例的图。基板探伤装置90具备：送波电路91、送波用超声波换能器92、受波用超声波换能器93、受波电路94和解析部95。送波电路91向送波用超声波换能器92输出驱动电压信号。送波用超声波换能器92是包含压电体等的构成，通过被施加驱动电压信号来振动，向空间发送超声波。本实用新型的部件内置基板1被配置为该送波用超声波换能器92与顶面11接近对置。
通过从送波用超声波换能器92发送的超声波在厚度方向(层叠方向) 与部件内置基板1相遇，在部件内置基板1的内部，超声波振动在厚度方向上传送。该超声波振动在部件内置基板1的内部主要在层叠体2(绝缘层)中传送，但在与层叠体2相比密度和弹性率的差较大的屏蔽电极4中产生较大的反射和吸收。因此，若内置部件3被屏蔽电极4覆盖，通常，到达内置部件3或其周围的超声波振动较大地衰减。但是，在本实用新型的部件内置基板1中，由于在构成屏蔽电极4的面状导体14中设置有在厚度方向上贯通的开口16，因此超声波振动经由开口16而透射面状导体 14，没有较大衰减地到达内置部件3或其周围。因此，在内置部件3或其周围产生裂缝的情况下，由于裂缝导致产生超声波振动的衍射、散射、吸收等。此外，通过内置部件3或其周围的超声波在内置部件3的底面12 侧的面状导体15中也经由开口16而透射，没有较大衰减地贯穿部件内置基板1到底面侧。
在基板探伤装置90中，受波用超声波换能器93与部件内置基板1的底面侧接近对置地被配置，接收透射部件内置基板1的超声波的透射波。在部件内置基板1中，在屏蔽电极4设置开口16，超声波不会较大衰减，因此在受波用超声波换能器93中，能够以足够裂缝的检测的强度接收超声波。
受波用超声波换能器93将接收到的超声波振动转换为电信号。受波电路94向由受波用超声波换能器93检测的电信号实施信号放大、模拟数字变换等处理。解析部95基于受波电路94的输出信号来进行规定的运算处理。在部件内置基板1中，超声波振动的强度由于裂缝而受到影响，通过利用解析部95来解析超声波振动的检测信号，生成表示部件内置基板1 的内部构造的图像数据、表示有无裂缝的信号等探伤信号，从而得到针对部件内置基板1的内部构造的信息，能够非破坏地对部件内置基板1的内部构造进行检查。例如，在生成图像数据来作为探伤信号的情况下，通过改变发送超声波的方向并且检测反射波的强度的时间变化，从而能够针对部件内置基板1的内部的位置信息，生成与反射波的强度建立对应的图像数据。
这样，通过针对本实用新型的部件内置基板1应用利用了超声波的基板探伤法，从而即使将部件内置基板1的两面侧电磁屏蔽，也能够对在内置部件3以及其周围产生的裂缝的有无进行探伤。
另外，图3中，表示了利用透射部件内置基板的内部的超声波的透射波的对基板的内部构造进行检查的基板探伤法，但也可以利用在部件内置基板的内部反射的超声波的反射波，对基板的内部构造进行检查。
图4是示意性地表示针对部件内置基板1的基板探伤法的第2应用例的图。基板探伤装置96是与所述的基板探伤装置90大致相同的构成，但作为超声波换能器，仅具备单一的超声波换能器92。送波电路91以及受波电路94对超声波换能器92进行控制，以使得超声波的发送与反射波的接收被时间分割地进行，不是利用超声波的透射波而是利用超声波的反射波，来对在内置部件3以及其周围产生的裂缝的有无进行探伤。
另外，如这里所示那样，在利用超声波的反射波的情况下，更优选交替实施以下步骤：从部件内置基板1的顶面11侧发送超声波，根据接收到的反射波，对内置部件3的顶面侧的内部构造详细进行检查的步骤；和从部件内置基板1的底面12侧发送超声波，根据接收到的反射波，对内置部件3的底面侧的内部构造详细进行检查的步骤。通过这样进行，针对部件内置基板1的顶面11侧的内部区域和底面12侧的内部区域都能够详细检查内部构造。
此外，在利用超声波的反射波的情况下，也可以在部件内置基板1中 2个面状导体14、15的开口16的位置偏离，并不在层叠方向上对置。此外，也可以内置部件3的外面被金属材料等屏蔽。此外，也可以2个面状导体14、15之中的一个未形成开口16。在任意的情况下，虽然部件内置基板1的内部的可探伤的区域变窄，但至少在内置部件的周围能够检查超声波传送的区域处的裂缝的有无。
另外，除了如上述那样利用超声波的基板探伤法，也能够进行利用X 射线或红外线的基板探伤法。由于X射线或红外线在透射部件内置基板1 时被面状导体吸收，因此通过在面状导体设置多个开口，从而与超声波同样地，使X射线或红外线通过面状导体，能够对内置部件或其周围处的裂缝的有无进行检查。
另外，X射线或红外线在内置部件由比Si这样的轻元素重的元素构成的情况适合，在这种情况下能够以特别良好的精度对内置部件的裂缝的有无进行检查。另一方面，超声波在内置部件由Si那样的轻元素构成的情况下适合，在这种情况下，能够以特别良好的精度对内置部件的裂缝的有无进行检查。在利用超声波的情况下，在面状导体与树脂(绝缘层)之间由于音响阻抗的差导致产生超声波的反射，因此比利用X射线或红外线的情况更容易受到面状导体的影响。因此，在利用超声波的基板探伤法中，与利用X射线或红外线的基板探伤法相比，基于在面状导体设置多个开口的效用特别大。
接下来，对面状导体的变形例进行说明。
图5(A)图示了第1变形例所涉及的面状导体14A。这里，在第3 层的绝缘层23，设置网眼状的面状导体14A。这里，所谓网眼状，是指延伸为线路状的导体部分各分别交叉多条的形状。在这样的情况下，也能够通过面状导体14A，将内置部件3电磁屏蔽，并且，由于在面状导体14A 分散形成多个开口16，因此能够使基板探伤法中使用的超声波通过面状导体14A。
图5(B)图示了第2变形例所涉及的面状导体14B。这里，在第3 层的绝缘层23设置格子状的面状导体14B。这里，所谓格子状，是指延伸为线路状的导体部分平行多条的形状。在这样的情况下，也能够通过分别利用层间连接导体等将面状导体14B的导体部分与接地电位连接，从而通过面状导体14B来将内置部件3电磁屏蔽，并且，由于在面状导体14B 分散形成相当于导体部分之间的间隙的多个开口16，因此能够使基板探伤法中使用的超声波通过面状导体14B。
图5(C)图示了第3变形例所涉及的面状导体14C。该第3变形例所涉及的面状导体14C不是在第3层的绝缘层23而是在第2层的绝缘层22 设置为格子状。并且，该第3变形例所涉及的面状导体14C先与图5(B) 所示的第2变形例所涉及的面状导体14B组合来使用。也就是说，通过使面状导体14B与面状导体14C重叠，从而使纵向的格子与横向的格子在不同的绝缘层对置，俯视透视下成为网眼状的配置。这样，也能够通过面状导体14B以及面状导体14C来将内置部件3电磁屏蔽，并且，能够使基板探伤法中使用的超声波通过面状导体14B以及面状导体14C。
如以上的各变形例所示那样，面状导体能够设置适当的形状的开口。优选在面状导体遍及整面地分散配置多个开口，由此，能够整面地、以均等的精度地对被面状导体覆盖的内置部件的周围进行裂缝的有无的检查。
如以上的各实施方式所说明的那样，虽然本实用新型能够实施，但本实用新型的部件内置基板并不局限于表面安装型的构成，也可以是其他的构成。例如，本实用新型的部件内置基板也能够采用对可挠性电缆状的基板内置有电子部件的构成。
-符号说明-
1...部件内置基板
2...层叠体
3...内置部件
4...屏蔽电极
5...布线部
6...部件连接部
7...外部连接部
8...表面安装部件
9...模块部件
11...顶面
12...底面
13...振荡电路
14、15...面状导体
16...开口
21、22、23、24、25、26...绝缘层
31、32、33...部件连接电极
34、36、37、39、40、41、47、48、49、50...衬垫状导体
35、38、42、43、44、45、46...线路状导体
51、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61、62、63、64、65、 66、67、68、69、70、71、72、73...层间连接导体
90、96...基板探伤装置
91...送波电路
92、93...超声波换能器
94...受波电路
95...解析部

Claims (7)

1.一种部件内置基板，具备：
层叠体，在层叠方向上层叠了多个绝缘层；
内置部件，内置于所述层叠体；
面状导体，在相对于所述内置部件的所述层叠方向的一侧设置于所述层叠体，以使得该面状导体与所述内置部件重叠；和
1个以上的导体，在相对于所述内置部件的所述层叠方向的一侧，与设置于所述层叠体的所述面状导体不同，
在所述面状导体设置多个开口，所述多个开口被配置为在从所述层叠方向透视的情况下，遍及所述内置部件所位于的区域的大致整个区域地与所述内置部件重叠，
在从所述层叠方向透视的情况下，所述多个开口至少具有在所述层叠方向的一侧，相对于与所述面状导体不同的1个以上的导体的全部不重叠的部分。
2.根据权利要求1所述的部件内置基板，其中，
所述导体包含线路状导体，所述线路状导体在从所述层叠方向透视的情况下，在所述层叠方向上与所述内置部件以及所述面状导体重叠并且绕过所述开口而延伸。
3.根据权利要求1或者2所述的部件内置基板，其中，
所述面状导体与接地电位连接。
4.根据权利要求3所述的部件内置基板，其中，
所述内置部件包含有源元件。
5.根据权利要求1所述的部件内置基板，其中，
所述多个开口被规则排列地设置于所述面状导体。
6.根据权利要求5所述的部件内置基板，其中，
所述面状导体在从所述层叠方向透视所述层叠体的情况下，是网眼状或者格子状。
7.根据权利要求1所述的部件内置基板，其中，
所述面状导体被设置多个，
多个所述面状导体相对于所述内置部件被设置于所述层叠方向的一侧以及另一侧这两侧。
CN201590000888.7U 2014-09-03 2015-08-26 部件内置基板 Active CN206835472U (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-178685 2014-09-03
JP2014178685 2014-09-03
PCT/JP2015/073952 WO2016035630A1 (ja) 2014-09-03 2015-08-26 部品内蔵基板および基板探傷法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN206835472U true CN206835472U (zh) 2018-01-02

Family

ID=55439695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201590000888.7U Active CN206835472U (zh) 2014-09-03 2015-08-26 部件内置基板

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10338031B2 (zh)
JP (1) JP6358334B2 (zh)
CN (1) CN206835472U (zh)
WO (1) WO2016035630A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107424974A (zh) * 2016-05-24 2017-12-01 胡迪群 具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板
US11543322B2 (en) * 2020-05-01 2023-01-03 Globalfoundries U.S. Inc. Crack identification in IC chip package using encapsulated liquid penetrant contrast agent

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58119893U (ja) * 1982-02-09 1983-08-15 株式会社三社電機製作所 バレル洗浄装置
JPS6193950A (ja) * 1984-10-15 1986-05-12 Canon Inc はんだ付け接合部の検査方法および検査装置
JPH04207099A (ja) * 1990-11-30 1992-07-29 Nitto Denko Corp 多層プリント基板
JPH04307365A (ja) * 1991-04-04 1992-10-29 Hitachi Ltd はんだ付部検査方法及びその装置
JP2947969B2 (ja) * 1991-04-17 1999-09-13 株式会社日立製作所 はんだ付部表示方法並びにはんだ付部検査方法及びそれらのための装置
JP3011246B2 (ja) * 1991-10-24 2000-02-21 株式会社日立製作所 はんだ付部表示方法並びにはんだ付部検査方法及びそれらのための装置
JPH05343820A (ja) * 1992-06-04 1993-12-24 Toshiba Corp マルチチップモジュール用回路基板
JPH11112142A (ja) * 1997-10-01 1999-04-23 Kyocera Corp 多層配線基板
US6038133A (en) 1997-11-25 2000-03-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module and method for producing the same
JPH11177247A (ja) * 1997-12-15 1999-07-02 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板
JP4680410B2 (ja) 2001-04-24 2011-05-11 日本特殊陶業株式会社 配線基板
JP3894091B2 (ja) 2002-10-11 2007-03-14 ソニー株式会社 Ｉｃチップ内蔵多層基板及びその製造方法
US7394663B2 (en) 2003-02-18 2008-07-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component built-in module and method of manufacturing the same
JP2004274035A (ja) * 2003-02-18 2004-09-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品内蔵モジュールとその製造方法
JP4277036B2 (ja) * 2006-09-29 2009-06-10 Ｔｄｋ株式会社 半導体内蔵基板及びその製造方法
KR101037450B1 (ko) * 2009-09-23 2011-05-26 삼성전기주식회사 패키지 기판
JP2011077459A (ja) * 2009-10-02 2011-04-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd 熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いて作製された半導体装置
JP5672091B2 (ja) * 2011-03-17 2015-02-18 株式会社村田製作所 多層基板
JP6107087B2 (ja) * 2012-11-29 2017-04-05 株式会社村田製作所 モジュール部品
DE102014103945A1 (de) * 2014-03-21 2015-09-24 Ge Sensing & Inspection Technologies Gmbh Vorrichtung zur zerstörungsfreien Ultraschallprüfung von Werkstücken mit einer verbesserten Handhabbarkeit sowie Verfahren hierzu

Also Published As

Publication number Publication date
US10338031B2 (en) 2019-07-02
JPWO2016035630A1 (ja) 2017-04-27
WO2016035630A1 (ja) 2016-03-10
US20170176392A1 (en) 2017-06-22
JP6358334B2 (ja) 2018-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20160091575A1 (en) Magnetic shielded package
JP5746082B2 (ja) 超音波探触子および信号線の接続方法
CN206835472U (zh) 部件内置基板
US20130003333A1 (en) Electronic device, wiring board, and method of shielding noise
JP2013058989A (ja) 半導体装置及びマイクロフォン
JP2011250119A (ja) 超音波プローブ
JP6985588B2 (ja) 電子装置及び電磁波吸収体
CN107431849B (zh) 麦克风
TW200829056A (en) Microphone array with electromagnetic interference shielding means
CN104815790B (zh) 机电换能器装置和分析物信息获取设备
CN107409261A (zh) 超声波振子单元
CN106659479A (zh) 光声成像装置
CN108348158A (zh) 使用多个窄带换能器阵列来提供宽带超声换能器设备的技术以及使用所述技术的野生动物阻吓方法
CN104114288A (zh) 声变换器装置
CN110050386A (zh) 天线基板
JP5325312B2 (ja) 視野角制限カバー及びそれを備えた赤外線センサ
CN102301844A (zh) 辐射量减低装置
CN209017320U (zh) Mems麦克风
WO2006098372A1 (ja) 高周波インターフェース素子
JPH08122311A (ja) 超音波探触子
JP6559260B2 (ja) 超音波トランスデューサ
JP6775211B2 (ja) 圧電センサ構造体
CN206698430U (zh) 一种mems麦克风
JP5457843B2 (ja) 超音波プローブ
TW201011788A (en) Magnetic element

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant