CN206698430U - 一种mems麦克风 - Google Patents
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- 241000218202 Coptis Species 0.000 claims description 4
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 claims description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
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Abstract
本实用新型公开了一种MEMS麦克风。该MEMS麦克风包括内埋信号层的线路板、盖接在所述线路板上的壳体,在所述线路板和所述壳体之间形成收容空间,在所述收容空间内设有电连接的麦克风芯片和ASIC芯片,所述线路板还包括位于所述信号层与所述麦克风芯片和ASIC芯片之间的第一接地屏蔽层以及与所述ASIC芯片电连接的接地焊盘,所述接地焊盘与所述第一接地屏蔽层同层且相互隔离。本实用新型提供的MEMS麦克风中,ASIC芯片通过接地焊盘接地,第一接地屏蔽层能够屏蔽内埋信号层。接地焊盘与第一接地屏蔽层同层且相互之间隔离设计,避免了不同信号之间的串扰。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域,具体地,本实用新型涉及一种MEMS麦克风。
背景技术
现有MEMS麦克风中,为了增强抗射频干扰能力,一般在线路板上设计有埋容、埋阻电路。在MEMS麦克风中还布局有表面接地屏蔽层。且MEMS麦克风中的芯片一般通过引线与表面接地屏蔽层上的焊盘电性连接,以实现芯片接地。现有产品中,焊盘与表面接地屏蔽层相互电性连接,导致MEMS麦克风的抗射频干扰能力较差。例如,外部的射频信号可通过壳体、表面接地屏蔽层、焊盘干扰到麦克风内的芯片。
此外,MEMS麦克风中的接地屏蔽层不只表面接地屏蔽层,还有其他屏蔽层,例如埋容屏蔽信号层等。现有产品中,这些不同位置的接地屏蔽层通过一个导电孔相互电连接,使得在不同信号(层)之间产生串扰。
因此,有必要对现有MEMS麦克风的结构进行改进。
实用新型内容
本实用新型的一个目的是提供一种MEMS麦克风的新技术方案。
根据本实用新型的一个方面,提供了一种MEMS麦克风。该MEMS麦克风包括内埋信号层的线路板、盖接在所述线路板上的壳体,在所述线路板和所述壳体之间形成收容空间,在所述收容空间内设有电连接的麦克风芯片和ASIC芯片,所述线路板还包括位于所述信号层与所述麦克风芯片和ASIC芯片之间的第一接地屏蔽层以及与所述ASIC芯片电连接的接地焊盘,所述接地焊盘与所述第一接地屏蔽层位于同层且相隔离。
可选地,所述线路板还包括第二接地屏蔽层以及主地层,所述第一接地屏蔽层、所述信号层、所述第二接地屏蔽层以及所述主地层依次层叠设置,所述线路板上相邻的两个层之间均通过介质层隔离。
可选地,所述第一接地屏蔽层与所述主地层之间通过第一导电孔电连接,所述信号层和所述第二接地屏蔽层上环绕所述第一导电孔的区域为电介质。
可选地,所述第二接地屏蔽层与所述主地层之间通过第二导电孔电连接。
可选地,所述第一接地屏蔽层与所述接地焊盘共同位于所述线路板的表层,所述表层上围绕所述接地焊盘的区域为电介质。
可选地,所述接地焊盘与所述主地层之间通过第三导电孔电连接,所述信号层和所述第二接地屏蔽层上环绕所述第三导电孔的区域为电介质。
可选地,所述ASIC芯片通过金线与所述接地焊盘电连接。
可选地,所述信号层为埋容层、埋阻层或者埋容埋阻层。
可选地,所述壳体由能与所述线路板焊接的金属材料制成。
可选地,声孔设置在所述壳体或者所述线路板上。
本实用新型提供的MEMS麦克风中,ASIC芯片通过接地焊盘接地,第一接地屏蔽层能够屏蔽内埋信号层。接地焊盘与第一接地屏蔽层同层且相互隔离设计,避免了不同信号之间的串扰。
因此,本实用新型所要实现的技术任务或者所要解决的技术问题是本领域技术人员从未想到的或者没有预期到的,故本实用新型是一种新的技术方案。
通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述,本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本实用新型的实施例,并且连同其说明一起用于解释本实用新型的原理。
图1是本实用新型实施例中提供的一种MEMS麦克风的结构示意图。
其中,1:壳体;2:麦克风芯片;3:ASIC芯片;4:金线;5:第一接地屏蔽层;6:接地焊盘;7:信号层;8:第二接地屏蔽层;9:主地层;10:介质层;11:电介质;12:第一导电孔;13:第二导电孔;14:第三导电孔。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
本实用新型提供了一种MEMS麦克风,如图1所示,该MEMS麦克风包括线路板、盖接在所述线路板上的壳体1。在所述线路板和所述壳体1之间形成收容空间,在所述收容空间内设有电连接的麦克风芯片2和ASIC芯片3。如此,所述壳体1罩设在所述线路板上形成所述收容空间,并保护所述收容空间内的芯片。本实用新型对所述壳体的材质不作具体限定,例如所述壳体1可以是金属壳体,所述金属壳体可以焊接在所述线路板上。
在所述线路板内埋设有无源器件信号层7。所述信号层7可以是埋容层、埋阻层或者埋容埋阻层等,其内部具体结构为现有技术,在此不作赘述。内埋无源器件信号层7的线路板性能更优,例如提高电源的完整性、减小电源平面的噪音影响、减小线路板的面积等。
如图1所示,所述线路板还包括位于所述信号层7与所述麦克风芯片2和ASIC芯片3之间的第一接地屏蔽层5,以及与所述ASIC芯片3电连接的接地焊盘6。所述第一接地屏蔽层5设置在所述信号层7与所述麦克风芯片2和ASIC芯片3之间,以避免在其之间出现信号的串扰。所述接地焊盘6与所述第一接地屏蔽层5相互处于同层,且相互之间做隔离设计。例如,在所述接地焊盘6的周围可以是绝缘的电介质11,以与所述第一接地屏蔽层5在同层电隔离,从而避免信号之间的串扰。如此,外界射频信号不能通过所述壳体1、所述第一接地屏蔽层5和所述接地焊盘6对所述收容空间内的芯片产生出干扰,从而避免不同信号之间的串扰。
可选地,如图1所示,所述线路板还包括第二接地屏蔽层8以及主地层9,所述第一接地屏蔽层5、所述信号层7、所述第二接地屏蔽层8以及所述主地层9可依次层叠设置,从而组成一个完整的线路板。所述线路板上相邻的两个层之间均通过介质层10相互隔离。具体的,由于所述介质层10的电阻率较高,不容易导电,从而能够使得所述线路板上相邻的两个层之间电隔离。各个所述介质层10的具体厚度等具体结构和尺寸在此不作具体的限定,其可以根据所述MEM麦克风的具体参数来具体计算、设计。
进一步地,如图1所示,所述第一接地屏蔽层5与所述主地层9之间通过第一导电孔12电连接。所述第一导电孔12的具体结构可以是通孔,也可以是盲孔。如此,所述导电孔将所述第一接地屏蔽层5与所述主地层9电导通,以实现所述第一接地屏蔽层5接地实现零电位。由于所述第一导电孔12需要穿过所述信号层7以及第二接地屏蔽层8,为了防止所述第一导电孔12将所述第一接地屏蔽层5分别与所述信号层7、第二接地屏蔽层8之间电连接,因而所述信号层7和所述第二接地屏蔽层8上环绕所述第一导电孔12的区域为绝缘的电介质11。如此,使得所述第一接地屏蔽层5只与所述主地层9导通,外界的射频信号通过所述壳体1传导至所述第一接地屏蔽层5后直接接地,不会对所述MEMS麦克风内部的芯片和信号层7产生干扰。
进一步地,如图1所示,所述第二接地屏蔽层8与所述主地层9之间通过第二导电孔13电连接。所述第二导电孔13的具体结构可以是通孔,也可以是盲孔。如此,使得所述第二接地屏蔽层8能够电连接所述主地层9,从而实现屏蔽功能。所述第二接地屏蔽层8与所述主地层9只间隔一个介质层10,因而所述第二导电孔13深度较小,较易设置。
进一步地,如图1所示,所述第一接地屏蔽层5与所述接地焊盘6共同位于所述线路板的表层。所述表层上围绕所述接地焊盘6的区域为电介质11,以使所述第一接地屏蔽层5与所述接地焊盘6在同层电隔离。更进一步地,所述接地焊盘6与所述主地层9之间通过第三导电孔14电连接。所述第三导电孔14的具体结构可以是通孔,也可以是盲孔。如此所述收容空间内芯片的地也通过所述接地焊盘6与所述主地层9导通。所述信号层7和第二接地屏蔽层8上环绕所述第三导电孔14的区域为绝缘的电介质11。如此,使得所述接地焊盘6只与所述主地层9导通,不与所述信号层7及所述第二接地屏蔽层8电连接,以避免不同信号之间的串扰。而且,如此设计,使得所述第一接地屏蔽层5、所述接地焊盘6之间不会通过所述第二接地屏蔽层8相互电连接,从而避免了外界射频信号对所述MEMS麦克风内芯片的干扰。
所述ASIC芯片3与所述接地焊盘6电连接,以实现接地。所述ASIC芯片3与所述接地焊盘6的电连接方式可以有多种。所述ASIC芯片3可以通过金线4与所述接地焊盘6电连接,例如图1所示,此时在所述ASIC芯片3上可设有接线引脚;所述ASIC芯片3也可以倒装的方式电连接在所述接地焊盘6上,例如所述ASIC芯片3也可通过植锡球焊接在所述接地焊盘6上。
所述MEMS麦克风的具体工作原理为:外界声音通过声孔传导至所述麦克风芯片2的膜上,生成电信号;所述ASIC芯片3再对声音电信号进行放大、滤波等处理。具体的,所述声孔可以设置在所述壳体1上,也可以设置在所述线路板上。所述麦克风芯片2和所述ASIC芯片3可以分别设置在所述线路板上,也可以层叠设置在所述线路板上。
在本说明书中提到的第一接地屏蔽层与第二接地屏蔽层,以及第一导电孔、第二导电孔与第三导电孔仅是为了区别技术特征,并不代表其加工、组装顺序。
虽然已经通过例子对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上例子仅是为了进行说明,而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。
Claims (10)
1.一种MEMS麦克风,其特征在于,包括内埋信号层(7)的线路板、盖接在所述线路板上的壳体(1),在所述线路板和所述壳体(1)之间形成收容空间,在所述收容空间内设有电连接的麦克风芯片(2)和ASIC芯片(3),所述线路板还包括位于所述信号层(7)与所述麦克风芯片(2)和ASIC芯片(3)之间的第一接地屏蔽层(5)以及与所述ASIC芯片(3)电连接的接地焊盘(6),所述接地焊盘(6)与所述第一接地屏蔽层(5)同层且相互隔离。
2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述线路板还包括第二接地屏蔽层(8)以及主地层(9),所述第一接地屏蔽层(5)、所述信号层(7)、所述第二接地屏蔽层(8)以及所述主地层(9)依次层叠设置,所述线路板上相邻的两个层之间均通过介质层(10)隔离。
3.根据权利要求2所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述第一接地屏蔽层(5)与所述主地层(9)之间通过第一导电孔(12)电连接,所述信号层(7)和所述第二接地屏蔽层(8)上环绕所述第一导电孔(12)的区域为电介质。
4.根据权利要求2所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述第二接地屏蔽层(8)与所述主地层(9)之间通过第二导电孔(13)电连接。
5.根据权利要求2所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述第一接地屏蔽层(5)与所述接地焊盘(6)共同位于所述线路板的表层,所述表层上围绕所述接地焊盘(6)的区域为电介质。
6.根据权利要求5所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述接地焊盘(6)与所述主地层(9)之间通过第三导电孔(14)电连接,所述信号层(7)和所述第二接地屏蔽层(8)上环绕所述第三导电孔(14)的区域为电介质。
7.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述ASIC芯片(3)通过金线(4)与所述接地焊盘(6)电连接。
8.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述信号层(7)为埋容层、埋阻层或者埋容埋阻层。
9.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述壳体(1)由能与所述线路板焊接的金属材料制成。
10.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,声孔设置在所述壳体(1)或者所述线路板上。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201720243275.7U CN206698430U (zh) | 2017-03-13 | 2017-03-13 | 一种mems麦克风 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201720243275.7U CN206698430U (zh) | 2017-03-13 | 2017-03-13 | 一种mems麦克风 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN206698430U true CN206698430U (zh) | 2017-12-01 |
Family
ID=60442348
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201720243275.7U Active CN206698430U (zh) | 2017-03-13 | 2017-03-13 | 一种mems麦克风 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN206698430U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021184403A1 (zh) * | 2020-03-16 | 2021-09-23 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Mems麦克风 |
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- 2017-03-13 CN CN201720243275.7U patent/CN206698430U/zh active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2021184403A1 (zh) * | 2020-03-16 | 2021-09-23 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Mems麦克风 |
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