CN104219901A - 层间连接基板及其制造方法 - Google Patents

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后藤晓
田代义昌
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Abstract

本发明提供一种层间连接基板及其制造方法。在具有贯通TH的第1被贴合多层基板的贴合表面上，形成连接在想要得到电气导通的TH的焊盘上的电极，在该电极上形成焊料凸块；在具有贯通TH的第2被贴合多层基板的贴合表面上，与第1被贴合多层基板的电极形成位置对置的位置上，形成连接在TH焊盘上的电极，在该电极上形成焊料凸块；在将由硬化的树脂构成的芯材的两面用没有完全硬化的树脂材料的粘接件夹住而形成的3层化片上，与TH对应的位置及与电极上的焊料凸块对应的位置上分别开孔；使第1、第2被贴合多层基板各自的贴合面对置地设置，在它们之间将3层化片定位并层叠，在真空的环境下，通过加热、压缩的工艺进行一齐热压接。

Description

层间连接基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及在信息处理装置等中使用的多层印刷基板，涉及抑制成本的层间连接基板的制造方法。
背景技术
近年来，随着通信设备等的接口的高速化，路由器、服务器、RAID(Redundant Arrays of Independent Disks，磁盘阵列)等的信息处理装置的数据转送的频带(日语：帯域)在3年中发展了2倍的大容量化、高速化，背板(backplane)的传送速度也实用化到10Gbps，预想在下一代会达到25Gbps。随之，服务器的高密度化和机架内部的中间背板(midplane)的高速传送对应化是当务之急，对于下阶段量产服务器的中间背板安装用压配连接器(press-fit connector)连接的刀片等的模块的高密度安装的要求较高。
这里，在图8中表示经由服务器箱体内部的中间背板将信号相互传送的设备的概略。例如，在中间背板的表面上连接刀片服务器105，在背面连接管理模块106、开关模块、风扇模块、电源模块单元等(在图8中代表性地图示管理模块106)。中间背板101是例如由24层构成的多层印刷基板，为能够经由压配连接器103进行与各设备的电气连接的构造。此外，压配连接器103是通过将弹簧型的压配销104插入到中间背板101的贯通通孔102(以下，记作贯通TH)中而取得电气连接的构造。在以往的构造中，由于从单侧插入的销占用1个贯通TH，所以压配连接器取相互错开的配置。但是，随着刀片的压配连接器种类的增加及刀片安装高密度化，产生了能够从中间背板的两面进行压配连接器配置的配置自由的要求。
对于该要求，利用以往的顺序层叠等的印刷基板形成工艺制造两面压配连接用基板，有工序数较多且成本变高的问题。相对于此，作为降低印刷基板的工艺成本的方法，使具有贯通TH的多层基板彼此贴合、能够在任意的位置实现电气连接的两面贴合基板技术的开发成为当务之急。即，有下述方法：通过在多个多层基板间夹入埋入了焊料等的导电件的粘接件层并进行一并热压接，从而同时进行多层基板彼此的粘接和电气连接。将用该方法制造的基板以后称作层间连接基板。
作为其1例，在专利文献1(特开2005－116811号公报)所公开的技术中，为了便宜地提供能够对应于超过1GHz的高频、并且也能够对应于零件安装的高密度化的多层配线电路基板，分别独立地制造使信号线的截面积较大并选择了绝缘层的介电常数相对较小的材料的高速配线板、以及使信号线的截面积相对较小并选择了绝缘层的介电常数相对较大的材料的高密度配线板，并将它们使用预先形成了层间连接用的贯通导通孔的粘接性的绝缘片贴合而制造多层配线电路基板。
此外，在专利文献2(特开2001－326458号公报)所公开的技术中，将形成有配线图案(pattern)的单独的支承体通过半固化片(prepreg)(在两面上具有粘接层的绝缘体基板上预先形成导通孔，在导通孔内填充导电性膏)贴合，制造多层配线基板。
为了将在专利文献1及专利文献2中公开的制造工艺应用于压配连接器搭载的中间背板，有防止树脂向压配连接器用的通孔(以下记作TH)的侵入等各种各样的课题，较难应用。作为解决该课题的技术之一，在专利文献3(特愿2012－151288号)中，专利报告了一种在塑料材料硬化的核心层的两面上粘贴粘接件层的3层化树脂片、及使用Cu心焊料镀层球的多层基板的贴合方法。本发明提供以更低成本实现该压配连接器搭载的层间连接基板的技术。
专利文献1：特开2005－116811号公报
专利文献2：特开2001－326458号公报
专利文献3：特愿2012－151288号
发明内容
以下说明将上述层间连接基板应用于服务器中间背板时的课题。
第1个课题如下。在服务器中间背板(midplane)上搭载的多个压配连接器为通过连接器的弹簧型销压入到铜镀层TH中而金属彼此机械地接触接合从而能够电气连接的构造。在将层间连接基板应用到服务器中间背板中的情况下，通过粘接件层的树脂侵入到TH内，连接器销成为不能插入，或者即使能够插入，也有可能因存在于铜镀层TH表面的树脂成为原因而发生电气连接不良等的不良状况。在此情况下，为了将侵入到TH内的树脂除去，需要追加实施高精度的钻削(钻孔、drill)加工，存在如下课题，用来确保TH的镀层厚的钻削的加工精度(孔形状精度)及相对孔位置精度的制约严格而制造困难、或因工序增加而成本增长。此外，即使是容许树脂侵入的TH，在小径孔时也有树脂吹起到基板表面的情况，成为问题。
第2个课题如下。印刷基板内的空隙(void)成为信号配线的特性阻抗离散(variation)恶化、离子迁移等的原因，使基板的长期可靠性降低，所以需要防止。在压配连接器搭载的层间连接基板中，为了抑制上述向TH内的树脂侵入，需要低流动性树脂的使用及贴合时的加压力的降低，但通过粘接件层的树脂流动量降低，发生在贴合侧的面的铜箔图案与基板表面的台阶(日语：段差)中没有填充树脂而成为空隙(void)的不良状况。
第3个课题如下。在层间连接基板中，在压配连接器的销达到层间连接部或将其贯通那样的情形下，需要将电气连接用的电极从TH引出而配置，但相对于通过镀层TH将上下基板电气连接的以往方法，粘接件层中的导电部或贴合面的焊盘(pad)引出部等的阻抗不连续点较多，此外，因引出线与内层电源层之间的静电电容的影响而信号的传送特性下降。
第4个课题如下。向粘接件层中埋入导电件的方法中的印刷焊料膏的方法除了上述课题以外，层间连接部的形状不良成为问题。通过贴合工序的加压力，粘接件层的树脂将导电件推压流动，发生层间连接部的形状异常或多孔(有空隙、open)。由此，基板的可靠性及成品率下降。
所以，在本发明中，以提供一种解决这些课题的、低成本、高密度、高传送品质、高可靠的层间连接基板的制造技术为目的。
为了解决上述课题，在本发明中，在层间连接基板的制造方法中，在具有贯通TH的第1被贴合多层基板的贴合表面上，形成连接在想要得到电气导通的TH的焊盘上的电极，在该电极上形成焊料凸块；在具有贯通TH的第2被贴合多层基板的贴合表面上，在与上述第1被贴合多层基板的电极形成位置对置的位置上，形成连接在TH焊盘上的电极，在该电极上形成焊料凸块；在将由硬化的树脂构成的芯材的两面用没有完全硬化的树脂材料的粘接件夹住而形成的3层化片上，在与上述TH对应的位置及与上述电极上的焊料凸块对应的位置上分别开孔；使上述第1、第2被贴合多层基板各自的贴合表面对置地设置，在它们之间将上述3层化片定位并层叠，在真空的环境下，通过加热、压缩的工艺进行一并热压接(一齐热压接)。
此外，为了解决上述课题，在本发明中，其特征在于，在上述第1、第2被贴合多层基板的各自的贴合表面上涂敷阻焊剂且曝光显影处理进而实施平坦化处理；在上述3层化片的与TH对应的位置，开设直径比上述TH的直径大的孔。
此外，为了解决上述课题，在本发明中，其特征在于，在具有贯通TH的第3被贴合多层基板的第1贴合表面上，与贴合于该基板的上层的基板的电极形成位置相对置的位置上形成与TH焊盘相连接的电极，在该电极上形成焊料凸块，在上述第3被贴合多层基板的第2贴合表面上，与贴合于该基板的下层的基板的电极形成位置相对置的位置上形成与TH焊盘相连接的电极，并在该电极上形成焊料凸块；在具有上述贯通TH的第2被贴合多层基板的贴合表面上，与上述第3被贴合多层基板的电极形成位置对置的位置上形成连接在TH焊盘上的电极，在该电极上形成焊料凸块；使上述第1、第2及至少1个以上的第3被贴合多层基板各自的贴合表面相对置地设置，并在它们之间将上述3层化片定位并层叠，在真空的环境下，通过加热、压缩的工艺进行一并热压接。
此外，为了解决上述课题，在本发明中，将层间连接基板构成为，具备：第1被贴合多层基板，具有贯通TH，在想要得到电气导通的TH的焊盘上形成电极，在该电极上形成层间连接部，并在贴合表面上粘接3层的树脂基板的单面；第2被贴合多层基板，具有贯通TH，在贴合表面上与上述第1被贴合多层基板的电极形成位置相对置的位置上形成连接在TH焊盘上的电极，在该电极上形成层间连接部，并在贴合表面上粘接上述3层的树脂基板的背面；上述层间连接部，由焊料接合部、以金属球为芯的焊料接合部、或以柱为芯的焊料接合部构成。
发明的效果
如果简单地说明在本申请中公开的发明中的代表性的技术方案得到的效果，则是以下这样的。
得到的效果是，通过防止层间连接基板的制造工序中向TH内的树脂的侵入，能够将层间连接基板向两面压配连接器搭载基板应用。由此，能够比以往加工法便宜地生产能够进行压配连接器的高密度安装的基板。
附图说明
图1是本发明的实施例1的层间连接基板的剖视图。
图2是表示本发明的实施例1的作为贴合对象的多层基板的前处理工序的图。
图3是表示本发明的实施例1的与多层基板间的粘接件层有关的3层化片的制造工序及多层基板的贴合工序的图。
图4是表示本发明的实施例2的作为贴合对象的多层基板的前处理工序的图。
图5是表示本发明的实施例2的与多层基板间的粘接件层有关的3层化片的制造工序及多层基板的贴合工序的图。
图6是表示焊料熔点比树脂硬化温度高的情况下的多层基板的贴合工序中的真空加压/加热·加压工艺的推移的状态和它们的各定时的一例的图。
图7是表示焊料熔点比树脂硬化温度低的情况下的多层基板的贴合工序中的真空加压/加热·加压工艺的推移的状态和它们的各定时的一例的图。
图8是表示在以往构造的服务器中间背板中、被插入压配销的部分的截面概略结构的图。
图9是表示本发明的实施例3的作为贴合对象的多层基板的前处理工序的图。
图10是表示本发明的实施例3的与多层基板间的粘接件层有关的3层化片的制造工序及多层基板的贴合工序的图。
图11是表示本发明的实施例4的作为贴合对象的多层基板的前处理工序的图。
图12是表示本发明的实施例4的多层基板的贴合工序的图。
图13是表示本发明的实施例5的与多层基板间的粘接件层有关的3层化片的制造工序的图。
图14是表示在层间连接基板的窄间距的连接部可能发生的焊料连接不良的例子的图。图14中(a)是对于TH和层间连接部密集存在的区域在被贴合基板间的芯材的中央部水平地切断的A－A’剖视图，图14中(b)是在B－B’切断线沿垂直方向将层间连接基板整体切断的B－B’剖视图。
图15是表示本发明的实施例6的3层化片的伪孔(日语：ダミー孔)构造的图。图15中(a)是对于TH和层间连接部密集存在的区域在被贴合基板间的芯材的中央部水平地切断的C－C’剖视图，图15中(b)是在D－D’切断线沿垂直方向将层间连接基板整体切断的D－D’剖视图。
图16是表示本发明的实施例7的将连接器区域下的3层化片抽掉的构造的图。图16中(a)是对于TH和层间连接部密集存在的区域在被贴合基板间的芯材的中央部水平地切断的E－E’剖视图，图16中(b)是在F－F’切断线沿垂直方向将层间连接基板整体切断的F－F’剖视图。
图17是表示本发明的实施例8将TH(或VIA)内用绝缘材料填充后形成电极、将形成在该电极上的焊料凸块彼此连接时的基板的前处理工序的图。
图18是表示本发明的实施例8将TH(或VIA)内用绝缘材料填充后形成电极、将形成在该电极上的焊料凸块彼此连接时的与多层基板间的粘接件层有关的3层化片的制造工序及多层基板的贴合工序的图。
图19是表示本发明的实施例9将TH(或VIA)内用绝缘材料填充后形成电极、经由形成在该电极上的具有金属等的芯的球进行连接时的基板的前处理工序的图。
图20是表示本发明的实施例9将TH(或VIA)内用绝缘材料填充后形成电极、经由形成在该电极上的具有金属等的芯的球进行连接时的、与多层基板间的粘接件层有关的3层化片的制造工序及多层基板的贴合工序的图。
图21是表示本发明的实施例10部分地将其他的构成基板贴合连接的制造工序的一例的图。
图22是表示将本发明的实施例11的3张以上的基板进行一并贴合的制造工序的图。
图23是表示本发明的实施例12在多层基板的层间连接中使用金属等的芯球或Cu芯焊料镀层球的情况下的基板前处理工序的图。
图24是表示本发明的实施例12在多层基板的层间连接中使用金属等的芯球或Cu芯焊料镀层球的情况下的基板的贴合工序的图。
图25是表示本发明的实施例13采用需要高速信号配线的基板的层间连接的构造例的图，是将上下多层基板的距电极最近的接地层(groundlayer)除去孔(日语：抜き孔)加工的构造的基板。图25中(a)是对于TH和层间连接部密集存在的区域在贴合基板间的芯材的中央部水平地切断的G－G’剖视图，图25中(b)是在H－H'切断线沿垂直方向将层间连接基板整体切断的H－H’剖视图。
图26是表示图25所示的基板的距电极最近的接地层抽取区直径与信号品质(反射损失)的关系的图。
图27是表示图25所示的基板的距电极最近的接地层抽取区直径与特性阻抗的关系的图。
附图标记说明
101中间背板；102贯通TH；103压配连接器；104压配销；105刀片服务器；106管理模块；107层间连接件；108粘接件层；109上侧多层印刷配线板；110下侧多层印刷配线板；111非贯通TH；112半固化片材(日语：prepreg材)；113芯材；114铜箔图案(pattern)；115焊料凸块；116电极；117阻焊剂；1183层化片；120半固化片材硬化部；121剩余焊料；122伪孔(dummy hole)；123TH填充绝缘材料；124Cu芯球/Cu芯焊料镀层球；1263层化片除去区；127、128估计熔融树脂不到达的适当的距离；131接地层；132接地层抽取部分；133接地层抽取直径；140参照的通常的TH连接的情况下的反射损失特性；141接地抽取直径：0.4mm的情况下的反射损失特性；142接地抽取直径：0.8mm的情况下的反射损失特性；143接地抽取直径：1.6mm的情况下的反射损失特性；144接地抽取直径：2.4mm的情况下的反射损失特性；201激光照射；202TH的焊盘；203环状的堤坝形状图案(pattern)的阻焊剂；204TH直径；205外层电极直径；206连接电极焊盘直径。
具体实施方式
以下，按照附图详细地说明本发明的实施例。
[实施例1]
通过图1、图2、图3、图6、图7说明本发明的实施例1。
图1表示实施例1的层间连接基板101的剖视图。上侧多层印刷配线板109和下侧多层印刷配线板110经由粘接件层108粘接，通过层间连接部107电气连接。此外，由于在基板表背面上能够形成非贯通通孔111(以下，记作非贯通TH)，所以能够在搭载于表面侧的压配连接器103的背面侧搭载别的压配连接器103。此外，通过将上侧多层印刷配线板109和下侧多层印刷配线板110的通孔(以下，记作TH)位置对齐，能够形成贯通TH102。
以下，通过图2、图3，说明图1的层间连接基板的制造方法。
图2是表示作为贴合对象的多层印刷配线板的前处理的工序的图。图2中(a)是表示作为贴合对象的多层印刷配线板110的图。在上下的贴合对象基板间的想要得到电气导通的部位上，预先设置连接在TH的焊盘202上的电极116，以使其在上下的基板上对置。在对于贴合面侧的除了电极116部以外的铜箔图案(pattern)进行Neo-Brown(日语：ネオブラウン)处理等的表面粗化后，如图2中(b)所示那样在电极116上印刷焊料膏，通过将基板进行回流焊而形成焊料凸块115。
图3中(a)及图3中(b)是表示与多层基板间的粘接件层有关的3层化片的制造工序的图。如图3中(a)所示，准备将芯材113的上下用半固化片材(日语：prepreg材)112的片夹入、通过加压而压接成的坯材。以后，将其记作3层化片118。
半固化片材112是使以低流动性为特征的热硬化性树脂含浸玻璃纤维的B阶材(日语：Bステージ材)(处于树脂的硬化过程、没有完全硬化的材料)，此外，芯材113为将两面贴合Cu的层叠基材的两面的Cu蚀刻掉后的C阶材(日语：Cステージ材)(树脂的硬化过程大致完全硬化的材料)。
接着，如图3中(b)所示，对于3层化片，在层间连接基板101的TH及层间连接部107的位置上，以与基板TH相同的孔径或以层间连接部直径通过钻削进行开孔加工。
如图3中(c)所示，以下侧多层印刷配线板110、3层化片118、上侧多层印刷配线板109的顺序，用定位销等导引并载置到真空热压接装置内，通过在抽真空后的环境中热压接，成为图3中(d)所示的构造(另外，通过真空热压接装置内的热压接工序，半固化片材112的树脂熔化而流动，如图3中(d)所示那样将多层基板间的间隙填埋而硬化，但在图3中(d)中将其容积稍稍夸张表示)。
但是，在将本构造的基板101向中间背板等的压配搭载基板应用时，对于压配连接器搭载用的TH需要树脂去除钻削加工。
该热压接工艺的特征在于，将被真空热压接装置的固定板夹持的基板抽真空，控制压力的大小和定时而施加压力并加热。工艺的温度为焊料的熔点以上，在焊料熔融之前进行临时加压，然后进行正式加压，使树脂填充到多层基板间的间隙中。通过以该顺序连接，焊料能够形成柱状、球状、鼓状等的高可靠性的连接形状。
在图6中(a)～图6中(d)中表示焊料材料熔点比树脂硬化的温度高的情况下、例如Sn－3Ag－0.5Cu焊料等的加压条件。在此情况下，使用的焊料组成是Sn－3Ag－0.5Cu，是焊料的熔点(217℃)比树脂硬化温度高的情况下的真空加压/热硬化工艺。图6中(a)是将温度的推移相对于时间表示的推移图。图6中(b)是将加压的推力相对于时间表示的推移图。图6中(c)是将收存有基板的腔室内部抽真空时的腔室内的压力相对于时间表示的推移图。图6中(d)是将图6中(a)温度、图6中(b)推力、图6中(c)压力的图汇总为1张的推移图。
首先，将腔室抽为真空，然后开始加热。逐渐将温度提高而成为Sn－3Ag－0.5Cu焊料的熔点以上后，开始加压，用推力F1填充树脂。在焊料的熔点以上的温度T2：Tmax＝230℃下保持10分钟左右后，然后将温度降低到适合于树脂硬化的温度T1，保持需要的时间。然后，将腔室/夹具的温度降低到室温附近，将压力恢复到大气压，将压力释放。在图6中(d)中表示各自的定时，但优选的是在树脂的硬化结束前进行加压。如在本实施例中使用的真空加热加压的概况图所示，在焊料浸润扩散和被加热的半固化片含浸树脂的软化及流入的定时良好的情况下，成为高可靠性的焊料连接形状。
此时的焊料材料也可以使用Sn类、Sn－Ag－Cu类、(低Ag类)、Sn－Cu类、Sn－Ag－Bi类、Sn－In类、Sn－Zn类等无铅焊料或含铅焊料。在Sn类焊料组成中也可以含有它们以外的多种微量添加元素。
此外，在图7中表示焊料材料熔点比树脂硬化的温度低的情况、例如焊料组成是Sn－58Bi熔点(138℃)或Sn－1Ag－57Bi熔点(139℃)的情况下的真空加压/热硬化工艺。图7中(a)是将温度的推移相对于时间表示的推移图。图7中(b)是将加压的推力相对于时间表示的推移图。图7中(c)是将收存有基板的腔室内部抽真空时的腔室内的压力相对于时间表示的推移图。图7中(d)是将图7中(a)温度、图7中(b)推力、图7中(c)压力的图汇总为1张的推移图。
首先，将腔室抽为真空，然后开始加热。逐渐将温度提高而成为Sn－58Bi焊料的熔点以上后，开始加压，用推力F1填充树脂。由于树脂硬化温度T1是焊料的熔点以上，所以在该温度T1：Tmax＝185℃下保持1小时后，将腔室/夹具的温度降低到室温附近，将压力恢复到大气压，将压力释放。在图7中(d)表示各自的定时，但优选的是在树脂的硬化结束前进行加压。如在本实施例中使用的真空加热加压的概况图所示，在焊料浸润扩散和被加热的半固化片含浸树脂的软化及流入的定时良好的情况下，成为高可靠性的焊料连接形状。
此时的焊料材料也可以使用Sn类、Sn－Bi类、Sn－Ag－Cu类、Sn－Ag类(也包括Ag含量比3.0wt％低的低Ag类)、Sn－Cu类、Sn－Ag－Bi类、Sn－Zn类等无铅焊料或含铅焊料。
在作为贴合对象的上下的多层基板(109、110)的TH位置是相同部位的情况下成为贯通TH102，在TH位置不同的情况下成为非贯通TH111。此外，上下的多层基板间的电气连接通过形成在上下的多层基板的电极116间的层间连接件107实现。
根据以上，相对于在层间连接部107中使用Cu芯焊料镀层球的以往的制造方法，能够抑制制造工序及部件费用。
[实施例2]
使用图4、图5，说明对由实施例1表示的层间连接基板的制造方法追加了防止TH部的树脂侵入及基板间的空隙(void)发生的构造的实施例。
图4是表示作为贴合对象的多层印刷配线板的前处理工序的图。
图4中(a)是表示作为贴合对象的多层印刷配线板110的图。在多层基板间的想要得到电气导通的部位上，预先设置连接在TH的焊盘202上的电极116，以使其在上下的基板上对置。
图4中(b)是表示贴合侧的面的平坦化工序的图。在基板的贴合侧的面上以与铜箔图案(pattern)114相同的厚度涂敷液态的阻焊剂117，例如对铜箔图案114、TH的焊盘202及电极116等的区域实施曝光处理。并且，通过由后续的显影处理将铜箔图案114、TH的焊盘202及电极116等的区域的阻焊剂图案溶解除去，如图4中(b)所示那样以将其他区域用阻焊剂117掩埋的方式进行图案形成。
对于贴合面侧的除了电极116部以外的铜箔图案、TH的焊盘进行Neo-Brown处理(例如主成分是过氧化氢/硫酸类，通过使铜表面粗化，将表面积扩大，通过投锚作用(anchor effect、日语：アンカー効果)使与树脂的密接力提高)等的表面粗化后，如图4中(c)所示那样在电极116上印刷焊料膏，通过将基板回流焊而形成焊料凸块115。
图5中(a)～图5中(b)是表示追加了防止向TH部树脂侵入的构造的3层化片的制造工序的图。
如图5中(a)所示，准备将芯材113的上下用半固化片材112夹入、通过加压而压接成的坯材。半固化片材112是使以低流动性为特征的热硬化性树脂含浸玻璃纤维的B阶材(处于树脂的硬化过程、没有完全硬化的材料)，此外，芯材为将两面贴合Cu的层叠基材的两面的Cu蚀刻掉后的C阶材(树脂的硬化过程大致完全硬化的材料)。
接着，如图5中(b)所示，对于3层化片，在层间连接基板的TH及层间连接部的位置上，以比基板TH直径大的孔径的钻头进行开孔加工。由此，在压配销插入用的TH部中，能够提高防止在基板的热压接时流动的半固化片材112侵入到TH内(不到达TH内)的效果。
为了得到最大的侵入防止效果，优选的是以在设计上可能的最大的孔径、例如以与相邻孔的空间残留0.1mm的直径对3层化片进行开孔加工。在此情况下，在匹配于连接器的规格、例如以1.1mm间距形成的压配销插入用的TH的情况下，3层化片的孔径设为1.0mm。
如图5中(c)所示，以下侧多层印刷配线板110、3层化片118、上侧多层印刷配线板109的顺序，用定位销等导引并载置到真空热压接装置内，通过在抽真空后的环境中热压接，图5中(d)所示的构造的层间连接基板完成。该热压接工艺的特征在于，将被真空热压接装置的固定板夹持的基板抽真空，控制压力的大小和定时而施加压力并加热。如图6或图7所示的推移图那样，工艺的温度为焊料的熔点以上，在焊料熔融之前进行临时加压，然后进行正式加压，使树脂填充。通过以该顺序连接，焊料能够形成柱状、球状、鼓状等的高可靠性的连接形状。
在作为贴合对象的上下的多层基板(109、110)的TH位置是相同部位的情况下成为贯通TH102，在TH位置不同的情况下成为非贯通TH111。此外，上下的基板间的电气连接通过形成在上下的多层基板的电极116间的层间连接件107实现。
根据以上，能够防止到目前为止为课题的TH部的树脂侵入和贴合基板间的空隙(void)发生，能够将层间连接基板应用到中间背板等的压配搭载基板中。
[实施例3]
使用图9、图10，说明对由实施例2表示的层间连接基板的制造方法追加了提高树脂侵入防止效果的结构的情况。
图9是表示作为贴合对象的多层印刷配线板的前处理工序的图。图9中(a)表示作为贴合对象的多层基板。与实施例2同样，在基板间的想要得到导通的部位上预先设置电极116，以使其在上下基板上对置。
图9中(b)是表示对于贴合侧的面的阻焊剂图案形成工序的图。与实施例2同样，在通过曝光显影处理形成阻焊剂图案117以将贴合侧的面的铜箔图案114、TH的焊盘202及电极116等的区域之间填埋时，还在TH的焊盘202的上部，以包围TH的开口部的方式形成环状的堤坝形状图案的阻焊剂203。上述阻焊剂图案117和上述堤坝形状图案的阻焊剂203通过1次的曝光显影处理同时形成。
在对贴合面侧的除了电极116部以外的铜箔图案114、TH的焊盘进行通过Neo-Brown处理等的表面粗化后，如图9中(c)所示那样将焊料膏印刷到电极116上，对基板进行回流加热，形成焊料凸块115。
图10中(a)～图10中(b)是表示与多层基板间的粘接有关的3层化片的制造工序的图。首先，如图10中(a)所示，在临时压接前，对芯材113、半固化片材112分别通过钻削进行开孔，TH部使对于半固化片材112的孔成为比芯材113大的直径。
如图10中(b)所示，使半固化片材、芯材的孔位置重合，通过压力机进行压接，成为3层化片。
图10中(c)～图10中(d)是表示基板的贴合工序的图。如图10中(c)所示，以下侧多层印刷配线板110、3层化片118、上侧多层印刷配线板109的顺序，用定位销等导引而载置到真空热压接装置内，通过在抽真空后的环境中热压接，图10中(d)所示的构造的层间连接基板完成。
在热压接工序中，由于TH周围被在图9中(b)的工序中形成的抗蚀剂203和芯材113无间隙地包围，所以能够提高向TH部的树脂侵入的防止效果。
[实施例4]
在图11及图12中，说明在由实施例2表示的层间连接基板的制造工序中、用与实施例3不同的方法提高树脂侵入防止效果的构造。
图11是表示作为贴合对象的多层印刷配线板的前处理工序的图。首先，与实施例2、3同样，如图11中(a)～图11中(b)所示那样实施贴合侧的面的平坦化和通过Neo-Brown处理等的图案的表面粗化。
如图11中(c)所示，在贴合侧的面上粘贴例如35μm以上的膜厚的片型阻焊剂119，通过曝光显影处理将TH覆盖。
如图11中(d)所示，在电极116部上，通过焊料膏印刷形成焊料凸块115。
图12是表示基板的贴合工序的图。如图12中(a)所示，以下侧多层印刷配线板110、3层化片118、上侧多层印刷配线板109的顺序，用定位销等导引而载置到真空热压接装置内，通过在抽真空后的环境中热压接，如图12中(b)所示那样将基板贴合。最后，通过对贯通TH102以钻削进行开孔加工，图12中(c)所示的构造的层间连接基板完成。
在TH的间距较窄、没有将3层化片的孔径取足够大的情况下，通过这样将TH堵塞，能够防止向TH壁面的树脂的附着。
[实施例5]
在图13中，说明在由实施例1表示的层间连接基板的制造方法中、用与实施例2、3、4不同的方法提高向TH部的树脂侵入防止效果的3层化片的制造方法。
将在3层化片118的TH部处开设的孔的周围的半固化片材用激光进行局部加热，通过预先硬化，能够提高向TH部的树脂侵入防止效果。
例如如图13中(a)所示，通过激光的照射201，使比在3层化片的TH部处开设的孔径大0.2mm以上的直径的区域120的半固化片硬化。
如图13中(b)所示，将半固化片材112和芯材113的位置对齐而压接，与实施例1同样，如图13中(C)所示那样对TH部和层间连接部的3层化片118通过钻削进行开孔加工。
通过在实施例1的图3的工艺中使用用以上的方法使TH部周围的半固化片材硬化的3层化片，能够提高向TH内的树脂侵入防止效果。
[实施例6]
使用图14、图15，说明在由实施例1表示的层间连接基板的制造方法中、通过在3层化片118上设置用来抑制熔融树脂的流动而使其均匀化的伪孔(dummy hole)122、来防止层间连接部107的形状不良的方法。
图14中(a)表示在实施例1的层间连接基板101中、对于例如如压配连接器103搭载部那样TH102、111和层间连接部107密集存在的区域、在贴合基板间的芯材113的中央部水平切断的A－A’剖视图。此外，图14中(b)表示用图14中(a)的B－B’切断线沿垂直方向将层间连接基板101整体切断的B－B’剖视图。在这样层间连接部107和TH102、111密集存在的区域中，从外周方向流动的树脂量与从中心方向流动的树脂量相比相对地变多，所以在外周的层间连接部107中，焊料被朝向内侧推流(冲流)，有可能如图14中(b)所示那样发生因焊料的流出造成的剩余焊料121。
为了防止该现象，如图15中(a)那样，通过对存在于外周的层间连接部107的周围的3层化片118开设伪孔122，能够控制向层间连接部107流动的树脂量而防止剩余焊料121。例如在外周部上开设的伪孔以与开设在TH部上的3层化片的孔相同的直径和间距通过钻削形成。此外，将直径较小的伪孔122置于层间连接部107的周边或TH102、111间是有效的。
[实施例7]
使用图14、图16，说明在由实施例1表示的层间连接基板的制造方法中、为了使熔融树脂的流动不达到层间连接部107、通过在3层化片118上设置除去区(日语：除去エリア)126来防止层间连接部107的形状不良的方法。
图14中(a)表示在实施例1的层间连接基板101中、对于例如如压配连接器103搭载部那样TH102、111和层间连接部107密集存在的区域、在贴合基板间的芯材113的中央部水平切断的A－A’剖视图。此外，图14中(b)表示用图14中(a)的B－B’切断线沿垂直方向将层间连接基板101整体切断的B－B’剖视图。在这样层间连接部107和TH102、111密集存在的区域中，从外周方向流动的树脂量与从中心方向流动的树脂量相比相对地变多，所以在外周的层间连接部107中，焊料被朝向内侧推流(冲流)，有可能如图14中(b)所示那样发生因焊料的流出造成的剩余焊料121。
为了防止该现象，如图16中(a)那样，通过保持将连接区的层间连接部的整体或一部分的3层化片118去除(日语：取り除き)的空间，能够抑制向层间连接部107流动的树脂量，防止剩余焊料121等的连接不良。例如3层化片除去区126的端部到存在于最近的层间连接部107为估计熔融树脂不会从周围的半固化片材112到达的适当的距离127、128是有效的，是带来焊料等连接部的高可靠性的构成。
该距离127、128只要考虑制品的实际工作时的温度变化及因冲击等带来的构造的变形给焊料连接部的可靠性带来的影响而决定就可以。另外，在本实施例的情况下，通过将树脂及芯材取除，因为有发生信号配线的特性阻抗离散(variation)恶化、离子迁移等的担心，所以优选的是实施配线的电气特性的评价、及离子迁移耐受性的评价来进行适用判断。
[实施例8]
使用图17及图18，说明在由实施例1表示的层间连接基板的制造方法中、通过在TH焊盘202上形成层间连接部107而使电气特性提高的方法。
图17是表示作为贴合对象的多层印刷配线板110的前处理工序的图。在贴合对象的基板的层间连接中使用的TH，以使其在上下基板上对置的方式形成，与实施例2同样，在贴合侧的面上形成阻焊剂117，进行平坦化(图17中(a)～图17中(b))。
接着，如图17中(c)所示，向在层间连接中使用的TH部填充绝缘树脂123。
如图17中(d)所示，在填充绝缘树脂123后的TH的焊盘202上印刷焊料膏，对基板进行回流加热，形成焊料凸块115。
此外，图18是表示基板的贴合工序的图。
如图18中(c)所示，以仅放置下侧多层印刷配线板110、3层化片118或粘接层112的某个、上侧多层印刷配线板109的顺序，用未图示的定位销等导引而载置到真空热压接装置内，通过在抽真空后的环境中热压接，图18中(d)所示的构造的层间连接基板完成。
由此，能够减小阻抗不连续点及静电电容的影响，使信号的传送特性提高。
[实施例9]
使用图19及图20，说明在由实施例1表示的层间连接基板的制造方法中、在TH焊盘202上形成层间连接部107从而使电气特性提高的方法。
图19是表示作为贴合对象的多层印刷配线板110的前处理工序的图。形成在贴合对象的基板的层间连接中使用的TH，以使其在上下基板上对置，与实施例2同样，在贴合侧的面上形成阻焊剂117，进行平坦化(图19中(a)～图19中(b))。
接着，如图19中(c)所示，对在层间连接中使用的TH部填充绝缘树脂123至与基板面同等或稍低的位置。
如图19中(d)所示，在填充绝缘树脂123后的TH的焊盘202上，作为连接件而配置Cu芯焊料镀层球等的金属球124。此时，以Cu芯焊料镀层球124的连接件的芯径、或将芯与Ni等的阻挡(barrier)层配合的直径比TH的直径大为特征。
此外，图20是表示基板的贴合工序的图。如图20中(c)所示，以下侧多层印刷配线板110、3层化片118、上侧多层印刷配线板109的顺序，用定位销等导引而载置到真空热压接装置内，通过在抽真空后的环境中热压接，加热到Cu芯焊料镀层球的焊料熔点以上，由此焊料金属接合到上下的TH焊盘部202上，图20中(d)所示的构造的层间连接基板完成。该连接构造能够减小阻抗不连续点及静电电容的影响，使信号的传送特性提高。
该情况下的芯球连接也可以是Cu以外的其他金属球，也可以是树脂芯球、陶瓷或玻璃等的无机材料。这些芯球的表面也可以被镀层，也可以在金属以外的材料上形成金属膜。此外，也可以形成在粘接剂中加入了金属片的膏(paste)。
[实施例10]
使用图21，说明在需要高速信号配线的基板的一部分中使用由实施例2表示的层间连接的例子。对于下侧多层印刷配线板110，通过开凿切割(router)加工形成图21中(a)所示那样的凹部。或者，也可以将该凹部在印刷基板、陶瓷基板或玻璃基板的形成时作为凹处(空穴、内腔、cavity)形成。
如图21中(b)所示，形成电极116，以使其在上侧多层印刷配线板109、及下侧多层印刷配线板110的各基板上对置，将被加工为与凹部的水平截面相同形状的3层化片118及上侧多层印刷配线板109嵌入到下侧印刷配线板110的凹部中，通过用真空热压接装置进行一并热压接，能够制造图21中(c)所示的层间连接基板。
在上述结构中，使下侧印刷配线板110为例如作为通用基材的FR－4、对上侧印刷配线板109使用适合于高速信号的传送的低介电损失材料，从而能够抑制基板材料成本。
电极连接可以使用由焊料膏形成的焊料凸块、Cu芯焊料球、用焊料膏固定的Cu芯球等的金属球、Ag膏那样的放入金属的粘接剂类膏和它们中的任意的组合进行连接。本实施例的下侧印刷配线基板表示了加工凹处(空穴、内腔、cavity)的例子，但并不限于凹处，也可以是在一部分有阶差的下侧多层印刷配线基板的台阶部(日语：段部)上搭载上侧多层印刷配线基板的形式。
[实施例11]
使用图4及图22，说明在由实施例2表示的层间连接基板的制造方法中将3张以上的基板贴合的方法。该情况下的制造方法既可以与由实施例2表示的方法同样将3张进行一齐加压，也可以对贴合了两张以上的基板将第3张以后多张进行加压，也可以将它们组合。
既可以将整体贴合多张，也可以部分地重叠多张。将在贴合对象的基板的层间连接中使用的TH及电极以在上下基板上对置的方式形成，或者形成在任意的需要的位置上。与实施例2同样，在贴合侧的面上形成阻焊剂117，进行平坦化(图4中(a)～图4中(b))。
预先形成在这些贴合对象的基板上的电极116设置为，使其在上下的基板上对置。此外，这些电极也可以向在层间连接中使用的TH部填充绝缘树脂123，在填充绝缘树脂123后的TH之上形成电极116。在这样形成的电极116上，如图4中(c)所示那样通过焊料膏印刷形成焊料凸块115。
图22是表示3张多层基板的贴合工序的图。如图22中(a)所示，以下侧多层印刷配线板110、3层化片113、上侧多层印刷配线板109的顺序，将3层以上多张重叠，用定位销等导引而载置到真空热压接装置内，在抽真空后的环境中热压接，从而图22中(b)所示的构造的层间连接基板完成。
关于本实施例的将3张以上的基板层叠的层间连接，在图22中表示了电极彼此的连接是焊料连接的例子，但也可以是Cu芯焊料镀层球，也可以是通过其他含金属膏等的连接，也可以是Au凸块和焊料，也可以是Cu柱(pillar)(突起)和焊料、Cu柱(pillar)(突起)和含金属膏。
[实施例12]
使用图23及图24，说明在由实施例2表示的层间连接基板的制造方法中、在层间连接部107中使用Cu芯焊料镀层球的情况。图23是表示作为贴合对象的多层印刷配线板的前处理工序的图。形成在贴合对象的基板的层间连接中使用的电极116，以使其在上下基板上对置，与实施例2同样，在贴合侧的面上形成阻焊剂图案(pattern)117，进行平坦化(图23中(a)～图23中(b))。
如图23中(c)所示，在从TH焊盘202引出的电极焊盘116上通过焊料膏印刷来印刷焊料后，下侧印刷配线板110载置例如球搭载用的钻削开孔的掩模(mask)，使上述124落入到掩模的孔中而配置到上述电极焊盘116上，进行回流焊而形成为凸块115形状。上侧印刷配线板109在电极116上通过焊料膏印刷形成焊料凸块115。
图24是表示基板的贴合工序的图。如图24中(a)所示，以下侧多层印刷配线板110、3层化片118、上侧多层印刷配线板109的顺序，用定位销等导引而载置到真空热压接装置内，在抽真空后的环境中热压接，从而图24中(b)所示的构造的层间连接基板完成。
Cu芯焊料镀层球124和焊料凸块115通过一齐热压接而形成可靠性较高的鼓状的层间连接部107。该情况下的芯球连接也可以是Cu以外的其他金属(Ni、A1、Au、Pt、Pd等)，也可以是树脂芯球、陶瓷或玻璃等的无机材料。这些芯球的表面也可以被镀层，也可以在金属以外的材料的芯球上形成金属膜。此外，也可以形成在粘接剂中放入金属片的膏。此外，芯并不限于球状，也可以是柱(突起)和焊料、柱(突起)和含金属膏的组合。
[实施例13]
使用图25、图26、图27，说明需要高速信号配线的基板的、应用由实施例1表示的层间连接的构造例。
图25中(a)表示在实施例1的层间连接基板101中、对例如如压配连接器103搭载部那样TH102、111和层间连接部107密集存在的区域、在贴合基板间的芯材113的中央部水平地切断的G－G’剖视图。这里，添加132的标号、在层间连接部107的周围、以及TH102、111的周围以两个圆弧相连的方式记载的区域，表示将下侧多层印刷配线板110中的距贴合面最近的接地层131抽掉(日语：繰り抜いた)该区域的形状(在本实施例中，在图25中(b)中表示上侧多层印刷配线板109中的距贴合面最近的接地层131也被抽掉相同的区域的形状)。
例如在图25中(a)、图25中(b)中，如添加132的标号表示那样，通过将上侧多层印刷配线基板109及下侧多层印刷配线基板110的距各电极116最近的接地层131抽掉以焊料连接电极(层间连接部107)为中心的圆形，能够降低因在形成于贴合面上的电极116与抽掉前的接地层131之间发生的负荷电容带来的反射为原因而发生的反射损失。
例如，对焊料连接或Cu芯焊料镀层球连接的配线构造进行电磁场解析，对14Gbps的20[ps]脉冲波计算出以下这样的反射特性。脉冲波通过上侧多层印刷配线基板的TH经由连接用电极到达下侧多层印刷配线基板的TH，例如是TH直径204＝Φ0.3mm、外层电极直径205＝Φ0.7mm、以及连接电极焊盘直径206＝Φ0.7mm的情况。测量输入脉冲时的TH连接基板及Cu芯球连接贴合基板的TDR波形。TDR是Time Domain Ref1ectometry(时间区域反射测量法；特性阻抗测量方法)。
在图26中表示调查反射特性的结果。
分别由140、141、142、143、144表示的曲线如以下这样。
140是参照的通常的TH连接的情况下的反射损失特性。
由141表示的曲线是接地抽取直径：0.4mm的情况下的反射损失特性。
由142表示的曲线是接地抽取直径：0.8mm的情况下的反射损失特性。
由143表示的曲线是接地抽取直径：1.6mm的情况下的反射损失特性。
由144表示的曲线是接地抽取直径：2.4mm的情况下的反射损失特性。
如本实施例记载那样，在将接地层131抽掉(日语：繰り抜いた)的情况下，被推测为连接部分的负荷电容起因的特性阻抗的下降被改善。
此外，图27表示接地层131的抽掉形状直径(C)133与特性阻抗(在120[ps]附近出现的峰值)的关系。特性阻抗的值随着直径(C)的值的增加而增大，但由于从某个一定的直径、在该例的情况下从直径1.6mm开始饱和，所以能够确认，通过以该值以上的直径将接地层131抽掉而传送特性提高。
这样的接地层131的抽掉形状132是一例。由于根据层间连接部107与接地层131的距离、配线金属层厚度等的配线构造而特性阻抗的值变化，所以只要分别求出适当的形状就可以，并不限定形状。形状并不限于圆形，只要决定各自的最优的形状就可以。此外，接地层131即使是电源层等的固体填充层(日语：ベタ層)，通过同样的抽掉，传送特性提高。

Claims (19)

1.一种层间连接基板的制造方法，其特征在于，
在具有贯通通孔即贯通TH的第1被贴合多层基板的贴合表面上，形成与希望得到电气导通的TH的焊盘相连接的电极，且在该电极上形成焊料凸块；
在具有贯通TH的第2被贴合多层基板的贴合表面上，在与上述第1被贴合多层基板的电极形成位置相对置的位置上，形成与TH焊盘相连接的电极，且在该电极上形成焊料凸块；
在将由硬化的树脂构成的芯材的两面用没有完全硬化的树脂材料的粘接件夹住而形成的3层化片上，在与上述TH对应的位置及与上述电极上的焊料凸块对应的位置上分别开孔；
使上述第1、第2被贴合多层基板各自的贴合表面相对置地设置该第1、第2被贴合多层基板，在它们之间将上述3层化片定位并层叠，在真空的环境下，通过加热、压缩的工艺进行一并热压接。
2.如权利要求1所述的层间连接基板的制造方法，其特征在于，
在上述层间连接基板中，在上述一并热压接的过程中树脂流动到TH内的情况下，针对TH进而实施树脂去除钻削加工。
3.如权利要求1所述的层间连接基板的制造方法，其特征在于，
在上述第1、第2被贴合多层基板的各自的贴合表面上通过涂敷阻焊剂且曝光显影处理进而实施平坦化处理；
在上述3层化片的与TH相对应的位置上，开设直径比上述TH的直径大的孔。
4.如权利要求3所述的层间连接基板的制造方法，其特征在于，
在上述第1、第2被贴合多层基板各自的贴合表面上，在通过上述阻焊剂进行平坦化处理时，进而在TH的焊盘上由上述阻焊剂形成环状的堤坝形状图案；
在上述3层化片的与TH相对应的位置上，开设直径比上述TH的直径大的孔，进而将上述粘接件的孔径开设得比上述芯材的孔径大。
5.如权利要求3所述的层间连接基板的制造方法，其特征在于，
在上述第1、第2被贴合多层基板各自的贴合表面上，在通过涂敷阻焊剂且曝光显影处理来实施平坦化处理后，粘贴片型阻焊剂，通过曝光显影处理对TH进行覆盖；
在上述一并热压接工艺后，对贯通TH通过钻削进行开孔加工。
6.如权利要求1所述的层间连接基板的制造方法，其特征在于，
在上述3层化片的贴合形成后，在与上述TH相对应的位置上通过激光局部加热比TH直径大的直径而使其预先硬化，在与上述TH相对应的位置、以及与上述电极上的焊料凸块相对应的位置上分别开孔。
7.如权利要求1所述的层间连接基板的制造方法，其特征在于，
在TH和层间连接部密集存在的区域中，在上述3层化片上存在于外周的层间连接部的周围或层间连接部与TH之间开设用于抑制熔融树脂的流动并使其均匀化的伪孔。
8.如权利要求1所述的层间连接基板的制造方法，其特征在于，
在TH和层间连接部密集存在的区域中，为了使熔融树脂的流动不达到层间连接部，在上述3层化片上设置除去区，该除去区的边界被设定为估计熔融树脂不从周围的半固化片材向存在于最近处的层间连接部到达的适当的距离。
9.如权利要求3所述的层间连接基板的制造方法，其特征在于，
将上述第1、第2被贴合多层基板的TH的一部分在层间连接中使用，将绝缘树脂填充于该TH，在该TH的焊盘上印刷焊料膏而形成焊料凸块。
10.如权利要求9所述的层间连接基板的制造方法，其特征在于，
在上述第1被贴合多层基板的上述TH的焊盘上搭载包括Cu芯焊料镀层球的金属球；
在上述第2被贴合多层基板的上述TH的焊盘上形成焊料凸块、或者不形成焊料凸块而贴合。
11.如权利要求1所述的层间连接基板的制造方法，其特征在于，
在上述第1被贴合多层基板上加工凹部或阶差部，在上述凹部的底部或阶差部的贴合表面上形成连接到希望得到电气导通的TH的焊盘上的电极，并在该电极上形成焊料凸块；
在外形被加工为上述第1被贴合多层基板的贴合表面的形状且具有上述贯通TH的第2被贴合多层基板的贴合表面上，与上述第1被贴合多层基板的电极形成位置相对置的位置上形成与TH焊盘相连接的电极，并在该电极上形成焊料凸块。
12.如权利要求1所述的层间连接基板的制造方法，其特征在于，
在具有贯通TH的第3被贴合多层基板的第1贴合表面上，与贴合于该基板的上层的基板的电极形成位置相对置的位置上形成与TH焊盘相连接的电极，并在该电极上形成焊料凸块，在上述第3被贴合多层基板的第2贴合表面上，与贴合于该基板的下层的基板的电极形成位置相对置的位置上形成与TH焊盘相连接的电极，并在该电极上形成焊料凸块；
在具有上述贯通TH的第2被贴合多层基板的贴合表面上，与上述第3被贴合多层基板的电极形成位置相对置的位置上形成与TH焊盘相连接的电极，并在该电极上形成焊料凸块；
使上述第1、第2以及至少1个以上的第3被贴合多层基板各自的贴合表面相对置地设置上述第1、第2以及至少1个以上的第3被贴合多层基板，并在它们之间将上述3层化片定位并层叠，在真空的环境下，通过加热、压缩的工艺进行一并热压接。
13.如权利要求3所述的层间连接基板的制造方法，其特征在于，
在上述第1被贴合多层基板的电极上通过焊料膏印刷来印刷焊料后，配置Cu芯焊料镀层球而形成焊料凸块；
在上述第2被贴合多层基板的电极上形成焊料凸块。
14.如权利要求1～13中任一项所述的层间连接基板的制造方法，其特征在于，
上述焊料是Sn－3Ag－0.5Cu焊料、或者是包括Sn类、包括低Ag类的Sn－Ag－Cu类、Sn－Cu类、Sn－Ag－Bi类、Sn－In类、Sn－Zn类的无铅焊料或含铅焊料中的某种；
上述3层化片的粘接件是使热硬化性树脂含浸玻璃纤维而成的B阶材；
将上述多个多层基板进行一并热压接的工艺为：在真空的环境下，开始加热直到达到了焊料的熔点温度的阶段，从将基板夹入的临时加压向正式加压转移，使熔融树脂填充于多层基板间的间隙。
15.如权利要求1～13中任一项所述的层间连接基板的制造方法，其特征在于，
上述焊料是Sn－58Bi焊料、Sn－1Ag－57Bi焊料、或者是包括Sn类、Sn－Bi类、Sn－Ag－Cu类、包括Ag含有量比3.0wt％低的低Ag类的Sn－Ag类、Sn－Cu类、Sn－Ag－Bi类、Sn－Zn类的无铅焊料或含铅焊料中的某种；
上述3层化片的粘接件是使热硬化性树脂含浸玻璃纤维而成的B阶材；
将上述多个多层基板进行一并热压接的工艺为：在真空的环境下，开始加热直到达到了焊料的熔点温度的阶段，从将基板夹入的临时加压向正式加压转移后，加热到树脂硬化温度并保持为该温度，使熔融树脂填充于多层基板间的间隙。
16.一种层间连接基板，其特征在于，具备：
第1被贴合多层基板，具有贯通TH，在希望得到电气导通的TH的焊盘上形成有电极，在该电极上形成层间连接部，并在贴合表面上粘接有3层的树脂基板的单面；
第2被贴合多层基板，具有贯通TH，在贴合表面上与上述第1被贴合多层基板的电极形成位置相对置的位置上形成有与TH焊盘相连接的电极，在该电极上形成有层间连接部，并在贴合表面上粘接有上述3层的树脂基板的背面；
上述层间连接部，由焊料接合部、以金属球为芯的焊料接合部、或以柱为芯的焊料接合部构成。
17.如权利要求16所述的层间连接基板，其特征在于，
将上述第1、第2被贴合多层基板的距形成有层间连接部的电极最近的接地层除去为以电极部为中心的圆形。
18.如权利要求16所述的层间连接基板，其特征在于，
上述焊料是包括Sn类、Sn－Bi类、Sn－Ag－Cu类、包括Ag含有量比3.0wt％低的低Ag类的Sn－Ag类、Sn－Cu类、Sn－Ag－Bi类、Sn－In类、Sn－Zn类的无铅焊料或含铅焊料中的某种。
19.如权利要求16所述的层间连接基板，其特征在于，
以上述金属球为芯的芯球连接是包括Ni、A1、Au、Pt、Pd的Cu以外的其他金属、树脂芯球、或者是包括陶瓷、玻璃的无机材料中的某种。
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