JP2007115955A - 多層プリント配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】従来の複数枚のフィルムを 接着剤を用いて張り合わせてなる多層プリント配線基板の場合、フィルム同士の接続に接着剤を用いるため、接着剤が薄層化へ影響を与える場合があった。そこで本発明は薄層化を目的とするものである。
【解決手段】フィルム１０２ａ、１０２ｂを使った複数枚の両面基板１１４ａ、１１４ｂを、途中にプリプレグ１３０及び前記プレプリグを貫通する貫通バンプ１１０を介して、加熱圧着積層し一体化することで、両面基板１１４ａ、１１４ｂの上に予め形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｂ同士を電気的に接続することができ、更に第２の配線１０６ａ、１０６ｂを前記プリプレグに埋没させることでその配線厚みを吸収することで、多層基板の薄層化のニーズに対応できる。
【選択図】図１

Description

本発明は、携帯電話や超小型携帯端末等に使われる多層プリント配線基板や、半導体チップをベアチップ実装する際に用いられるインターポーザ等に用いられる多層プリント配線基板及びその製造方法に関するものである。

従来、この種の多層プリント配線基板（以下、単に多層基板と呼ぶ）としては、任意の位置にＩＶＨ（インナービアホール）を形成したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

そして市場からは多層基板の更なる薄層化が望まれていた。以下、多層基板を薄層化するための手段としてフィルムを使った多層基板について説明する。

図１４は従来の多層基板の一例を示す断面図であり、接着剤を用いてフィルムを積層する多層配線板の一例である。図１４において、フィルム１０上には配線１２よりなる所定パターンが形成されている。そして複数のフィルム１０は、接着剤１４によって銅箔１２と共に接着されている。また必要部分にＩＶＨ８を形成することで、異なる層に形成された配線１２同士を接続している。
特開２００２−３５３６１９号公報

しかしながら、前記従来の構成では、フィルム１０同士を接続するために接着剤１４を用いているため、薄層化に限度があった。

例えば図１４で示した構成の場合、配線１２が片面に形成されたフィルム１０を用いて積層するため、４層の多層基板を作成する場合、接着剤１４が３層、フィルム１０が４層の合計７層分の厚みが必要となり、薄層化が難しかった。

一方図１４で示した構成の応用として、配線１２を両面に形成したフィルム１０を２枚用意し、接着剤１４で貼り付けて４層の多層基板とすることも考えられた。この場合、両面に配線１２が形成されたフィルム１０同士を、接着剤１４によって貼り付けることになる。しかしこの張り合わせの際に、接着剤１４が軟化、流動するため、向き合った配線１２同士を短絡させる可能性がある。

本発明は、前記従来の課題を解決するもので、フィルムの積層に接着剤の代わりにプリプレグを用いた多層基板を提供することを目的とする。

前記従来の課題を解決するために、本発明は表裏面に配線パターンが形成された樹脂フィルムを使った両面プリント配線基板同士を、途中にプリプレグを挟んでプレス、一体化することになる。

本発明の場合、例えば織布が樹脂で含浸されてなるプリプレグを選んだ場合、このプリプレグを介して配線が両面に形成されたフィルム同士を張り合わせるため、高圧でプレスした場合でもプリプレグに含まれる織布によって配線同士の短絡が防止できる。また予めプリプレグに貫通孔を形成し導電性ペーストが充填しておくことで、両面プリント配線基板同士の接着と同時にＩＶＨ（インナービアホール）の形成も可能となる。

本発明のプリント配線基板及びその製造方法においては、接着剤の代わりにプリプレグを用いて積層することで、ＩＶＨを有するプリント配線基板を極薄で作成することができる。

（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における多層基板について、図面を参照しながら説明する。

図１は本発明の実施の形態１における多層基板の断面図である。図１において１０２ａ、１０２ｂはフィルム、１０４ａ、１０４ｂは第１の配線、１０６ａ、１０６ｂは第２の配線、１０８は絶縁層、１１０は貫通バンプ、１１２は層間接続部、１１４ａ、１１４ｂは両面基板、１１６は貫通接続層である。ここでフィルム１０２ａの片面には第１の配線１０４ａが、もう片面には第２の配線１０６ａが形成され、層間接続部１１２を用いて互いに接続され、両面基板１１４ａを構成する。同様に両面基板１１４ｂは、フィルム１０２ｂの両面に第１の配線１０４ｂと第２の配線１０６ｂが形成され、層間接続部１１２で接続されている。また貫通接続層１１６は、絶縁層１０８と貫通バンプ１１０から構成されている。そして両面基板１１４ａと両面基板１１４ｂは間に、貫通接続層１１６を介して層間接続される。同様に両面基板１１４ａの第２の配線１０６ａと両面基板１１４ｂの第２の配線１０６ｂを貫通バンプ１１０で電気的に接続する。そして両面基板１１４ａ上に形成された第２の配線１０６ａと、両面基板１１４ｂ上に形成された第２の配線１０６ｂを、共に貫通接続層１１６に埋没させる。なお貫通バンプ１１０については後で説明するように、実施の形態１ではＩＶＨ（インナービアホール）として機能することになる。

図１において配線や絶縁層の数え方について説明する。図１を上から下に数えた場合、表層から数えて１層目の１層目絶縁層（これは表層に相当する）がフィルム１０２ａ、表層から数えて２層目の２層目絶縁層が絶縁層１０８に、表層から数えて３層目の３層目絶縁層がフィルム１０２ｂに、相当する。同様に表層から数えて１層目の１層目配線（もしくは表層の配線）が第１の配線１０４ａに、表層から数えて２層目の配線が第２の配線１０６ａに、表層から数えて３層目の配線が第２の配線１０６ｂに、表層から数えて４層目の配線が第１の配線１０４ｂに、相当する。なお図１は、４層構造（電極が４層有る意味）で、上下対称であるため、上から下に数えても、下から上に数えても実質的な違いは無いが、本発明においては原則的に上から下に数えるものとする。

こうして実施の形態１では、図１に示すように、表層から数えて２層目に形成された２層目絶縁層（図１の絶縁層１０８）を貫通する電気的接続が、貫通バンプ１１０となる貫通接続層１１６を有する。そして表層から数えて２層目に形成された２層目配線（図１の第２の配線１０６ａ）と、表層から数えて３層目に形成された３層目配線（図１の第２の配線１０６ｂ）とが、前記貫通接続層１１６に埋設される。

このようにして実施の形態１において絶縁層１０８の任意の位置に貫通バンプからなる貫通バンプ１１０を形成できる。そして図１に示すように、フィルム１０２を用いた複数枚の両面基板１１４ａ、１１４ｂの電極厚み（あるいは電極の凹凸）を絶縁層１０８で吸収すると同時に、貫通バンプ１１０からなるＩＶＨ（インナービアホール）を形成することになる。

なお実施の形態１において貫通接続層１１６を構成する絶縁部材として、プリプレグを使うことができる。ここでプリプレグとは、例えばガラス繊維等を樹脂で含浸させたもの等が市販されているが、特にこれにこだわる必要は無い。本実施の形態では、積層前は未硬化で、積層後に硬化している部材であればプリプレグとして使える。また繊維（織布、不織布）や後述するフィラー等をプリプレグの一成分とすることで、プレス時に第２の配線１０６ａ、１０６ｂ同士の短絡を防止できる。こうした添加物は繊維や粉体にこだわることなく、例えばフィルム状のものであってもよい。

また貫通バンプ１１０を構成する部材として、熱硬化性の導電ペーストを用いることができる。このように本発明において、プリプレグ及び貫通バンプ１１０を使うことで、接着剤を使わない分、多層基板を薄層化できる。

なお多層基板の寸法は３００ｍｍ×５００ｍｍ±２００ｍｍ程度が望ましい。１００ｍｍ×３００ｍｍより寸法が小さい場合、製品の取れ数が少なくなるため、コストアップする可能性がある。また５００ｍｍ×７００ｍｍより基板寸法が大きくなると、工程内での取り扱い性、寸法変化等への影響が表れる場合がある。

以上のように、表層から数えて２層目の２層目絶縁層（図１の絶縁層１０８に相当）を貫通する電気的接続を貫通バンプ１１０で行う。そして表層から数えて２層目に形成された２層目配線（図１の場合、上から数えると両面基板１１４ａの上に形成された第２の配線１０６ａに相当する。同様に下から数えると両面基板１１４ｂの上に形成された第２の配線１０６ｂに相当する）と、表層から数えて３層目に形成された３層目配線（図１の場合、上から数えると両面基板１１４ｂの上に形成された第２の配線１０６ｂに相当する。同様に下から数えると両面基板１１４ａの上に形成された第２の配線１０６ａに相当する）を、貫通接続層１１６で接続することで、４層基板の薄層が可能となる。

（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２における多層基板の製造方法について、図２から図４を用いて説明する。図２から図４は、実施の形態２による多層基板の製造方法を説明する断面図である。ここで実施の形態２は４層基板の製造方法の一例であり、例えば実施の形態１で説明した４層基板の製造方法の一例に相当する。

図２は導電性ペースト（例えば、熱硬性導電ペースト）を用いたバンプの製造方法の一例を示す断面図である。図２において、１１８は第１の基板材、１２０は第２の基板材、１２２は金属板、１２４は導電性ペースト、１２６は矢印である。

図２（Ａ）において、第１の基板材１１８と第２の基板材１２０は、共に金属板１２２の上に固定された状態で、互いに向かい合わせてセットされている。また第１の基板材１１８の表面には、予め導電性ペースト１２４が所定位置に点付け（もしくはメタルマスク等を用いて印刷）されている。そして矢印１２６に示すように、第１の基板材１１８と第２の基板材１２０を互いに押し付けて、導電性ペースト１２４が、第２の基板材１２０に接するようにする。その後、第１の基板材１１８と第２の基板材１２０を矢印１２６の方向に引き剥がす。そして図２（Ｂ）に示すように、導電ペースト１２４が、凸状に引き伸ばされ、バンプ１２８を形成する。こうして導電性ペースト１２４からなるバンプ１２８を所定の形状に揃える。なおバンプ１２８の形状は凸状（望ましくは、先端が鋭い突起状）が望ましい。そして導電ペースト１２４を硬化させ、バンプ１２８とする。

図３は、バンプを用いて積層する様子を示す断面図である。図３において、１３０はプリプレグである。

図３（Ａ）において、両面基板１１４ａは、フィルム１０２ａの両面に第１の配線１０４ａと、第２の配線１０６ａが形成され、互いに層間絶縁部１１２を介して接続されている。図３（Ｂ）は、両面基板１１４ａの第２の配線１０６ａ上に、バンプ１２８を形成した様子を示す。なおバンプ１２８の形成には、図２を参照できる。

ここでフィルム１０２の材質として、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、アラミドフィルム等の耐熱性フィルムを使うことが望ましい。高耐熱性の樹脂フィルムを用いることで、半田付け工程等での熱影響を抑えられる。またフィルム１０２の厚みとしては１００μｍ以下、特に５μｍ以上５０μｍ以下（望ましくは３０μｍ以下、更に可能なれば２５μｍ以下）が望ましい。このように極薄の耐熱性フィルムを用いることで、出来上がった多層基板の総厚を薄くできる。なおこうした耐熱性フィルムの両面に、接着剤を使うことなく銅箔を形成した基板材料（例えば後述するＣＣＬ）を選ぶことができる。こうした接着剤を用いることなく耐熱性フィルムと銅箔を貼り付けた銅貼りフィルムを用いることで、多層基板の耐熱性や信頼性が高められる。

図３（Ｃ）は、図３（Ｂ）のバンプが形成された両面基板１１４ａと、プレプリグ１３０と、第２の両面基板１１４ｂを互いに位置合わせする状態を示す。そして位置合わせした状態で、真空プレスで加熱圧着させる（真空プレスは図示していない）。そして真空中で加熱、加圧プレスが終了した後サンプルを取り出す。図３（Ｄ）はこうして熱プレスした後のサンプルの断面図に相当する。

なお真空プレス等を使う際、所定の温度プロファイルでサンプルを加熱することで、プリプレグ１３０が軟化、硬化し、絶縁層１０８と変化する。そしてプリプレグ１３０が軟化した際に、第１の両面基板１１４ａに形成された第２の配線１０６ａを埋没させ配線厚みを吸収する。そして配線厚みを吸収した状態でプリプレグ１３０が硬化し、絶縁層１０８となり両面基板１１４ａを強固に固定する。同時にバンプ１２８が軟化したプリプレグ１３０を突き破り（あるいは繊維の隙間を介して）、バンプ接続層１１０を形成する。このようにして第２の配線１０６ａ、１０６ｂの厚み（もしくは厚みによる凹凸）が低減（もしくは平坦化）できる。

更に詳しく説明する。まずプリプレグの一例としてはガラスエポキシ系の市販品（織布としてガラス繊維を用い、エポキシ系の樹脂で含浸したもの）を使った。次に両面銅箔張りフィルムを用意した。具体的にはポリイミドフィルム（厚み１０μｍ）の両面に接着剤を使うことなく銅箔を張ったものを用いた。具体的には市販のＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）を使うことが望ましい。次に前記両面銅張りフィルムの銅箔部分を所定パターンに加工し、図３（Ａ）の両面基板１１４ａとした。なおＣＣＬとして、接着剤を用いないものを選ぶことが望ましい。このような接着剤を使っていない両面銅張フィルム（例えば、下地等に薄膜法を用いたもの）を選ぶことで、接着剤に起因する課題発生を防止できる。

そしてこの上に、図２で示したようにしてバンプ１２８を形成し、図３（Ｃ）に示すように、両面基板１１４ａ、１１４ｂを所定治具（図示していない）によって位置合わせした。その後、プレスで所定時間、所定温度でプレスして一体化した。この際、必要に応じて真空プレスとしても良い。またこのプレス条件を、プリプレグ１３０が軟化した後、硬化する条件とすることで、バンプ１２８が軟化したプレプリグ１３０を介して、第２の配線１０６ａと第２の配線１０６ｂを電気的に接続する。

こうして、図３（Ｄ）に示すような、極薄の多層基板を作製した。ここで、フィルム１０２ａ、１０２ｂやプリプレグ１３０の厚みを薄く（例えば、４０μｍ→２０μｍ→１０μｍ）することで、総厚が１００μｍ以下、（あるいは６０μｍ以下、更には３０μｍ以下）といった極薄の多層基板が製造できる。

以上のようにして、４層プリント配線基板の表層から数えて２層目の２層目絶縁層の（もしくは絶縁層を貫通する部分の）電気的接続が貫通バンプ１１０である貫通接続層１１６を有し、表層から数えて２層目に設けられた２層目配線（図１において、上から数えた場合、両面基板１１４ａの上に形成された第２の配線１０６ａに相当する。同様に下から数えた場合、両面基板１１４ｂ上に形成された第２の配線１０６ｂに相当する）と表層から数えて３層目に設けられた３層目配線（図１において、上から数えた場合、両面基板１１４ｂの上に形成した第２の配線１０６ｂに相当する。下から数えた場合、両面基板１１４ａの上に形成した第２の配線１０６ａに相当する。）が、前記貫通接続層１１６に埋設されていることを特徴とする４層プリント配線基板を作成できる。

なお“４層プリント配線基板の表層から数えて２層目の２層目絶縁層”は、図１における絶縁層１０８に相当する。４層プリント配線基板の表層から上から数えて１層目の１層目絶縁層は、図１においてフィルム１０２ａに相当する。“表層から２層目に設けられた２層目配線”は、図１を上から数えた場合におけるフィルム１０２ａ上に設けられた配線のうち、絶縁層１０８（もしくは貫通接続層１１６）側に埋没された配線、つまり第２の配線１０６ａに相当する。同様に“表層から３層目に設けられた３層目配線”は、図１において、上から下に数えた場合、両面基板１１４ｂの上に形成され貫通接続層１１６（もしくは絶縁層１０８）側に埋没された第２の配線１０６ａに相当する。

そしてプレプリグ１３０を構成する樹脂の軟化温度を、バンプ１２８を構成する樹脂のガラス転移温度より低く（ガラス転移温度の差は１０℃以上、更に望ましくは２０℃以上が望ましい。ガラス転移温度の差が１０℃未満では貫通性に影響を与える場合がある）することで、プリプレグ１３０を安定して貫通できる。

更に実施の形態２において、“表層から数えて２層目”と、“表層から数えて３層目”の配線（図１における第２の配線１０６ａ、１０６ｂに相当）を、両方とも同様に貫通接続層１１６に埋没することができるため、実装時に基板表面の平滑性や平坦性が望まれるチップ部品や半導体チップ等の実装性（バンプ等を用いたベアチップ実装、更にはインターポーザ等も含む）が高められる。

なお図４は、両面基板１１４ａ、１１４ｂの両方にバンプを形成した様子を示す断面図であり、図３（Ｃ）に相当する。図４において両面基板１１４ａの第２の配線１０６ａと、両面基板１１４ｂの第２の配線１０６ｂの両方の上に、バンプ１２８が形成されている。ここでバンプ１２８の形成に、図２で説明する方法を用いることで、複数枚の両面基板の所定位置にバンプ１２８を一度に形成できる。そして図４に示すようにして、プリプレグ１３０を挟んで、バンプ１２８が形成されて両面基板１１４ａ、１１４ｂを真空プレス装置（図示していない）にて積層する。そしてプリプレグ１３０をバンプ１２８が貫通し、貫通接続層１１６を形成する。

なお図４において、バンプ１２８が形成されていない部分では、プリプレグ１３０に含まれる織布が、互いに向き合った第２の電極１０６ａ、１０６ｂが接触、短絡することを防止する。

以上のようにして、図３に示すように第２の配線１０６ａ上にバンプ１２８を形成するバンプ形成工程と、プリプレグ１３０からなる絶縁層１０８を貫通バンプ１１０で貫通して貫通接続層１１６を形成する貫通接続層形成工程と、両面基板１１４ａ、１１４ｂを作成する両面基板作成工程と、前記貫通接続層１１６の表裏面に前記両面基板１１４ａ、１１４ｂを積層する積層工程と、前記積層体を熱プレス加工する熱プレス工程と、を少なくとも備えることで、４層以上のプリント配線基板を薄層化して製造できる。

（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３における多層基板について、図面を参照しながら説明する。実施の形態１と実施の形態３の違いは、多層化に用いているフィルムの枚数（実施の形態１では２枚、実施の形態２では３枚）である。

図５は実施の形態３における多層基板の断面図である。図５はフィルムを用いた両面基板１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃを、２枚の貫通接続層１１６ａ、１１６ｂを用いて互いに貼り合わしたものである。そして両面基板１１４ａの表面に形成された第２の配線１０６ａと、両面基板１１４ｂの表面に形成された第２の配線１０６ｂとを、貫通バンプ１１０によって電気的に接続する。同様に両面基板１１４ｃの上に形成された第２の配線１０６ｄと、両面基板１１４ｂの上に形成された第２の配線１０６ｃとを貫通バンプ１１０によって電気的に接続する。

このように３枚の両面基板１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ（配線の合計の層数を計算すると、配線２層×３枚＝６層）を貫通接続層１１６ａ、１１６ｂを用いて一体化することで、配線合計６層のうち４層分の配線厚みを、前記貫通接続層１１６ａ、１１６ｂに埋め込み吸収することができ、更なる薄層化が可能となる。

なお貫通接続層１１６ａ、１１６ｂは、絶縁層１０８と貫通バンプ１１０から構成されている。ここで貫通バンプ１１０とは所定の絶縁部材がバンプ１２８で貫通されたものである。

なお貫通接続層１１６を構成する絶縁部材としてプリプレグを使うことができる。また貫通バンプ１１０を構成する導電部材として、硬化型導電性ペースト１２４を用いることが望ましい。このように本発明において、プリプレグ１３０及び硬化型導電性ペースト１２４を使うことで、接着剤を使うことなく、多層基板を構成できるため、多層基板を大幅に薄層化できる。

以上のように、５層以上のプリント配線基板の、少なくとも一方の表層から２層目の２層目絶縁層（図３における絶縁層１０８）間の電気的接続として、貫通バンプ１１０を有し、少なくとも一方の表層から２層目に設けられた２層目配線（図５において、上から数えると両面基板１１４ａの上に形成された第２の配線１０６ａに相当する。同様に下から数えた場合、両面基板１１４ｃの上に形成された第２の配線１０６ｄに相当する）と表層から３層目に設けられた３層目配線（図５において、上から数えると両面基板１１４ｂの上に形成された第２の配線１０６ｂに相当する。下から数えると、両面基板１１４ｂの上に形成された第２の配線１０６ｃに相当する）とが、前記貫通接続層１１６に埋設することで、５層以上の多層プリント配線基板を薄層に形成できる。

なおここで“表層から２層目の２層目絶縁層の電気的接続が導電性ペーストである貫通接続層”とは、図５の貫通接続層１１６ａ、１１６ｂのことである。また表層から数えて１層目の１層目絶縁層とは、図５におけるフィルム１０２ａ、１０２ｂに相当する。“表層から数えて２層目に設けられた２層目配線”とは、図５における両面基板１１４ａ、１１４ｃに形成され貫通接続層１１６ａに埋没された第２の配線１０６ａ、に相当する。また“表層から数えて３層目に設けられた３層目配線”とは、上から下へ数えた場合、図５における両面基板１１４ｂの両面に形成され貫通接続層１１６に埋没された第２の配線１０６ｂ側に相当する。

（実施の形態４）
以下、本発明の実施の形態４における多層基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図６、図７は実施の形態４における多層基板の製造方法を説明する断面図である。実施の形態４は、複数枚のフィルムを用いて多層化する製造方法の一例であり、例えば実施の形態３での多層基板の製造方法の一例を示すものである。

まず図６（Ａ）に示すような両面基板１１４ａの表面にバンプ１２８を形成し、図６（Ｂ）の状態とする。図６（Ｂ）においてフィルム１０２ａの表面には第１の配線１０４ａと、第２の配線１０６ａが形成され、層間接続部１１２を介して電気的に接続されている。またフィルム１０２ａとしては、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、アラミドフィルム等の高強度で低熱膨張係数のフィルム部材を使うことが望ましい。熱膨張係数の小さい（特にシリコンに近い熱膨張係数の）樹脂フィルム１０２ａを用いることで、半導体チップのベアチップ実装にも対応できる。またフィルム１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃの厚みとしては１００μｍ以下、特に５μｍ以上５０μｍ以下（望ましくは３０μｍ以下、更に可能なれば２５μｍ以下）が望ましい。このような極薄の耐熱性フィルムを用いることで、出来上がった多層基板の総厚を薄くできる。なおこうした耐熱性フィルムの両面に、接着剤を使うことなく銅箔を形成した基板材料（例えばＣＣＬ）を選ぶことができる。こうした接着剤を用いることなく、耐熱性フィルムと銅箔を貼り付けた銅貼りフィルムを用いることで、多層基板の耐熱性を高められるため、鉛フリー半田を用いた実装に対応しやすい。

図６（Ｃ）は、プリプレグ１３０と、複数枚の両面基板１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃを互いに位置合わせする様子を示す。第２の配線１０６ａの表面には、バンプ１２８が形成されている。

図６（Ｄ）は、図６（Ｃ）のプリプレグ１３０と、両面基板１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃを互いに一体化した後の様子を示す断面図である。具体的には図３（Ｄ）で示した状態のサンプルを、真空プレス等を使って互いに密着させると共に、所定の温度プロファイルで加熱することで、プリプレグ１３０が軟化し硬化することとなり、絶縁層１０８と変化する。同時に軟化したプリプレグ１３０は、バンプ１２８によって貫通され（あるいは織布を介して）、第２の配線１０６ａ、１０６ｂを互いに電気的に接続する。

更に詳しく説明する。例えば、プリプレグとしてはアラミドエポキシ系を選ぶことができる。次に両面銅箔張りフィルムを用意した。具体的にはアラミドフィルム（厚み１０μｍ）の両面に接着剤を使うことなく銅箔を張ったものを用いた。こうした部材に市販のＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）を使うことができる。次に前記両面銅張りフィルムの銅箔部分を所定パターンに加工し、図６（Ａ）の両面基板１１４ａとした。なおＣＣＬとして、接着剤を用いないものを選ぶことが望ましい。このように両面銅張フィルムにおける銅箔の接合に接着剤を使わないもの（例えば、下地等に薄膜法を用いたもの）を選ぶことで、接着剤に起因する課題発生を防止できる。

次に図６（Ｃ）に示すように、プリプレグ１３０と、バンプ１２８の形成された両面基板１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃを互いに交互に積み重ねて位置合わせする。その後プレスで所定時間、所定温度でプレスして一体化する。この時必要に応じて真空プレスとしても良い。またこのプレス条件をプリプレグ１３０が軟化→硬化する条件とすることで、多層プリント配線基板として一体化できる。そして同時にバンプ１２８が、軟化したプリプレグ１３０を貫通し（あるいは介して）第２の配線１０６ａ、１０６ｂを電気的に接続する。

こうして図６（Ｄ）に示すような、極薄の多層基板を作製した。ここで、フィルム１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃやプリプレグ１３０の厚みを薄く（例えば、４０μｍ→２０μｍ→１０μｍ）することで、総厚が１００μｍ以下、（あるいは６０μｍ以下、更には３０μｍ以下）といった極薄の多層基板が製造できる。

図７は、両面基板の両面にバンプを形成した場合について説明する断面図である。図７と図６（Ｃ）との違いは、バンプの形成位置（もしくは形成面の数）である。必要に応じて図７のように、１枚のプリプレグ１３０の両側からバンプ１２８を挿入することで、プリプレグ１３０のバンプによる貫通を確実にでき、貫通接続層１１６による層間接続の歩留を高められる。

またバンプ１２８が形成されていない部分の第２の配線１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ、１０６ｄ同士は、真空プレス等によって互いに強く押し付けられた場合でも、プリプレグ１３０を構成する織布によって互い短絡することはない。

図６に示すように、少なくとも一方の表層から数えて２層目に形成された２層目絶縁層（両面基板１１４ａと絶縁層１０８に挟まれた第２の配線１０６ａ）を貫通する電気的接続が貫通バンプ１１０である貫通接続層１１６ａを有し、少なくとも一方の表層から数えて２層目に形成された２層目配線（第２の配線１０６ａ）と、表層から数えて３層目に形成された３層目配線（第２の配線１０６ｂ）とが、前記貫通接続層１１６に埋設されていることで、５層以上の多層プリント配線基板の薄層化が可能になる。

（実施の形態５）
以下、本発明の実施の形態５における多層基板について説明する。図８は実施の形態５の多層基板の断面図である。実施の形態５と実施の形態３の違いは、中央部が２層基板（実施の形態３）、中央部が３層以上の多層基板（実施の形態５）である。実施の形態５では、フィルム等を用いた両面基板以外の多様な基板を用いることで、様々な形態の多層基板を形成することとなる。

図８において１３２は多層基板、１３４は層間絶縁層である。多層基板１３２は、層間絶縁層１３４によって層間絶縁された配線１０４と、配線１０４を接続する層間接続部１１２から構成され、その表面には第２の配線１０６ｂ、１０６ｃが形成されている。そして図８において多層基板１３２の表面に形成された配線（第２の配線１０６ｂ、１０６ｃ）は共に貫通接続層１１６ａ、１１６ｂに埋め込まれる。同様にフィルム１０２ａ、１０２ｂの表面に形成された第２の配線１０６ａと第２の配線１０６ｄが、貫通接続層１１６ａ、１１６ｂに埋め込まれる。

そして両面基板１１４ａ上の第２の配線１０６ａと、多層基板１３２上の第２の配線１０６ｂとを、貫通接続層１１６ａに埋没されると共に貫通バンプ１１０によって電気的に接続する。同様に両面基板１１４ｂ上の第２の配線１０６ｄと、多層基板１３２上の第２の配線１０６ｃとを、貫通バンプ１１０によって接続する。

このように多層基板１３２を中央にして、その両側（もしくは両面）に両面基板１１４ａ、１１４ｂを形成し、貫通接続層１１６を用いてその配線厚みを吸収すると共に層間接続を行う。また実施の形態５では、接着剤を使っていないため、接着剤に起因する課題は発生せず、また接着剤を用いない分、薄層化が可能となる。

（実施の形態６）
実施の形態６では多層基板の製造方法について、図９、図１０を用いて更に詳しく説明する。図９から図１１は実施の形態６における多層基板の製造方法を説明する断面図であり、例えば実施の形態５で説明した図８の多層基板の製造方法に相当する。

まず図９（Ａ）に示すように、両面基板１１４ａを用意する。次に図９（Ｂ）に示すように、両面基板１１４ａの第２の配線１０６ａ上に、バンプ１２８を形成する。

図９（Ｃ）に示すように多層基板１３２を用意する。図９（Ｃ）は、多層基板１３２の断面である。多層基板１３２は、層間絶縁層１３４、層間接続部１１２、第１の配線１０４から構成されている。そして層間絶縁層１３４に形成された層間接続部１１２を介して、異なる層に形成された第１の配線１０４同士を接続する。

図９（Ｄ）は、多層基板１３２、両面基板１１４ａ、１１４ｂをプリプレグ１３０によって接続する様子を示す断面図である。図９（Ｄ）において、両面基板１１４ａ、１１４ｂのプリプレグ１３０に面する側に、バンプ１２８が形成されている。そして、このバンプ１２８が、プリプレグ１３０を貫通すると共に、層間接続を行うこととなる。

図９（Ｅ）は、図９（Ｄ）の部材が加熱プレスされて、一体化された後の様子を示す断面図である。この加熱プレスによって、第２の配線１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ、１０６ｄをプリプレグ１３０の中に埋没させる。ここで真空プレス（あるいは真空加熱プレス）を使って互いに密着させると共に、所定の温度プロファイルで加熱することで、プリプレグ１３０が軟化し、第２の配線１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ、１０６ｄをプリプレグ１３０の中に埋没させ、その後、プリプレグ１３０が硬化し、絶縁層１０８を構成する。この時バンプ１２８は軟化したプリプレグ１３０を貫通すると共に、第２の配線１０６ａ、１０６ｂ、あるいは第２の配線１０６ｃ、１０６ｄを電気的に接続し、貫通バンプ１１０となる。

更に詳しく説明する。まずプリプレグとしては市販品（厚み３０μｍ、ガラスエポキシ系）を使った。次に両面銅箔張りフィルムを用意した。具体的にはポリイミドフィルム（厚み１０μｍ）の両面に接着剤を使うことなく銅箔を張ったものを用いた。こうしたものとして市販のＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）を使うことができる。次に、前記両面銅張りフィルムの銅箔部分を所定パターンに加工し、図９（Ａ）の両面基板１１４ａとした。

次に、図９（Ｄ）に示すように所定時間、所定温度でプレスして一体化した。この際、必要に応じて真空プレスとしても良い。こうして図９（Ｅ）に示すような、極薄の多層基板を作製した。

次にプリプレグについて説明する。ここでプリプレグ（事前含浸処理シート材）とは、活性樹脂を含浸させた繊維素材（または織布）であり、まだ完全には硬化していていない状態であるため、熱プレス等によって硬化可能なものである。また後述するようにプリプレグに繊維を加えても良い。こうすることで成形での寸法バラツキを抑えられると共に、出来上がった多層基板の強度も高められる。なお含浸させる樹脂としては、熱硬化性樹脂を使うことが望ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂やイミド樹脂を使うことができる。また繊維素材（あるいは織布）としては、ガラス繊維、イミド、芳香族等のポリアミド、アラミドなどを用いることができる。

なおプリプレグの硬化温度は８５℃から２２０℃の範囲が望ましい。温度が２３０℃以上の場合、樹脂硬化にバラツキが発生し、寸法性に影響を与える場合がある。また温度が８５℃より低い場合、樹脂硬化の時間が増加し、硬化状態に影響を与える場合がある。また特にフィルムの厚みが５０μｍ以下と薄い場合、１８０℃以上２２０℃以下の温度範囲でプレリグの硬化を行うことが望ましい。こうすることで両面基板１１４の表面に形成された配線のうち、プリプレグ１３０の側に形成された第２の配線１０６をプリプレグ１３０の中に（あるいはプリプレグの厚みの中に）埋没できる。

また圧力範囲は２ＭＰａ（メガパスカル、圧力の単位）以上６ＭＰａ以下が望ましい。２ＭＰａ未満の場合、図９（Ｅ）に示す多層基板の密着性にバラツキが発生する可能性がある。また圧力の印加時間は１分以上３時間未満が望ましい。圧力の印加時間が１分未満の場合、プレスによるバラツキが発生する場合がある。またプレス時間が３時間を越えると、生産性に影響を与えてしまう。このため、圧力２ＭＰ以上６ＭＰａ以下（特には４ＭＰａ以上６Ｍｐａ以下）が望ましい。一般的な多層基板の場合２から３ＭＰａで積層されることが多いが、本実施の場合、フィルムが薄くなるほど、貫通バンプ１１０やプリプレグ１３０の厚みバラツキの影響を受ける可能性もある。そのため、貫通バンプ１１０を用いる場合の積層圧力は５Ｍｐａ程度（例えば４ＭＰａ以上６ＭＰａ以下）と高めにすることが望ましい。

更に具体的に説明する。まず繊維含浸プリプレグとしては、約５０ｃｍ角、厚み５０μｍで、アラミド繊維をエポキシ系樹脂の中に埋め込まれた状態のもの（硬化前のもの）選んだ。そして、この繊維含浸プリプレグ（繊維に樹脂を含浸させてなるプリプレグ）を、多数個のバンプ１２８を形成した両面基板を用いてプレス装置によって加圧加熱圧着し、一体化させた。なおプレス条件としては、発明者が事前に最適化したプレスプログラム（室温から２００℃前後まで段階的に温度が上がった後、自動的に室温まで温度が下がるものであり、時間と共に圧力も変化させたもの）を使うことで、安定した物作りが可能となる。

図１０は、多層基板の両面にバンプを形成した場合について説明する断面図である。図１０と図９（Ｄ）との違いは、バンプの形成位置（もしくは形成面）である。図１０のように、両面基板の側にバンプ１２８を形成することで、極薄のフィルムの代わりに、バンプが多層基板側に形成することで、バンプ付き基板の取り扱いが容易になる。

図１１は、多層基板及び両面基板の両方にバンプを形成した例である。このようにプリプレグ１３０の両側に向き合うようにバンプ１２８を形成し、両側からバンプ１２８を挿入することで、プリプレグ１３０のバンプによる貫通を確実にすると共に、バンプ１２８のバラツキ（厚み、形状、位置、硬度他）を吸収できるため、貫通接続層１１６による層間接続の歩留を高められる。

（実施の形態７）
次に実施の形態７について、図１２を用いて説明する。実施の形態７では、表層に形成したブラインドビアを用いて層間接続及び表層の配線を形成する場合について説明する。

図１２は実施の形態７の多層基板の製造方法を説明する断面図であり、例えば実施の形態６で説明した多層基板の製造方法の一例であり、実施の形態１や実施の形態３等にも応用可能なものである。特に本実施の形態７では、多層基板の表層の電極（表層から数えて１層目の１層目絶縁層を形成する絶縁基材が樹脂フィルムであり、表層から数えて１層目の１層目配線）及びその配線に接続された層間接続部を、めっき技術を用いて一体化することに特徴があり、より高性能で微細なパターンを形成できる。

まず図１２において１３６はブラインドビア、１３８は金属膜である。まず図１２（Ａ）を用いて説明する。図１２（Ａ）は表層がフィルムである多層基板の断面図である。図１２（Ａ）において、中央部には、層間絶縁層１３４や第１の配線１０４ａ、層間接続部１１２からなる多層基板１３２が形成されている。そして多層基板１３２の、絶縁層１０８に面した側の第２の配線１０６ｂは、必要に応じて貫通バンプ１１０を介して、フィルム１０２の絶縁層１０８に面した側に形成された第２の配線１０６ａに接続されている。このようにして、多層基板１３２の表面に形成された第２の配線１０６ｂと、フィルム１０２の上に形成された第２の配線１０６ａが、貫通バンプ１１０を介して電気的に接続する。

図１２（Ａ）に示す多層基板の両表面は、フィルム１０２で覆われている。次に図１２（Ｂ）から図１２（Ｄ）を用いて、フィルム１０２の表面に配線等を形成する様子を断面で説明する。

図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）で示した多層基板の両表面に形成されたフィルム１０２に孔（この孔がブライドビア１３０となる）を形成した後の断面図である。図１２（Ｂ）において表層のフィルム１０２にはブラインドビア１３６が形成されており、ブラインドビア１３６の中（もしくはブラインドビア１３６の底）には、フィルム１０２の絶縁層１０８側に形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｄが露出している。

図１２（Ｃ）は、フィルムの上にブラインドビアを埋めるように金属膜を形成した様子を示す断面図である。図１２（Ｃ）において、フィルム１０２の表面に金属膜１３８を形成することで、同時にブラインドビア１３６も金属膜１３８で覆う。なおこのような金属膜１３８の形成としては、めっき法や薄膜法等を用いることができる。なお金属膜１３８の形成は、図１２（Ｃ）に示すように基板の両面でも良いが、必要に応じて片面だけに形成しても良い。このようにしてブラインドビア１３６を覆うように形成された金属膜１３８は、フィルム１０２の絶縁層１０８側に形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｄに電気的に接続する。

図１２（Ｄ）は、金属膜１３８をエッチング等で、所定パターンに形成した後の断面図を示す。図１２（Ｄ）に示すように、金属膜１３８を所定形状にパターニングする際、ブラインドビア１３６を覆う部分の金属膜１３８もビアフィル（もしくはビア埋め材として）をそのまま残しながら、第１の配線１０４とする。こうして第１の配線１０４は、ブラインドビア１３６を介して、第２の配線１０６とも電気的に接続する。

このように図１２（Ｃ）、図１２（Ｄ）に示すように、ブラインドビア１３６に金属膜１３８を形成することで、表層から数えて１層目の１層目絶縁層の電気的接続（つまりフィルム１０２に形成されたブラインドビア１３６を介して第１の配線１０４と第２の配線１０６を電気的接続すること）が可能となるため、配線抵抗の低い層間接続が可能となる。

（実施の形態８）
実施の形態８では、めっき法の代わりに薄膜法（あるいは薄膜法とめっき法の組合せ）を用いた場合について説明する。実施の形態８と実施の形態７の違いは、薄膜法（実施の形態８）とめっき法（実施の形態７）の違いだけであり、共通点が多いので図１２を用いて説明する。

まず図１２（Ａ）に示すブラインドビア１３６の形成としては、ＹＡＧ、ＣＯ₂等のレーザ装置を使うことができる。ブラインドビア１３６等の表面への金属膜１３８の形成方法としては、最初にＮｉＣｒ等の下地層（シード層と呼ばれることもある）を１０から５０Å程度形成し、この上に銅を電気めっきしても良い。あるいはシード層無しにフィルム上に銅を無電解めっきしても良い。あるいはフィルム上に薄膜法（電子ビーム、スパッタ他）を用いて、直接銅を析出（デポジション）しても良い。なおこれらの場合、その厚みが１０Å以上（望ましくは電気めっきに使える程度の導電性が得られる程度）あれば、その導電性を利用してその上に銅を電気めっきで配線に必要となる厚み（例えば５〜３０μｍ、薄層化が必要な場合は３〜１５μｍ程度）として形成できる。このようにシード層（あるいは金属下地）を使う、あるいは金属膜の形成方法を工夫することで、フィルム１０２に対する部材の密着力を高められる。

このように表層から数えて１層目及び数えて２層目に設けられた配線の少なくとも一方は、スパッタ膜を介して、表層から数えて１層目の１層目絶縁層に固定することで、フィルム１０２表面への金属膜１３８や第１の配線１０４、第２の配線１０６等の密着性を高められる。

（実施の形態９）
実施の形態９では、図１３を用いて説明する。図１３は実施の形態９による多層基板の製造方法を説明する断面図であり、図１３において１４０は下地電極層である。実施の形態８（図１２）と実施の形態９（図１３）の違いは、フィルム表面の下地電極層１４０の有無である。

まず図１３（Ａ）に示すようにフィルム１０２ａ、１０２ｂの少なくとも露出面に下地電極層１４０に銅を用いる場合、下地電極層１４０を用いることで、フィルム１０２ａ、１０２ｂへの密着力を更に高められる。また必要に応じてＮｉＣｒやＣｒ等の薄膜を更に下地電極層１４０（下地電極層を単層としても良いし、複数層としても良い）に使うこともできる。この場合は１０から５０Å程度形成し、この上に銅を電気めっきしても良い。なお厚みが１０Å以上１μｍ程度あれば、その導電性を利用してその上に銅を配線に必要な厚み（例えば５〜３０μｍ、薄層化が必要な場合３〜１５μｍ程度が望ましい）に形成することができる。このように下地電極層１４０を使うことでフィルム１０２への密着力を高められる。

なお、図１３（Ｂ）に示すように、下地電極層１４０と共に、フィルム１０２にレーザ等を用いてブラインドビア１３６を形成することができる。そしてその後は、図１２と同様にして所定の厚みで第１の配線１０４や層間接続部１１２を形成できる。

（実施の形態１０）
実施の形態１０では、絶縁層に無機フィラーが添加されてなる樹脂フィルムを用いた場合について説明する。実施の形態２（ガラスエポキシ系プリプレグ）や実施の形態６（アラミド入りプリプレグ）と、実施の形態９（無機フィラー入り）との違いは、プレプリグの内容物（添加物である）。同様に樹脂フィルムとしては、熱硬化性樹脂フィルム（本硬化前のプレプリグ状態）を使うことができる。なお実施の形態１０は、実施の形態２や実施の形態９と共通する部分が多いため、図２や図１３を参照できる。

なおプリプレグに添加する無機フィラーとしては、アルミナやシリカ等のセラミック系の絶縁粉が望ましい。このようにプリプレグに予め無機フィラーを添加しておくことで、熱プレス時にプリプレグが流動しすぎる（流動しすぎると、バンプ１２８がスカスカと貫通してしまうため、多層基板の総厚のバラツキの発生原因になる）ことを防止できる。このように、熱プレス時のプリプレグの軟化、流動化を一定量で抑えるには、こうした無機フィラーを１０から８５ｗｔ％（望ましくは２０から８０ｗｔ％、更に高精度が要求される場合、４０から６０ｗｔ％）、添加することが望ましい。ここで無機フィラーの添加量が少なすぎる場合、第２の配線１０６の埋没は容易であるが、貫通接続層１１６へ影響する可能性もある。また無機フィラーの添加量が多すぎる場合、熱プレス時に貫通接続層１１６が流れなくなる（あるいはズレたり、望ましくない方向に流動しにくくなる）が、第２の配線の埋没性に影響を与える可能性（例えば、第２の配線の凹凸が吸収できない）可能性がある。そのため、配線の厚み、バンプの形成密度等によって、実施の形態９で用いる熱硬性樹脂の種類やグレード、品番（例えば、ガラス転移温度を増減させる）を調整することが望ましい。

なお添加する無機フィラーの平均粒径は０．５μｍ以上５μｍ以下が望ましい。０．５μｍ未満の場合、ＢＥＴ（比表面積）が大きくなりすぎて、取り扱いにくい場合がある。また５μｍを超える場合、多層基板の薄層化に影響を与える場合がある。

（実施の形態１１）
実施の形態１１では、貫通接続層に熱硬性樹脂を用いる場合について説明する。実施の形態１０で説明するように、貫通接続層を構成する絶縁部材はプリプレグに限定する必要はない。熱硬性の樹脂フィルムでも良いが、ＬＣＰ（液晶ポリマー樹脂）等の高機能性、高強度を有した熱可塑性樹脂も使うことができる。このような高強度な熱可塑性樹脂を用いることで、高精度な多層基板を製造できる。

また貫通接続層に接続される配線の表面は、粗面化処理を行うことが望ましい。このように配線表面を粗面化することで、配線のみならず貫通接続層１１６に対する密着強度も高められる。ここで配線（特に第２の配線１０６）の表面の粗面化処理としては、めっき法（アディティブ法）を使うことが望ましい。ここにサブストラクト法（エッチング法）を用いた場合、配線がエッチングされることにより導電性に影響を与えてしまう場合がある。

なおプリプレグ１３０は、未硬化状態にあるものが、絶縁体として硬化するものであれば良く、織布（あるいは不織布、繊維）の有無、フィラーの有無にこだわる必要はない。または加熱硬化時に絶縁防止できればよく、織布の代わり適当なショート防止部材（例えばフィルム等）の中から選ぶことができる。

以上のように、本発明の多層基板及びその製造方法は、フィルムや多層基板を組合せることによって、従来に無い極薄の多層基板を作製できるため、各種電子機器、携帯機器の小型化、薄型化の用途にも適用できる。

発明の実施の形態１における多層基板の断面図 実施の形態２による多層基板の製造方法を説明する断面図 実施の形態２による多層基板の製造方法を説明する断面図 実施の形態２による多層基板の製造方法を説明する断面図 実施の形態３における多層基板の断面図 実施の形態４における多層基板の製造方法を説明する断面図 実施の形態４における多層基板の製造方法を説明する断面図 実施の形態５の多層基板の断面図 実施の形態６における多層基板の製造方法を説明する断面図 実施の形態６における多層基板の製造方法を説明する断面図 実施の形態６における多層基板の製造方法を説明する断面図 実施の形態７の多層基板の製造方法を説明する断面図 実施の形態９の多層基板の製造方法を説明する断面図 従来の多層基板の一例を示す断面図

符号の説明

１０２ フィルム
１０４ 第１の配線
１０６ 第２の配線
１０８ 絶縁層
１１０ 貫通バンプ
１１２ 層間接続部
１１４ 両面基板
１１６ 貫通接続層
１１８ 第１の基板材
１２０ 第２の基板材
１２２ 金属板
１２４ 導電性ペースト
１２６ 矢印
１２８ バンプ
１３０ プリプレグ
１３２ 多層基板
１３４ 層間絶縁層
１３６ ブラインドビア
１３８ 金属膜
１４０ 下地電極層

Claims (16)

1. ３層の絶縁層を有し、表層から数えて２層目に形成された２層目絶縁層は、それを貫通する電気的接続が貫通バンプである貫通接続層となっており、
   表層から数えて２層目に形成された２層目配線と、表層から数えて３層目に形成された３層目配線とが、前記貫通接続層に埋設されていることを特徴とする多層プリント配線基板。
2. ４層以上の絶縁層を有し、少なくとも一方の表層から数えて２層目に形成された２層目絶縁層は、それを貫通する電気的接続が貫通バンプである貫通接続層となっており、
   少なくとも一方の表層から数えて２層目に形成された２層目配線と、表層から数えて３層目に形成された３層目配線とが、前記貫通接続層に埋設されていることを特徴とする多層プリント配線基板。
3. 貫通接続層は、プリプレグと、貫通バンプとからなる請求項１もしくは２のいずれか一つに記載の多層プリント配線基板。
4. 貫通接続層は、熱硬性樹脂と、貫通バンプとからなる請求項１もしくは２のいずれか一つに記載の多層プリント配線基板。
5. 貫通接続層は、熱可塑性樹脂と、貫通バンプとからなる請求項１もしくは２のいずれか一つに記載の多層プリント配線基板。
6. 表層から数えて１層目の１層目絶縁層は樹脂フィルムであり、前記樹脂フィルムの表面には接着剤を介することなく所定の配線が形成されている請求項１もしくは２のいずれか一つに記載の多層プリント配線基板。
7. 前記プリプレグは、ガラスエポキシもしくはアラミドエポキシである請求項３記載の多層プリント配線基板。
8. 前記樹脂中には、無機フィラーが１０ｗｔ％以上８５ｗｔ％の割合で充填されている請求項４もしくは５のいずれか一つに記載の多層プリント配線基板。
9. 表層から数えて１層目に形成された１層目配線と、表層から数えて２層目に形成された２層目配線の少なくとも一方以上は、スパッタ膜を介して、表層から数えて１層目の１層目絶縁層に固定されている請求項１もしくは２のいずれか一つに記載の多層プリント配線基板。
10. 表層から数えて１層目に形成された１層目配線と、表層から数えて２層目に形成された２層目配線の少なくとも一方以上は、めっき膜を介して、表層から数えて１層目の１層目絶縁層に固定されている請求項１もしくは２のいずれか一つに記載の多層プリント配線基板。
11. 表層から数えて１層目に形成された１層目絶縁層を貫通する電気的接続が、めっきで行われている請求項１もしくは２のいずれか一つに記載の多層プリント配線基板。
12. 貫通バンプは、熱硬性ペーストが硬化されたものである請求項１もしくは２のいずれか一つに記載の多層プリント配線基板。
13. 配線上に貫通バンプを形成するバンプ形成工程と、
    絶縁層を貫通バンプで貫通して貫通接続層を形成する貫通接続層形成工程と、
    両面基板を作成する両面基板作成工程と、
    前記貫通接続層の表裏面に前記両面基板を積層する積層工程と、
    前記積層体を熱プレス加工する熱プレス工程と、を少なくとも備えた多層プリント配線基板の製造方法。
14. 配線上に貫通バンプを形成するバンプ形成工程と、
    絶縁層を貫通バンプで貫通して貫通接続層を形成する貫通接続層形成工程と、
    ２層以上の層数を有する多層基板を作成する多層基板作成工程と、
    前記貫通接続層の表裏面に前記両面基板を積層する積層工程と、
    前記積層体を熱プレス加工する熱プレス工程と、
    を少なくとも備えた多層プリント配線基板の製造方法。
15. 前記両面基板の表裏面の配線を電気的に接続する為の層間接続を形成する層間接続形成工程を、熱プレス工程以降にも有する請求項１３もしくは１４のいずれか一つに記載の多層プリント配線基板の製造方法。
16. 前記層間接続形成工程は、少なくともブラインドビアを形成するビア加工工程と、ブラインドビアにめっきを施すめっき工程と、からなる請求項１３もしくは１４のいずれか一つに記載の多層プリント配線基板の製造方法。

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