JPH09172110A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH09172110A JPH09172110A JP33332395A JP33332395A JPH09172110A JP H09172110 A JPH09172110 A JP H09172110A JP 33332395 A JP33332395 A JP 33332395A JP 33332395 A JP33332395 A JP 33332395A JP H09172110 A JPH09172110 A JP H09172110A
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- semiconductor element
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 半導体素子の周囲に配置された樹脂の端部に
発生する剪断歪みを低減し、信頼性寿命を向上させた半
導体装置を提供する。 【解決手段】 回路配線基板２と、この基板上にバンプ
電極３により実装された半導体素子１とを具備し、基板
と半導体素子との間隙及び半導体素子の周囲に、無機充
填剤を含有する樹脂が封止された半導体装置１０であ
る。樹脂は、半導体素子の最外周のバンプ電極３で囲ま
れている領域に配置された第１の樹脂６と、最外周のバ
ンプ電極で囲まれていない領域に配置された第２の樹脂
７とから構成され、第１の樹脂６における無機充填剤の
含有量、最大粒径及び平均粒径のうち少なくとも１つ
は、第２の樹脂７における値より大きい。
発生する剪断歪みを低減し、信頼性寿命を向上させた半
導体装置を提供する。 【解決手段】 回路配線基板２と、この基板上にバンプ
電極３により実装された半導体素子１とを具備し、基板
と半導体素子との間隙及び半導体素子の周囲に、無機充
填剤を含有する樹脂が封止された半導体装置１０であ
る。樹脂は、半導体素子の最外周のバンプ電極３で囲ま
れている領域に配置された第１の樹脂６と、最外周のバ
ンプ電極で囲まれていない領域に配置された第２の樹脂
７とから構成され、第１の樹脂６における無機充填剤の
含有量、最大粒径及び平均粒径のうち少なくとも１つ
は、第２の樹脂７における値より大きい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に係り、特に
バンプ電極部分の接続信頼性を高くするために、半導体
素子と回路配線基板の隙間部分に樹脂を封入したフリッ
プチップ構造の半導体装置に関する。
バンプ電極部分の接続信頼性を高くするために、半導体
素子と回路配線基板の隙間部分に樹脂を封入したフリッ
プチップ構造の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピューター用ＬＳＩは、近年、高集
積化、高速化、および多機能化が進められており、さら
に、製品の小型化、薄型化を実現するために実装面積の
縮小が要求されつつある。そこで、実装密度を向上させ
るため、ワイヤボンディング技術、およびＴＡＢ技術な
どに加えて、図７に示すようなフリップチップ接続技術
（米国特許第３，４０１，１２６号公報、米国特許第
３，４２９，０４０号公報等）が広く用いられている。
積化、高速化、および多機能化が進められており、さら
に、製品の小型化、薄型化を実現するために実装面積の
縮小が要求されつつある。そこで、実装密度を向上させ
るため、ワイヤボンディング技術、およびＴＡＢ技術な
どに加えて、図７に示すようなフリップチップ接続技術
（米国特許第３，４０１，１２６号公報、米国特許第
３，４２９，０４０号公報等）が広く用いられている。
【０００３】このフリップチップ接続技術においては、
図７に示すように、半導体素子１１はバンプ１３を介し
てフェースダウンで回路基板１２に電気的に接続される
ため、バンプ接続部は、半導体素子の温度変化に伴う影
響を避けることができない。具体的には、半導体素子の
熱膨張係数と回路基板の熱膨張係数との差に起因するバ
ンプ接続部の繰り返し塑性変形によって、バンプ接続部
の破壊が生じ、半導体素子の信頼性が低下してしまう。
図７に示すように、半導体素子１１はバンプ１３を介し
てフェースダウンで回路基板１２に電気的に接続される
ため、バンプ接続部は、半導体素子の温度変化に伴う影
響を避けることができない。具体的には、半導体素子の
熱膨張係数と回路基板の熱膨張係数との差に起因するバ
ンプ接続部の繰り返し塑性変形によって、バンプ接続部
の破壊が生じ、半導体素子の信頼性が低下してしまう。
【０００４】このようなバンプ接続部の破壊を防止する
ため、半導体素子と回路基板とによって形成される間隙
に樹脂を封入して、接続部の信頼性を向上させることが
提案されてきた。例えば、半導体素子と回路基板とによ
り形成される間隙および半導体素子の周囲を樹脂封止す
る方法、半導体素子自体を樹脂封止する方法（特開昭５
７−２０８１４９、特開昭５８−１８３４８等）などが
挙げられ、所定の領域に樹脂を配置することによって回
路基板の熱変形が抑制されるので、バンプ接続部に生じ
る塑性変形を緩和することができる。
ため、半導体素子と回路基板とによって形成される間隙
に樹脂を封入して、接続部の信頼性を向上させることが
提案されてきた。例えば、半導体素子と回路基板とによ
り形成される間隙および半導体素子の周囲を樹脂封止す
る方法、半導体素子自体を樹脂封止する方法（特開昭５
７−２０８１４９、特開昭５８−１８３４８等）などが
挙げられ、所定の領域に樹脂を配置することによって回
路基板の熱変形が抑制されるので、バンプ接続部に生じ
る塑性変形を緩和することができる。
【０００５】しかしながら、従来の方法では、樹脂物性
が最適な値に特定化されていなかったため、熱膨張係数
が著しく大きい樹脂基板を回路基板として用いた場合
は、接続バンプが破壊されてしまうことがあった。さら
に、封止樹脂の物性が、最適化されていない場合には、
接続部分のバンプが破壊されるだけでなく、図８に示す
ように、基板１２に反りが発生し、その結果、基板表面
から樹脂１６が剥離したり、樹脂中にクラック１８が発
生することがあった。
が最適な値に特定化されていなかったため、熱膨張係数
が著しく大きい樹脂基板を回路基板として用いた場合
は、接続バンプが破壊されてしまうことがあった。さら
に、封止樹脂の物性が、最適化されていない場合には、
接続部分のバンプが破壊されるだけでなく、図８に示す
ように、基板１２に反りが発生し、その結果、基板表面
から樹脂１６が剥離したり、樹脂中にクラック１８が発
生することがあった。
【０００６】封止樹脂の特性を最適な値にするために
は、通常、シリカ、およびアルミナ等のフィラを樹脂に
混入して樹脂の熱膨張係数を低下させることが行なわれ
ている。この方法は、例えば、ガラスエポキシ基板、ポ
リイミドフレキシブル基板のような熱膨張係数が半導体
素子の４倍から６倍大きい有機系樹脂基板を使用する場
合には、バンプ接続部の塑性変形を緩和する効果を発揮
している。
は、通常、シリカ、およびアルミナ等のフィラを樹脂に
混入して樹脂の熱膨張係数を低下させることが行なわれ
ている。この方法は、例えば、ガラスエポキシ基板、ポ
リイミドフレキシブル基板のような熱膨張係数が半導体
素子の４倍から６倍大きい有機系樹脂基板を使用する場
合には、バンプ接続部の塑性変形を緩和する効果を発揮
している。
【０００７】しかしながら、熱膨張係数を小さくするた
めに多量のフィラを含有させた樹脂を用いても、半導体
装置の信頼性は、必ずしも充分に向上させることはでき
ないことがわかった。すなわち、図９に示すように、フ
ィラ含有量が増えるにしたがって樹脂の熱膨張係数は低
下するが、樹脂の弾性率はこれとは逆に、フィラ含有量
の増加とともに増大するので、樹脂の柔軟性が低下して
しまう。
めに多量のフィラを含有させた樹脂を用いても、半導体
装置の信頼性は、必ずしも充分に向上させることはでき
ないことがわかった。すなわち、図９に示すように、フ
ィラ含有量が増えるにしたがって樹脂の熱膨張係数は低
下するが、樹脂の弾性率はこれとは逆に、フィラ含有量
の増加とともに増大するので、樹脂の柔軟性が低下して
しまう。
【０００８】なお、従来の封止構造では、低熱膨張率の
封止樹脂組成を使用するため、半導体素子と回路基板と
によって形成された間隙および半導体素子の周囲には、
フィラが均一に分散された樹脂が配置されていた。前述
のように低熱膨張率の樹脂は、弾性率が大きいので、半
導体素子周囲では封止樹脂の弾性率が大きくなり、柔軟
性が不十分なことから、基板の変形に対して次のような
問題が生じていた。具体的には、樹脂端部において樹脂
が剥離したり、クラックが発生する等の劣化が生じ、こ
のような領域から水や塩素イオンなどが樹脂中に侵入し
て、接続部のバンプおよび電極の腐食が発生していた。
そのため、バンプ接続部の信頼性が低下していた。
封止樹脂組成を使用するため、半導体素子と回路基板と
によって形成された間隙および半導体素子の周囲には、
フィラが均一に分散された樹脂が配置されていた。前述
のように低熱膨張率の樹脂は、弾性率が大きいので、半
導体素子周囲では封止樹脂の弾性率が大きくなり、柔軟
性が不十分なことから、基板の変形に対して次のような
問題が生じていた。具体的には、樹脂端部において樹脂
が剥離したり、クラックが発生する等の劣化が生じ、こ
のような領域から水や塩素イオンなどが樹脂中に侵入し
て、接続部のバンプおよび電極の腐食が発生していた。
そのため、バンプ接続部の信頼性が低下していた。
【０００９】樹脂の剥離やクラックの発生等の問題を防
止するために、図１０に示すように、半導体素子１１を
封止した樹脂１９の外側を、さらに別の樹脂２０で覆う
方法が提案されている（特開平４−１７１９７０等）。
しかしながら、この方法では、内側の封止樹脂１９と外
側の封止樹脂２０との界面に不純物が侵入したり、封止
樹脂１９と封止樹脂２０との残留応力により樹脂間の界
面に応力が発生して、樹脂が剥離するという問題があっ
た。
止するために、図１０に示すように、半導体素子１１を
封止した樹脂１９の外側を、さらに別の樹脂２０で覆う
方法が提案されている（特開平４−１７１９７０等）。
しかしながら、この方法では、内側の封止樹脂１９と外
側の封止樹脂２０との界面に不純物が侵入したり、封止
樹脂１９と封止樹脂２０との残留応力により樹脂間の界
面に応力が発生して、樹脂が剥離するという問題があっ
た。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子と回路基板
とを接続するバンプに発生する変形応力を緩和するため
には、半導体素子と回路基板とにより形成される間隙や
半導体素子の周囲を熱膨張係数の小さな樹脂で封止する
ことが好ましい。しかしながら、熱膨張係数を小さくす
るためフィラ含有量を増加させた樹脂は、弾性定数の増
大が避けられず、温度変化に伴う変形の大きな樹脂端部
においては、発生した剪断歪みにより基板表面から樹脂
が剥離したり、樹脂にクラックが生じる等の不良が発生
して、信頼性上問題が生じていた。
とを接続するバンプに発生する変形応力を緩和するため
には、半導体素子と回路基板とにより形成される間隙や
半導体素子の周囲を熱膨張係数の小さな樹脂で封止する
ことが好ましい。しかしながら、熱膨張係数を小さくす
るためフィラ含有量を増加させた樹脂は、弾性定数の増
大が避けられず、温度変化に伴う変形の大きな樹脂端部
においては、発生した剪断歪みにより基板表面から樹脂
が剥離したり、樹脂にクラックが生じる等の不良が発生
して、信頼性上問題が生じていた。
【００１１】本発明は、上記課題を鑑みてなされたもの
であり、樹脂端部における樹脂の劣化を防止して、フリ
ップチップ接続の信頼性を向上させた半導体装置を提供
することを目的とする。
であり、樹脂端部における樹脂の劣化を防止して、フリ
ップチップ接続の信頼性を向上させた半導体装置を提供
することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、回路配線基板と、この基板上にバンプ電
極により実装された半導体素子とを具備し、前記基板と
半導体素子との間隙および半導体素子の周囲に無機充填
剤を含有する樹脂が封止された半導体装置であって、前
記樹脂は、前記半導体素子の最外周バンプ電極で囲まれ
ている領域に配置された第１の樹脂と、前記最外周バン
プ電極で囲まれていない領域に配置された第２の樹脂と
から構成され、前記第１の樹脂における無機充填剤の含
有量、最大粒径、および平均粒径のうち少なくとも１つ
は、第２の樹脂における値より大きいことを特徴とする
半導体装置を提供する。
決するために、回路配線基板と、この基板上にバンプ電
極により実装された半導体素子とを具備し、前記基板と
半導体素子との間隙および半導体素子の周囲に無機充填
剤を含有する樹脂が封止された半導体装置であって、前
記樹脂は、前記半導体素子の最外周バンプ電極で囲まれ
ている領域に配置された第１の樹脂と、前記最外周バン
プ電極で囲まれていない領域に配置された第２の樹脂と
から構成され、前記第１の樹脂における無機充填剤の含
有量、最大粒径、および平均粒径のうち少なくとも１つ
は、第２の樹脂における値より大きいことを特徴とする
半導体装置を提供する。
【００１３】本発明においては、前記無機充填剤は、シ
リカ、熔融シリカ、アルミナ、および石英から選択され
た少なくとも１種で構成されることが好ましい。本発明
によれば、半導体素子上の最外周バンプで囲まれた領域
と囲まれない領域とに、組成の異なる２種類の樹脂を配
置しており、特に最外周バンプの内側領域に配置される
樹脂のフィラの含有量、最大粒径、および平均粒径の少
なくとも一つは、最外周バンプの外側領域に配置される
樹脂よりも大きくしているので、２つの樹脂の物性に差
異を与えることができる。
リカ、熔融シリカ、アルミナ、および石英から選択され
た少なくとも１種で構成されることが好ましい。本発明
によれば、半導体素子上の最外周バンプで囲まれた領域
と囲まれない領域とに、組成の異なる２種類の樹脂を配
置しており、特に最外周バンプの内側領域に配置される
樹脂のフィラの含有量、最大粒径、および平均粒径の少
なくとも一つは、最外周バンプの外側領域に配置される
樹脂よりも大きくしているので、２つの樹脂の物性に差
異を与えることができる。
【００１４】すなわち、最外周バンプの外側領域に配置
される樹脂（第２の樹脂）と比較して、最外周バンプの
内側に配置される樹脂（第１の樹脂）は、熱膨張率が小
さくなり、一方、弾性率は大きくなるので、半導体素子
の熱膨張率と回路基板の熱膨張率との差に起因する変形
応力により発生するバンプ剪断歪みを緩和することがで
きる。
される樹脂（第２の樹脂）と比較して、最外周バンプの
内側に配置される樹脂（第１の樹脂）は、熱膨張率が小
さくなり、一方、弾性率は大きくなるので、半導体素子
の熱膨張率と回路基板の熱膨張率との差に起因する変形
応力により発生するバンプ剪断歪みを緩和することがで
きる。
【００１５】これに対して、最外周バンプの外側領域に
配置される封止樹脂（第２の樹脂）は、相対的に熱膨張
率が大きく、弾性率が小さいため、温度サイクルに伴な
って発生する樹脂端部の剪断歪みを小さくすることがで
き、その結果、樹脂の剥離や樹脂のクラックの発生など
を防止することができる。
配置される封止樹脂（第２の樹脂）は、相対的に熱膨張
率が大きく、弾性率が小さいため、温度サイクルに伴な
って発生する樹脂端部の剪断歪みを小さくすることがで
き、その結果、樹脂の剥離や樹脂のクラックの発生など
を防止することができる。
【００１６】したがって、水や塩素イオンなどが樹脂中
に侵入することを防止でき、バンプ接続部の腐食も発生
することがなくなるため、バンプ接続部の信頼性寿命を
向上させることができる。
に侵入することを防止でき、バンプ接続部の腐食も発生
することがなくなるため、バンプ接続部の信頼性寿命を
向上させることができる。
【００１７】さらに、本発明によれば、最外周バンプの
内側領域に配置される樹脂（第１の樹脂）中のフィラの
粒径を、外側領域に配置される樹脂（第２の樹脂）中の
フィラより大きくしている。具体的には、最大粒径およ
び平均粒径の少なくとも一方が相対的に大きなフィラ
が、第１の樹脂中に含有されているので、容易にフィラ
含有量を調節できるという効果が得られる。したがっ
て、前述のように粒径の異なるフィラを用いることによ
り、第１のの樹脂におけるフィラの充填密度を容易に向
上させることが可能になり、樹脂の熱膨張率を効果的に
低下させて、バンプ接続部の信頼性を向上させることが
できる。
内側領域に配置される樹脂（第１の樹脂）中のフィラの
粒径を、外側領域に配置される樹脂（第２の樹脂）中の
フィラより大きくしている。具体的には、最大粒径およ
び平均粒径の少なくとも一方が相対的に大きなフィラ
が、第１の樹脂中に含有されているので、容易にフィラ
含有量を調節できるという効果が得られる。したがっ
て、前述のように粒径の異なるフィラを用いることによ
り、第１のの樹脂におけるフィラの充填密度を容易に向
上させることが可能になり、樹脂の熱膨張率を効果的に
低下させて、バンプ接続部の信頼性を向上させることが
できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明を
より詳細に説明する。図１は、本発明に係る半導体装置
の構成断面図を示し、図２には、この半導体装置の平面
図を示す。
より詳細に説明する。図１は、本発明に係る半導体装置
の構成断面図を示し、図２には、この半導体装置の平面
図を示す。
【００１９】図１に示すように本発明の半導体装置１０
においては、接続電極５が形成された回路基板２上に、
バンプ３および接続電極４を介して半導体素子１が実装
されている。さらに、図２に示すように、半導体素子１
と回路基板２との間隙、すなわち、最外周バンプで囲ま
れている領域の内側には、第１の樹脂６が配置されてお
り、一方、この最外周バンプの外側の領域には、第２の
樹脂７が配置されている。
においては、接続電極５が形成された回路基板２上に、
バンプ３および接続電極４を介して半導体素子１が実装
されている。さらに、図２に示すように、半導体素子１
と回路基板２との間隙、すなわち、最外周バンプで囲ま
れている領域の内側には、第１の樹脂６が配置されてお
り、一方、この最外周バンプの外側の領域には、第２の
樹脂７が配置されている。
【００２０】本発明の半導体装置においては、最外周バ
ンプで囲まれた領域の内側に配置される第１の樹脂は、
フィラ含有量、フィラの最大粒径およびフィラの平均粒
径の少なくとも１つが、第２の樹脂における値よりも大
きいものである。なお、最外周バンプで囲まれた領域と
は、最外周バンプの外側接線８をつないだ領域とするこ
とができるが、最外周バンプの内側接線をつないだ領域
でもよく、最外周バンプを中心とした領域であれば特に
限定されるものではない。
ンプで囲まれた領域の内側に配置される第１の樹脂は、
フィラ含有量、フィラの最大粒径およびフィラの平均粒
径の少なくとも１つが、第２の樹脂における値よりも大
きいものである。なお、最外周バンプで囲まれた領域と
は、最外周バンプの外側接線８をつないだ領域とするこ
とができるが、最外周バンプの内側接線をつないだ領域
でもよく、最外周バンプを中心とした領域であれば特に
限定されるものではない。
【００２１】本発明において使用し得る樹脂としては、
無機充填材を含有し、無溶剤型の熱硬化性樹脂を使用す
ることができ、例えば、フェノール系エポキシ樹脂のう
ち、ビスフェノール型エポキシ樹脂と、酸無水物硬化剤
とイミダゾール硬化触媒との混合物、または、シリコン
ゴムとしてのジメチルポリシロキサン、有機過酸化物の
混合物、またはポリイミド樹脂、マレイミド樹脂、ポリ
ウレタン樹脂、アクリル樹脂、フェノール系エポキシ樹
脂等が挙げられる。また、無機充填材としては、シリ
カ、石英、および溶融シリカ等を使用することができ
る。
無機充填材を含有し、無溶剤型の熱硬化性樹脂を使用す
ることができ、例えば、フェノール系エポキシ樹脂のう
ち、ビスフェノール型エポキシ樹脂と、酸無水物硬化剤
とイミダゾール硬化触媒との混合物、または、シリコン
ゴムとしてのジメチルポリシロキサン、有機過酸化物の
混合物、またはポリイミド樹脂、マレイミド樹脂、ポリ
ウレタン樹脂、アクリル樹脂、フェノール系エポキシ樹
脂等が挙げられる。また、無機充填材としては、シリ
カ、石英、および溶融シリカ等を使用することができ
る。
【００２２】なお、前記第１の樹脂および第２の樹脂に
含有されるフィラの含有量および粒径は、それぞれの相
対的な関係で決定することができる。例えば、第１の樹
脂においては、最大粒径および平均粒径の少なくとも一
方が、第２の樹脂に含有されるより大きいフィラを、第
２の樹脂より多い配合割合で混合して使用することがで
きる。具体的には、第１の樹脂におけるフィラ含有量
は、６０重量％以下とすることが好ましく、４５重量％
以下がより好ましい。また、フィラの最大粒径および平
均粒径は、特に限定されるものではないが、好ましくは
それぞれ６０μｍ以下および４０μｍ以下であり、より
好ましくはそれぞれ５０μｍ以下および４５μｍ以下で
ある。
含有されるフィラの含有量および粒径は、それぞれの相
対的な関係で決定することができる。例えば、第１の樹
脂においては、最大粒径および平均粒径の少なくとも一
方が、第２の樹脂に含有されるより大きいフィラを、第
２の樹脂より多い配合割合で混合して使用することがで
きる。具体的には、第１の樹脂におけるフィラ含有量
は、６０重量％以下とすることが好ましく、４５重量％
以下がより好ましい。また、フィラの最大粒径および平
均粒径は、特に限定されるものではないが、好ましくは
それぞれ６０μｍ以下および４０μｍ以下であり、より
好ましくはそれぞれ５０μｍ以下および４５μｍ以下で
ある。
【００２３】一方、第２の樹脂におけるフィラ含有量
は、４５重量％以下とすることが好ましく、４０重量％
以下がより好ましい。また、第２の樹脂に含有されるフ
ィラの最大粒径および平均粒径は、第１の樹脂に含有さ
れるフィラの最大粒径および平均粒径に応じて適宜選択
することができる。
は、４５重量％以下とすることが好ましく、４０重量％
以下がより好ましい。また、第２の樹脂に含有されるフ
ィラの最大粒径および平均粒径は、第１の樹脂に含有さ
れるフィラの最大粒径および平均粒径に応じて適宜選択
することができる。
【００２４】本発明の半導体装置は、第１の樹脂におけ
るフィラの含有量、最大粒径および平均粒径の少なくと
も１つを、第２の樹脂における値より大きくすることに
よって、第１の樹脂と第２の樹脂とに所望の特性を付与
したものであるが、特に、樹脂の熱的特性および機械的
特性の観点から、それぞれの樹脂におけるフィラの含有
量を変化させることが好ましい。
るフィラの含有量、最大粒径および平均粒径の少なくと
も１つを、第２の樹脂における値より大きくすることに
よって、第１の樹脂と第２の樹脂とに所望の特性を付与
したものであるが、特に、樹脂の熱的特性および機械的
特性の観点から、それぞれの樹脂におけるフィラの含有
量を変化させることが好ましい。
【００２５】本発明の半導体装置は、例えば、以下のよ
うな工程で製造することができる。図３および図４に、
製造方法の第１の例を表わす工程図を示す。まず、図３
（ａ）に示すような半導体素子１と、図３（ｂ）に示す
ような回路基板２とを準備する。
うな工程で製造することができる。図３および図４に、
製造方法の第１の例を表わす工程図を示す。まず、図３
（ａ）に示すような半導体素子１と、図３（ｂ）に示す
ような回路基板２とを準備する。
【００２６】半導体素子１の裏面の接続電極４は、例え
ば、チタンと銅との積層構造とすることができるが、こ
れに限定されるものではない。また、この接続電極４上
のバンプ３の材質としては、一般的には、はんだが用い
られるが、金または銅等の金属を使用してもよい。
ば、チタンと銅との積層構造とすることができるが、こ
れに限定されるものではない。また、この接続電極４上
のバンプ３の材質としては、一般的には、はんだが用い
られるが、金または銅等の金属を使用してもよい。
【００２７】なお、半導体チップのサイズ、バンプ電極
数、およびバンプピッチは、任意とすることができ、レ
イアウトもエリア化されたものであってもよく、何等限
定されるものではなく、適宜選択することができる。
数、およびバンプピッチは、任意とすることができ、レ
イアウトもエリア化されたものであってもよく、何等限
定されるものではなく、適宜選択することができる。
【００２８】また、回路基板２の材質および構造は、特
に限定されるものではなく、例えば、積層ガラスエポキ
シ基板およびポリイミドフレキシブル基板等を使用する
ことができる。以下、回路基板として、ガラスエポキシ
基板上に、絶縁層と導体層とをビルドアップさせた方式
のプリント基板を用いて説明する。
に限定されるものではなく、例えば、積層ガラスエポキ
シ基板およびポリイミドフレキシブル基板等を使用する
ことができる。以下、回路基板として、ガラスエポキシ
基板上に、絶縁層と導体層とをビルドアップさせた方式
のプリント基板を用いて説明する。
【００２９】なお、回路基板２上の接続電極５は、例え
ば、銅とニッケルとの積層構造とすることができ、これ
以外にも金、アルミニウム等の金属により形成してもよ
い。このような構成の回路配線基板２の上に、フリップ
チップボンダーを用いて半導体素子１を位置合わせし、
バンプ３と回路基板２の接続電極５とを電気的、機械的
に接触させる。このとき、回路基板２は加熱ステージ
（図示せず）上に保持され、窒素雰囲気中で２００℃以
上に加熱されている。
ば、銅とニッケルとの積層構造とすることができ、これ
以外にも金、アルミニウム等の金属により形成してもよ
い。このような構成の回路配線基板２の上に、フリップ
チップボンダーを用いて半導体素子１を位置合わせし、
バンプ３と回路基板２の接続電極５とを電気的、機械的
に接触させる。このとき、回路基板２は加熱ステージ
（図示せず）上に保持され、窒素雰囲気中で２００℃以
上に加熱されている。
【００３０】さらに、半導体素子１と回路基板２とが接
触された状態に保ち、半導体素子１を保持するコレット
（図示せず）を窒素雰囲気中で２００℃に加熱し、ハン
ダを溶融させて、半導体素子１と回路基板２とを仮接続
させる。最後に、窒素雰囲気中で２５０℃に加熱された
リフロー炉中に、半導体素子１を搭載した回路基板２を
通過させ、本接続する。
触された状態に保ち、半導体素子１を保持するコレット
（図示せず）を窒素雰囲気中で２００℃に加熱し、ハン
ダを溶融させて、半導体素子１と回路基板２とを仮接続
させる。最後に、窒素雰囲気中で２５０℃に加熱された
リフロー炉中に、半導体素子１を搭載した回路基板２を
通過させ、本接続する。
【００３１】以上の工程により、図３（ｃ）に示すよう
に、半導体素子１が回路基板２にフリップチップ実装さ
れた半導体装置が得られる。次いで、図４（ａ）に示す
ように、半導体素子１と回路基板２とにより形成される
の間隙部分に、ディスペンサー９により第１の樹脂６を
ポッティングする。樹脂６は、毛細管現象により最外周
バンプ３で囲まれている領域内に注入され、図４（ｂ）
に示すように配置される。
に、半導体素子１が回路基板２にフリップチップ実装さ
れた半導体装置が得られる。次いで、図４（ａ）に示す
ように、半導体素子１と回路基板２とにより形成される
の間隙部分に、ディスペンサー９により第１の樹脂６を
ポッティングする。樹脂６は、毛細管現象により最外周
バンプ３で囲まれている領域内に注入され、図４（ｂ）
に示すように配置される。
【００３２】なお、第１の樹脂としては、ビスフェノー
ル系エポキシ、イミダゾール固化触媒、酸無水物硬化
剤、および球状石英フィラが含有されたものを使用する
ことができ、例えば、フィラ含有量が４５重量％の樹脂
を約４ｍｌ配置する。
ル系エポキシ、イミダゾール固化触媒、酸無水物硬化
剤、および球状石英フィラが含有されたものを使用する
ことができ、例えば、フィラ含有量が４５重量％の樹脂
を約４ｍｌ配置する。
【００３３】続いて、図４（ｃ）に示すように、半導体
素子１の周囲に第２の樹脂７をポッティングして、最外
周バンプで囲まれていない領域を樹脂封止する。ここで
用いる第２の樹脂７は、例えば、フィラ含有量を３０重
量％とする以外は、第１の樹脂と同様の組成とすること
ができ、かかる組成の樹脂を約２ｍｌ配置する。
素子１の周囲に第２の樹脂７をポッティングして、最外
周バンプで囲まれていない領域を樹脂封止する。ここで
用いる第２の樹脂７は、例えば、フィラ含有量を３０重
量％とする以外は、第１の樹脂と同様の組成とすること
ができ、かかる組成の樹脂を約２ｍｌ配置する。
【００３４】塗布する樹脂の量は、第１および第２の樹
脂とも、半導体素子の寸法およびバンプ電極の高さ等に
よって適宜選択することができる。さらに、８０℃のク
リーンオーブン中で４時間保存して、配置された樹脂を
硬化することにより、図４（ｄ）に示すような本発明の
半導体装置が得られる。
脂とも、半導体素子の寸法およびバンプ電極の高さ等に
よって適宜選択することができる。さらに、８０℃のク
リーンオーブン中で４時間保存して、配置された樹脂を
硬化することにより、図４（ｄ）に示すような本発明の
半導体装置が得られる。
【００３５】なお、第１の樹脂および第２の樹脂の配置
方法は、上述の例に限定されるものではなく、以下の方
法を用いても配置できる。図５に、本発明に係る半導体
装置の製造方法の第２の例を表わす工程図を示す。な
お、ここで用いる半導体素子および回路基板は、それぞ
れ前述の図３（ａ）および（ｂ）に示したものと同様の
構造であり、第１の例で用いたものと同様の組成の封止
樹脂を同量配置する。
方法は、上述の例に限定されるものではなく、以下の方
法を用いても配置できる。図５に、本発明に係る半導体
装置の製造方法の第２の例を表わす工程図を示す。な
お、ここで用いる半導体素子および回路基板は、それぞ
れ前述の図３（ａ）および（ｂ）に示したものと同様の
構造であり、第１の例で用いたものと同様の組成の封止
樹脂を同量配置する。
【００３６】まず、図５（ａ）に示すように、第１の樹
脂６を回路基板上の最外周バンプで囲まれている領域内
に予めポッティングしておき、次に、図５（ｂ）に示す
ように、第２の樹脂７を回路基板上の最外周バンプで囲
まれない領域にポッティングする。
脂６を回路基板上の最外周バンプで囲まれている領域内
に予めポッティングしておき、次に、図５（ｂ）に示す
ように、第２の樹脂７を回路基板上の最外周バンプで囲
まれない領域にポッティングする。
【００３７】さらに、フリップチップボンダーを用い
て、図５（ｃ）に示すように、半導体素子１を位置合わ
せし、バンプ３と回路基板２上の接続電極５とを電気
的、機械的に接続する。このとき、第１の樹脂６は、半
導体素子１と回路基板２との間隙に配置され、第２の樹
脂７は、半導体素子１の周囲に配置される。なお、第１
の樹脂および第２の樹脂は、いずれも仮硬化の状態にあ
る。
て、図５（ｃ）に示すように、半導体素子１を位置合わ
せし、バンプ３と回路基板２上の接続電極５とを電気
的、機械的に接続する。このとき、第１の樹脂６は、半
導体素子１と回路基板２との間隙に配置され、第２の樹
脂７は、半導体素子１の周囲に配置される。なお、第１
の樹脂および第２の樹脂は、いずれも仮硬化の状態にあ
る。
【００３８】最後に、８０℃のクリーンオーブン中で、
４時間完全に硬化することにより、図５の（ｄ）に示す
ような本発明の半導体装置を得ることができる。なお、
本発明の半導体装置は、上述の２つ方法に限らず、最外
周バンプで囲まれている領域の内側領域と外側領域と
に、異なる組成の樹脂を配置することが可能な任意の方
法を用いて製造することができる。
４時間完全に硬化することにより、図５の（ｄ）に示す
ような本発明の半導体装置を得ることができる。なお、
本発明の半導体装置は、上述の２つ方法に限らず、最外
周バンプで囲まれている領域の内側領域と外側領域と
に、異なる組成の樹脂を配置することが可能な任意の方
法を用いて製造することができる。
【００３９】次に、具体例を示して本発明をより詳細に
説明する。上述の第１の製造方法を用いて、１０ｍｍ×
１０ｍｍの半導体素子上に、錫と鉛との比が６：４のは
んだ合金でバンプ電極（直径約１００μｍ、高さ約８０
μｍ）を形成し、回路基板上にフリップチップ実装し
て、実施例１の半導体装置を得た。ここで用いた基板上
の接続電極は、銅とニッケルとの積層構造とした。
説明する。上述の第１の製造方法を用いて、１０ｍｍ×
１０ｍｍの半導体素子上に、錫と鉛との比が６：４のは
んだ合金でバンプ電極（直径約１００μｍ、高さ約８０
μｍ）を形成し、回路基板上にフリップチップ実装し
て、実施例１の半導体装置を得た。ここで用いた基板上
の接続電極は、銅とニッケルとの積層構造とした。
【００４０】この実施例１においては、バンプに囲まれ
ている領域に配置される樹脂（樹脂１）の弾性率は、１
２００×１０7 Ｐａであり、バンプで囲まれていない領
域に配置されている樹脂（樹脂２）の弾性率は、９００
×１０7 Ｐａであった。また、熱膨張係率は、いずれの
樹脂も３９×１０-6／℃であり、これらの物性は、樹脂
に混入するフィラの含有量を主にして、最大粒径および
平均粒径、必要に応じて樹脂分子量を変えることにより
決定した。なお、樹脂１には、最大粒径３５μｍ、平均
粒径１０μｍのフィラを４５重量％の割合で配合し、樹
脂２には、最大粒径３０μｍ、平均粒径５μｍのフィラ
を２０重量％の割合で配合した。
ている領域に配置される樹脂（樹脂１）の弾性率は、１
２００×１０7 Ｐａであり、バンプで囲まれていない領
域に配置されている樹脂（樹脂２）の弾性率は、９００
×１０7 Ｐａであった。また、熱膨張係率は、いずれの
樹脂も３９×１０-6／℃であり、これらの物性は、樹脂
に混入するフィラの含有量を主にして、最大粒径および
平均粒径、必要に応じて樹脂分子量を変えることにより
決定した。なお、樹脂１には、最大粒径３５μｍ、平均
粒径１０μｍのフィラを４５重量％の割合で配合し、樹
脂２には、最大粒径３０μｍ、平均粒径５μｍのフィラ
を２０重量％の割合で配合した。
【００４１】得られた半導体装置を熱サイクル試験に供
し、１箇所でも接続がオープンになった場合を不良とし
て、温度サイクルと累積不良率との関係を調べ、図６中
に曲線ａで示した。なお、サンプル数は１００個とし、
温度サイクル試験は、（−５５℃（３０分）〜２５℃
（５分）〜１２５℃（３０分）〜２５℃（５分））の条
件で行なった。
し、１箇所でも接続がオープンになった場合を不良とし
て、温度サイクルと累積不良率との関係を調べ、図６中
に曲線ａで示した。なお、サンプル数は１００個とし、
温度サイクル試験は、（−５５℃（３０分）〜２５℃
（５分）〜１２５℃（３０分）〜２５℃（５分））の条
件で行なった。
【００４２】曲線ａに示すように、バンプで囲まれてい
る領域に配置される樹脂（樹脂１）の弾性率を、バンプ
で囲まれていない領域に配置される樹脂（樹脂２）の弾
性率よりも大きくすることによって、２７００サイクル
まで不良が発生しないことがわかる。
る領域に配置される樹脂（樹脂１）の弾性率を、バンプ
で囲まれていない領域に配置される樹脂（樹脂２）の弾
性率よりも大きくすることによって、２７００サイクル
まで不良が発生しないことがわかる。
【００４３】さらに、熱膨張係数の異なる樹脂を用いる
以外は、前述と同様にして、第２の製造方法により実施
例２の半導体装置を製造した。この実施例２において
は、バンプで囲まれている領域に配置される樹脂（樹脂
１）の熱膨張率を２０×１０-6／℃とし、バンプで囲ま
れていない領域に配置される樹脂（樹脂２）の熱膨張率
を３９×１０-6／℃とした。また、弾性率は、いずれの
樹脂も９００×１０7 Ｐａとし、これらの物性は、樹脂
に混入するフィラ含有量と必要に応じて樹脂の分子量と
を変えることにより決定した。なお、樹脂１には、最大
粒径４０μｍ、平均粒径１５μｍのフィラを４０重量％
の割合で配合し、樹脂２には、最大粒径２０μｍ、平均
粒径７μｍのフィラを２５重量％の割合で配合した。
以外は、前述と同様にして、第２の製造方法により実施
例２の半導体装置を製造した。この実施例２において
は、バンプで囲まれている領域に配置される樹脂（樹脂
１）の熱膨張率を２０×１０-6／℃とし、バンプで囲ま
れていない領域に配置される樹脂（樹脂２）の熱膨張率
を３９×１０-6／℃とした。また、弾性率は、いずれの
樹脂も９００×１０7 Ｐａとし、これらの物性は、樹脂
に混入するフィラ含有量と必要に応じて樹脂の分子量と
を変えることにより決定した。なお、樹脂１には、最大
粒径４０μｍ、平均粒径１５μｍのフィラを４０重量％
の割合で配合し、樹脂２には、最大粒径２０μｍ、平均
粒径７μｍのフィラを２５重量％の割合で配合した。
【００４４】得られた半導体装置を、前述と同様の温度
サイクル試験に供し、サイクル数と累積不良率との関係
を図６中に曲線ｂで示した。曲線ｂに示すように、バン
プで囲まれている領域に配置される樹脂（樹脂１）の熱
膨張率を、バンプで囲まれていない領域に配置される樹
脂（樹脂２）の熱膨張率よりも小さくすることによっ
て、３３００サイクルまで不良は発生せず、信頼性は極
めて向上することが解った。
サイクル試験に供し、サイクル数と累積不良率との関係
を図６中に曲線ｂで示した。曲線ｂに示すように、バン
プで囲まれている領域に配置される樹脂（樹脂１）の熱
膨張率を、バンプで囲まれていない領域に配置される樹
脂（樹脂２）の熱膨張率よりも小さくすることによっ
て、３３００サイクルまで不良は発生せず、信頼性は極
めて向上することが解った。
【００４５】さらに、弾性係数９００×１０7 Ｐａ、熱
膨張係数３９×１０-6／℃の樹脂を最外周バンプの内側
領域および外側領域に均一に配置する以外は、前述の実
施例１と同様の方法を用いて製造した半導体装置を比較
例１とし、樹脂を配置せず製造した半導体装置を比較例
２とした。これらの比較例１および比較例２の半導体装
置の信頼性を上述と同様の温度サイクル試験で評価し
た。得られた結果を、それぞれ、図６中の曲線ｃおよび
曲線ｄで示す。
膨張係数３９×１０-6／℃の樹脂を最外周バンプの内側
領域および外側領域に均一に配置する以外は、前述の実
施例１と同様の方法を用いて製造した半導体装置を比較
例１とし、樹脂を配置せず製造した半導体装置を比較例
２とした。これらの比較例１および比較例２の半導体装
置の信頼性を上述と同様の温度サイクル試験で評価し
た。得られた結果を、それぞれ、図６中の曲線ｃおよび
曲線ｄで示す。
【００４６】曲線ｃに示すように、均一な物性の樹脂を
バンプ電極の内外の領域に配置した場合には、１５００
サイクルまで不良が発生しないものの、２５００サイク
ルで、ほぼ１００％が不良となった。また樹脂を配置し
ない場合（曲線ｄ）には、２サイクルで不良が発生し、
１０サイクル以上で１００％が不良となった。
バンプ電極の内外の領域に配置した場合には、１５００
サイクルまで不良が発生しないものの、２５００サイク
ルで、ほぼ１００％が不良となった。また樹脂を配置し
ない場合（曲線ｄ）には、２サイクルで不良が発生し、
１０サイクル以上で１００％が不良となった。
【００４７】以上の結果から、最外周バンプで囲まれて
いる領域と囲まれていない領域とで、配置される樹脂の
物性に差異を設け、特に最外周バンプで囲まれる領域に
配置される樹脂に含有されるフィラ含有量、フィラ最大
粒径、フィラ平均粒径のうち少なくとも一つを、最外周
バンプで囲まれていない領域に配置される樹脂と比較し
て大きくすることによって、半導体装置の信頼性が著し
く向上することがわかる。
いる領域と囲まれていない領域とで、配置される樹脂の
物性に差異を設け、特に最外周バンプで囲まれる領域に
配置される樹脂に含有されるフィラ含有量、フィラ最大
粒径、フィラ平均粒径のうち少なくとも一つを、最外周
バンプで囲まれていない領域に配置される樹脂と比較し
て大きくすることによって、半導体装置の信頼性が著し
く向上することがわかる。
【００４８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
最外周バンプで囲まれる領域に配置される樹脂のフィラ
含有量、フィラ最大粒径、およびフィラ平均粒径の少な
くとも１つを、最外周バンプで囲まれていない領域に配
置される樹脂と比較して大きくしているので、最外周バ
ンプの内側領域と外側領域とに、異なる特性を有する樹
脂を配置することができる。
最外周バンプで囲まれる領域に配置される樹脂のフィラ
含有量、フィラ最大粒径、およびフィラ平均粒径の少な
くとも１つを、最外周バンプで囲まれていない領域に配
置される樹脂と比較して大きくしているので、最外周バ
ンプの内側領域と外側領域とに、異なる特性を有する樹
脂を配置することができる。
【００４９】すなわち、最外周バンプで囲まれた領域の
内側には、熱膨張率の相対的に大きな樹脂が配置されて
いるので、この領域内のバンプに発生する変形応力は、
樹脂で均一に緩和される。一方、最外周バンプで囲まれ
ていない領域には、弾性率の相対的に小さな樹脂が配置
されているので、この領域での回路基板の変形に伴って
発生する樹脂端部の歪みを低減して、樹脂の剥離、クラ
ックの発生を防止することができる。しかも、バンプの
破壊、水分などの侵入によるバンプの腐食も防止するこ
とができるため、半導体装置の信頼性寿命を著しく向上
させることができる。かかる半導体装置は、種々の機器
に適用可能であり、その工業的価値は絶大である。
内側には、熱膨張率の相対的に大きな樹脂が配置されて
いるので、この領域内のバンプに発生する変形応力は、
樹脂で均一に緩和される。一方、最外周バンプで囲まれ
ていない領域には、弾性率の相対的に小さな樹脂が配置
されているので、この領域での回路基板の変形に伴って
発生する樹脂端部の歪みを低減して、樹脂の剥離、クラ
ックの発生を防止することができる。しかも、バンプの
破壊、水分などの侵入によるバンプの腐食も防止するこ
とができるため、半導体装置の信頼性寿命を著しく向上
させることができる。かかる半導体装置は、種々の機器
に適用可能であり、その工業的価値は絶大である。
【図１】本発明の実施例に係る半導体装置を示す断面
図。
図。
【図２】本発明の実施例に係る半導体装置を示す平面
図。
図。
【図３】本発明の半導体装置の製造工程の一例を示す断
面図。
面図。
【図４】本発明の半導体装置の製造工程の一例を示す断
面図。
面図。
【図５】本発明の半導体装置の製造工程の他の例を示す
断面図。
断面図。
【図６】サイクル数と累積不良率との関係を示すグラフ
図。
図。
【図７】従来の半導体装置を示す断面図。
【図８】従来の半導体装置を示す断面図。
【図９】フィラ含有量と熱膨脹係数および弾性定数との
関係を示すグラフ図。
関係を示すグラフ図。
【図１０】従来の半導体装置を示す断面図。
１…半導体素子，２…回路基板，３…バンプ，４…接続
電極，５…接続電極 ６…第１の樹脂，７…第２の樹脂，８…最外周バンプの
外側接線 ９…ディスペンサー，１０…半導体装置，１１…半導体
素子，１２…回路基板 １３…バンプ，１４…接続電極，１５…接続電極，１６
…樹脂 １７…樹脂の剥離部，１８…クラック，１９…内側の封
止樹脂 ２０…外側の封止樹脂。
電極，５…接続電極 ６…第１の樹脂，７…第２の樹脂，８…最外周バンプの
外側接線 ９…ディスペンサー，１０…半導体装置，１１…半導体
素子，１２…回路基板 １３…バンプ，１４…接続電極，１５…接続電極，１６
…樹脂 １７…樹脂の剥離部，１８…クラック，１９…内側の封
止樹脂 ２０…外側の封止樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 栂嵜 隆 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 斉藤 雅之 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 回路配線基板と、この基板上にバンプ電
極により実装された半導体素子とを具備し、前記基板と
半導体素子との間隙および半導体素子の周囲に無機充填
剤を含有する樹脂が封止された半導体装置であって、 前記樹脂は、前記半導体素子の最外周バンプ電極で囲ま
れている領域に配置された第１の樹脂と、前記最外周バ
ンプ電極で囲まれていない領域に配置された第２の樹脂
とから構成され、前記第１の樹脂における無機充填剤の
含有量、最大粒径および平均粒径のうち少なくとも１つ
は、第２の樹脂における値より大きいことを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２】 前記無機充填剤は、シリカ、熔融シリ
カ、アルミナ、および石英から選択された少なくとも１
種類から構成された請求項１に記載の半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33332395A JPH09172110A (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 半導体装置 |
| US08/580,978 US5864178A (en) | 1995-01-12 | 1996-01-03 | Semiconductor device with improved encapsulating resin |
| US09/093,728 US5959363A (en) | 1995-01-12 | 1998-06-09 | Semiconductor device with improved encapsulating resin |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33332395A JPH09172110A (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09172110A true JPH09172110A (ja) | 1997-06-30 |
Family
ID=18264830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33332395A Pending JPH09172110A (ja) | 1995-01-12 | 1995-12-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09172110A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010054743A (ko) * | 1999-12-08 | 2001-07-02 | 윤종용 | 이중 언더필 영역을 포함하는 반도체 패키지 |
| JP2001244638A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路部品内蔵モジュール及びその製造方法 |
| JP2001313474A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-11-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
| JP2008159624A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Nippon Mektron Ltd | ノーフローアンダーフィルによるフリップチップ実装方法 |
| JP2009158609A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | チップオンフィルム（ｃｏｆ）構造の半導体装置の製造方法、及びｃｏｆ構造の半導体装置 |
| WO2015198911A1 (ja) * | 2014-06-26 | 2015-12-30 | ソニー株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-12-21 JP JP33332395A patent/JPH09172110A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010054743A (ko) * | 1999-12-08 | 2001-07-02 | 윤종용 | 이중 언더필 영역을 포함하는 반도체 패키지 |
| JP2001244638A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路部品内蔵モジュール及びその製造方法 |
| JP2001313474A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-11-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
| JP2008159624A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Nippon Mektron Ltd | ノーフローアンダーフィルによるフリップチップ実装方法 |
| JP2009158609A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | チップオンフィルム（ｃｏｆ）構造の半導体装置の製造方法、及びｃｏｆ構造の半導体装置 |
| WO2015198911A1 (ja) * | 2014-06-26 | 2015-12-30 | ソニー株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| CN106415826A (zh) * | 2014-06-26 | 2017-02-15 | 索尼公司 | 半导体器件和制造半导体器件的方法 |
| JPWO2015198911A1 (ja) * | 2014-06-26 | 2017-04-20 | ソニー株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US10553457B2 (en) | 2014-06-26 | 2020-02-04 | Sony Corporation | Semiconductor device to suppress warpage of the semiconductor device |
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