JP2009049410A - 半導体チップパッケージ、その製造方法及びこれを含む電子素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】ソルダ接合信頼性を向上する半導体チップパッケージを提供する。
【解決手段】半導体チップパッケージは、ボンディングパッドを備える活性面、活性面に対向する背面及び側面を有する半導体チップ110と、半導体チップの背面及び側面を取り囲むモールディング拡張部111と、ボンディングパッドと電気的に連結されながら、モールディング拡張部111に延びる再配線パターン114と、再配線パターン114上に設けられたバンプ用ソルダボール116と、半導体チップの活性面及びモールディング拡張部111を覆いながら、バンプ用ソルダボール116それぞれの一部が露出するように形成されたモールディング層120cと、を含む。
【選択図】図1
【解決手段】半導体チップパッケージは、ボンディングパッドを備える活性面、活性面に対向する背面及び側面を有する半導体チップ110と、半導体チップの背面及び側面を取り囲むモールディング拡張部111と、ボンディングパッドと電気的に連結されながら、モールディング拡張部111に延びる再配線パターン114と、再配線パターン114上に設けられたバンプ用ソルダボール116と、半導体チップの活性面及びモールディング拡張部111を覆いながら、バンプ用ソルダボール116それぞれの一部が露出するように形成されたモールディング層120cと、を含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体チップパッケージ及びその製造方法に関し、詳細には、ファンアウト型半導体パッケージ及びその製造方法に関する。
半導体産業における技術開発の主な傾向の一つは、半導体素子のサイズを縮小することである。半導体パッケージ分野においても、小型コンピュータ及びポータブル電子機器などの需要急増によって、小型のサイズを有しながら多数のピン(pin)を具現できるファインピッチボールグリッドアレイ(Fine pitch Ball Grid Array:FBGA)パッケージまたはチップスケールパッケージ(Chip Scale Package:CSP)などの半導体パッケージが開発されている。
現在開発されているファインピッチボールグリッドアレイパッケージまたはチップスケールパッケージなどのような半導体パッケージは、小型化及び軽量化などの物理的長所がある一方、未だ従来のプラスチックパッケージ(plastic package)と対等の信頼性を確保できず、生産過程で所要される原副資材及び工程の単価が高くて、価格競争力が劣るという短所がある。特に、現在チップスケールパッケージの代表的な種類である、いわゆるマイクロボールグリッドアレイ(micro BGA:μBGA)パッケージは、ファインピッチボールグリッドアレイまたはチップスケールパッケージに比べて優れた特性を有するが、同じく信頼性及び価格競争力が低いという短所がある。
このような短所を解決するために開発されたパッケージのうち、ウェハ上に形成された半導体チップのボンディングパッド(bonding pad)の再配置(redistribution)または再配線(rerouting)を用いる、いわゆるウェハレベルチップスケールパッケージ(Wafer Level CSP:WL−CSP)がある。
再配置を用いるウェハレベルチップスケールパッケージは、半導体素子製造工程(FABrication:FAB)で直接半導体基板上のボンディングパッドをより大きいサイズの他のパッドで再配置した後、その上にソルダボール(solder ball)のような外部接続端子を形成することを構造的特徴とする。
このようなウェハレベルチップスケールパッケージは、半導体チップのサイズが小くなるほどソルダボールのサイズも小くなる。ソルダボールのサイズが小くなるにつれ、もっと微細なピッチ(fine pitch)を有するソルダボールレイアウト(layout)が必要となる。しかし、持続的に減少しているデザインルール(design rule)によって半導体チップのサイズは小さくなるが、ソルダボールレイアウトの微細化技術には限界がある。
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、既存のソルダボールレイアウトに適用可能で、且つソルダ接合信頼性を向上することができる半導体チップパッケージ及びこれを含む電子素子を提供することにある。
本発明の他の目的は、既存のソルダボールレイアウトに適用可能で、且つソルダ接合信頼性を向上することができる半導体チップパッケージの製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、既存のソルダボールレイアウトに適用可能で、且つソルダ接合信頼性を向上することができる半導体チップパッケージの製造方法を提供することにある。
本発明による半導体チップパッケージは、ボンディングパッドを備える活性面、活性面に対向する背面及び側面を有する半導体チップと、半導体チップの背面及び側面を取り囲むモールディング拡張部と、ボンディングパッドと電気的に連結されながら、モールディング拡張部に延びる再配線パターンと、再配線パターン上に形成されたバンプ用ソルダボールと、半導体チップの活性面及びモールディング拡張部を覆いながら、バンプ用ソルダボールそれぞれの一部が露出するように形成されたモールディング層と、を含む。モールディング層は、互いに隣接するバンプ用ソルダボールの間のメニスカス凹面を有する。
本発明による半導体チップパッケージの製造方法は、ボンディングパッドを備える活性面、活性面に対向する背面及び側面を有する少なくとも一つの半導体チップを準備する過程と、半導体チップの背面及び前記側面を取り囲むモールディング拡張部を形成する過程と、ボンディングパッドと電気的に連結されながら、モールディング拡張部に延びる再配線パターンを形成する過程と、再配線パターン上にバンプ用ソルダボールを形成する過程と、活性面を覆いながら、バンプ用ソルダボールそれぞれの一部が露出するモールディング層を形成する過程と、を含む。互いに隣接する前記バンプ用ソルダボールの間のモールディング層はメニスカス凹面を有する。
本発明によると、半導体チップパッケージが、半導体チップの活性面及びモールディング拡張部を覆いながらバンプ用ソルダボールそれぞれの一部を露出させるメニスカス凹面を有するモールディング層を含むことで、ソルダ接合信頼性を向上することができる。また、半導体チップパッケージが、半導体チップの背面及び側面を取り囲みながら再配線パターンが延長できるモールディング拡張部を含むことで、既存のソルダボールレイアウトに適用することができる。従って、電子素子の電気的信頼性を向上する半導体チップパッケージを提供することができる。
さらに、本発明によると、電子素子が半導体チップの活性面及びモールディング拡張部を覆いながらバンプ用ソルダボールそれぞれの一部を露出させるメニスカス凹面を有するモールディング層を含むことで、ソルダ接合信頼性を向上することができる。
また、電子素子が半導体チップの背面及び側面を取り囲みながら再配線パターンが延長できるモールディング拡張部を含むことで、既存のソルダボールレイアウトに適用することができる。従って、品質の高い電子素子を提供することができる。
また、電子素子が半導体チップの背面及び側面を取り囲みながら再配線パターンが延長できるモールディング拡張部を含むことで、既存のソルダボールレイアウトに適用することができる。従って、品質の高い電子素子を提供することができる。
以下、添付の図面を参照して、本発明の好ましい実施の形態を詳しく説明する。しかし、本発明は、ここで説明される実施の形態に限定されず、他の形態に具体化されることができる。むしろ、ここで紹介される実施の形態は、開示された内容が徹底且つ完全になるように、そして当業者に本発明の思想が十分伝達されるように提供される。また、好ましい実施の形態によるので、説明の手順によって提示される参照符号はその手順に必ずしも限定されるのではない。図面において、膜及び領域の厚さは明確性のために誇張されている。また、膜が他の膜または基板上にあると言及される場合、他の膜または基板上に直接形成されるかまたはその間に第3の膜が介在することもできる。
図1は、本発明の一実施形態による半導体チップパッケージを説明するための断面図であり、図2は、図1のA部分の拡大断面図である。
図1及び図2を参照すると、半導体チップパッケージは、半導体チップ110、モールディング拡張部111、再配線パターン114、バンプ(bump)用ソルダボール116及びモールディング層(molding layer)120cを含む。
図1及び図2を参照すると、半導体チップパッケージは、半導体チップ110、モールディング拡張部111、再配線パターン114、バンプ(bump)用ソルダボール116及びモールディング層(molding layer)120cを含む。
半導体チップ110は、ボンディングパッド(bonding pad、図示せず)を備える活性面、活性面に対向する背面及び側面を有する。半導体チップ110は、メモリ(memory)チップ、ロジッグ(logic)チップのような様々な種類の半導体チップである。半導体チップ110は50〜760μm範囲の厚さを有する。好ましくは、半導体チップ110は50〜200μm範囲の厚さを有する。半導体チップ110が薄い厚さを有することで、半導体チップパッケージの薄型化が達成できる。
モールディング拡張部111は、半導体チップ110の背面及び側面を取り囲んでいる。モールディング拡張部111は、樹脂(resin)系の物質またはエポキシモールディングコンパウンド(Epoxy Molding Compound:EMC)である。モールディング拡張部111は、モールディング層120cと同一の物質から形成されても良い。これによって、半導体チップ110の背面及び側面はモールディング拡張部111により化学的/物理的な外部環境から保護される。
再配線パターン114は、半導体チップ110のボンディングパッドと電気的に連結され、ボンディングパッドからモールディング拡張部111に延びる。再配線パターン114と半導体チップ110の活性面との間に絶縁層112がさらに介在する。絶縁層112は、再配線パターン114と半導体チップ110の間を電気的に絶縁する。好ましくは、絶縁層112は、半導体チップ110の活性面と再配線パターン114の間にのみ介在する。また、絶縁層112は、再配線パターン114とモールディング拡張部111の間にも介在する。
バンプ用ソルダボール116は再配線パターン114上に提供される。バンプ用ソルダボール116は、ヤング率(Young´s modulus)が20〜90Gpaであるソルダ物質を含む。バンプ用ソルダボール116は、半導体チップ110と外部回路(例えば、配線基板など)の間の電気的な連結を提供する。
本実施形態の半導体チップパッケージは、上述した半導体チップ110、モールディング拡張部111、再配線パターン114及びバンプ用ソルダボール116を含むことで、ファンアウト(fan−out)パッケージ構造を有する。これによって、半導体チップ110のサイズが小くなっても既存のソルダボールレイアウトを保持できるので、半導体チップパッケージを配線基板に実装する工程で、バンプ用ソルダボール116のソルダ接合信頼性(Solder Joint Reliability:SJR)の低下を防止することができる。
モールディング層120cは、半導体チップ110の活性面及びモールディング拡張部111を覆いながら、バンプ用ソルダボール116それぞれの一部を露出させるように形成される。互いに隣接するバンプ用ソルダボール116の間のモールディング層120cは、バンプ用ソルダボール116と接するエッジを含むメニスカス(meniscus)凹面を有することができる。バンプ用ソルダボール116は、最大直径(Max.Diameter)を有する、活性面と平行な断面を含むことができる。活性面または/及びモールディング拡張部111の表面からメニスカス凹面のバンプ用ソルダボール116と接するエッジまでの高さH1は、活性面または/及びモールディング拡張部111の表面からバンプ用ソルダボール116の断面までの高さZから下または上にバンプ用ソルダボール116の最大直径の1/7長さ以内である。例えば、バンプ用ソルダボール116の最大直径が350μmである場合、メニスカス凹面のエッジまでの高さH1はバンプ用ソルダボール116の断面までの高さZから±50μm以内である。これによって、半導体チップ110の活性面は、モールディング層120cにより化学的/物理的な外部環境から保護される。
モールディング層120cによりバンプ用ソルダボール116の固着特性が向上することで、半導体チップパッケージのバンプ用ソルダボール116の接合部位に集中する熱的応力が分散する。これによって、バンプ用ソルダボール116のソルダ接合信頼性を向上することができる。また、モールディング層120cは、半導体チップ110と配線基板の間の熱膨張係数差を減少させることができる。従って、半導体チップパッケージを配線基板に実装する工程で、バンプ用ソルダボール116のソルダ接合信頼性を向上することができる。
モールディング層120cのメニスカス凹面は、活性面または/及びモールディング拡張部111の表面からバンプ用ソルダボール116と接するエッジまでの第1高さH1、活性面または/及びモールディング拡張部111の表面からバンプ用ソルダボール116のうち最外郭バンプ用ソルダボールと接する部位までの第2高さH2、活性面または/及びモールディング拡張部111の表面からバンプ用ソルダボール116の間の最下部までの第3高さH3及び活性面または/及びモールディング拡張部111の表面から半導体チップ110のエッジに対応する部位までの第4高さH4を含むことができる。第1高さH1と第3高さH3の間には、バンプ用ソルダボール116の最大直径の1/5長さ以内の高さ差が存在することができる。例えば、バンプ用ソルダボール116の最大直径が350μmである場合、第1高さH1と第3高さH3の間には最大70μmの高さ差が存在することができる。また、第1高さH1と第3高さH3の間には少なくとも10μmの高さ差が存在することができる。第2高さH2は第1高さH1より低いか高いことができ、第4高さH4は第3高さH3より低いか高いことができる。また、第2高さH2と第4高さH4の間には少なくとも10μmの高さ差が存在することができる。
モールディング層120cが、活性面または/及びモールディング拡張部111の表面からバンプ用ソルダボール116の最大直径の断面までの高さZより下または上にバンプ用ソルダボール116の最大直径の1/7長さ以内のメニスカス凹面のバンプ用ソルダボール116と接するエッジまでの高さH1を有するので、バンプ用ソルダボール116の固着特性を向上することができる。これによって、半導体チップパッケージのバンプ用ソルダボール116との接合部位に集中される熱的応力が分散するので、ソルダ接合信頼性を向上することができる。
メニスカス凹面のバンプ用ソルダボール116と接するエッジまでの高さH1がバンプ用ソルダボール116の最大直径の断面までの高さZから上にバンプ用ソルダボール116の最大直径の1/7長さを超える場合には、モールディング層120cを形成する工程でボイド(void)などのような不良をもたらす虞がある。または、半導体チップ110と外部回路の間の電気的な連結を提供するバンプ用ソルダボール116の露出面が足りず、電気的信頼性が低下する虞が生じる。
メニスカス凹面のバンプ用ソルダボール116と接するエッジまでの高さH1がバンプ用ソルダボール116の最大直径の断面までの高さZから下にバンプ用ソルダボール116の最大直径の1/7長さを超える場合には、再配線パターン114上に提供されたバンプ用ソルダボール116の固着特性が低下する虞がある。これによって、半導体チップパッケージを配線基板に実装する工程で、バンプ用ソルダボール116のソルダ接合信頼性が低下する虞がある。
モールディング層120cのメニスカス凹面は、つや消し(matted)またはつや出し(non−matted)形態の表面を有してもよい。モールディング層120cのメニスカス凹面は粗い表面により低い反射特性があるため、半導体チップパッケージを検査する過程で、肉眼でバンプ用ソルダボール116とモールディング層120cの表面を容易に区分することができる。
モールディング層120cは、エポキシモールディングコンパウンドを含むことができる。エポキシモールディングコンパウンドは50〜90wt%範囲のシリカ(silica、SiO2)を含むことができる。エポキシモールディングコンパウンドは、ガラス転移温度(Glass Transition Temperature、Tg)以下の温度区間で50ppm/℃以下の熱膨張係数を有する。エポキシモールディングコンパウンドは3Gpa以上の弾性係数(elastic modulus)を有することができる。
上記の構造を有する半導体チップパッケージは、半導体チップの活性面及びモールディング拡張部を覆いながら、バンプ用ソルダボールそれぞれの一部を露出させるメニスカス凹面を有するモールディング層を含むことで、半導体チップの活性面が化学的/物理的な外部環境から保護される。また、モールディング層が半導体チップパッケージを配線基板に実装する工程で、半導体チップと配線基板の間の熱膨張係数差を減少させることで、ソルダ接合信頼性を向上することができる。さらに、モールディング拡張部が半導体チップの背面及び側面を取り囲む構造を有することで、半導体チップの背面及び側面が化学的/物理的な外部環境から保護される。
図3は、半導体チップパッケージの製造方法を説明するための工程フローチャートである。
図3を参照すると、半導体チップパッケージの製造方法は、半導体チップそれぞれの背面及び側面を取り囲むモールディング拡張部を形成する過程(S110)と、半導体チップのボンディングパッドと電気的に連結されながらモールディング拡張部に延びる再配線パターンを形成する過程(S120)と、再配線パターン上にバンプ用ソルダボールを形成する過程(S130)と、成形金型にリリーステープを供給し、半導体チップ群をローディングする過程(S140)と、モールディング物質を成形金型に注入する過程(S150)と、圧縮成形して半導体チップの活性面及びモールディング拡張部にモールディング層を形成する過程(S160)と、成形金型から半導体チップ群をアンローディングする過程(S170)と、半導体チップを切断してそれぞれの半導体チップパッケージに分離する過程(S180)とを含む。
図3を参照すると、半導体チップパッケージの製造方法は、半導体チップそれぞれの背面及び側面を取り囲むモールディング拡張部を形成する過程(S110)と、半導体チップのボンディングパッドと電気的に連結されながらモールディング拡張部に延びる再配線パターンを形成する過程(S120)と、再配線パターン上にバンプ用ソルダボールを形成する過程(S130)と、成形金型にリリーステープを供給し、半導体チップ群をローディングする過程(S140)と、モールディング物質を成形金型に注入する過程(S150)と、圧縮成形して半導体チップの活性面及びモールディング拡張部にモールディング層を形成する過程(S160)と、成形金型から半導体チップ群をアンローディングする過程(S170)と、半導体チップを切断してそれぞれの半導体チップパッケージに分離する過程(S180)とを含む。
上記の半導体チップパッケージの製造方法は、大略的流れを説明したものであり、これに対する詳細を、下記の図4A乃至図4D、及び図5A乃至図5Cまたは図7A乃至7Cを参照して説明する。前記で一つの半導体チップが半導体パッケージに形成されると言及しが、複数の半導体チップが実質的に同時に個々の半導体パッケージにパッケージングされることができる。
図4A乃至図4Dは、実施の形態による半導体チップパッケージの製造方法を説明するための工程断面図である。
図4Aを参照すると、少なくとも一つの半導体チップ110をキャリア(carrier)135に付着させる。複数の半導体チップ110を付着させる場合には、それぞれの半導体チップ110を、製造しようとするパッケージの大きさに適合する間隔を有するように、キャリア135に配置することができる。半導体チップ110をキャリア135に付着させるために、接着物質膜を使用することができる。半導体チップ110をキャリア135に付着させるとき、半導体チップ110の活性面がキャリア135に接するようにする。これによって、半導体チップ110の背面及び側面が露出する。
図4Aを参照すると、少なくとも一つの半導体チップ110をキャリア(carrier)135に付着させる。複数の半導体チップ110を付着させる場合には、それぞれの半導体チップ110を、製造しようとするパッケージの大きさに適合する間隔を有するように、キャリア135に配置することができる。半導体チップ110をキャリア135に付着させるために、接着物質膜を使用することができる。半導体チップ110をキャリア135に付着させるとき、半導体チップ110の活性面がキャリア135に接するようにする。これによって、半導体チップ110の背面及び側面が露出する。
半導体チップ110をキャリア135に付着させる前に、半導体チップ110の背面を研磨する過程と、半導体ウェハに形成された複数の半導体チップをそれぞれの半導体チップ110に切断(sawing)する過程をさらに含むことができる。背面が研摩された半導体チップ110は50〜760μm範囲の厚さを有する。好ましくは、背面が研摩された半導体チップ110は50〜200μm範囲の厚さを有する。半導体チップ110が薄い厚さを有することで、半導体チップパッケージの薄型化が達成できる。
キャリア135は、金属物質、セラミック(ceramic)物質及び有機(organic)物質の中で選択された一つである。キャリア135は、半導体チップ110の背面及び側面を取り囲むモールディング拡張部を形成する後続工程で、半導体チップ110に与えられる物理的応力を緩和させることができる。接着物質膜は、再加工接着剤(reworkable adhesive)である。これは、半導体チップ110をモールディング拡張部が形成された後に除去する工程を容易にすることができる。接着物質膜としては、紫外線硬化樹脂(UltraViolet curable resin:UV resin)や熱可塑性(thermoplastic)樹脂を含む接着テープを使用することができる。
図4Bを参照すると、半導体チップ110の背面及び側面を取り囲むモールディング拡張部111を形成する。モールディング拡張部111は、半導体チップ110の背面及び側面を化学的/物理的な外部環境から保護することができる。モールディング拡張部111を形成する過程は、印刷(printing)方式、移送成形(transfer molding)方式または圧縮成形(compression molding)方式またはこれと類似する様々な方法によって行われる。モールディング拡張部111は、樹脂系の物質またはエポキシモールディングコンパウンドからなることができる。また、モールディング拡張部111は、後で形成されるモールディング層と同一の物質から形成されてもよい。
図4Bを参照すると、半導体チップ110の背面及び側面を取り囲むモールディング拡張部111を形成する。モールディング拡張部111は、半導体チップ110の背面及び側面を化学的/物理的な外部環境から保護することができる。モールディング拡張部111を形成する過程は、印刷(printing)方式、移送成形(transfer molding)方式または圧縮成形(compression molding)方式またはこれと類似する様々な方法によって行われる。モールディング拡張部111は、樹脂系の物質またはエポキシモールディングコンパウンドからなることができる。また、モールディング拡張部111は、後で形成されるモールディング層と同一の物質から形成されてもよい。
図4Cを参照すると、半導体チップ110の活性面を覆っているキャリア135を除去した後、半導体チップ110の活性面及びモールディング拡張部111上に絶縁層112を形成する。絶縁層112は、半導体チップ110と再配線パターン114の間を電気的に絶縁することができる。絶縁層112は、半導体チップ110と再配線パターン114を電気的に連結させるために、半導体チップ110のボンディングパッド(図示せず)を露出させるランド領域(land region、図示せず)を有する。
半導体チップ110のボンディングパッドと電気的に連結されながら、モールディング拡張部111に延びる再配線パターン114を形成する。再配線パターン114を形成する過程は、めっき方式またはラミネーション(lamination)方式などのような一般的な再配線方式による。説明の便宜のために、再配線方式に対する説明は省略する。
図4Dを参照すると、再配線パターン114上にバンプ用ソルダボール116を形成する。バンプ用ソルダボール116を形成する過程は、ソルダボール付着(solder ball attach)方式、ソルダ印刷(solder priting)方式またはソルダジェット(solder jetting)方式またはこれと類似する方式による。
上記の工程が複数の半導体チップ110を含む半導体チップ群Sを対象に行われた場合、バンプ用ソルダボール116を形成した後、それぞれの半導体チップ110に分離するための切断工程をさらに含む。または、後にモールディング層を形成した後、それぞれの半導体チップパッケージに分離する切断工程が行われる。
本実施形態の半導体チップパッケージは、上述した半導体チップ110、モールディング拡張部111、再配線パターン114及びバンプ用ソルダボール116を含むように形成されることで、ファンアウト(fan−out)パッケージ構造を有する。これによって、半導体チップ110のサイズが小くなっても既存のソルダボールレイアウトを保持できるので、半導体チップパッケージを配線基板に実装する工程で、バンプ用ソルダボール116のソルダ接合信頼性の低下を防止することができる。
図5A乃至図5Cは、本発明の一実施形態による半導体チップパッケージの製造方法を説明するための工程断面図であり、図6は、図5CのB部分の拡大断面図である。
図5Aを参照すると、成形金型は、下部金型310b及び上部金型310tからなる。下部金型310bは、モールディング成形部312を有する。この例で、モールディング成形部312は下部金型310bの凹面部分である。上部金型310tは装着部を有する。成形金型は、モールディング物質(図5Bの120参照)の液体化のために、175℃以上の温度まで加熱する機能を有する。
図5Aを参照すると、成形金型は、下部金型310b及び上部金型310tからなる。下部金型310bは、モールディング成形部312を有する。この例で、モールディング成形部312は下部金型310bの凹面部分である。上部金型310tは装着部を有する。成形金型は、モールディング物質(図5Bの120参照)の液体化のために、175℃以上の温度まで加熱する機能を有する。
下部金型310bと上部金型310tの間に、リリーステープ(release tape)320を供給する。リリーステープ320は、下部金型310bの両側に設けられたテープローラ(tape roller)315により下部金型310bに供給される。リリーステープ320は、モールディング工程の温度で変形を発生させない安定した素材からなる。リリーステープ320は、ポリテトラフルオロエチレン(PolyTetraFluoroEthylene:PTFE)、エチレン/テトラフロオロエチレン共重合体(Ethylene TetraFluoroEthylene copolymer:ETFE)またはこれと類似する物質からなる。
図5Bを参照すると、上部金型310tの装着部に、バンプ用ソルダボールが形成された半導体チップ群Sがローディング(loading)される。半導体チップ群Sは少なくとも一つの半導体チップを含む。図4Dで説明されたように、半導体チップ群Sがそれぞれの半導体チップに分離された場合、半導体チップ群Sは、複数の半導体チップの間にチップ切断領域(scribe line)を有するキャリアに搭載された形態である。これとは異なって、半導体チップ群Sがそれぞれの半導体チップに分離されない場合もある。この場合、半導体チップ群Sはキャリアを含まなくても良い。半導体チップ群Sは、半導体チップの背面が上部金型310tの装着部に向かうようにローディングされる。
半導体チップ群Sは、接着物質膜を媒介にして上部金型310tの装着部314にローディングされる。接着物質膜としては、接着後に分離が容易な再加工接着剤を使用する。これは、半導体チップ群Sは、モールディング工程の終了後アンローディング(unloading)されるからである。接着物質膜としては、紫外線硬化樹脂や熱可塑性樹脂またはこれと類似する樹脂を含む接着テープを使用してもよい。
下部金型310bのモールディング成形部にリリーステープ320を密着させた後、密着したリリーステープ320を含むモールディング成形部にモールディング物質120を注入する。モールディング物質120は、例えば、エポキシモールディングコンパウンドを含む。エポキシモールディングコンパウンドは、粉末(powder)形態または液体(liquid)形態からなる。エポキシモールディングコンパウンドは、50〜90wt%範囲のシリカを含む。エポキシモールディングコンパウンドは、ガラス転移温度以下の温度区間で50ppm/℃以下の熱膨張係数を有する。これによって、上部金型310tの装着部にローディングされた半導体チップ群Sのバンプ用ソルダボールがモールディング物質120上に位置する。
モールディング物質120を注入した後、下部金型310bのモールディング成形部を予熱及び真空排気する過程をさらに含む。予熱は、例えば、モールディング物質が粉末形態からなる場合、モールディング物質120を液体状態にするため行われる。予熱は、175℃程度の温度で2秒以上の時間の間行われる。真空排気は、モールディング層(図5Cの120c参照)を形成する工程で発生し得る不均一または不完全なモールディング層の形成を防止する。真空排気は、下部金型310bのモールディング成形部内部の圧力が50torr以下になるように行われる。
図5C及び図6を参照すると、圧縮成形して半導体チップの活性面及びモールディング拡張部を覆うモールディング層120cを形成する。圧縮成形は、半導体チップ群Sを液体状態のモールディング物質120及びリリーステープ320に圧縮することである。圧縮することは、上部金型301t及び下部金型310bを密着させることにより行われる。一実施の形態で、圧縮は、上部金型310t及び/または下部金型310bが動いて、上部金型310tと下部金型310bがリリーステープ320を介在させて互いに接続するようにして行われる。モールディング層120cを形成した後、100℃以上の温度を与える追加的な硬化工程でモールディング層120cと活性面及びモールディング拡張部との間の接着力を向上させるとともに、モールディング層120cの安定性を増加させることができる。
圧縮成形によって、半導体チップの活性面及びモールディング拡張部を覆いながらバンプ用ソルダボールそれぞれの一部を露出させるモールディング層120cが形成されることができる。モールディング層120cは、互いに隣接するバンプ用ソルダボールの間でバンプ用ソルダボールと接するエッジを含むメニスカス凹面を有し、バンプ用ソルダボールは活性面と平行で最大直径を有する断面を含み、活性面または/及びモールディング拡張部の表面からメニスカス凹面のバンプ用ソルダボールと接するエッジまでの高さ(図1のH1参照)は、活性面または/及びモールディング拡張部の表面からバンプ用ソルダボールの断面から下または上にバンプ用ソルダボールの最大直径の1/7長さ以内である。これによって、半導体チップの活性面はモールディング層120cによって化学的/物理的な外部環境から保護される。
モールディング層120cによりバンプ用ソルダボールの固着特性が向上することで、半導体チップパッケージのバンプ用ソルダボールの接合部位に集中される熱的応力が分散する。これによって、バンプ用ソルダボールのソルダ接合信頼性を向上することができる。また、モールディング層120cは半導体チップと配線基板の間の熱膨張係数差を減少することができる。これによって、半導体チップパッケージを配線基板に実装する工程でバンプ用ソルダボールのソルダ接合信頼性を向上することができる。
モールディング層120cが半導体チップ群Sの強度を向上させることで、それぞれの半導体チップパッケージに分離するための後続工程である切断工程で、半導体チップパッケージのエッジが割れるチッピング(chipping)現象を最小化することができる。従って、切断工程による半導体チップパッケージの品質低下を防止することができる。
モールディング層120cがメニスカス凹面を有するように形成されることは、上部金型310tと下部金型310bの間に介在したリリーステープ320によることである。これは、圧縮成形工程でリリーステープ320にバンプ用ソルダボールの一部が陥没するからである。これによって、リリーステープ320は互いに隣接するバンプ用ソルダボールの間でメニスカス凸面を形成することができる。結果的に、モールディング層120cはリリーステープ320のメニスカス凸面によってメニスカス凹面を有することができる。
リリーステープ320の厚さTRは、バンプ用ソルダボールの高さTSからモールディング層120cの第3高さTH3(図1のH3と同一)を引いた値より大きいことができる。リリーステープ320は、10〜900%範囲の延伸率(elongation)及び50MPa以下の引張応力(tensile stress)を有することができる。もし、リリーステープ320の引張応力が50MPa以上である場合、ヤング率が20〜90GPaであるソルダ物質を含むバンプ用ソルダボールは、リリーステープ320により押されて、その模様が変形される虞がある。
メニスカス凹面は、活性面または/及びモールディング拡張部の表面からバンプ用ソルダボールと接するエッジまでの第1高さ、第2高さH2、第3高さH3及び第4高さH4を含むことができる。
上述したように、半導体チップパッケージのバンプ用ソルダボールと接合部位に集中される熱的応力が分散することで、ソルダ接合信頼性を向上することができる。
上述したように、半導体チップパッケージのバンプ用ソルダボールと接合部位に集中される熱的応力が分散することで、ソルダ接合信頼性を向上することができる。
メニスカス凹面のバンプ用ソルダボールと接するエッジまでの高さがバンプ用ソルダボールの最大直径の断面までの高さから上にバンプ用ソルダボールの最大直径の1/7長さを超える場合は、モールディング層120cを形成する工程でボイドなどのような不良をもたらす虞がある。または、半導体チップと外部回路の間の電気的な連結を提供するバンプ用ソルダボールの露出面が不足して、電気的信頼性が低下する虞がある。
メニスカス凹面のバンプ用ソルダボールと接するエッジまでの高さがバンプ用ソルダボールの最大直径の断面までの高さから下にバンプ用ソルダボールの最大直径の1/7長さを超える場合は、再配線パターン上に提供されたバンプ用ソルダボールの固着特性が低下する虞がある。これによって、半導体チップパッケージを配線基板に実装する工程で、バンプ用ソルダボールのソルダ接合信頼性が低下する可能性がある。
リリーステープ320は、つや消しまたはつや出し形態の表面を有し得る。リリーステープ320の表面形態は、モールディング工程でモールディング層120cのメニスカス凹面に転写される。これによって、モールディング層120cのメニスカス凹面はつや消しまたはつや出し形態の表面を有することができる。好ましくは、本実施形態のモールディング層120cのメニスカス凹面はつや消し形態の表面を有する。これによって、モールディング層120cのメニスカス凹面は、粗い表面により低い反射特性を有するので、半導体チップパッケージを検査する過程で、肉眼でバンプ用ソルダボールとモールディング層120cの表面を容易に区分することができる。
図示されていないが、モールディング層120cが形成された半導体チップ群Sを上部金型からアンローディングした後、複数の半導体チップの間のチップ切断領域及びモールディング層120cを切断して、それぞれの半導体チップパッケージに分離してもよい。これによって、半導体チップの活性面及びモールディング拡張部を覆いながら、バンプ用ソルダボールそれぞれの一部を露出させるように提供されたメニスカス凹面を有するモールディング層120cを含む半導体チップパッケージを製造することができる。
図7A乃至図7Cは、他の実施の形態による半導体チップパッケージの製造方法を説明するための工程断面図である。説明の便宜のために、図7A乃至図7Cに対する説明は図5A乃至図5Cの説明と同一の部分を省略して記載する。
図7Aを参照すると、成形金型は下部金型310ba及び上部金型310taからなる。下部金型310baは、モールディング成形部314(310baの凹部)を有する。下部金型310baと上部金型310taの間にリリーステープ320が供給される。リリーステープ320は、上部金型310taの両側に設けられたテープローラ315を通して上部金型310taに供給される。
図7Aを参照すると、成形金型は下部金型310ba及び上部金型310taからなる。下部金型310baは、モールディング成形部314(310baの凹部)を有する。下部金型310baと上部金型310taの間にリリーステープ320が供給される。リリーステープ320は、上部金型310taの両側に設けられたテープローラ315を通して上部金型310taに供給される。
図7Bを参照すると、下部金型310baの装着部にバンプ用ソルダボールが形成された半導体チップ群Sがローディングされる。半導体チップ群Sは、半導体チップの背面が下部金型310baの装着部314に向かうようにローディングされる。半導体チップ群Sは、接着物質膜を媒介にして下部金型310baの装着部にローディングされる。
上部金型310taにリリーステープ320を密着させ、下部金型310baのモールディング成形部の装着部にローディングされた半導体チップ群Sのバンプ用ソルダボールを覆うように、下部金型310baのモールディング成形部にモールディング物質120を注入する。これによって、下部金型310baのモールディング成形部の装着部にローディングされた半導体チップ群Sのバンプ用ソルダボール上に、モールディング物質120が位置することができる。
図7Cを参照すると、圧縮成形して半導体チップの活性面及びモールディング拡張部を覆うモールディング層120cを形成する。圧縮成形は、半導体チップ群S上にある液体状態のモールディング物質120にリリーステープ320を圧縮する過程を含む。圧縮することは、上部金型301ta及び下部金型310baを密着させる過程を含む。このような圧縮は、上部金型310ta及び/または下部金型310baが動いて、上部金型310taと下部金型310baがリリーステープ320を介在させて互いに接続するようにして行われる。
圧縮成形によって、半導体チップの活性面及びモールディング拡張部を覆いながらバンプ用ソルダボールそれぞれの一部を露出させるモールディング層120cが形成される。モールディング層120cは、互いに隣接するバンプ用ソルダボールの間でバンプ用ソルダボールと接するエッジを含むメニスカス凹面を有する。これによって、半導体チップの活性面は、モールディング層120cにより化学的/物理的な外部環境から保護される。
モールディング層120cによりバンプ用ソルダボールの固着特性が向上することで、半導体チップパッケージのバンプ用ソルダボールの接合部位に集中される熱的応力を分散させることができる。これによって、バンプ用ソルダボールのソルダ接合信頼性が向上することができる。また、モールディング層120cは、半導体チップと配線基板の間の熱膨張係数差を減少させることができる。これによって、半導体チップパッケージを配線基板に実装する工程で、バンプ用ソルダボールのソルダ接合信頼性を向上することができる。
さらに、モールディング層120cは半導体チップ群Sの強度を向上することで、それぞれの半導体チップパッケージに分離するための後続工程である切断工程で、半導体チップパッケージのエッジが割れるチッピング現象を最小化することができる。これによって、切断工程による半導体チップパッケージの品質低下を防止することができる。
上記の方法によって製造された半導体チップパッケージは、半導体チップの活性面及びモールディング拡張部を覆いながら、バンプ用ソルダボールそれぞれの一部を露出させるメニスカス凹面を有するモールディング層を含むことで、半導体チップの活性面が化学的/物理的な外部環境から保護されることができる。また、モールディング層が半導体チップパッケージを配線基板に実装する工程で、半導体チップと配線基板の間の熱膨張係数差を減少させることで、ソルダ接合信頼性を向上することができる。
図7B及び7Cに示すように、装着部314はモールディング拡張部111を有する半導体チップ群Sの厚さより厚い深さを有することができる。上部金型310taと下部金型310bは一緒に提供される時、モールディング層120cの相当量が半導体チップ群Sとモールディング拡張部111とリリーステープ320の間に残り得る。
図8は、他の実施形態による半導体チップパッケージを説明するための断面図である。説明の便宜のために、図8に対する説明は、図1の説明と同一の部分を省略して記載する。
図8を参照すると、半導体チップパッケージは、半導体チップ110、モールディング拡張部111、再配線パターン114、バンプ用ソルダボール116及びモールディング層120cを含む。
図8を参照すると、半導体チップパッケージは、半導体チップ110、モールディング拡張部111、再配線パターン114、バンプ用ソルダボール116及びモールディング層120cを含む。
再配線パターン111と半導体チップ110の活性面の間に介在した絶縁層112をさらに含む。絶縁層112は、再配線パターン114と半導体チップ110の間を電気的に絶縁させる。モールディング拡張部111が絶縁物質の樹脂系の物質またはエポキシモールディングコンパウンドで、内部に配線などのような導電パターンを含まないため、再配線パターン114とモールディング拡張部111の間には電気的絶縁の必要がない。これによって、絶縁層112は半導体チップ110の活性面と再配線パターン111の間にだけ介在することができる。
図9は、本実施形態による電子素子を説明するための断面図である。
図9を参照すると、図3を参照して前述された方法で製造された図1及び/または図8のような構造の半導体チップパッケージを準備する。配線基板210を準備する。配線基板210に半導体チップパッケージを実装することで、電子素子を製造することができる。以下では、図1の半導体チップパッケージを含む電子素子を例にあげて説明する。しかし、他の実施形態は上述したように様々な半導体チップを含むことができる。
図9を参照すると、図3を参照して前述された方法で製造された図1及び/または図8のような構造の半導体チップパッケージを準備する。配線基板210を準備する。配線基板210に半導体チップパッケージを実装することで、電子素子を製造することができる。以下では、図1の半導体チップパッケージを含む電子素子を例にあげて説明する。しかし、他の実施形態は上述したように様々な半導体チップを含むことができる。
半導体チップパッケージは、半導体チップ110、モールディング拡張部111、再配線パターン114、バンプ用ソルダボール116及びモールディング層120cを含む。半導体チップ110は、ボンディングパッド(図示せず)を備える活性面、活性面に対向する背面及び側面を有する。モールディング拡張部111は、半導体チップ110の背面及び側面を取り囲む。再配線パターン114は、半導体チップ110のボンディングパッドと電気的に連結されながら、モールディング拡張部111に延びる。再配線パターン114と半導体チップ110の活性面及びモールディング拡張部111との間に介在した絶縁層112をさらに含む。絶縁層112は、再配線パターン114と半導体チップ110の間を電気的に絶縁する。バンプ用ソルダボール116は、半導体チップ110の再配線パターン114上に設けられる。バンプ用ソルダボール116は半導体チップ110と配線基板210の間の電気的な連結を提供する。
半導体チップパッケージは、前記のような半導体チップ110、モールディング拡張部111、再配線パターン114及びバンプ用ソルダボール116を含むことで、ファンアウトパッケージ構造を有する。これによって、半導体チップ110のサイズが小くなっても既存のソルダボールレイアウトを保持することができるので、半導体チップパッケージを配線基板に実装する工程で、バンプ用ソルダボール116のソルダ接合信頼性の低下を防止することができる。
モールディング層120cは、半導体チップ110の活性面及びモールディング拡張部111を覆いながら、バンプ用ソルダボール116それぞれの一部を露出させるように形成される。モールディング層120cは、互いに隣接するバンプ用ソルダボール116の間でバンプ用ソルダボール116と接するエッジを含むメニスカス凹面を有する。モールディング層120cとバンプ用ソルダボール116は、図1及び図2を参照して説明されたのと類似する断面を有する。これによって、半導体チップ110の活性面は、モールディング層120cにより化学的/物理的な外部環境から保護されることができる。
バンプ用ソルダボール116の固着特性が向上することで、ソルダ接合信頼性を向上することができる。そして、モールディング層120cは、半導体チップ110と配線基板210の間の熱膨張係数差を減少させることができる。これによって、半導体チップパッケージを配線基板210に実装する工程で、バンプ用ソルダボール116のソルダ接合信頼性を向上することができる。
配線基板210は、半導体チップパッケージが実装される上部面及び上部面に対向する下部面を有することができる。配線基板210は、プリント回路基板(printed circuit board:PCB)を含むシステム基板(system board)などであり得る。配線基板210は、ボンディング電極(図示せず)を含む上部面及び上部面に対向しながら接続電極(図示せず)を含む下部面を有する。ボンディング電極は、それに対応する半導体チップ110のボンディングパッドとバンプ用ソルダボール116を媒介にして電気的に連結される。
配線基板210の下部面に配線基板用ソルダボール212を形成することをさらに含んでもよい。配線基板用ソルダボール212は、配線基板210の下部面に含まれた接続電極上に提供される。配線基板用ソルダボール212は、配線基板210の内部配線(図示せず)に連結され、半導体チップ110と外部回路(例えば、メイン基板(main board))との間に電気的な連結を提供することができる。
上述した構造を有する電子素子は、半導体チップの活性面及びモールディング拡張部を覆いながらバンプ用ソルダボールそれぞれの一部を露出させるメニスカス凹面を有するモールディング層を含むので、半導体チップの活性面が化学的/物理的な外部環境から保護される。また、モールディング層が、半導体チップパッケージを配線基板に実装する工程で、半導体チップと配線基板の間の熱膨張係数差を減少させることができる。これによって、バンプ用ソルダボールのソルダ接合信頼性が向上することで、電子素子は安定した電気的特性を有する。さらに、実施の形態による電子素子は、モールディング物質膜を含む従来とは異なって、上述したようなモールディング層を含むので、電子素子製造工程を単純化し、製造費用を減少させることができる。
上記の本実施形態による半導体チップパッケージは、半導体チップの活性面及びモールディング拡張部を覆いながらバンプ用ソルダボールそれぞれの一部を露出させるメニスカス表面を有するモールディング層を含むことで、ソルダ接合信頼性を向上することができる。また、半導体チップパッケージは、半導体チップの背面及び側面を取り囲みながら再配線パターンを延長可能なモールディング拡張部を含むことで、既存のソルダボールレイアウトに適用することができる。これによって、電子素子の電気的信頼性を向上する半導体チップパッケージ及びその製造方法が提供される。
110:半導体チップ、111:モールディング拡張部、112:絶縁層、114:再配線パターン、116:ンプ用ソルダボール、120:モールディング物質、120c:モールディング層、135:キャリア、200:配線基板、212:配線基板用ソルダボール、310b:下部金型、310t:上部金型、315:テープローラ、320:リリーステープ
Claims (28)
- ボンディングパッドを備える第1面、前記第1面に対向する第2面及び側面を有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記第2面及び前記側面を取り囲むモールディング拡張部と、
前記ボンディングパッドと電気的に連結されながら、前記ボンディングパッドから前記モールディング拡張部に延びる再配線パターンと、
前記再配線パターン上に設けられたバンプ用ソルダボールと、
前記半導体チップの前記第1面及び前記モールディング拡張部を覆いながら、前記バンプ用ソルダボールそれぞれの一部が露出するように形成されたモールディング層と、を含み、
互いに隣接する前記バンプ用ソルダボールの間の前記モールディング層は、メニスカス凹面を有する半導体チップパッケージ。 - 前記ソルダボールのうち一つと前記メニスカス凹面の一つとが接する地点は、断面が最大である前記バンプ用ソルダボールの前記第1面からの高さから、前記バンプ用ソルダボールの高さの1/7以下にある第1面からの高さまでの間に位置することを特徴とする請求項1に記載の半導体チップパッケージ。
- 前記メニスカス凹面は、
前記第1面から前記バンプ用ソルダボールと接する部位までの第1高さと、
前記第1面から前記バンプ用ソルダボールの間の最下部までの第2高さと、を含み、
前記第1高さと前記第2高さの間には、前記バンプ用ソルダボールの最大直径の1/5長さ以内の高さの差が存在することを特徴とする請求項1に記載の半導体チップパッケージ。 - 前記メニスカス凹面は、つや消し形態の表面(matte finish)を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体チップパッケージ。
- 前記モールディング拡張部は、前記モールディング層と同一の物質からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップパッケージ。
- 前記半導体チップの前記第1面と前記再配線パターンとの間に介在する絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体チップパッケージ。
- 前記絶縁層は、前記モールディング拡張部と前記再配線パターンとの間にさらに介在することを特徴とする請求項6に記載の半導体チップパッケージ。
- 前記モールディング層は、エポキシモールディングコンパウンドを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体チップパッケージ。
- 前記エポキシモールディングコンパウンドは、ガラス転移温度以下の温度区間で50ppm/℃以下の熱膨張係数を有することを特徴とする請求項8に記載の半導体チップパッケージ。
- 前記エポキシモールディングコンパウンドは、3GPa以上の弾性係数を有することを特徴とする請求項8に記載の半導体チップパッケージ。
- ボンディングパッドを備える第1面、前記第1面に対向する第2面及び側面を有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記第2面及び前記側面を取り囲むモールディング拡張部と、
前記ボンディングパッドと電気的に連結されながら、前記ボンディングパッドから前記モールディング拡張部に延びる再配線パターンと、
前記再配線パターン上に設けられたバンプ用ソルダボールと、
前記半導体チップの前記第1面及び前記モールディング拡張部を覆いながら、前記バンプ用ソルダボールそれぞれの一部が露出するように形成されたモールディング層と、を含み、互いに隣接する前記バンプ用ソルダボールの間の前記モールディング層はメニスカス凹面を有する半導体チップパッケージであって、
前記半導体チップパッケージが一面に実装された配線基板を含む電子素子。 - 前記配線基板の前記一面に対向する他面に設けられる配線基板用ソルダボールをさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の電子素子。
- ボンディングパッドを備える第1面、前記第1面に対向する第2面及び側面を有する半導体チップを準備する過程と、
前記半導体チップの前記第2面及び前記側面を取り囲むモールディング拡張部を形成する過程と、
前記ボンディングパッドと電気的に連結されながら、前記モールディング拡張部に延びる再配線パターンを形成する過程と、
前記再配線パターン上にバンプ用ソルダボールを形成する過程と、
前記第1面を覆いながら、前記バンプ用ソルダボールそれぞれの一部が露出するモールディング層を形成する過程と、を含み、
互いに隣接する前記バンプ用ソルダボールの間の前記モールディング層は、メニスカス凹面を有することを特徴とする半導体チップパッケージの製造方法。 - 前記ソルダボールのうち一つと前記メニスカス凹面の一つとが接する地点は、断面が最大である前記バンプ用ソルダボールの前記第1面からの高さから、前記バンプ用ソルダボールの高さの1/7以下にある第1面からの高さまでの間に位置することを特徴とする請求項13に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
- 前記メニスカス凹面は、
前記第1面から前記バンプ用ソルダボールと接する部位までの第1高さと、
前記第1面から前記バンプ用ソルダボールの間の最下部までの第2高さと、を含み、
前記第1高さと前記第2高さの間には、前記バンプ用ソルダボールの最大直径の1/5長さ以内の高さの差が存在することを特徴とする請求項13に記載の半導体チップパッケージの製造方法。 - 前記第1高さと前記第2高さとの間には、少なくとも10μmの高さの差が存在することを特徴とする請求項15に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
- 前記モールディング拡張部を形成する過程は、
キャリアに前記半導体チップの前記第1面を接するように付着する過程と、
前記半導体チップの前記第2面及び前記側面を取り囲む前記モールディング拡張部を形成する過程と、
前記キャリアを除去する過程と、を含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体チップパッケージの製造方法。 - 前記モールディング拡張部は前記モールディング層と同一物質からなることを特徴とする請求項13に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
- 前記半導体チップの前記第1面及び前記モールディング拡張部と前記再配線パターンとの間に絶縁層を形成する過程をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
- 前記絶縁層は、前記半導体チップの前記第1面と前記再配線パターンとの間に形成されることを特徴とする請求項19に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
- 前記モールディング層を形成する過程は、
リリーステープを準備する過程と、
前記半導体チップをローディングする過程と、
前記リリーステープと前記半導体チップとの間にモールディング物質を注入する過程と、
前記半導体チップと前記リリーステープを互いに圧縮させる過程と、を含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体チップパッケージの製造方法。 - 前記リリーステープは、モールディング成形部を有する下部金型、前記下部金型に対向する上部金型の間に準備され、前記半導体チップは前記装着部にローディングされ、前記モールディング物質は前記バンプ用ソルダボール上に形成されるように、前記モールディング成形部に注入され、前記圧縮させる過程では、前記上部金型及び前記下部金型を密着させることを特徴とする請求項21に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
- 前記リリーステープは、装着部を含むモールディング成形部を有する下部金型、前記下部金型に対向する上部金型の間に準備され、前記半導体チップは前記装着部にローディングされ、前記モールディング物質は前記バンプ用ソルダボール上に形成されるように、前記モールディング成形部に注入され、前記圧縮させる過程では、前記上部金型及び前記下部金型を密着させることを特徴とする請求項21に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
- 前記リリーステープの厚さは、前記バンプ用ソルダボールの高さから前記モールディング層の前記第2高さを引いた値より大きいことを特徴とする請求項21に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
- 前記リリーステープは、つや消し形態の表面を有することを特徴とする請求項21に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
- 前記モールディング物質はエポキシモールディングコンパウンドを含み、
前記エポキシモールディングコンパウンドは、ガラス転移温度以下の温度区間で50ppm/℃以下の熱膨張係数を有することを特徴とする請求項21に記載の半導体チップパッケージの製造方法。 - 前記半導体チップは複数の半導体チップを含み、
前記半導体チップは、前記半導体チップの間にチップ切断領域を有するキャリアに搭載された形態であることを特徴とする請求項21に記載の半導体チップパッケージの製造方法。 - 前記複数の半導体チップの間の前記チップ切断領域及び前記モールディング層を切断し、それぞれの半導体チップパッケージに分離する過程をさらに含むことを特徴とする請求項21に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
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