JP2009021338A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
基材に導体配線が形成された配線基板について、細配線形成が可能ではんだ接続部の応力緩和性能に優れるとともに信頼性を確保するためのソルダーレジスト等のオーバーコート性能を確保できる配線基板を工夫すること。
【解決手段】
上記の導体配線と基材との界面に第二の絶縁層が介在していること、導体配線の接着界面が基材表面の高さと異なること、第二の絶縁層が基材よりも低弾性率であること、第二の絶縁層が導体配線の直下にあり、少なくともその一部が独立して形成されていること、導体配線が断面凸部に形成されていること、導体配線と上記第二の絶縁層とによる凸部の断面形状がきのこ形状をしており、その一部が基材に埋め込まれていること、上記第二の絶縁層がエラストマーであること。

【選択図】 図１

Description

この発明は導体配線を有する構造体と機能素子とを接続した電気構造物、すなわち配線基板に係り、小型化されかつ実装信頼性が高められたものであり、例えばセンサ等の配線基板に利用することで格別に効果があるものである。

この発明に対する先行技術として、特開２００５−２８１５０９号公報（特許文献１）に記載されている金属ベース回路基板、特開２００６−２０２９１３号公報（特許文献２）に記載されているものがある。
上記特許文献１の記載によれば、その発明は、金属板と導電回路との密着性に優れ、しかも応力緩和性にも優れ、急激な加熱／冷却を受けても、はんだ或いはその近傍でのクラック発生等の異常を生じない、耐熱性、放熱性、更に耐湿性に優れている金属ベ−ス回路基板を提供することを課題とし、金属板の少なくとも一主面に絶縁層を介して回路を設けてなる金属ベース回路基板について、（ａ）付加反応型シリコーン樹脂からなる接着性樹脂、（ｂ）シリコーンの骨格を有し、主鎖に少なくとも１個以上の活性シリル水素結合を有する硬化促進剤、及び（ｃ）無機充填剤からなることを特徴とする硬化性樹脂組成物の硬化体であって、貯蔵弾性率が、−４０℃で０．３ＧＰａ以下であり、かつ１２５℃で０．０５ＧＰａ以上０．１ＧＰａ以下であることを特徴とする硬化体からなることをその解決手段とするものである。

また、上記特許文献２の記載によれば、その発明は、基材上の凸形状構造からなる配線の応力集中を緩和し、基材と配線との接合界面における破壊が回避されると共に優れた強度を発揮し、信頼性が高く、微細パターンの形成が可能な配線構造体とその製造方法を提供することを課題とし、基材上に設けられる配線の凸形状構造を、基材部と導電部とから構成し、導電部は導電材料により形成すると共に基材部は成形材料により基材の一部として形成し、かつ導電部と基材部との接合界面が基材表面の高さと異なる位置となるように設けるもので、一方の型にレジストパターンを形成し導電部を形成した後、他方の型を重ね合わせて成形材料を充填し熱処理し、その後、離型して配線構造体を製造することをその解決手段とするものである。

〔従来技術の問題点〕
電子機器の小型、高機能化のため、電子部品の接続ピッチは狭ピッチ化の一途をたどっている。配線基板上への電子部品実装においては、ＢＧＡ，ＣＳＰ等のエリアアレイパッケージ実装が多く用いられてきており、はんだ接続部の熱応力に対する更なる信頼性向上が求められている。ここで、この熱応力に対する接続信頼性を向上する方策として、低弾性率のシリコーン樹脂を絶縁層とすることで応力緩和可能とした金属ベース回路基板が、上記特許文献１の発明によって提案されている。しかし、この従来技術では、基材絶縁層が低弾性率の付加反応型シリコーン樹脂で構成されていることから、配線密着力が低く微細配線を形成することができなかった。また、基材絶縁膜表層が撥液性を有するため、ソルダーレジストの濡れ性および接着性が悪いという問題がある。

また、上記特許文献２の従来技術は凸形状構造からなる配線を提案しているものである。しかし、この従来技術は、基材の弾性率をあまり下げられないことから、応力緩和は形状効果によるもののみとなり、このため、応力緩和性能に限界があるという問題がある。
特開２００５−２８１５０９号公報 特開２００６−２０２９１３号公報

この発明の基本的な課題は、基材に導体配線が形成された配線基板について、細配線形成が可能ではんだ接続部の応力緩和性能に優れるとともに信頼性を確保するためのソルダーレジスト等のオーバーコート性能を確保できる配線基板およびその製造方法を工夫することであり、具体的には、第１の課題は応力緩和性能に優れた配線基板を提供することであり、第２の課題は配線密着力および応力緩和性能のバランスの取れた配線基板を提供することであり、第３の課題はソルダーレジスト等のオーバーコート性能を確保できる配線基板を提供することであり、第４の課題は接着強度を高めた配線基板を提供することである。

以上の具体的課題は、請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、又は請求項６に係る発明の課題であるが、請求項７乃至請求項９に係る発明の課題は、上記第１の課題「応力緩和性能に優れた配線基板を提供する」ことである。

さらに、第５の課題は応力緩和性能に優れた配線基板を低コストで生産できる製造方法を提供することであり、これは請求項１０、請求項１１に係る発明の課題である。
さらにまた、第６の課題は応力緩和性能および信頼性に優れた金属ベース基板を提供することであり、これは請求項１２に係る発明の課題であり、
さらにまた、第７の課題は応力緩和性能に優れた立体配線基板を提供することであり、これは請求項１３に係る発明の課題である。

１．配線基板に関する発明の上記課題を解決するための手段は、基材に導体配線が形成された配線基板を前提として、次のとおりである。
（１）導体配線と基材との界面に第二の絶縁層が介在していること（請求項１の発明）。
（２）上記（１）と、導体配線の接着界面が基材表面の高さと異なること（請求項２の発明）。
（３）上記（１）と、第二の絶縁層が基材よりも低弾性率であること（請求項３の発明）。
（４）上記（１）と、第二の絶縁層が導体配線の直下にあり、少なくともその一部が隣接する第二の絶縁層に対して不連続に形成されていること（請求項４の発明）。
（５）上記（１）と、導体配線が断面凸部に形成されていること（請求項５の発明）。
（６）上記（１）と、導体配線と上記第二の絶縁層とによる凸部の断面形状が下向きのきのこ形状をしており、その一部が基材に埋め込まれていること（請求項６の発明）。
（７）上記（３）と、その第二の絶縁層がエラストマーであること（請求項７の発明）。
（８）上記（３）と、その第二の絶縁層がエラストマー粉体を含有している樹脂であること（請求項８の発明）。
（９）上記（７）または（８）と、そのエラストマーがシリコーンゴムであること（請求項９の発明）。

２．配線基板の製造方法に関する発明の上記課題を解決するための手段は、基材に導体配線が形成された配線基板の製造方法を前提として、次のとおりである。
（１）上記１の（１）の配線基板の製造方法について、上記第二の絶縁層を導体配線に対して電着により転写形成し、その後、基材に転写形成すること（請求項１０の発明）。
（２）上記１の（１）の配線基板の製造方法について、上記第二の絶縁層を導体配線に対してオフセット印刷手法により形成し、その後、基材上に転写すること（請求項１１の発明）。

本発明の効果を、各請求項の発明毎に整理すれば、次のとおりである。
（１）請求項１に係る発明
導体配線と基材との界面に第二の絶縁層を有している。この第二の絶縁層に基材としての機能と配線部を接着固定するための機能とをもたせることができ、このことによって配線基板の高機能化が図られる。

（２）請求項２に係る発明
導体配線の接着界面が基材表面の高さと異なる構成になっているので、配線密着強度の確保と応力緩和性能の確保を同時に実現できる。
なぜなら、導体配線の接着面積を大きくでき、低弾性率な絶縁層を形成しているからである。

（３）請求項３に係る発明
第二の絶縁層が基材よりも低弾性率としているため、はんだ接続部等に加わる応力に対する緩和性能を向上できるとともに、基材の剛性を高められることから寸法安定性、形状安定性を向上させることができる。

（４）請求項４に係る発明
第二の絶縁層が配線直下（又は頂部）にあり、少なくともその一部が隣接する第二の絶縁層に対して不連続に形成されている。このため、導体配線近傍の配線基板の表層には基材と第二の絶縁層が共存しており、第二の絶縁層として、例えば、シリコーン系樹脂等の撥液性を有する材料を使用してもソルダーレジスト等のオーバーコート性能を確保することができる。

（５）請求項５に係る発明
導体配線が凸形状部に形成されていることにより、形状効果による応力緩和性能が向上する。

（６）請求項６に係る発明
導体配線の断面が下向きのきのこ形状をしており、その一部が配線基板に埋め込まれていることから、第二の絶縁層との接着面積を大きく、接着力を向上させることができる。

（７）請求項７，８に係る発明
第二の絶縁層がエラストマー、又はエラストマー粉体を含有している樹脂であることから、応力緩和特性を向上できる。

（８）請求項９に係る発明
第二の絶縁層がシリコーンゴムであることから、応力緩和性能と耐熱性に優れている。

（９）請求項１０，１１に係る発明
第二の絶縁層が導体配線に対して、電着あるいはオフセット転写により形成し、その後、これを基材表面に転写形成する単純な工程で製造されることから、低コスト化が図られる。

（１０）請求項１２，１３に係る発明
請求項１２，１３に係る発明は配線基板の構造に関するものであり、その効果は次のとおりである。
（イ）請求項１２に係る発明は、金属ベース基板上に絶縁性を有する基材および第二の絶縁層を有しているので、放熱性に優れるとともに応力緩和性および接着性に優れている。
（ロ）請求項１３に係る発明は、応力緩和性能に優れた立体配線基板とすることができ、このことによる狭ピッチ接続効果と立体配線基板の小型化効果により、電子デバイスの更なる軽薄短小化が図られる。

次いで、図面を参照して実施例１、実施例２、実施例３、実施例４を説明する。
これらの実施例は、この発明をセンサ、インクジェットヘッド、発光素子モジュール等に用いられる配線基板に適用した具体例であるが、あわせて製造方法についての具体例を説明する。

実施例１について図１を参照しながら説明する。ちなみに、この実施例１は請求項１，２，３，４，５，１０の発明の実施例に当たる。
〔第１〕
実施例１では、厚さ約５０μｍのステンレスフィルム（ＳＵＳ３０４）１１上にポリイミド絶縁膜１２を約１５μｍの厚さでコーティングし、このポリイミド絶縁膜１２をＡｒＦエキシマレーザ加工して開口パターンを形成した。この開口パターンは０．５ｍｍピッチ２列に電極配置された１０ｍｍ□のＷＬ−ＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ−Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ Ｃｈｉｐ）実装に対応しており、引きまわし配線最小パターン幅は５０μｍとしている。
このステンレスフィルム１１上には樹脂離型性を確保するため、フッ素系コーティング層１３を湿式で薄膜コーティングしている。
また、このポリイミド絶縁膜１２をめっき絶縁膜として活用し、ステンレスフィルム１１上のポリイミド開口部に電解銅めっきによる導体配線１４を８μｍの厚さで形成した。
また、上記導体配線（電解銅めっき）１４上に第二の絶縁層１５として、電着法により膜厚約１０μｍのポリイミド膜を形成した。上記電解銅めっき厚と第二の絶縁層１５（ポリイミド電着膜）の総厚がステンレスフィルム上のポリイミド絶縁膜１２の膜厚よりも厚くなっている（図１（ａ））。

〔第２〕
そして、上記の導体配線１４の電解銅めっきおよび第二の絶縁層（ポリイミド絶縁膜）を形成したステンレスフィルム１１を成形装置にインサートして、熱硬化性半導体封止用エポキシ樹脂（ＥＭＥ−Ｇ７６０Ｌ：住友ベークライト製）で基材１６をトランスファ成形した。この基材１６として用いている熱硬化性半導体封止用エポキシ樹脂は機械的な特性を確保するため、シリカフィラーを約８０ｗｔ％含有しているものである。このため、第二の絶縁層１５となるポリイミド電着膜の方が基材１６よりも低弾性率となっている（図１（ｂ））。

〔第３〕
離型すると、ステンレスフィルム１１上に形成した導体配線１４は、樹脂成形した基材１６の表面に転写されることになる。この転写された導体配線１４は、上記基材１６上の凸部の頂部に形成されており、第二の絶縁層１５であるポリイミド膜を介して基材１６上に形成されていることになる（図１（ｃ））。

〔第４〕
上記基材１６上にソルダーレジストをスクリーン印刷した。
比較例１として、上記ステンレスフィルム上に導体配線（電解銅めっき）を１５μｍの厚さで形成し、直接、熱硬化性半導体封止用エポキシ樹脂（ＥＭＥ−Ｇ７６０Ｌ：住友ベークライト製）で基材１６をトランスファ成形した。そして離型して、上記導体配線を上記基材１６の表面に転写させた。
この比較例１および実施例１のそれぞれの基板について、ポストベーク実施後に上記ＷＬ−ＣＳＰをはんだ実装し、熱衝撃試験（−２５⇔１２５℃）を実施した（図１（ｄ））。

〔試験結果〕
（１）比較例１では２００サイクルにてはんだ接合部（図１（ｄ）における「はんだ」参照）の破壊が発生しはじめた。
（２）一方、実施例１では、上記「はんだ」の破壊はなく１０００サイクルをクリアした。これで、第二の絶縁層１５の応力緩和効果が格別顕著であることが確認された。
第二の絶縁層１５の応力緩和効果は、凸形状となる電極形状効果と第二の絶縁層の変形特性によるものであり、電極形状効果を利用できることから第二の絶縁層の弾性率を極端に下げる必要が無くなる。このことによって、導体配線の接着力を顕著に高くすることができる。
なお、本構成では電解銅めっきを絶縁膜開口パターン部にのみ形成していることから、更なる微細配線形成にも対応可能である。

〔その他〕
実施例１では、ステンレスフィルム上に形成した微細配線を樹脂基材に転写させて配線基板を製作したが、この絶縁膜パターンを有するステンレスフィルムを繰返し使用して、電解銅めっきと成形転写を繰り返すことにより、フォトリソプロセス等のパターン形成プロセスフリーで製作することができる。なお、ここではステンレスフィルムを使用したが、耐食性の高い金型用鋼材の適用等も可能である。

また、第二の絶縁層１５の厚さをここでは１０μｍとしたが、これよりも膜厚が薄くても同様の効果が得られる。２μｍ以上で効果があるが、顕著な効果を得るには５μｍ以上が好ましい。一方、膜厚が厚くなるほど応力緩和性能が向上するが、微細化および電着析出性からすれば、厚膜は２０μｍ以下であるのが好ましい。

実施例２について図２を参照して説明する。ちなみに、この実施例２は請求項１，２，３，４，６，７，８，９、１１の発明の実施例に当たる。
〔第１〕
ステンレスフィルム１１（ＳＵＳ３０４）上にフッ素系絶縁層２２（エレコート ナイスロン）を約５μｍ厚で電着し、この上記フッ素系絶縁層２２をＡｒＦエキシマレーザ加工して開口パターンを形成した。この開口パターンは０．５ｍｍピッチ２列に電極配置された１０ｍｍ□のＷＬ−ＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ−Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ Ｃｈｉｐ）実装に対応しており、引きまわし配線最小パターン幅は電解銅めっきによる配線幅太りを考慮して４０μｍとしている。

また、上記フッ素系絶縁層２２をめっき絶縁膜として活用し、ステンレスフィルム１１上のフッ素系膜開口部に導体配線２４の電解銅めっきを８μｍの厚さで形成した。この導体配線（電解銅めっき）の厚さをフッ素系絶縁厚２２よりも厚く形成しているため、導体配線（電解銅めっき）の断面形状はきのこ形状をしている。
そしてまた、このステンレスフィルム１１上にオフセット印刷手法により、第二の絶縁層２５としての粘弾性特性を適正化したエラストマー層を約１０μｍの厚さで転写させた。この第二の絶縁層２５はフッ素系絶縁層２２の上には形成されず、導体配線２４（電解銅めっきパターン部）に転写された（図２（ａ））。

〔第２〕
そして、実施例１と同様にして、樹脂の基材１６をトランスファ成形し（図２（ｂ））。これを離型させると、ステンレスフィルム１１上に形成した導体配線２４は、樹脂成形した基材１６の表面に転写される（図２（ｃ））。
転写された導体配線２４は、実施例１の場合と同様に、きのこ形状を有しており、基材に対して埋め込まれており、また、導体配線２４と基材１６の間に第二の絶縁層２５（エラストマー層）が介在している。

そして、上記エラストマーをシリコーンゴム系の材料で構成することで、非常に低弾性で耐熱性を有する配線基板となる。
ここで、導体配線２４は基材１６の表面に埋め込まれた構造であり、また、エラストマーと接着されていることから、基材１６との接着面積を格段に大きくすることができ、これにより、接着強度を顕著に高くすることができる。
そして、上記基材１６上にソルダーレジストをスクリーン印刷した。このソルダーレジスト印刷においても、撥液性の高いエラストマーを応力緩和層に用いたとしても、大半は基材表面が露出しており、ソルダーレジストは基材１６と接着するため、信頼性の高い配線基板が作成される。

〔試験結果〕
実施例２の基板について、ポストベーク実施後、上記ＷＬ−ＣＳＰをはんだ実装し（図２（ｄ））、熱衝撃試験（−２５⇔１２５℃）を実施した。その結果、全く問題なく１０００サイクルをクリアし、第二の絶縁層の応力緩和効果が顕著に高いことが確認された。

〔その他〕
実施例２では第二の絶縁層をエラストマー樹脂で形成したが、エラストマー粉体を例えばエポキシ等の樹脂に分散させた絶縁膜でも同様の特性が確保される。また、エラストマー粉体を分散させる樹脂と基材に用いる樹脂を同じものにすることで、接着強度をさらに高くすることができる。
また、エラストマーとしては弾性特性に優れ、されに耐熱性に優れたシリコーンゴムが適している。
また、基材１６として熱膨張率の低い熱硬化性半導体封止用エポキシ樹脂を用いており、このことから、温度変化に対する膨張収縮および反りを低減でき、累積ピッチ精度向上とともに実装信頼性が高められている。
さらに、実施例２では第二の絶縁層２５の厚さを１０μｍとしているが、より膜厚が薄くても同様の効果が得られ、２μｍ以上で効果がある。ただし、実際には５μｍ以上が好ましい。一方、第二の絶縁層が厚いほどその応力緩和性能が高い。しかし、微細化およびオフセット転写性から５０μｍ以下で効果があるが、３０μｍ以下であることが望ましい。

実施例３について図３を参照しながら説明する。ちなみに、この実施例３は請求項１，２，３，４，６，７，８，９，１１，１２の発明の実施例に当たる。
〔第１〕
ステンレスフィルム（ＳＵＳ３０４）１１上にフッ素系絶縁層２２（エレコートナイスロン）を約５μｍの厚さで電着し、このフッ素系絶縁層２２をＡｒＦエキシマレーザ加工して開口パターンを形成した。この開口パターンは０．５ｍｍピッチ２列に電極配置された１０ｍｍ□のＷＬ−ＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ−Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ Ｃｈｉｐ）実装に対応しており、引きまわし配線最小パターン幅は５０μｍとしている。

そして、上記のフッ素系絶縁層２２をめっき絶縁膜として活用し、ステンレスフィルム１１上のフッ素系膜開口部に導体配線２４の電解銅めっきを８μｍの厚さで形成した。この電解銅めっきの厚さはフッ素系絶縁層２２よりも厚く形成しているため、導体配線２４の断面形状はきのこ形状をしている。
また、上記ステンレスフィルム１１上にオフセット印刷手法により、第二の絶縁層２５（粘弾性特性を適正化したエラストマー）を約１０μｍの厚さで転写させた。この第二の絶縁層２５は、フッ素系絶縁層２２上には転写されず、導体配線２４の電解銅めっきパターン部に転写される。
そしてまた、アルミ板３０の両面に５０μｍの厚さの接着シート３１，３１（例えば、株式会社東レ製の速硬化ＴＳＡ）を８０℃，１ＭＰａラミネートし、上記ステンレスフィルム１１の導体配線形成面を接着シート３１，３１側にして重ね合わせ、１９０℃，３．０ＭＰａ，２ｍｉｎの条件で熱圧着する（図３（ａ））。

〔第２〕
ステンレスフィルム１１上に形成した導体配線２４は、ステンレスフィルム１１が剥離されると、アルミをベースとしたアルミ板３０の表面に転写される（図３（ｂ））。

〔第３〕
ステンレスフィルム１１上に形成された導体配線２４は、アルミ板３０に対して所定の剥離角を持って剥離されるので、転写性に優れている。
また、ステンレスフィルムをロールｔｏロール形態で流すことにより、生産性を大幅に向上させることができる。転写された導体配線２４はきのこ形状をしており、その重部が基材３１に対して埋め込まれており、更には導体配線２４と基材３１間に第二の絶縁層２５（エラストマー層）が介在している。
そして、上記基材３１上にソルダーレジストをスクリーン印刷した。

〔試験結果〕
この実施例３の配線基板について、ポストベーク実施後、上記ＷＬ−ＣＳＰをはんだ実装し、熱衝撃試験（−２５⇔１２５℃）を実施した。その結果、全く問題なく１０００サイクルをクリアしたので、第二の絶縁層の応力緩和効果が顕著であることが確認された。

次いで、実施例４を図面４を参照して説明する。ちなみにこの実施例４は請求項１，２，３，４，５，１０，１３の発明の実施例である。
〔第１〕
ＳＴＡＶＡＸを金型４１とし、その樹脂成形面にフッ素系絶縁層（エレコートナイスロン）を約１５μｍの厚さで電着した。このフッソ系絶縁層は電着による絶縁膜であるので、緻密で立体形状に対しても膜厚制御が容易である。
そして、上記金型４１上のフッ素系絶縁層をＡｒＦエキシマレーザ加工して所定の開口パターンを形成した。この開口パターン形成に当たっては、金型４１側を位置決め制御することによって、立体的なパターン形成を行う。
また、上記フッ素系絶縁層をめっき絶縁膜として活用し、金型４１上のフッ素系膜開口部に導体配線４４の電解銅めっきを約８μｍの厚さで形成した。そして、この導体配線（電解銅めっき）４４上に第二の絶縁層４５として、電着法によって膜厚約１０μｍのポリイミド層を形成した。この場合、電解銅めっき厚とポリイミド電着層の総厚をステンレスフィルム１１上のフッソ系絶縁層よりも厚くしている。

そしてまた、上記導体配線（電解銅めっき）および第二の絶縁層４５（ポリイミド電着パターン）を形成した金型４１を用いて、熱硬化性半導体封止用エポキシ樹脂（ＥＭＥ−Ｇ７６０Ｌ：住友ベークライト製）で基材４６トランスファ成形した（図４（ａ））。

〔第２〕
金型上に形成した導体配線は、離型されると、成形した基材４６の表面に立体的に転写される（図４（ｂ））。
上記のようにして転写された導体配線４４の頂部は、第二の絶縁層４５（ポリイミド膜）を介して基材４６内にあり、これに接着されている。
また、上記のように、金型４１の表面に形成した微細配線を成形体表面に転写することにより、応力緩和特性に優れた立体配線基板が作成される。

は、実施例１の製造過程を模式的に示す断面図 は、実施例２の製造過程を模式的に示す断面図 は、実施例３の製造過程を模式的に示す断面図 は、実施例４の製造過程を模式的に示す断面図

符号の説明

１１：ステンレスフィルム
１２：ポリイミド絶縁膜
１３：フッ素系コーティング層
２２：フッソ系絶縁層
１４，２４，４４：導体配線
１５，２５，４５：第二の絶縁層
１６、３１，４６：基材
３０：アルミ板
４１：金型

Claims (13)

1. 基材に導体配線が形成された配線基板において、導体配線と基材との界面に第二の絶縁層が介在していることを特徴とする配線基板。
2. 請求項１の配線基板において、導体配線の接着界面が基材表面の高さと異なることを特徴とする配線基板。
3. 請求項１の配線基板において、第二の絶縁層が基材よりも低弾性率であることを特徴とする配線基板。
4. 請求項１の配線基板において、第二の絶縁層が導体配線の直下にあり、少なくともその一部が隣接する第二の絶縁層に対して不連続に形成されていることを特徴とする配線基板。
5. 請求項１の配線基板において、導体配線が断面凸部に形成されていることを特徴とする配線基板。
6. 請求項１の配線基板において、導体配線と上記第二の絶縁層とによる凸部の断面形状が下向きのきのこ形状をしており、その一部が基材に埋め込まれていることを特徴とする配線基板。
7. 請求項３の配線基板において、その第二の絶縁層がエラストマーであることを特徴とする配線基板。
8. 請求項３の配線基板において、その第二の絶縁層がエラストマー粉体を含有している樹脂であることを特徴とする配線基板。
9. 請求項７，８の配線基板において、そのエラストマーがシリコーンゴムであることを特徴とする配線基板。
10. 請求項１の配線基板の製造方法において、上記第二の絶縁層を導体配線に対して電着により転写形成し、その後、基材に転写形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
11. 請求項１の配線基板の製造方法において、上記第二の絶縁層を導体配線に対してオフセット印刷手法により形成し、その後、基材上に転写することを特徴とする配線基板の製造方法。
12. 請求項１の配線基板において、そのコア材が金属であることを特徴とする金属ベース配線基板。
13. 請求項１の配線基板において、導体配線が多面に形成されている立体配線基板。

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