JP2017520111A - 少なくとも１つの半導体部品を覆う封止化合物を含む半導体モジュール - Google Patents

少なくとも１つの半導体部品を覆う封止化合物を含む半導体モジュール Download PDF

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Abstract

少なくとも１つの半導体部品（２０）を有するセラミック相互接続デバイス（５０）を含む半導体モジュール（１０）であって、少なくとも１つの半導体部品（２０）が封止化合物（３０）によって覆われ、封止化合物（３０）が硬化無機セメントを含み、２〜１０ｐｐｍ／Ｋの範囲の熱膨張係数を有し、セラミック相互接続デバイス（５０）のセラミックが、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、または窒化ケイ素に基づいたセラミックからなる群から選択される、半導体モジュール（１０）。【選択図】図１

Description

本発明は、少なくとも１つの半導体部品を覆う封止化合物を含む半導体モジュールに関する。
好ましくは、基板（セラミック、金属、および有機コアプリント回路基板）上の個々の半導体および半導体サブアセンブリ（受動部品を含む）の封止は、最近、いくつかの場合、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）のような無機充填材料を有するエポキシ樹脂に基づく有機物質によりもたらされる。例えば、特許文献１は、多官能性エポキシ化合物、スチレンタイプのブロックコポリマー、エポキシ化合物用の硬化剤、および無機充填剤を含むこの種類の封止化合物を開示している。
上記の封止された部品およびサブアセンブリは通常、集積電力部品用の電気コネクタおよび冷却接続面を有する。
パワーエレクトロニクス応用には、高電力放散、およびある程度、高動作電圧も有する、すなわち断熱要件を有する部品およびサブアセンブリに重点が置かれている。パワーエレクトロニクスの部品およびサブアセンブリにおいて、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、または窒化ケイ素から作製されたコアを有するセラミック基板が相互接続デバイスとして主に使用されている。
特許文献２は、構成材料の変化を示すパラメーターを検出するために、コンクリートまたはその他のセメント含有材料に埋め込まれたワイヤレスセンサを開示している。このセンサは、例えば、塩化物イオンの検出に適している電気化学センサであってもよい。
米国特許第４，５２９，７５５号明細書 米国特許第７，０３４，６６０Ｂ２号明細書
本発明の目的は、半導体モジュール、特に封止が向上したパワーエレクトロニクスサブアセンブリを提供することである。
この目的は、少なくとも１つの半導体デバイス（２０）を有するセラミック相互接続デバイス（５０）を含む半導体モジュール（１０）によって解決され、そのセラミックは酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、または窒化ケイ素に基づいたセラミックからなる群から選択される。少なくとも１つの半導体デバイス（２０）は封止化合物（３０）によって覆われ、封止化合物（３０）は硬化無機セメントを含み、２〜１０ｐｐｍ／Ｋの範囲の熱膨張係数を有することを特徴とする。
その特別な封止化合物（３０）を除いては、半導体モジュール（１０）は、１つ以上の半導体部品（２０）を有するセラミック相互接続デバイス（セラミック基板）（５０）を含む一般的な半導体モジュールである。具体的には、半導体デバイス（２０）は、電力放散に起因して、目的とする使用の間、かなりの熱を発生する半導体であり、すなわちその半導体は、特に半導体部品（２０）がセンサまたは測定用プローブではない、パワーエレクトロニクスサブアセンブリでの使用の場合、囲い（ｅｎｃａｓｉｎｇ）および封止がないと、例えば１５０℃〜２００℃未満の自己破壊的温度に達する。相互接続デバイス（５０）のセラミックは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、または窒化ケイ素に基づいたセラミックの群から選択されるセラミックである。言い換えれば、それは９５〜１００重量％の分率の酸化アルミウム、窒化アルミニウム、または窒化ケイ素を有するセラミックである。
封止化合物（３０）は本質的にまたは完全に無機無金属材料である。それは２〜１０ｐｐｍ／Ｋの範囲の熱膨張係数を有する。封止化合物（３０）は硬化無機セメントを含む。
言い換えれば、封止化合物（３０）は硬化無機セメントからなるか、または封止化合物（３０）は、マトリクスを形成する、硬化無機セメント以外の１つ以上の材料を含む。その材料は非導電性であることが好ましい。
封止化合物（３０）のマトリクスを形成する硬化無機セメントまたは封止化合物（３０）自体は２〜１０ｐｐｍ／Ｋの範囲の熱膨張係数を有する。硬化無機セメントは、無機結合剤と無機添加剤との粉末混合物を水と混合して注入可能な塊を形成し、形成された注入可能な塊を注入し、その後、注入された塊を凝固させ、乾燥させることによって形成することができる。
一実施形態では、無機結合剤と無機添加剤との粉末混合物は当業者に知られているリン酸セメントであってもよく、例えば、好ましくはリン酸マグネシウムセメント、特に酸化マグネシウムおよびケイ酸ジルコニウム含有リン酸マグネシウムセメントであってもよい。ＳａｕｅｒｅｉｓｅｎによるＺＩＲＣＯＮ ＰＯＴＴＩＮＧ ＣＥＭＥＮＴ ＮＯ．１３の商品名で販売されている製品は前記材料の一例である。
上述の適切な無機結合剤と無機添加剤との粉末混合物を水と混合することによって形成された注入可能な塊のポッティング（ｐｏｔｔｉｎｇ）を、例えば重力または圧力駆動ポッティングなどの当業者に公知の方法により行うことができる。この文脈では、ハーフシェル成形型を用いて収容される部品および／またはサブアセンブリを取り囲み、次にこれらに注入可能な塊を充填することが好都合であり得る。凝固および乾燥の後、ハーフシェルを開いて、封止された部品および／または封止されたサブアセンブリを取り出すことができる。
ポッティングは例えば封止化合物（３０）を当業者が公知の「グロブトップ」として形成されるように行うことができる。
しかしながら、ポッティングはまた、例えばボンドワイヤ、リボン、および／またはリードフレームなどの半導体部品（２０）に接続される電気接触素子（４０）を封止化合物（３０）が部分的または完全に封止するように行うこともできる。部分的封止とは、接触素子（４０）の１つまたは複数が不完全に封止され、および／または接触素子（４０）の１つまたは複数が封止されないことを意味するように理解されるのに対して、完全封止とは、全ての接触素子（４０）が完全に封止されることを意味するように理解されるものとする。
凝固および乾燥は、例えば２０℃〜１２０℃の範囲の温度で３０〜１２０分間行う。無機セメントは凝固および乾燥の間に硬化する。
上述のように、封止化合物（３０）は硬化無機セメントからなってもよいか、またはマトリクスとして機能する硬化無機セメント以外の１つ以上の材料を含んでもよい。後者の場合、注入可能な塊のさらなる材料をポッティングの前に加えるものとする。すなわち、水の添加の前および／または後に混ぜるものとする。さらなる材料は、それらを水と混合して注入可能な塊を形成する前に、無機結合剤と無機添加剤との粉末混合物に混ぜてもよいし、またはその混合は水の添加の後に行ってもよい。しかしながら、材料の一部を水の添加の前に混ぜ、残りの部分を水の添加の後に混ぜることも可能である。
材料の例として、封止化合物（３０）は、硬化無機セメント以外に、封止化合物（３０）の体積に対して、例えば２５〜９０体積％の全体積分率で窒化アルミニウム粒子、窒化ホウ素粒子、酸化アルミニウム粒子、および／または窒化ケイ素粒子を含んでもよい。封止化合物（３０）中の前記粒子の存在は、熱伝導性に有益な効果がある。適切な窒化アルミニウム粒子の例として、レーザー回折によって測定して、平均粒径（ｄ５０）が０．８〜１１μｍの範囲であるものを含み、それらは、例えばＨ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋによって市販されている。
可能な材料のさらなる例として、封止化合物（３０）は、硬化無機セメント以外に繊維を含んでもよく、すなわち、封止化合物（３０）は１つ以上の異なる種類の繊維を含んでもよい。例えば、繊維の分率は最大２０体積％の範囲であってもよく、好ましくは１０〜２０体積％の範囲であってもよい。使用できる繊維の例としては、ガラス繊維、玄武岩繊維、ホウ素繊維、およびセラミック繊維、例えば、炭化ケイ素繊維および酸化アルミニウム繊維のような無機繊維、ならびに例えばアラミド繊維のような高融点有機繊維を含む。封止化合物（３０）中のこれらの繊維の存在は、引張強度および耐熱疲労性に有益な効果がある。
一実施形態では、封止化合物（３０）に接触する全ての表面は被覆されないが、例えばポリアクリレート分散による噴射塗布によって塗布された被覆層などの接着被覆層（プライマー層）を備える。
封止化合物（３０）はいくらかの残留多孔性を含んでもよく、その理由は、一実施形態では耐湿性被覆がもたらされるからである。例えば、キャピラリーは、恒久的にキャピラリーを密封する低粘度保護物質で充填することができる。具体的には、ケイ酸カリウムまたはケイ酸リチウムの水溶液がこの目的に適している。水分が浸透しない、またはほとんど浸透しない保護層で封止化合物（３０）の外面を被覆することも可能である。例えば、この目的で、硬化性エポキシ樹脂に基づいたコーティング剤を使用してもよい。
物理的に結合する封止化合物（３０）の能力により、半導体からの好ましい熱伝導を可能にし、封止化合物（３０）を介して冷却素子（８０）への電力放散が生じる。これは片側、または半導体（２０）から、すなわち複数の側から生じてもよい。したがって、封止化合物（３０）は、好ましくは、１つ以上の、特に金属製の、例えばアルミニウムまたは銅製の冷却素子（８０）への熱経路を確立するヒートブリッジとなる。
熱の放散は、封止化合物（３０）を介して、封止されるサブアセンブリの外面へ、例えば前記冷却素子（８０）へ進行し、および／または熱放射によって進行する。封止化合物（３０）と冷却素子（８０）との間に物理的接続があり、半導体（２０）およびセラミック相互接続デバイス（５０）が化学結合を含む場合、熱の放散にとって有益であり得る。その結果、熱は基板に基づいた冷却および封止化合物（３０）に基づいた冷却を組み合わせることによって、複数の側で熱を放散することができる。本発明は、図面に示される特に好ましい例示的な実施形態に基づいて、より詳細に解説する。図は以下のとおりである。
封止化合物（３０）がグロブトップとして提供される第一の例示的な実施形態による本発明による半導体モジュール（１０）の概略図を示す。 機械的電気接触リード線以外、封止化合物（３０）によって完全に封止される第二の例示的な実施形態による半導体モジュール（１０）の概略図を示す。 半導体（２０）の両側に配置されている空冷用の冷却素子（８０ａ、８０ｂ）を有する第三の例示的な実施形態による半導体モジュール（１０）の概略図を示す。 半導体（２０）の両側に配置されている水冷用の冷却素子（８０ａ、８０ｂ）を有する第四の例示的な実施形態による半導体モジュール（１０）の概略図を示す。 半導体（２０）の一方の側に配置されている空冷用の冷却素子（８０ｃ）および半導体（２０）の他方の側に配置されている水冷用の冷却素子（８０ｂ）を有する第五の例示的な実施形態による半導体モジュール（１０）の概略図を示す。
図１は、封止化合物（３０）によって覆われた半導体部品（２０）を有する、パワーエレクトロニクス用のサブアセンブリとして設計されることが好ましい半導体モジュール（１０）を示している。好ましくは、半導体デバイス（２０）に接触するボンドワイヤも、封止化合物（３０）によって少なくとも部分的に、しかし特に好ましくは完全に覆われ、および／または封止される。
この文脈では、知られているように、半導体部品（２０）はセラミック相互接続デバイス（５０）上に取り付けられ、次にそれは熱放散プレート（７０）の上面に適用され、その下面は冷却素子（８０）に接続される。さらに半導体モジュール（１０）は外部への経路である電気接触の支持体としてフレーム（６０）を含む。
前述の第一の例示的な実施形態では、コーティング材（３０）は、半導体部品（２０）およびそのボンドワイヤ（４０）を被覆する／封止する、単に液滴（「グロブトップ」）として設けられる。この文脈では、半導体モジュール（１０）の「グロブトップ」および他の表面領域は、例えばシリコーンゲルなどの絶縁材（９０）によって覆われる。
図２は、電気および熱接触面以外は封止化合物（３０）によって完全に封止されているフレームレス設計を有する第二の例示的な実施形態によって設計された半導体モジュール（１０）を示している。
この改良は、特に以下の図に示す例示的な実施形態の出発点として適している。
図３は、上部冷却素子（８０ａ）が冷却素子（８０ａ）に物理的に接触する封止化合物（３０）で構成されるヒートブリッジに物理的に接続され、下部冷却素子（８０ｂ）がセラミック相互接続デバイス（５０）に物理的に接続される、２面に設けられた空冷を有する電力サブアセンブリを示している。
図示される冷却器構造は、それぞれの場合に単一部分であり、空気ができる限り乱流して通過できるように冷却リブまたは冷却ピンに接続される。
図４は、図３に示す改良による２面の水冷を有する電力サブアセンブリを示し、図４に示す冷却器構造は単一部分として設けられ、水が短い密封長さを有する閉鎖構造において通過できるように内部導水路を備えている。
最後に、図５は、２面冷却を有する電力サブアセンブリを示し、下部冷却素子（８０ｂ）は同様に単一部分として設けられるのに対し、上部冷却素子（８０ｃ）は複数部分として設けられる。上部冷却素子（８０ｃ）として示される冷却器構造は、例えば半導体モジュール（１０）の上側に延びる複数の冷却プレートで構成され、または半導体モジュール（１０）の表面に配置される複数の冷却ピンで構成される。
本発明による半導体モジュール（１０）は、いくつかの点で改良された封止化合物（３０）を含む。これらの改良点は、特に層間剥離（例えば熱せん断電圧による）および封止された接触素子の破壊（例えばボンドワイヤのせん断）などの望ましくない現象を防ぐ点で有益な影響を及ぼす、セラミック相互接続デバイスに調和した熱膨張係数を含む。封止化合物（３０）の別の利点は、意図される動作の間、半導体モジュール（１０）および／または少なくとも１つの半導体部品（２０）からの良好な熱放散の基盤をもたらす比較的良好な熱伝導性である。封止化合物（３０）に接触する面への接着も良好である。最終的には、上述の利点は、半導体モジュール（１０）が耐久性の点で、また比較的高い電力で動作させることができる点で改良されていることも意味する。

Claims (12)

  1. 少なくとも１つの半導体部品（２０）を有するセラミック相互接続デバイス（５０）を含む半導体モジュール（１０）であって、
    前記少なくとも１つの半導体部品（２０）が封止化合物（３０）によって覆われ、前記封止化合物（３０）が硬化無機セメントを含み、２〜１０ｐｐｍ／Ｋの範囲の熱膨張係数を有し、
    前記セラミック相互接続デバイス（５０）のセラミックが、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、または窒化ケイ素に基づいたセラミックからなる群から選択されることを特徴とする、半導体モジュール（１０）。
  2. 前記封止化合物（３０）が硬化無機セメントからなる、請求項１に記載の半導体モジュール（１０）。
  3. 前記硬化無機セメントが、無機結合剤と無機添加剤との粉末混合物を水と混合して注入可能な塊を形成し、形成された前記注入可能な塊を注入し、その後、前記注入された塊を凝固させ、乾燥させることによって形成されることを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体モジュール（１０）。
  4. 無機結合剤と無機添加剤との粉末混合物がリン酸セメントであることを特徴とする、請求項３に記載の半導体モジュール（１０）。
  5. 前記リン酸セメントがリン酸マグネシウムセメントであり、好ましくは酸化マグネシウムおよびケイ酸ジルコニウムを含むリン酸マグネシウムセメントであることを特徴とする、請求項４に記載の半導体モジュール（１０）。
  6. 前記封止化合物（３０）が「グロブトップ」として提供されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体モジュール（１０）。
  7. 前記封止化合物（３０）が前記半導体部品（２０）に接続される接触素子（４０）を部分的または完全に封止することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体モジュール（１０）。
  8. 前記封止化合物（３０）が、前記封止化合物（３０）の体積に対して、２５〜９０体積％の全体積分率で窒化アルミニウム粒子、窒化ホウ素粒子、酸化アルミニウム粒子、および／または窒化ケイ素粒子を含むことを特徴とする、請求項１または３〜７のいずれか一項に記載の半導体モジュール（１０）。
  9. 前記封止化合物（３０）が１つ以上の異なる種類の繊維を含むことを特徴とする、請求項１または３〜８のいずれか一項に記載の半導体モジュール（１０）。
  10. 前記封止化合物（３０）に物理的に接続される少なくとも１つの冷却素子（８０）によって特徴づけられる、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体モジュール（１０）。
  11. 前記冷却素子（８０）が空冷式または液冷式の冷却素子であることを特徴とする、請求項１０に記載の半導体モジュール（１０）。
  12. 前記半導体モジュールがパワーエレクトロニクスサブアセンブリであることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体モジュール（１０）。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11746052B2 (en) 2017-07-31 2023-09-05 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Multi-component composition for producing an aqueous coating mass

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015102041A1 (de) * 2015-02-12 2016-08-18 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungsmodul
DE102015223443A1 (de) * 2015-11-26 2017-06-01 Robert Bosch Gmbh Elektrische Vorrichtung mit einer Umhüllmasse
DE102016226262A1 (de) * 2016-12-28 2018-06-28 Robert Bosch Gmbh Elektronikmodul, Verfahren
DE102017108114A1 (de) 2017-04-13 2018-10-18 Infineon Technologies Ag Chipmodul mit räumlich eingeschränktem thermisch leitfähigen Montagekörper
DE102017207424A1 (de) * 2017-05-03 2018-11-08 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Vorrichtung mit einer Umhüllmasse
WO2019025033A1 (de) 2017-07-31 2019-02-07 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Zusammensetzung zur herstellung einer wässrigen umhüllungsmasse
WO2019025034A1 (de) 2017-07-31 2019-02-07 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Zusammensetzung zur herstellung einer wässrigen umhüllungsmasse
CN109727925A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 华润微电子（重庆）有限公司 一种提高塑封模块可靠性的封装结构及方法
EP3707113A1 (de) 2017-11-08 2020-09-16 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Zusammensetzung zur herstellung einer wässrigen umhüllungsmasse
US20190357386A1 (en) * 2018-05-16 2019-11-21 GM Global Technology Operations LLC Vascular polymeric assembly
DE102018214641B4 (de) * 2018-08-29 2022-09-22 Robert Bosch Gmbh Vergussmasse, Verfahren zum elektrischen Isolieren eines elektrischen oder elektronischen Bauteils unter Verwendung der Vergussmasse, elektrisch isoliertes Bauteil, hergestellt über ein solches Verfahren und Verwendung der Vergussmasse
DE102018215694A1 (de) * 2018-09-14 2020-03-19 Robert Bosch Gmbh Vergussmasse, elektrisch isoliertes elektrisches oder elektronisches Bauteil und Verfahren zu dessen elektrischer Isolierung
US11682606B2 (en) * 2019-02-07 2023-06-20 Ford Global Technologies, Llc Semiconductor with integrated electrically conductive cooling channels
CN109824367A (zh) * 2019-02-21 2019-05-31 国网河南省电力公司社旗县供电公司 一种碳化硅基复合电路板及其制备方法
CN116472601A (zh) * 2020-12-23 2023-07-21 贺利氏德国有限两合公司 用于制造包封半导体管芯和/或包封半导体封装的方法
EP4095894A1 (de) 2021-05-26 2022-11-30 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Mit einer umhüllung aus einer hydraulisch gehärteten anorganischen zementzusammensetzung versehenes elektronikobjekt
EP4245737A1 (de) 2022-03-18 2023-09-20 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Hydraulisch härtbare anorganische zementzusammensetzung
EP4273110A1 (de) 2022-05-02 2023-11-08 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Hydraulisch härtbare anorganische zementzusammensetzung

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58225121A (ja) * 1982-06-23 1983-12-27 Sanyurejin Kk エポキシ樹脂組成物及びそれを用いる電子部品の封止方法
JPS6136318A (ja) * 1984-07-30 1986-02-21 Hitachi Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物
JPH02229858A (ja) * 1988-11-12 1990-09-12 Kureha Chem Ind Co Ltd 電子部品封止用樹脂組成物および封止電子部品
JPH03155655A (ja) * 1989-11-14 1991-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップオンボード型印刷回路板
JPH10251343A (ja) * 1997-03-13 1998-09-22 Nippon Zeon Co Ltd 熱可塑性ノルボルネン系重合体及びエポキシ基含有ノルボルネン系重合体
JP2000340718A (ja) * 1999-05-31 2000-12-08 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
JP2007158280A (ja) * 2005-12-09 2007-06-21 Hitachi Ltd モールド型半導体装置及びその製造方法
US20090068474A1 (en) * 2006-08-23 2009-03-12 Rockwell Collins, Inc. Alkali silicate glass based coating and method for applying
JP2009067890A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Nisshinbo Ind Inc 半導体封止材用充填剤および半導体封止材組成物
JP2009252838A (ja) * 2008-04-02 2009-10-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US20100328007A1 (en) * 2008-01-31 2010-12-30 Osram Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung Inductor and method for production of an inductor core unit for an inductor
JP2011142366A (ja) * 2008-10-20 2011-07-21 Denso Corp 電子制御装置
US20130229777A1 (en) * 2012-03-01 2013-09-05 Infineon Technologies Ag Chip arrangements and methods for forming a chip arrangement
JP2013229392A (ja) * 2012-04-24 2013-11-07 Olympus Corp 厚膜パターン形成方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1514413A1 (de) 1965-03-11 1969-06-12 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von vorzugsweise temperaturbestaendigen Halbleiterbauelementen
US4529755A (en) 1982-10-23 1985-07-16 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor
JPS60226149A (ja) * 1984-04-25 1985-11-11 Nec Corp ヒ−トシンク付セラミツクパツケ−ジ
SE514686C2 (sv) * 1998-10-12 2001-04-02 Doxa Certex Ab Dimensionsstabila bindemedelssystem
US7034660B2 (en) 1999-02-26 2006-04-25 Sri International Sensor devices for structural health monitoring
US6164615A (en) * 1999-06-21 2000-12-26 Basham; L. Robert Corrosion resistant machine foundation
US7723162B2 (en) * 2002-03-22 2010-05-25 White Electronic Designs Corporation Method for producing shock and tamper resistant microelectronic devices
US8637980B1 (en) * 2007-12-18 2014-01-28 Rockwell Collins, Inc. Adhesive applications using alkali silicate glass for electronics
KR101013555B1 (ko) * 2008-10-09 2011-02-14 주식회사 하이닉스반도체 반도체 패키지 및 이의 제조 방법
JP4941509B2 (ja) * 2008-10-20 2012-05-30 株式会社デンソー 電子制御装置
JP5688257B2 (ja) 2009-10-28 2015-03-25 芦森工業株式会社 バックル装置
EP2504164A4 (en) * 2009-11-23 2013-07-17 Applied Nanostructured Sols CERAMIC COMPOSITE MATERIALS CONTAINING FIBER MATERIALS IMPREGNATED WITH CARBON NANOTUBES AND METHODS OF MAKING SAME
JP5902543B2 (ja) * 2012-04-20 2016-04-13 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
KR101388815B1 (ko) * 2012-06-29 2014-04-23 삼성전기주식회사 반도체 패키지
US9815738B2 (en) * 2012-10-09 2017-11-14 Premier Magnesia, Llc Magnesium phosphate cement

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58225121A (ja) * 1982-06-23 1983-12-27 Sanyurejin Kk エポキシ樹脂組成物及びそれを用いる電子部品の封止方法
JPS6136318A (ja) * 1984-07-30 1986-02-21 Hitachi Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物
JPH02229858A (ja) * 1988-11-12 1990-09-12 Kureha Chem Ind Co Ltd 電子部品封止用樹脂組成物および封止電子部品
JPH03155655A (ja) * 1989-11-14 1991-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップオンボード型印刷回路板
JPH10251343A (ja) * 1997-03-13 1998-09-22 Nippon Zeon Co Ltd 熱可塑性ノルボルネン系重合体及びエポキシ基含有ノルボルネン系重合体
JP2000340718A (ja) * 1999-05-31 2000-12-08 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
JP2007158280A (ja) * 2005-12-09 2007-06-21 Hitachi Ltd モールド型半導体装置及びその製造方法
US20090068474A1 (en) * 2006-08-23 2009-03-12 Rockwell Collins, Inc. Alkali silicate glass based coating and method for applying
JP2009067890A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Nisshinbo Ind Inc 半導体封止材用充填剤および半導体封止材組成物
US20100328007A1 (en) * 2008-01-31 2010-12-30 Osram Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung Inductor and method for production of an inductor core unit for an inductor
JP2009252838A (ja) * 2008-04-02 2009-10-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2011142366A (ja) * 2008-10-20 2011-07-21 Denso Corp 電子制御装置
US20130229777A1 (en) * 2012-03-01 2013-09-05 Infineon Technologies Ag Chip arrangements and methods for forming a chip arrangement
JP2013229392A (ja) * 2012-04-24 2013-11-07 Olympus Corp 厚膜パターン形成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US11746052B2 (en) 2017-07-31 2023-09-05 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Multi-component composition for producing an aqueous coating mass

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