JP2000340718A - 電力用半導体装置 - Google Patents
電力用半導体装置Info
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極端子をインサートした枠体内に熱硬化性
樹脂を充填した電力用半導体装置における前記電極端子
間の沿面距離を短くし、前記枠体の小型化を図った。 【解決手段】 上側開口部１ｂの開口端面１ｃからイン
サートされた電極端子６、６Ａが露出すると共に、上側
開口部１ｂの外周端縁に全周にわたって開口端面１ｃよ
りも突出した突起１ｄが形成された構成のケース１に、
内包された電力用半導体素子４を封止すべく上側開口部
１ｂから注型樹脂９を充填するに際して、突起１ｄを溢
流防止壁として注型樹脂９を充填し、電極端子６、６Ａ
の露出部周辺を覆う注型樹脂９の薄層９ａを形成し、耐
トラッキング性を改善して電極端子６、６Ａの隣合う露
出部間の沿面距離を短く形成可能にした。
樹脂を充填した電力用半導体装置における前記電極端子
間の沿面距離を短くし、前記枠体の小型化を図った。 【解決手段】 上側開口部１ｂの開口端面１ｃからイン
サートされた電極端子６、６Ａが露出すると共に、上側
開口部１ｂの外周端縁に全周にわたって開口端面１ｃよ
りも突出した突起１ｄが形成された構成のケース１に、
内包された電力用半導体素子４を封止すべく上側開口部
１ｂから注型樹脂９を充填するに際して、突起１ｄを溢
流防止壁として注型樹脂９を充填し、電極端子６、６Ａ
の露出部周辺を覆う注型樹脂９の薄層９ａを形成し、耐
トラッキング性を改善して電極端子６、６Ａの隣合う露
出部間の沿面距離を短く形成可能にした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電極端子がイン
サートされた枠体内に熱硬化性樹脂を充填し、電力用半
導体素子を樹脂封止した電力用半導体装置の改良に関す
るものである。
サートされた枠体内に熱硬化性樹脂を充填し、電力用半
導体素子を樹脂封止した電力用半導体装置の改良に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の半導体装置を示す断面図
である。図において、１１はこの半導体装置のパッケー
ジを構成するケースで、半導体素子１０１を載置した絶
縁基板１０２が放熱板１０３に接合されると共に、ケー
ス１１が放熱板１０３上に半導体素子１０１を囲繞する
ように接着によって固定されている。１２および１３は
全体がそれぞれ断面略Ｌ字状に形成された電極端子で、
その一端をケース１１の内側底部に露出させると共に他
端をケース１１の上側へ突出させた状態でケース１１内
に一体的に埋設されている。
である。図において、１１はこの半導体装置のパッケー
ジを構成するケースで、半導体素子１０１を載置した絶
縁基板１０２が放熱板１０３に接合されると共に、ケー
ス１１が放熱板１０３上に半導体素子１０１を囲繞する
ように接着によって固定されている。１２および１３は
全体がそれぞれ断面略Ｌ字状に形成された電極端子で、
その一端をケース１１の内側底部に露出させると共に他
端をケース１１の上側へ突出させた状態でケース１１内
に一体的に埋設されている。
【０００３】そして、金属ワイヤ１４、１５がそれぞれ
電極端子１２、１３の一端と半導体素子１０１上の電極
とをボンディングにより接続している。さらに、ケース
１１内は下側に充填剤１０ａが、上側に充填剤１０ｂが
充填され、ケース１１の上側開口部を封止している。
電極端子１２、１３の一端と半導体素子１０１上の電極
とをボンディングにより接続している。さらに、ケース
１１内は下側に充填剤１０ａが、上側に充填剤１０ｂが
充填され、ケース１１の上側開口部を封止している。
【０００４】このように構成された半導体装置は、電極
端子１２、１３がケース１１に埋設されて固定され、か
つ電極端子１２、１３と絶縁基板１０２とが金属ワイヤ
１４、１５のみによって接続される構造である。
端子１２、１３がケース１１に埋設されて固定され、か
つ電極端子１２、１３と絶縁基板１０２とが金属ワイヤ
１４、１５のみによって接続される構造である。
【０００５】そして、ケース１１は、その製造の容易さ
およびコスト低減のために、熱可塑性樹脂を用いて射出
成形により製造されるのが一般的である。
およびコスト低減のために、熱可塑性樹脂を用いて射出
成形により製造されるのが一般的である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の電力用半導体装
置は以上のように構成されているので、熱可塑性樹脂で
成形された枠体としてのケース１１の耐トラッキング性
が比較的低く、電極端子としての隣合う電極端子１２間
の沿面距離を比較的長寸法に形成する必要があり、枠体
としてのケース１１の小形化を阻害するなどの問題点が
あった。
置は以上のように構成されているので、熱可塑性樹脂で
成形された枠体としてのケース１１の耐トラッキング性
が比較的低く、電極端子としての隣合う電極端子１２間
の沿面距離を比較的長寸法に形成する必要があり、枠体
としてのケース１１の小形化を阻害するなどの問題点が
あった。
【０００７】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたものであり、電極端子間の距離を短くで
き、結果的に小型化された電力用半導体装置を提供する
ことを目的とする。
ためになされたものであり、電極端子間の距離を短くで
き、結果的に小型化された電力用半導体装置を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る電力用
半導体装置は、両端に開口部を有し、一方の開口部が電
力用半導体素子を搭載した基板で塞がれ、前記電力用半
導体素子を囲繞する筒状の枠体と、該枠体にインサート
され、一端が前記枠体の内壁側に露出して前記電力用半
導体素子と接続されると共に他端が他方の開口部の開口
端面に外部接続可能に露出した電極端子と、前記電力用
半導体素子を封止すべく前記他方の開口部を密閉する封
止樹脂とを備えた電力用半導体装置において、前記枠体
は前記他方の開口部の外周端縁に前記開口端面における
前記電極端子の露出部周辺よりも突出した壁部が形成さ
れ、前記封止樹脂は前記壁部を溢流防止壁として前記電
極端子の露出部周辺を覆う薄層を形成するように充填さ
れたものである。
半導体装置は、両端に開口部を有し、一方の開口部が電
力用半導体素子を搭載した基板で塞がれ、前記電力用半
導体素子を囲繞する筒状の枠体と、該枠体にインサート
され、一端が前記枠体の内壁側に露出して前記電力用半
導体素子と接続されると共に他端が他方の開口部の開口
端面に外部接続可能に露出した電極端子と、前記電力用
半導体素子を封止すべく前記他方の開口部を密閉する封
止樹脂とを備えた電力用半導体装置において、前記枠体
は前記他方の開口部の外周端縁に前記開口端面における
前記電極端子の露出部周辺よりも突出した壁部が形成さ
れ、前記封止樹脂は前記壁部を溢流防止壁として前記電
極端子の露出部周辺を覆う薄層を形成するように充填さ
れたものである。
【０００９】第２の発明に係る電力用半導体装置は、第
１の発明に係る電力用半導体装置において、枠体が熱可
塑性樹脂にて成形され、封止樹脂がエポキシ系の注型用
熱硬化性樹脂であるものである。
１の発明に係る電力用半導体装置において、枠体が熱可
塑性樹脂にて成形され、封止樹脂がエポキシ系の注型用
熱硬化性樹脂であるものである。
【００１０】第３の発明に係る電力用半導体装置は、第
１または第２の発明に係る電力用半導体装置において、
電極端子が露出し、封止樹脂にて覆われた開口端面と内
壁面とが交差する他方の開口部の内周端縁が曲面状に面
取りされたものである。
１または第２の発明に係る電力用半導体装置において、
電極端子が露出し、封止樹脂にて覆われた開口端面と内
壁面とが交差する他方の開口部の内周端縁が曲面状に面
取りされたものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】実施の形態１．この発明の実施の
形態１としての電力用半導体装置を図１乃至図２により
説明する。図１は実施の形態１としての電力用半導体装
置の断面図、図２は図１に示した電力用半導体装置のケ
ースにおける外部露出端子が露出した開口端面の近傍を
拡大した断面図である。
形態１としての電力用半導体装置を図１乃至図２により
説明する。図１は実施の形態１としての電力用半導体装
置の断面図、図２は図１に示した電力用半導体装置のケ
ースにおける外部露出端子が露出した開口端面の近傍を
拡大した断面図である。
【００１２】図において、１は電力用半導体装置のパッ
ケージを構成する両端が開口した枠体としてのケースで
あり、熱可塑性樹脂であるＰＰＳ（ポリフェニレンサル
ファイト）を用いて射出成形により得たものである。ケ
ース１は、一方の開口部としての下側開口部１ａ、他方
の開口部としての上側開口部１ｂ、上側開口部１ｂに形
成された開口端面１ｃ、上側開口部１ｂの外周端縁の全
周にわたって形成された壁部１ｄを備える。そして、図
２より明らかのように開口端面１ｃと内壁面１ｅとが交
差する内周端縁１ｆは曲率半径３ｍｍ以上の曲面状に面
取りされている。
ケージを構成する両端が開口した枠体としてのケースで
あり、熱可塑性樹脂であるＰＰＳ（ポリフェニレンサル
ファイト）を用いて射出成形により得たものである。ケ
ース１は、一方の開口部としての下側開口部１ａ、他方
の開口部としての上側開口部１ｂ、上側開口部１ｂに形
成された開口端面１ｃ、上側開口部１ｂの外周端縁の全
周にわたって形成された壁部１ｄを備える。そして、図
２より明らかのように開口端面１ｃと内壁面１ｅとが交
差する内周端縁１ｆは曲率半径３ｍｍ以上の曲面状に面
取りされている。
【００１３】２はケース１の下側開口部１ａを塞ぐ金属
ベース板、３は表主面上に回路パターン（図示せず）が
形成され、該回路パターン上に電力半導体素子４や回路
構成に必要なダイオードや抵抗器等からなる電子部材５
が実装されると共に、裏主面が金属ベース板２の主面上
に固着された絶縁基板としての電力回路基板である。な
お、金属ベース板２および電力回路基板３により所謂基
板を構成しており、また、ケース１の下側開口部１ａの
内周に金属ベース板２を嵌挿し、金属ベース板２の外周
縁を接着により下側開口部１ａの内周に嵌着し、下側開
口部１ａを金属ベース板２で塞いでいる。また、電力半
導体素子４は金属ブロック４Ａを介して電力回路基板３
に載置されている。
ベース板、３は表主面上に回路パターン（図示せず）が
形成され、該回路パターン上に電力半導体素子４や回路
構成に必要なダイオードや抵抗器等からなる電子部材５
が実装されると共に、裏主面が金属ベース板２の主面上
に固着された絶縁基板としての電力回路基板である。な
お、金属ベース板２および電力回路基板３により所謂基
板を構成しており、また、ケース１の下側開口部１ａの
内周に金属ベース板２を嵌挿し、金属ベース板２の外周
縁を接着により下側開口部１ａの内周に嵌着し、下側開
口部１ａを金属ベース板２で塞いでいる。また、電力半
導体素子４は金属ブロック４Ａを介して電力回路基板３
に載置されている。
【００１４】６、６Ａはケース１にインサートされ、電
力半導体素子４や電子部材５と外部回路とを接続する電
極端子であり、その下端が内壁面１ｅから露出し、上端
が開口端面１ｃから外部へ露出している。７は電力半導
体素子４、電子部材５と電極端子６、６Ａの下端との間
を接続するボンディングワイヤであり、Ａｌ細線の他、
Ａｕ細線が用いられる。
力半導体素子４や電子部材５と外部回路とを接続する電
極端子であり、その下端が内壁面１ｅから露出し、上端
が開口端面１ｃから外部へ露出している。７は電力半導
体素子４、電子部材５と電極端子６、６Ａの下端との間
を接続するボンディングワイヤであり、Ａｌ細線の他、
Ａｕ細線が用いられる。
【００１５】また、８は電力半導体素子４を局部的に覆
う、注型樹脂９よりも柔軟性、弾力性、良好な熱伝導
性、電気的絶縁性を備えたポッティング樹脂であり、電
力半導体素子４を包むように局部的にポッティングす
る。９はケース１と電力回路基板３とで区画される領域
に充填された封止樹脂としての熱硬化性樹脂であるエポ
キシ系の注型樹脂であり、上側開口部１ｂから注入さ
れ、加熱硬化により、ポッティング樹脂８で包まれた電
力半導体素子４や電子部材５等に関し、気密性、耐湿
性、電気的絶縁性等の必要な性能を得る。
う、注型樹脂９よりも柔軟性、弾力性、良好な熱伝導
性、電気的絶縁性を備えたポッティング樹脂であり、電
力半導体素子４を包むように局部的にポッティングす
る。９はケース１と電力回路基板３とで区画される領域
に充填された封止樹脂としての熱硬化性樹脂であるエポ
キシ系の注型樹脂であり、上側開口部１ｂから注入さ
れ、加熱硬化により、ポッティング樹脂８で包まれた電
力半導体素子４や電子部材５等に関し、気密性、耐湿
性、電気的絶縁性等の必要な性能を得る。
【００１６】なお、ケース１に内包された電力用半導体
素子４を封止すべく上側開口部１ｂから注型樹脂９を充
填するに際して、電力半導体素子４をポッティング樹脂
８で包むようにポッティングし、ポッティング樹脂８を
キュアした後、壁部１ｄを溢流防止壁として注型樹脂９
を充填して加熱硬化し、電極端子６、６Ａの露出部周辺
を覆う注型樹脂９による薄層９ａを開口端面１ｃ上に形
成する。この結果、前記露出部周辺の耐トラッキング性
が、注型樹脂の薄層を形成しない従来のものに比し著し
く向上する。
素子４を封止すべく上側開口部１ｂから注型樹脂９を充
填するに際して、電力半導体素子４をポッティング樹脂
８で包むようにポッティングし、ポッティング樹脂８を
キュアした後、壁部１ｄを溢流防止壁として注型樹脂９
を充填して加熱硬化し、電極端子６、６Ａの露出部周辺
を覆う注型樹脂９による薄層９ａを開口端面１ｃ上に形
成する。この結果、前記露出部周辺の耐トラッキング性
が、注型樹脂の薄層を形成しない従来のものに比し著し
く向上する。
【００１７】即ち、熱硬化性樹脂であるエポキシ系の注
型樹脂９の場合には、ＣＴＩ（Contaminet Track Inde
x）＞６００V（RMS）のものが容易に得られるが、熱可
塑性樹脂であるＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイト）
系のケース１の成形樹脂の場合には、ＣＴＩ＞１２５〜
２２５V（RMS）程度（何れも試験法IEC-122による）で
あり、耐トラッキング指数が大きく異なる。例えば、常
時、２００Ｖ（RMS）程度の電圧が印加される環境で
は、前記熱可塑性樹脂を用いた場合には２ｍｍ以上の沿
面距離を必要とするが、前記熱硬化性樹脂を用いた場合
には１ｍｍ程度の沿面距離を備えればよい（ＵＬ８４０
テーブル６．１に基づく）。
型樹脂９の場合には、ＣＴＩ（Contaminet Track Inde
x）＞６００V（RMS）のものが容易に得られるが、熱可
塑性樹脂であるＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイト）
系のケース１の成形樹脂の場合には、ＣＴＩ＞１２５〜
２２５V（RMS）程度（何れも試験法IEC-122による）で
あり、耐トラッキング指数が大きく異なる。例えば、常
時、２００Ｖ（RMS）程度の電圧が印加される環境で
は、前記熱可塑性樹脂を用いた場合には２ｍｍ以上の沿
面距離を必要とするが、前記熱硬化性樹脂を用いた場合
には１ｍｍ程度の沿面距離を備えればよい（ＵＬ８４０
テーブル６．１に基づく）。
【００１８】所定の印加電圧に対する電極端子６、６Ａ
の隣合う端子の露出部間、および電極端子６、６Ａの露
出部とその他の露出充電部（図示せず）や接地部（図示
せず）間に必要な沿面距離は、絶縁に有害な塵埃や湿度
等に関する雰囲気条件等により異なるが、電極端子６、
６Ａの露出部周辺の沿面を覆うようにエポキシ系の熱硬
化性樹脂である注型樹脂９の薄層９ａを形成することに
よって、耐トラッキング性が著しく向上し、前記露出部
間の沿面距離をより短くできるものが得られる。
の隣合う端子の露出部間、および電極端子６、６Ａの露
出部とその他の露出充電部（図示せず）や接地部（図示
せず）間に必要な沿面距離は、絶縁に有害な塵埃や湿度
等に関する雰囲気条件等により異なるが、電極端子６、
６Ａの露出部周辺の沿面を覆うようにエポキシ系の熱硬
化性樹脂である注型樹脂９の薄層９ａを形成することに
よって、耐トラッキング性が著しく向上し、前記露出部
間の沿面距離をより短くできるものが得られる。
【００１９】従来は、電極端子６、６Ａが耐トラッキン
グ性が低い熱可塑性樹脂製のケース１の開口端面１ｃか
ら露出していたので、比較的長寸法の沿面距離が必要で
あり、その結果として、電力用半導体装置の外形寸法が
大きかったが、実施の形態１のように開口端面１ｃを耐
トラッキング性の優れた熱硬化性の注型樹脂９で覆うこ
とにより耐トラッキング性が著しく向上するので電極端
子６、６Ａの露出部における隣合う端子間の沿面距離、
即ち幅寸法を従来の１／２以下に形成でき、結果的に、
電力用半導体装置の小型化および低コスト化を図ること
ができる。
グ性が低い熱可塑性樹脂製のケース１の開口端面１ｃか
ら露出していたので、比較的長寸法の沿面距離が必要で
あり、その結果として、電力用半導体装置の外形寸法が
大きかったが、実施の形態１のように開口端面１ｃを耐
トラッキング性の優れた熱硬化性の注型樹脂９で覆うこ
とにより耐トラッキング性が著しく向上するので電極端
子６、６Ａの露出部における隣合う端子間の沿面距離、
即ち幅寸法を従来の１／２以下に形成でき、結果的に、
電力用半導体装置の小型化および低コスト化を図ること
ができる。
【００２０】また、電極端子６、６Ａの露出した開口端
面１ｃを覆う注型樹脂９の薄層９ａの層厚は、通常、約
１ｍｍ厚さ程度に形成するが、より薄くても耐トラッキ
ング性の向上を図れる。一方、熱硬化性の注型樹脂９
は、突起した角部が存在すると、この角部に加熱硬化に
より応力が集中して薄層９ａの前記角部近傍にクラック
等が発生する。しかし、電極端子６、６Ａの立上げ面で
ある開口端面１ｃと内壁面１ｅとが交差する内周端縁１
ｆにおいては曲率半径３ｍｍ以上の曲面状に面取りを行
ったので、内周端縁１ｆ近傍の注型樹脂９の加熱硬化に
よる応力集中を緩和でき、クラック等が生じる恐れのな
い電力用半導体装置を得ることができる。
面１ｃを覆う注型樹脂９の薄層９ａの層厚は、通常、約
１ｍｍ厚さ程度に形成するが、より薄くても耐トラッキ
ング性の向上を図れる。一方、熱硬化性の注型樹脂９
は、突起した角部が存在すると、この角部に加熱硬化に
より応力が集中して薄層９ａの前記角部近傍にクラック
等が発生する。しかし、電極端子６、６Ａの立上げ面で
ある開口端面１ｃと内壁面１ｅとが交差する内周端縁１
ｆにおいては曲率半径３ｍｍ以上の曲面状に面取りを行
ったので、内周端縁１ｆ近傍の注型樹脂９の加熱硬化に
よる応力集中を緩和でき、クラック等が生じる恐れのな
い電力用半導体装置を得ることができる。
【００２１】なお、電極端子６、６Ａの露出した開口端
面１ｃを覆う注型樹脂９の層厚が約１ｍｍ厚さ程度の場
合に内周端縁１ｆの曲率半径を３ｍｍ以上に形成した
が、前記層厚と前記曲率半径とは逆比例の関係にあり、
前記層厚をより薄く形成する場合においても前記曲率半
径をより大きく形成することによりクラック等が生じる
恐れのない電力用半導体装置を得ることができる。
面１ｃを覆う注型樹脂９の層厚が約１ｍｍ厚さ程度の場
合に内周端縁１ｆの曲率半径を３ｍｍ以上に形成した
が、前記層厚と前記曲率半径とは逆比例の関係にあり、
前記層厚をより薄く形成する場合においても前記曲率半
径をより大きく形成することによりクラック等が生じる
恐れのない電力用半導体装置を得ることができる。
【００２２】
【発明の効果】この発明は、以上に説明したように構成
されているので、以下に記載されるような効果を奏す
る。
されているので、以下に記載されるような効果を奏す
る。
【００２３】一方の開口部が電力用半導体素子を搭載し
た基板で前記電力用半導体素子を囲繞するように塞が
れ、電極端子がインサートされ、他方の開口部の開口端
面より前記電極端子が外部接続可能に露出すると共に前
記電力用半導体素子を封止すべく前記他方の開口部を封
止樹脂で密閉した構成の枠体における、前記他方の開口
部の外周端縁に前記開口端面における前記電極端子の露
出部周辺よりも突出した壁部を形成し、前記壁部を溢流
防止壁として前記電極端子の露出部周辺を覆う薄層を形
成するように前記封止樹脂を充填したので、即ち、前記
封止樹脂の上部で前記開口端面を覆う極めて簡単な構成
で、前記枠体の素材の耐トラッキング性に関係なく前記
電極端子の露出部周辺の表面の耐トラッキング性を改善
でき、結果的に複数の前記電極端子におけるそれらの露
出部間の沿面距離を短く形成でき、小型化された電力用
半導体装置が得られる。
た基板で前記電力用半導体素子を囲繞するように塞が
れ、電極端子がインサートされ、他方の開口部の開口端
面より前記電極端子が外部接続可能に露出すると共に前
記電力用半導体素子を封止すべく前記他方の開口部を封
止樹脂で密閉した構成の枠体における、前記他方の開口
部の外周端縁に前記開口端面における前記電極端子の露
出部周辺よりも突出した壁部を形成し、前記壁部を溢流
防止壁として前記電極端子の露出部周辺を覆う薄層を形
成するように前記封止樹脂を充填したので、即ち、前記
封止樹脂の上部で前記開口端面を覆う極めて簡単な構成
で、前記枠体の素材の耐トラッキング性に関係なく前記
電極端子の露出部周辺の表面の耐トラッキング性を改善
でき、結果的に複数の前記電極端子におけるそれらの露
出部間の沿面距離を短く形成でき、小型化された電力用
半導体装置が得られる。
【００２４】また、枠体を熱可塑性樹脂にて成形し、封
止樹脂として耐トラッキング性の優れた熱硬化性の注型
樹脂を用いたので、小型で安価な電力用半導体装置を得
られる。
止樹脂として耐トラッキング性の優れた熱硬化性の注型
樹脂を用いたので、小型で安価な電力用半導体装置を得
られる。
【００２５】さらに、電極端子が露出し、封止樹脂にて
覆われた開口端面と内壁面とが交差する他方の開口部の
内周端縁が曲面状に面取りされたので、前記封止樹脂の
局部的な応力集中の発生を緩和でき、前記封止樹脂にク
ラック等のトラブルの発生の恐れのない高信頼性の電力
用半導体装置が得られる。
覆われた開口端面と内壁面とが交差する他方の開口部の
内周端縁が曲面状に面取りされたので、前記封止樹脂の
局部的な応力集中の発生を緩和でき、前記封止樹脂にク
ラック等のトラブルの発生の恐れのない高信頼性の電力
用半導体装置が得られる。
【図１】 この発明の実施の形態１としての電力用半導
体装置の断面図である。
体装置の断面図である。
【図２】 図１に示した電力用半導体装置のケースにお
ける外部露出端子が露出した開口端面の近傍を拡大した
断面図である。
ける外部露出端子が露出した開口端面の近傍を拡大した
断面図である。
【図３】 従来の電力用半導体装置の断面図である。
１ ケース、１ａ 下側開口部、１ｂ 上側開口部、１
ｃ 開口端面、１ｄ 壁部、１ｅ 内壁面、１ｆ 内周
端縁、２ 金属ベース板、３ 電力回路基板、４電力半
導体素子、６、６Ａ 電極端子、８ ポッティング樹
脂、９ 注型樹脂、９ａ 薄層
ｃ 開口端面、１ｄ 壁部、１ｅ 内壁面、１ｆ 内周
端縁、２ 金属ベース板、３ 電力回路基板、４電力半
導体素子、６、６Ａ 電極端子、８ ポッティング樹
脂、９ 注型樹脂、９ａ 薄層
Claims (3)
- 【請求項１】 両端に開口部を有し、一方の開口部が電
力用半導体素子を搭載した基板で塞がれ、前記電力用半
導体素子を囲繞する筒状の枠体と、該枠体にインサート
され、一端が前記枠体の内壁側に露出して前記電力用半
導体素子と接続されると共に他端が他方の開口部の開口
端面に外部接続可能に露出した電極端子と、前記電力用
半導体素子を封止すべく前記他方の開口部を密閉する封
止樹脂とを備えた電力用半導体装置において、前記枠体
は前記他方の開口部の外周端縁に前記開口端面における
前記電極端子の露出部周辺よりも突出した壁部が形成さ
れ、前記封止樹脂は前記壁部を溢流防止壁として前記電
極端子の露出部周辺を覆う薄層を形成するように充填さ
れたことを特徴とする電力用半導体装置。 - 【請求項２】 枠体は熱可塑性樹脂にて成形され、封止
樹脂はエポキシ系の注型用熱硬化性樹脂であることを特
徴とする請求項１記載の電力用半導体装置。 - 【請求項３】 電極端子が露出し、封止樹脂にて覆われ
た開口端面と内壁面とが交差する他方の開口部の内周端
縁が曲面状に面取りされたことを特徴とする請求項１ま
たは請求項２に記載の電力用半導体装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP15126099A JP3797021B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 電力用半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15126099A JP3797021B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 電力用半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000340718A true JP2000340718A (ja) | 2000-12-08 |
| JP3797021B2 JP3797021B2 (ja) | 2006-07-12 |
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ID=15514784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15126099A Expired - Lifetime JP3797021B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 電力用半導体装置 |
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- 1999-05-31 JP JP15126099A patent/JP3797021B2/ja not_active Expired - Lifetime
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