CN210182363U - 半导体模块 - Google Patents

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池田直辉
Shinji Sakai
酒井伸次
Hiroyuki Nakamura
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Abstract

对半导体模块的尺寸变大进行抑制，并且确保引线端子的绝缘距离。半导体模块具备芯片焊盘(1)、半导体芯片(2a)、引线端子(9)以及模塑树脂(6)，该模塑树脂(6)形成为覆盖引线端子的一部分、芯片焊盘的上表面、以及半导体芯片，该半导体模块的特征在于，还具备第1绝缘树脂(11)，该第1绝缘树脂(11)被涂覆于没有被模塑树脂覆盖的引线端子，第1绝缘树脂是从所形成的模塑树脂的外表面连续地形成的，并且没有形成在与模塑树脂的外表面相比更靠内侧处。

Description

半导体模块
技术领域
本实用新型说明书所公开的技术涉及半导体模块。
背景技术
作为当前的树脂封装型的功率模块(电力半导体装置)的构造，例如，在专利文献1(日本实开昭51-118069号公报)公开的构造中，在层叠基板的上表面配置晶闸管、二极管、晶体管、及硫化镉(CdS)元件。而且，在同一层叠基板的上表面印刷电阻。
并且，通过硅树脂即保护涂覆层覆盖这些构造，并且安装电容器。而且，作为向外部的导线使用柔性的树脂包覆引线，形成了通过将该结构放入由树脂或陶瓷构成的壳体、或通过树脂进行的模塑的任意方式而被气密封装的集成无触点自动点灭器。
专利文献1：日本实开昭51-118069号公报
就当前的树脂封装型的功率模块而言，在平面形状的金属框搭载半导体芯片。而且，在将配线接合于该半导体芯片后，使用模具通过模塑树脂对该构造进行封装。
这里，就当前的树脂封装型的功率模块而言，引线端子的端部从模塑树脂的侧面凸出。
引线端子在通过树脂对一部分进行封装后，在安装于外部基板的方向进行引线成形。而且，在安装于外部基板时与冷却器连接。
此时，在功率模块的侧面处凸出的引线端子和冷却器之间需要一定程度确保空间距离及沿面距离(即，绝缘距离)。
绝缘距离根据使用电压、污染度或海拔等使用环境而不同，但特别地，在高耐压的功率模块的情况下由于使用电压高，因此所需的绝缘距离长。
与其对应地，必须对在模块的侧面处凸出的引线端子和冷却器之间的距离、即在模块的侧面处凸出的引线端子和冷却器的上表面之间的模塑树脂的厚度进行变更，该变更会导致功率模块的制造成本的增加。
另外，还存在通过在冷却器的上表面形成凸形状，与该凸形状相匹配地配置模块而确保绝缘距离的方法。但是，存在冷却器的加工成本增加这样的问题。
另外，对于功率模块的引线端子间，为了确保绝缘距离，例如，必须采用如下对策，即，在位于引线端子间的模塑树脂设置凹凸部、对接近的引线端子彼此的引线成形的弯曲位置进行变更等，作为结果而使模块尺寸变大。
实用新型内容
本实用新型说明书所公开的技术就是为了解决以上所记载那样的问题而提出的，其目的在于提供用于对半导体模块的尺寸变大进行抑制，并且确保引线端子的绝缘距离的技术。
本实用新型说明书所公开的技术的第1方式为半导体模块，其具备：芯片焊盘；半导体芯片，其配置于所述芯片焊盘的上表面；引线端子，其与所述半导体芯片电连接；以及模塑树脂，其形成为覆盖所述引线端子的一部分、所述芯片焊盘的上表面、以及所述半导体芯片，该半导体模块的特征在于，所述半导体模块还具备第1绝缘树脂，该第1绝缘树脂被涂覆于没有被所述模塑树脂覆盖的所述引线端子，所述第1绝缘树脂是从所形成的所述模塑树脂的外表面连续地形成的，并且没有形成在与所述模塑树脂的外表面相比更靠内侧处。
另外，本实用新型说明书所公开的技术的第2方式还具备冷却器，该冷却器配置于所述芯片焊盘的下方，所述引线端子从所形成的所述模塑树脂的外表面中的位于所述芯片焊盘的侧方的侧面伸出。
另外，本实用新型说明书所公开的技术的第3方式还具备：绝缘层，其配置于所述芯片焊盘的下表面；以及金属箔，其配置为夹在所述绝缘层的下表面和所述冷却器的上表面之间。
另外，本实用新型说明书所公开的技术的第4方式还具备第2绝缘树脂，该第2绝缘树脂配置为夹在所述芯片焊盘的下表面和所述冷却器的上表面之间。
另外，本实用新型说明书所公开的技术的第5方式是，所述第2绝缘树脂由与所述模塑树脂不同的材料构成。
另外，本实用新型说明书所公开的技术的第6方式是，所述第2绝缘树脂由与所述第1绝缘树脂相同的材料构成。
另外，本实用新型说明书所公开的技术的第7方式是，所述半导体芯片为使用SiC的半导体芯片。
另外，本实用新型说明书所公开的技术的第8方式是，所述半导体芯片为使用SiC的半导体芯片。
实用新型的效果
根据本实用新型说明书所公开的技术的第1至第8方式，由于从模塑树脂伸出的引线端子被涂覆有绝缘树脂，因此通过绝缘树脂充分地确保了引线端子的绝缘距离。因此，能够对半导体模块的尺寸变大进行抑制，并且确保引线端子的绝缘距离。
另外，通过以下所示的详细的说明和附图，本实用新型说明书所公开的技术涉及的目的、特征、方案、优点会变得更清楚。
附图说明
图1是表示树脂封装型的半导体装置的结构的例子的剖视图。
图2是表示与冷却器连接的功率模块的结构的例子的侧视图。
图3是表示与冷却器连接的功率模块的结构的其它例子的侧视图。
图4是概略地表示实施方式涉及的半导体模块的结构的例子的剖视图。
图5是概略地表示实施方式涉及的功率模块安装于冷却器后的结构的例子的剖视图。
图6是概略地表示实施方式涉及的功率模块的引线端子的结构的例子的侧视图。
图7是概略地表示实施方式涉及的功率模块的结构的例子的剖视图。
图8是概略地表示实施方式涉及的功率模块的一部分结构的例子的俯视图。
标号的说明
1芯片焊盘，2a半导体芯片，2b FWD芯片，3控制IC，4、5、100、101导线，6模塑树脂，7绝缘层，8金属箔，9引线端子，10、10a冷却器，11、11b绝缘树脂。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边对实施方式进行说明。
此外，附图是概略地示出的，为了便于说明，适当进行结构的省略或结构的简化。另外，在不同的附图分别示出的结构等的大小及位置的相互关系，并不一定是准确地记载的，而是能够适当变更。另外，在不是剖视图的俯视图等附图中，为了容易理解实施方式的内容，有时添加了阴影线。
另外，在以下所示的说明中，对同样的结构要素标注相同的标号而进行图示，它们的名称和功能也相同。因此，为了避免重复，有时会省略对它们的详细说明。
另外，在以下记载的说明中，有时会使用“上”、“下”、“左”、“右”、“侧”、“底”、“表”或“背”等表示特定的位置和方向的术语，但这些术语是为了易于理解实施方式的内容，出于方便而使用的，与实际实施时的方向没有关系。
另外，在以下记载的说明中，有时会使用“第1”、或“第2”等序数，但这些术语是为了易于理解实施方式的内容，出于方便而使用的，并不限于通过这些序数可能产生的顺序等。
<第1实施方式>
下面，对本实施方式涉及的半导体模块、及半导体模块的制造方法进行说明。为了便于说明，首先，下面对树脂封装型的功率模块的结构进行说明。
<关于半导体模块的结构＞
图1是表示双列直插封装(dual inline package，DIP)式的树脂封装型的功率模块的结构的例子的剖视图。
在如图1例示的那样，功率模块具备：芯片焊盘1；功率晶体管即半导体芯片2a，其配置于芯片焊盘1的金属框的上表面；续流二极管(free-wheeling diode，即，FWD)芯片2b，其配置于芯片焊盘1的上表面，并且经由导线100与半导体芯片2a连接；控制IC 3，其经由导线5与半导体芯片2a连接；绝缘层7，其配置于芯片焊盘1的下表面；以及金属箔8，其配置于绝缘层7的下表面，并且提高功率晶体管的散热性。
这里，FWD芯片2b经由导线4与引线端子9连接。另外，控制IC 3经由导线101与引线端子9连接。
将绝缘层7和金属箔8合起来也称为绝缘片。引线端子9通常被进行纯锡等镀敷处理，并且安装于控制基板。
另外，还具备对这些结构进行封装的模塑树脂6。引线端子9的端部各自从模塑树脂6露出。另外，金属箔8的下表面从模塑树脂6露出。
特别地，在由于功率模块的发热而成为高温的使用条件下，冷却器通过螺钉固定等与芯片焊盘1侧的模块表面连接。
作为类似的结构，例如，也可以设想不具有控制IC 3或FWD芯片2b的构造、向上述构造组合控制基板而得到的构造、替代绝缘片而使用铝绝缘基板的构造、或形成了模塑树脂层的构造等。
就上述树脂封装型的功率模块而言，半导体芯片搭载于平面形状的金属框。而且，在将配线接合于该半导体芯片后，使用模具通过模塑树脂6对该构造进行封装。而且，就上述树脂封装型的功率模块而言，引线端子9的端部从模塑树脂6的侧面凸出。
就引线端子9而言，在通过模塑树脂6被封装一部分后，在安装于外部基板的方向进行引线成形。而且，在安装于外部基板时与冷却器连接。
此时，在功率模块的侧面处凸出的引线端子9和冷却器之间需要一定程度确保空间距离及沿面距离(即，绝缘距离)。
绝缘距离根据使用电压、污染度或海拔等使用环境而不同，但特别地，在高耐压的功率模块的情况下，由于使用电压高，因此所需的绝缘距离长。
图2是表示与冷却器连接的功率模块的结构的例子的侧视图。如上所述在加长绝缘距离的情况下，必须对在功率模块的侧面处凸出的引线端子9和冷却器10之间的距离，即在功率模块的侧面处凸出的引线端子9和冷却器10的上表面之间的模塑树脂6的厚度t进行变更。而且，该变更会导致功率模块的制造成本的增加。
如果提高模塑树脂6的相对电痕指数(comparative tracking index CTI)，则耐电痕性提高，因此所要求的绝缘距离变短。但是，通常CTI高的树脂材料价格昂贵。
另一方面，还存在通过在冷却器的上表面形成凸形状，与该凸形状相匹配地配置模块而确保绝缘距离的方法。
图3是表示与冷却器连接的功率模块的结构的其它例子的侧视图。如图3例示那样，通过在冷却器10a的上表面中的与金属箔8连接的部分设置凸形状，能够加长引线端子9和冷却器10a之间的距离。但是，在这样的方法中，存在冷却器10a的加工成本增加这样的问题。
图4是概略地表示本实施方式涉及的半导体模块(具体而言，功率模块)的结构的例子的剖视图。
如图4例示那样，功率模块具备：芯片焊盘1；功率晶体管即半导体芯片2a，其配置于芯片焊盘1的金属框的上表面；FWD芯片2b，其配置于芯片焊盘1的上表面，并且经由导线100与半导体芯片2a连接；控制IC 3，其经由导线5与半导体芯片2a连接；绝缘层7，其配置于芯片焊盘1的下表面；以及金属箔8，其配置于绝缘层7的下表面。
这里，FWD芯片2b经由导线4与引线端子9连接。另外，控制IC 3经由导线101与引线端子9连接。
另外，还具备对这些结构进行封装的模塑树脂6。引线端子9的端部各自从模塑树脂6露出。另外，金属箔8的下表面从模塑树脂6露出。
就图4例示的功率模块而言，芯片焊盘1和金属箔8之间通过绝缘层7被电绝缘。
另外，就图4例示的功率模块而言，负责与外部基板电连接的各个引线端子9为如下结构，即，使与外部基板的电极接触部分露出，并且在没有被模塑树脂6封装的部分涂覆了绝缘树脂11。
即，就图4例示的功率模块而言，在通过模塑树脂6覆盖了引线端子9的一部分、芯片焊盘1的上表面以及半导体芯片2a后，没有被模塑树脂6封装的部分的引线端子9被涂覆了绝缘树脂11。
如图4例示那样，绝缘树脂11是从所形成的模塑树脂6的外表面连续地形成的。即，就引线端子9而言，被模塑树脂6覆盖的部分和被绝缘树脂11覆盖的部分是连续的。
另外，由于绝缘树脂11是在以覆盖引线端子9的一部分的方式形成模塑树脂6后形成的，因此没有在与所形成的模塑树脂6的外表面相比更靠内侧处形成，而是形成在与模塑树脂6的外表面相比更靠外侧处。
绝缘树脂11例如为环氧树脂、聚氨酯树脂或聚酰亚胺树脂等。作为涂敷绝缘树脂11的方法，例如，存在下述方法：使引线端子9浸渍于填充有绝缘树脂11的槽内的方法；在预先设置的模具内配置引线端子9，然后向该模具内注入绝缘树脂11的方法；或使绝缘树脂11的液剂带电而附着于引线端子9的电沉积等方法。
图5是概略地表示本实施方式涉及的功率模块安装于冷却器后的结构的例子的剖视图。
冷却器10配置于芯片焊盘1的下方。而且，冷却器10的上表面与金属箔8的下表面连接。
就本实施方式中的功率模块而言，引线端子9是从被模塑树脂6封装的功率模块的侧面(即，模塑树脂6的外表面中的侧面)伸出而形成的。但是，从模塑树脂6的侧面伸出的各个引线端子9被涂覆有绝缘树脂11。
在该情况下，即使缩短从模塑树脂6的侧面伸出的引线端子9和配置于芯片焊盘1下方的冷却器10的上表面之间的模塑树脂6的厚度t，由于通过绝缘树脂11充分地确保了引线端子9和冷却器10之间的沿面距离，因此也能够充分地确保引线端子9和冷却器10之间的绝缘性。
因此，能够使模塑树脂6的厚度t薄，能够缩小功率模块的尺寸。即，即使不将CTI高的树脂材料用于模塑树脂6，不在模塑树脂6设置凹凸部，另外，不在冷却器10的上表面设置凸形状，也能够缩小功率模块的尺寸。
图6是概略地表示本实施方式涉及的功率模块的引线端子的结构的例子的侧视图。
如图6例示那样，相邻的引线端子9彼此的电极露出部之间的沿面距离L成为从涂覆于一个引线端子9的绝缘树脂11的表面，经由模塑树脂6，穿过涂覆于另一个引线端子9的绝缘树脂11的表面的路径，充分长。
因此，能够确保充分的绝缘距离以使耐电痕性提高，因此其结果能够缩小功率模块的尺寸。
<关于半导体模块的制造方法＞
这里，对本实施方式涉及的半导体模块的制造方法进行说明。
首先，在由绝缘层7和金属箔8构成的绝缘片的上表面配置芯片焊盘1。然后，在芯片焊盘1的上表面配置半导体芯片2a及FWD芯片2b。
接着，将引线端子9与半导体芯片2a及FWD芯片2b电连接。然后，形成模塑树脂6，该模塑树脂6覆盖引线端子9的一部分、绝缘片的上表面、芯片焊盘1的上表面、半导体芯片2a及FWD芯片2b。
接着，通过绝缘树脂11对没有被模塑树脂6覆盖的引线端子9进行涂覆。这里，绝缘树脂11是从所形成的模塑树脂6的外表面连续地形成的，并且没有形成于与模塑树脂6的外表面相比更靠内侧处。
<第2实施方式>
对本实施方式涉及的半导体模块及半导体模块的制造方法进行说明。此外，在以下说明中，对与以上记载的实施方式中说明的结构要素同样的结构要素标注相同的标号而进行图示，适当省略其详细说明。
<关于半导体模块的结构＞
图7是概略地表示本实施方式涉及的功率模块的结构的例子的剖视图。
如图7例示那样，功率模块具备芯片焊盘1、半导体芯片2a、FWD芯片2b、控制IC 3、配置于芯片焊盘1的下表面的绝缘树脂11b。
这里，FWD芯片2b经由导线4与引线端子9连接。另外，控制IC 3经由导线101与引线端子9连接。
另外，还具备对这些结构进行封装的模塑树脂6。引线端子9的端部各自从模塑树脂6露出。另外，绝缘树脂11b的下表面从模塑树脂6露出。
另外，在图7例示的功率模块中，就负责与基板的电连接的各个引线端子9而言，使与基板的电极接触部分露出，并且在没有被模塑树脂6封装的部分涂覆有绝缘树脂11。另外，就图7例示的功率模块而言，绝缘树脂11b被涂覆于芯片焊盘1的下表面。
此外，为了削减工时，优选引线端子9的绝缘树脂11的涂覆和芯片焊盘1的下表面的涂覆是通过以引线端子9的与外部基板的电极接触部分作为边界，将由模塑树脂6封装的状态的构造整体浸渍于绝缘树脂来进行等，从而同时进行的。
由此，芯片焊盘1的下表面和冷却器10的上表面之间由绝缘树脂11b确保绝缘性。
图8是概略地表示本实施方式涉及的功率模块的一部分结构的例子的俯视图。在图8中示出图7所示的功率模块的模塑树脂6、绝缘树脂11、绝缘树脂11b的俯视观察时的位置关系。
这里，也想到作为绝缘层在芯片焊盘1和冷却器10的上表面之间形成模塑树脂6的结构，但为了降低器件的热阻，优选将导热率高的绝缘层用于该部位，如果将上述的材料用于模塑树脂6，则制造成本变高。
在本实施方式中，在芯片焊盘1和冷却器10的上表面之间，设置与模塑树脂6不同的绝缘树脂11b作为绝缘层。因此，能够将导热率高的材料仅用于最影响器件的热阻的部分，能够使设计的自由度提高。
另外，根据本实施方式，由于引线端子9被涂覆有绝缘树脂11，因此能够充分地确保引线端子9和冷却器10之间的绝缘性。
因此，能够使模塑树脂6的厚度t薄，能够缩小功率模块的尺寸。即，即使不将CTI高的树脂材料用于模塑树脂6，不在模塑树脂6设置凹凸部，另外，不在冷却器10的上表面设置凸形状，也能够缩小功率模块的尺寸。
另外，由于能够通过绝缘树脂11确保功率模块的端子间的沿面距离，因此能够将模块尺寸小型化。
<关于半导体模块的制造方法＞
由于本实施方式涉及的半导体模块的制造方法与以上所记载的实施方式中说明的制造方法在主要部分上相同，因此省略详细说明。
<第3实施方式>
对本实施方式涉及的半导体模块及半导体模块的制造方法进行说明。此外，在以下说明中，对与以上记载的实施方式中说明的结构要素同样的结构要素标注相同的标号而进行图示，适当省略其详细说明。
<关于半导体模块的结构＞
关于在图7例示的功率模块，在功率晶体管即半导体芯片2a为使用了SiC的半导体芯片的情况下，由于使用了SiC的半导体装置与使用了Si的半导体装置相比具有低接通电阻，并且通断动作的速度也高，因此能够更有效地降低产生的损耗。
另外，由于使用了SiC的半导体装置的耐热性高，因此通过利用绝缘树脂11及绝缘树脂11b进行涂覆，从而即使在功率模块的散热性恶化的情况下，也能够进行高温动作。
<关于半导体模块的制造方法＞
由于本实施方式涉及的半导体模块的制造方法与以上所记载的实施方式中说明的制造方法在主要部分上相同，因此省略详细说明。
<关于由以上所记载的实施方式产生的效果>
下面，示出由以上所记载的实施方式产生的效果的例子。此外，在以下说明中，基于在以上所记载的实施方式中例示的具体的结构记载了该效果，但在产生同样的效果的范围内，也可以与在本实用新型说明书中例示的其它具体的结构进行替换。
另外，该替换也可以跨多个实施方式。即，也可以是对在不同的实施方式中例示的各个结构进行组合而产生同样的效果。
根据以上所记载的实施方式，半导体模块具备芯片焊盘1、半导体芯片2a、引线端子9、模塑树脂6、以及第1绝缘树脂。这里，第1绝缘树脂例如与绝缘树脂11对应。半导体芯片2a配置于芯片焊盘1的上表面。引线端子9与半导体芯片2a电连接。模塑树脂6形成为覆盖引线端子9的一部分、芯片焊盘1的上表面、半导体芯片2a。绝缘树脂11被涂覆于没有被模塑树脂6覆盖的引线端子9。而且，绝缘树脂11是从所形成的模塑树脂6的外表面连续地形成的。另外，绝缘树脂11没有形成于与模塑树脂6的外表面相比更靠内侧处。
根据这样的结构，由于从模塑树脂6伸出的引线端子9被涂覆有绝缘树脂11，因此通过绝缘树脂11充分地确保了引线端子9间的绝缘距离、或引线端子9和冷却器10之间的绝缘距离。因此，能够对半导体模块的尺寸变大进行抑制，并且确保引线端子9的绝缘距离。
此外，这些结构之外的在本实用新型说明书中例示的其它结构能够适当省略。即，只要至少具备这些结构，就能够产生以上所记载的效果。
但是，在将本实用新型说明书中例示的其它结构中的至少1个适当追加于以上所记载的结构的情况下，即，在适当追加了没有作为以上所记载的结构而提及的本实用新型说明书中例示的其它结构的情况下，也能够产生同样的效果。
另外，根据以上所记载的实施方式，半导体模块具备在芯片焊盘1的下方配置的冷却器10。而且，引线端子9从所形成的模塑树脂6的外表面中的位于芯片焊盘1的侧方的侧面伸出。根据这样的结构，由于从模塑树脂6的侧面伸出的引线端子9被涂覆有绝缘树脂11，因此通过绝缘树脂11充分地确保了引线端子9和冷却器10之间的绝缘距离。
另外，根据以上所记载的实施方式，半导体模块具备绝缘层7和金属箔8。绝缘层7配置于芯片焊盘1的下表面。另外，金属箔8配置为夹在绝缘层7的下表面和冷却器10的上表面之间。根据这样的结构，芯片焊盘1和金属箔8之间通过绝缘层7被电绝缘，并且在半导体芯片2a等处产生的热经由金属箔8向冷却器10高效地散热。
另外，根据以上所记载的实施方式，半导体模块具备第2绝缘树脂，该第2绝缘树脂配置为夹在芯片焊盘1的下表面和冷却器10的上表面之间。这里，第2绝缘树脂例如与绝缘树脂11b对应。根据这样的结构，芯片焊盘1的下表面和冷却器10的上表面之间由绝缘树脂11b确保绝缘性。
另外，根据以上所记载的实施方式，绝缘树脂11b由与模塑树脂6不同的材料构成。根据这样的结构，如果将绝缘树脂11b设为导热率高的材料，则能够将导热率高的材料仅用于最影响器件的热阻的部分，能够使设计的自由度提高。
另外，根据以上所记载的实施方式，绝缘树脂11b由与绝缘树脂11相同的材料构成。根据这样的结构，能够同时进行引线端子9的绝缘树脂11的涂覆和芯片焊盘1的下表面的涂覆，因此能够削减工时。
另外，根据以上所记载的实施方式，半导体芯片2a为使用SiC的半导体芯片。根据这样的结构，使用了SiC的半导体装置具有比使用了Si的半导体装置低的接通电阻，并且通断动作的速度也高，因此能够更有效地降低产生的损耗。另外，由于使用了SiC的半导体装置的耐热性高，因此通过利用绝缘树脂11及绝缘树脂11b进行涂覆，从而即使在功率模块的散热性恶化的情况下，也能够进行高温动作。
根据以上所记载的实施方式，在半导体模块的制造方法中，在芯片焊盘1的上表面配置半导体芯片2a。然后，将引线端子9与半导体芯片2a电连接。然后，形成模塑树脂6，该模塑树脂6覆盖引线端子9的一部分、芯片焊盘1的上表面、以及半导体芯片2a。然后，通过绝缘树脂11对没有被模塑树脂6覆盖的引线端子9进行涂覆。这里，绝缘树脂11是从所形成的模塑树脂6的外表面连续地形成的，并且没有形成在与模塑树脂6的外表面相比更靠内侧处。
根据这样的结构，由于从模塑树脂6伸出的引线端子9被涂覆有绝缘树脂11，因此通过绝缘树脂11充分地确保了引线端子9间的绝缘距离、或引线端子9和冷却器10之间的绝缘距离。因此，能够对半导体模块的尺寸变大进行抑制，并且确保引线端子9的绝缘距离。
此外，这些结构之外的在本实用新型说明书中例示的其它结构能够适当省略。即，只要至少具备这些结构，就能够产生以上所记载的效果。
但是，在将本实用新型说明书中例示的其它结构中的至少1个适当追加于以上所记载的结构的情况下，即，在适当追加了没有作为以上所记载的结构而提及的本实用新型说明书中例示的其它结构的情况下，也能够产生同样的效果。
另外，在没有特别限制的情况下，能够变更进行各处理的顺序。
<关于以上所记载的实施方式的变形例>
在以上所记载的实施方式中，有时也记载了各个结构要素的材质、材料、尺寸、形状、相对的配置关系或实施条件等，但这些在所有方面只是一个例子，并不限于本实用新型说明书所记载的内容。
因此，在本实用新型说明书所公开的技术的范围内可设想到没有例示的无数的变形例及均等物。例如，包含将至少1个结构要素变形的情况、追加的情况或省略的情况，以及提取至少1个实施方式中的至少1个结构要素而与其它实施方式的结构要素进行组合的情况。
另外，只要不产生矛盾，在以上所记载的实施方式中记载为具备“1个”的结构要素，也可以具备“大于或等于1个”。
并且，以上所记载的实施方式中的各个结构要素只是概念性的单位，在本实用新型说明书所公开的技术的范围内，包含：1个结构要素由多个构造物构成的情况；1个结构要素与某个构造物的一部分对应的情况；以及1个构造物具备多个结构要素的情况。
另外，就以上所记载的实施方式中的各个结构要素而言，只要发挥相同的功能，则包括具有其它构造或形状的构造物。
另外，本实用新型说明书中的说明是为了与本技术相关的全部目的而参照的，均未承认是现有技术。
另外，在以上所记载的实施方式中，在没有特别指定地记载了材料名等的情况下，只要不产生矛盾，则包括该材料中包含其它添加物的例如合金等。

Claims (8)

1.一种半导体模块，其具备：
芯片焊盘；
半导体芯片，其配置于所述芯片焊盘的上表面；
引线端子，其与所述半导体芯片电连接；以及
模塑树脂，其形成为覆盖所述引线端子的一部分、所述芯片焊盘的上表面、以及所述半导体芯片，
该半导体模块的特征在于，
所述半导体模块还具备第1绝缘树脂，该第1绝缘树脂被涂覆于没有被所述模塑树脂覆盖的所述引线端子，
所述第1绝缘树脂是从所形成的所述模塑树脂的外表面连续地形成的，并且没有形成在与所述模塑树脂的外表面相比更靠内侧处。
2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，
还具备冷却器，该冷却器配置于所述芯片焊盘的下方，
所述引线端子从所形成的所述模塑树脂的外表面中的位于所述芯片焊盘的侧方的侧面伸出。
3.根据权利要求2所述的半导体模块，其中，
还具备：绝缘层，其配置于所述芯片焊盘的下表面；以及
金属箔，其配置为夹在所述绝缘层的下表面和所述冷却器的上表面之间。
4.根据权利要求2所述的半导体模块，其中，
还具备第2绝缘树脂，该第2绝缘树脂配置为夹在所述芯片焊盘的下表面和所述冷却器的上表面之间。
5.根据权利要求4所述的半导体模块，其中，
所述第2绝缘树脂由与所述模塑树脂不同的材料构成。
6.根据权利要求4或5所述的半导体模块，其中，
所述第2绝缘树脂由与所述第1绝缘树脂相同的材料构成。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体模块，其中，
所述半导体芯片为使用SiC的半导体芯片。
8.根据权利要求6所述的半导体模块，其中，
所述半导体芯片为使用SiC的半导体芯片。
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