JP2000208655A - 電子部品内蔵モジュ―ル - Google Patents

電子部品内蔵モジュ―ル

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JP2000208655A
JP2000208655A JP444199A JP444199A JP2000208655A JP 2000208655 A JP2000208655 A JP 2000208655A JP 444199 A JP444199 A JP 444199A JP 444199 A JP444199 A JP 444199A JP 2000208655 A JP2000208655 A JP 2000208655A
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    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 端子間の絶縁距離を保ちつつ、確実に固定さ
れた端子を狭い間隔で配置可能とする。 【解決手段】 端子12a〜12c側面には、ケース1
1に埋め込まれた凸部12aa,12ab,12ba,
12bb,12ca,12cbが設けられている。端子
12a〜12cは、隣り合った端子の向かい合う側面同
士では、必ず凸部12aa,12ab,12ba,12
bb,12ca,12cbが正対しないように配置され
ている。なお、2つの凸部12aa,12ab,12b
a,12bb,12ca,12cbに挟まれた領域がワ
イヤボンディング領域17となる。これにより、端子同
士の最短距離は、凸部の先端から隣接する端子の側面ま
での距離となり、絶縁距離を保ったままで、端子同士の
距離を非常に接近させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は複数の端子が設けら
れた電子部品内蔵モジュールに関し、特にワイヤボンデ
ィングによって内部回路と接続される端子を有する電子
部品内蔵モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】IGBT(Insulated Gate Bipolar Tran
sistor)モジュール及びIPM(Intelligent Power Modu
le)の端子半田付けレス構造品(ワイヤボンディングで
端子と内部基板の配線を行う方式)では、端子がケース
に確実に固定されていることが求められる。端子が浮い
ていたりすると、端子に対してワイヤボンディングを行
う際に、接続不良を起こす可能性が高くなるためであ
る。そこで従来は、端子におけるワイヤボンディングす
べき領域の両側面を階段状にし、突出した部分(食い付
き部)を樹脂製のケースに埋め込むことで、端子を固定
していた。
【0003】図9は、従来の端子の固定構造の例を示す
図である。(A)が上面図であり、(B)がC−C断面
図である。この図に示すように、端子61〜63と樹脂
製のケース51との食い付きをよくするために、端子6
1〜63をケース51に埋め込むとともに、端子61〜
63の両側面を階段状にし、食い付き部61a,61
b、62a,62b,63a,63bが形成されてい
る。食い付き部61a,61b、62a,62b,63
a,63bは、樹脂製のケース51に埋め込まれてい
る。また、端子61〜63の上面はケース51から露出
しており、この部分にワイヤボンディングが行われる。
【0004】このように、端子61〜63に食い付き部
61a,61b、62a,62b,63a,63bを設
け、その食い付き部61a,61b、62a,62b,
63a,63bがケース51に食い付くようにすること
で、端子61〜63がケース51に固定される。
【0005】なお、このような構造の端子付きケースを
製造するには、ケースの金型に端子の一端を挿入した状
態で、金型に樹脂を流し込めばよい。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、端子間の距
離は、なるべく狭いことが望まれる。それは、端子間の
距離が狭ければ、電子部品を内蔵したモジュールの小型
化を図ることができるとともに、端子に接続するコネク
タを小さくすることもできるからである。
【0007】しかし、端子と端子との間には絶縁距離が
必要であるとともに、ある程度の幅の食い付き部が必要
であるため、端子間の距離を狭めるのには限界があっ
た。図9の例では、絶縁距離として0.8mm確保して
いる。また、食い付き部の幅を0.3mmとしている。
なお、ワイヤボンディングを行うには、端子の露出面の
幅はある程度以上必要であり、図の例では1.5mmで
ある。この場合、ある端子の露出面から隣接する端子の
露出面までの距離は、0.8+0.3+0.3=1.4
mmとなる。
【0008】このような端子間距離を狭めるには、絶縁
距離、もしくは食い付き部の幅を狭めることが考えられ
るが、絶縁距離を狭めれば、電気的に動作させた場合の
信頼性が低下する。また、食い付き部の幅を狭めれば、
端子がしっかりと固定されなくなり、ワイヤボンディン
グの確実性が低下する。
【0009】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、端子間の絶縁距離を保ちつつ、確実に固定さ
れた端子が狭い間隔で配置された電子部品内蔵モジュー
ルを提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、複数の端子が設けられた電子部品内蔵モ
ジュールにおいて、固定すべき部分の側方に突出した凸
部が設けられ、向かい合う側面の互いの前記凸部同士が
正対しないように配置された複数の端子部材と、前記複
数の端子部材の前記凸部を覆うことによって前記複数の
端子部材を固定するケース部材と、を有することを特徴
とする電子部品内蔵モジュールが提供される。
【0011】このような電子部品内蔵モジュールによれ
ば、端子部材に設けられた凸部がケース部材に覆われる
ことでしっかりと固定されている。さらに、複数の端子
は、向かい合う側面の互いの凸部同士が正対しないよう
に配置されているため、端子部材間の最短距離は、ある
端子部材の凸部の先端と隣接する端子部材の側面との距
離となる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。ここでは、本発明をパワーモジュ
ールに適用した場合の実施の形態を説明する。なお、本
発明の特徴を最もよく示す図は図1であるが、以下の説
明では、パワーモジュールの全体構成から順に説明す
る。
【0013】図2は、本発明を適用したパワーモジュー
ルを示す図である。この図は、パワーモジュール10の
上蓋を外した状態の上面図である。また、ケース11内
部はシリコーンゲルで封止されている。
【0014】パワーモジュール10は、ケース11の内
部から外部へ複数の端子12が取り出されている。端子
12は、パワーモジュール10に接続するケーブルのコ
ネクタに合致するような間隔で配置されている。端子1
2の一方の端部は、パワーモジュール10の内部に露出
しており、ワイヤボンディングで形成されたアルミワイ
ヤ13によって、回路基板14上の配線パターン15に
接続されている。その配線パターン15は、回路基板1
4に搭載された半導体素子16の電極に、アルミワイヤ
13のワイヤボンディングによって接続されている。
【0015】図3は、図2に示したパワーモジュールの
正面図である。これは、図2の下方からパワーモジュー
ル10を見た場合の形状を示している。この図に示すよ
うに、複数の端子12a〜12oが狭い間隔で配置され
ている。端子12a〜12oの上方に飛び出した部分
が、コネクタに接続すべき部分である。
【0016】図4は、図2のA−A部分断面図である。
端子12aは、L字型に曲げられている。端子12aの
底辺の右側の部分は、上面のみがケース11から露出し
ている。その露出面に、アルミワイヤ13aがワイヤボ
ンディングによって取り付けられている。アルミワイヤ
13aの他方の端部は、回路基板14a上の配線パター
ン15aに接続されている。これにより、パワーモジュ
ール10の端子12aと内部の回路とが電気的に接続さ
れる。
【0017】図1は、端子のワイヤボンディング部の拡
大図である。この図は、端子のボンディング部分を上方
から見たときの拡大図である。また、アルミワイヤは省
略している。
【0018】端子12a〜12cには、露出面が設けら
れており、その幅は、1.5mmである。端子12a〜
12c側面には、凸部12aa,12ab,12ba,
12bb,12ca,12cbが設けられている。凸部
12aa,12ab,12ba,12bb,12ca,
12cbは、上から見た場合には半円形をしており、半
径は0.3mmである。この凸部12aa,12ab,
12ba,12bb,12ca,12cbは、端子12
a〜12cの左右に1つずつ設けられている。
【0019】一方の凸部12aa,12ba,12ca
は端部から比較的離れた位置の左側に設けられており、
他方の凸部12ab,12bb,12cbは端部に近い
部分の右側に設けられている。すなわち、隣り合った端
子の向かい合う側面同士では、必ず凸部同士が正対しな
いように配置されている。なお、2つの凸部12aa,
12ab,12ba,12bb,12ca,12cbに
挟まれた領域がワイヤボンディング領域17となる。
【0020】このような複数の端子12a〜12cは、
露出面同士の間隔が1.1mmとなるように配置されて
いる。すなわち、端子同士の最短距離は、凸部の先端か
ら隣接する端子の側面までの距離となり、その距離は
0.8mmである。従って、十分な絶縁距離が保たれて
いる。
【0021】図5は、図1のB−B断面図である。端子
12a〜12cの凸部12aa,12ba,12caの
断面形状は、下面に近づくに従って突出量が大きくなる
ような形をしている。このような形状は、コイニングに
よって成形されている。
【0022】以上のような形状の端子12a〜12cを
ケースに固定するには、端子12a〜12cの凸部12
aa,12ba,12caが設けられた部分を、ケース
11を成型するための金型に挿入する。そして、金型に
樹脂を流し込めば、凸部12aa,12ba,12ca
の上まで樹脂が流れ込む。その結果、端子の凸部が樹脂
に食い込んだ状態となる。そのまま樹脂が固まってケー
ス11となれば、投錨効果が得られ、端子12a〜12
cはケース11に対して密着した状態でしっかりと固定
される。
【0023】このように、本発明によれば、複数の端子
を狭い間隔で並べることができる。すなわち、隣り合っ
た端子同士の凸部が互いに正対しないように配置されて
いるため、端子間の距離は、凸部の先端から隣接する端
子の側面までの距離が絶縁距離を満たしていればよいこ
ととなり、従来に比べ端子間距離を短くできる。本実施
の形態と図10に示した従来の技術とを比較すると、端
子間の間隔(露出面間の距離)が1.4mmから1.1
mmとなり、2割近く間隔が狭まっている。これによ
り、端子に接続するコネクタの小型化や、モジュール自
身の小型化を図ることができる。例えば、10本の端子
が並んでいれば、0.3×9=2.7mmの小型化が図
れる。
【0024】また、端子の側面の限られた領域に凸部を
設けるようにしたことで、端子を製造するための材料費
が節約できる。なお、端子の断面形状は、図5に示した
以外にも考えられる。
【0025】図6は、端子の固定構造の第1の変形例を
示す図である。ここでは、断面図のみを示している。こ
の例では、ケース21にはめ込まれた端子22〜24の
側面を斜面とすることで、凸部22a,23a,24a
が形成されている。また、ケース21は、凸部22a,
23a,24aを包み込むように形成されている。この
ような、凸部22a,23a,24aを、位置をずらし
て端子22〜24の両側に設けることで端子22〜24
をケース21に固定できる。
【0026】図7は、端子の固定構造の第2の変形例を
示す図である。ここでは、断面図のみを示している。こ
の例では、ケース31にはめ込まれた端子32〜34の
側面に、同じ厚みの凸部32a,33a,34aを設け
ている。また、端子32〜34は、上面がケース31の
表面よりも低くなるように深く埋め込まれ、凸部32
a,33a,34aがケース31で覆われている。ただ
し、ワイヤボンディングすべき領域は、ケース31の樹
脂に覆われずに露出している。このような凸部32a,
33a,34aを、位置をずらして端子32〜34の両
側に設けることで端子32〜34をケース31に固定で
きる。
【0027】図8は、端子の固定構造の第3の変形例を
示す図である。ここでは、断面図のみを示している。こ
の例では、ケース41にはめ込まれた端子42〜44の
側面に階段状の凸部42a,43a,44aが設けられ
ている。また、この凸部42a,43a,44aは、ケ
ース41の樹脂で覆われている。このような凸部42
a,43a,44aを、位置をずらして両側に設けるこ
とで端子42〜44をケース41に固定できる。
【0028】以上のように、様々な形状の凸部が考えら
れる。これは、断面形状に限らない。すなわち、上から
見た場合の形状も、半円である必要はない。長方形や、
その他の複雑な形でもよい。さらに、凸部の数も、必ず
しも両側に1つずつである必要はなく、端子の両側に複
数の凸部を設けてもよい。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、端子部
材に設けられた凸部がケース部材に覆われることでしっ
かりと固定されているとともに、複数の端子部材が、向
かい合う側面の互いの凸部同士が正対しないように配置
されているため、端子間の最短距離は、ある端子の凸部
の先端と隣接する端子の側面との距離となり、端子間の
距離を狭めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】端子のワイヤボンディング部の拡大図である。
【図2】本発明を適用したパワーモジュールを示す図で
ある。
【図3】図2に示したパワーモジュールの正面図であ
る。
【図4】図2のA−A部分断面図である。
【図5】図1のB−B断面図である。
【図6】端子の固定構造の第1の変形例を示す図であ
る。
【図7】端子の固定構造の第2の変形例を示す図であ
る。
【図8】端子の固定構造の第3の変形例を示す図であ
る。
【図9】従来の端子の固定構造の例を示す図である。
(A)が上面図であり、(B)がC−C断面図である。
【符号の説明】
10 パワーモジュール 11 ケース 12,12a〜12o 端子 12aa,12ab,12ba,12bb,12ca,
12cb 凸部 13,13a アルミワイヤ 14,14a 回路基板 15,15a 配線パターン 16 半導体素子
フロントページの続き (72)発明者 望月 英司 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内 Fターム(参考) 5F044 AA01 AA07

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の端子が設けられた電子部品内蔵モ
    ジュールにおいて、 固定すべき部分の側方に突出した凸部が設けられ、向か
    い合う側面の互いの前記凸部同士が正対しないように配
    置された複数の端子部材と、 前記複数の端子部材の前記凸部を覆うことによって前記
    複数の端子部材を固定するケース部材と、 を有することを特徴とする電子部品内蔵モジュール。
  2. 【請求項2】 前記複数の端子部材は、ワイヤボンディ
    ングすべき領域を挟むような位置に前記突起部が設けら
    れていることを特徴とする請求項1記載の電子部品内蔵
    モジュール。
  3. 【請求項3】 前記ケース部材は、樹脂成形された部材
    であることを特徴とする請求項1記載の電子部品内蔵モ
    ジュール。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004022811A (ja) * 2002-06-17 2004-01-22 Mitsubishi Electric Corp インサート成形ケース及び半導体装置
US8399976B2 (en) 2008-02-27 2013-03-19 Mitsubishi Electric Corporation Resin sealed semiconductor device and manufacturing method therefor
JP2014157925A (ja) * 2013-02-15 2014-08-28 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
WO2015107804A1 (ja) 2014-01-17 2015-07-23 富士電機株式会社 半導体モジュール
JP2019067885A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 三菱電機株式会社 半導体装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004022811A (ja) * 2002-06-17 2004-01-22 Mitsubishi Electric Corp インサート成形ケース及び半導体装置
US8399976B2 (en) 2008-02-27 2013-03-19 Mitsubishi Electric Corporation Resin sealed semiconductor device and manufacturing method therefor
US8785252B2 (en) 2008-02-27 2014-07-22 Mitsubishi Electric Corporation Resin sealed semiconductor device and manufacturing method therefor
JP2014157925A (ja) * 2013-02-15 2014-08-28 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
WO2015107804A1 (ja) 2014-01-17 2015-07-23 富士電機株式会社 半導体モジュール
US9673117B2 (en) 2014-01-17 2017-06-06 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor module
JP2019067885A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 三菱電機株式会社 半導体装置

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