JPH03155655A - チップオンボード型印刷回路板 - Google Patents
チップオンボード型印刷回路板Info
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- JPH03155655A JPH03155655A JP29586489A JP29586489A JPH03155655A JP H03155655 A JPH03155655 A JP H03155655A JP 29586489 A JP29586489 A JP 29586489A JP 29586489 A JP29586489 A JP 29586489A JP H03155655 A JPH03155655 A JP H03155655A
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- resin
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子機器に用いる印刷回路板の組立技術に関
し、特に半導体チップの実装技術に関するものである。
し、特に半導体チップの実装技術に関するものである。
従来の技術
従来、チップオンボード技術として、無機材料系プリン
ト配線板、すなわち、アルミナ磁器板、窒化アルミニウ
ム磁器板にグレーズ導体を500〜800℃で焼成し、
はんだ付は性、ボンディング性を高めたものが用いられ
ている。これらの無機材料系配線板に対して、部品を表
面実装する際、半導体については、パッケージ品でなく
、裸チップを直接プリント配線板にワイヤボンディング
、グイボンディング、フリップチップボンディングの形
でとりつけ、実装密度を物理的及び熱放散的に向上しよ
うとしている。
ト配線板、すなわち、アルミナ磁器板、窒化アルミニウ
ム磁器板にグレーズ導体を500〜800℃で焼成し、
はんだ付は性、ボンディング性を高めたものが用いられ
ている。これらの無機材料系配線板に対して、部品を表
面実装する際、半導体については、パッケージ品でなく
、裸チップを直接プリント配線板にワイヤボンディング
、グイボンディング、フリップチップボンディングの形
でとりつけ、実装密度を物理的及び熱放散的に向上しよ
うとしている。
発明が解決しようとする課題
この際必要な半導体の保護方法として、エポキシ樹脂の
ポツティング(またはドリッピング)がおこなわれる。
ポツティング(またはドリッピング)がおこなわれる。
この樹脂は、硬化時の収縮値、或は高温・高温時の伸縮
率が無機材料系の基板や半導体チップにくらべて大きい
ため、前記チップと配線板との接合部に破壊的な応力が
加わる恐れがあった。この解決策として、シリカ粉末を
相当量混入して複合材料化しているが、最大量を混入し
ても、配線板の数倍の伸縮を示し、硬化時の収縮ストレ
スも容易には緩和されなかった。これはシリカ自体が正
の熱膨張係数をもち、かつ、ヤング率が非常に低く、割
れ易い結果を招いており、耐湿、熱衝撃、特に吸湿後の
はんだリフロウによる作業時の半導体チップの破壊、8
5℃、85%RH中のバイアステスト耐久時間の短寿命
などの問題点があった。
率が無機材料系の基板や半導体チップにくらべて大きい
ため、前記チップと配線板との接合部に破壊的な応力が
加わる恐れがあった。この解決策として、シリカ粉末を
相当量混入して複合材料化しているが、最大量を混入し
ても、配線板の数倍の伸縮を示し、硬化時の収縮ストレ
スも容易には緩和されなかった。これはシリカ自体が正
の熱膨張係数をもち、かつ、ヤング率が非常に低く、割
れ易い結果を招いており、耐湿、熱衝撃、特に吸湿後の
はんだリフロウによる作業時の半導体チップの破壊、8
5℃、85%RH中のバイアステスト耐久時間の短寿命
などの問題点があった。
課題を解決するための手段
本発明は、これらの問題点を解決することを目的とし、
具体的には、ボッティ2ング樹脂に有機フィラーとして
、芳香族ポリアミドの短繊維を、樹脂比率で40〜80
重量%含有させたものを用いた構造である。
具体的には、ボッティ2ング樹脂に有機フィラーとして
、芳香族ポリアミドの短繊維を、樹脂比率で40〜80
重量%含有させたものを用いた構造である。
作用
この構造体は、熱膨張係数が負で、収縮時の応力を緩和
する低ヤング率性も併せ有する。
する低ヤング率性も併せ有する。
実施例
第1図は本発明の実施例を示す断面図である。
ボッティング樹脂として、芳香族アミンアダクト樹脂に
よる硬化エポキシ樹脂を用い、フィラーとして、芳香族
ポリアミドのうち、ポリパラフェニレン・ジフェニール
エーテルテレフタルアミドよりなる長さ0.5nwa以
下の短繊維を用いた。この短繊維は一55〜125℃に
おいて、熱膨張係数が負であり、エポキシ樹脂との組合
せ重量が60重量%のとき、ボッティング樹脂の熱膨張
係数が6.5ppm/’ICとアルミナ磁器配線板と同
等となった。直径1011IIlの円形領域で高さピー
クが1.2閣とした場合、6.5±1.0ppm/’C
の熱膨張係数を保てる領域は、前記繊維の重量比混入率
で40〜80%の範囲内であった。
よる硬化エポキシ樹脂を用い、フィラーとして、芳香族
ポリアミドのうち、ポリパラフェニレン・ジフェニール
エーテルテレフタルアミドよりなる長さ0.5nwa以
下の短繊維を用いた。この短繊維は一55〜125℃に
おいて、熱膨張係数が負であり、エポキシ樹脂との組合
せ重量が60重量%のとき、ボッティング樹脂の熱膨張
係数が6.5ppm/’ICとアルミナ磁器配線板と同
等となった。直径1011IIlの円形領域で高さピー
クが1.2閣とした場合、6.5±1.0ppm/’C
の熱膨張係数を保てる領域は、前記繊維の重量比混入率
で40〜80%の範囲内であった。
実施例によるボッティング樹脂の適用効果を、従来のジ
シアンジアミド系硬化剤の数%とシリカフィラーの85
重量%とを混ぜたボッティング樹脂との比較で、セラミ
ック配線板上に配設した半導体ICチップ(6ワイア、
1.3X0.65+nmの寸法)によって評価した。第
1表はエポキシ樹脂系ポツティング樹脂のセラミック基
板上の硬化収縮応力によるボンディングワイアはずれを
、第2表はエポキシ樹脂系ボッティング樹脂のセラミッ
ク基板上の温度サイクル試験(−55〜125℃)結果
を、第3表はエポキシ樹脂系ポツティング樹脂のPCT
(2気圧)中バイアス電圧印加(12VD、C,)寿
命をそれぞれ示す。
シアンジアミド系硬化剤の数%とシリカフィラーの85
重量%とを混ぜたボッティング樹脂との比較で、セラミ
ック配線板上に配設した半導体ICチップ(6ワイア、
1.3X0.65+nmの寸法)によって評価した。第
1表はエポキシ樹脂系ポツティング樹脂のセラミック基
板上の硬化収縮応力によるボンディングワイアはずれを
、第2表はエポキシ樹脂系ボッティング樹脂のセラミッ
ク基板上の温度サイクル試験(−55〜125℃)結果
を、第3表はエポキシ樹脂系ポツティング樹脂のPCT
(2気圧)中バイアス電圧印加(12VD、C,)寿
命をそれぞれ示す。
第1表
第2表
断面図である。
1・・・・・・無機配線板、2・・・・・・グレーズ導
体、3・・・・・・半導体チップ、4・・・・・・ボン
ディングワイア、5・・・・・・ポツティング樹脂、6
・・・・・・有機短繊維フィラー(ポリパラフェニレン
・ジフェニルエーテルテレフタルアミド)。 代理人の
氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名 第3表 発明の効果 本発明によると、基板との接着性が2倍強であるため、
境界からの不純水分の毛管的浸入が少なく、安定性に冨
むものが得られる。
体、3・・・・・・半導体チップ、4・・・・・・ボン
ディングワイア、5・・・・・・ポツティング樹脂、6
・・・・・・有機短繊維フィラー(ポリパラフェニレン
・ジフェニルエーテルテレフタルアミド)。 代理人の
氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名 第3表 発明の効果 本発明によると、基板との接着性が2倍強であるため、
境界からの不純水分の毛管的浸入が少なく、安定性に冨
むものが得られる。
Claims (1)
- 無機材料系プリント配線板に、半導体チップを実装し、
ポッティング樹脂に有機材料フィラーとして、芳香族ポ
リアミドの短繊維を樹脂比率で40〜80重量%含有さ
せたものを用いたチップオンボード型印刷回路板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29586489A JPH03155655A (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | チップオンボード型印刷回路板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29586489A JPH03155655A (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | チップオンボード型印刷回路板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03155655A true JPH03155655A (ja) | 1991-07-03 |
Family
ID=17826175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29586489A Pending JPH03155655A (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | チップオンボード型印刷回路板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03155655A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002099877A3 (en) * | 2001-06-02 | 2003-07-31 | Microsemi Corp | Enhanced performance surface mount semiconductor package devices and methods |
KR20160059523A (ko) * | 2014-11-18 | 2016-05-27 | 주식회사 헬스맥스 | 향기 분사 장치 |
JP2017520111A (ja) * | 2014-06-18 | 2017-07-20 | ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー | 少なくとも1つの半導体部品を覆う封止化合物を含む半導体モジュール |
-
1989
- 1989-11-14 JP JP29586489A patent/JPH03155655A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002099877A3 (en) * | 2001-06-02 | 2003-07-31 | Microsemi Corp | Enhanced performance surface mount semiconductor package devices and methods |
JP2017520111A (ja) * | 2014-06-18 | 2017-07-20 | ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー | 少なくとも1つの半導体部品を覆う封止化合物を含む半導体モジュール |
US10593608B2 (en) | 2014-06-18 | 2020-03-17 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Semiconductor module comprising an encapsulating compound that covers at least one semiconductor component |
KR20160059523A (ko) * | 2014-11-18 | 2016-05-27 | 주식회사 헬스맥스 | 향기 분사 장치 |
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