JP2009252838A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】低コスト化および信頼性の向上が図られた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、金属ベース板1と、金属ベース板1上に形成された熱伝導性絶縁層2と、熱伝導性絶縁層2上に形成された回路パターン3と、回路パターン3上に実装された複数の半導体素子4A,4Bと、複数の半導体素子4A,4Bどうしを接続するワイヤ5と、回路パターン3に対して電気的に接続された主電極6と、熱硬化性樹脂からなり、少なくとも回路パターン3を封止するポッティング樹脂7と、熱可塑性樹脂からなり、金属ベース板1およびポッティング樹脂7を封止するモールド樹脂8とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】半導体装置は、金属ベース板1と、金属ベース板1上に形成された熱伝導性絶縁層2と、熱伝導性絶縁層2上に形成された回路パターン3と、回路パターン3上に実装された複数の半導体素子4A,4Bと、複数の半導体素子4A,4Bどうしを接続するワイヤ5と、回路パターン3に対して電気的に接続された主電極6と、熱硬化性樹脂からなり、少なくとも回路パターン3を封止するポッティング樹脂7と、熱可塑性樹脂からなり、金属ベース板1およびポッティング樹脂7を封止するモールド樹脂8とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置に関し、特に、基板上に絶縁層を介して形成された回路パターン上に半導体素子を搭載した半導体装置に関する。
従来のパワー半導体装置は、一般に、ポリフェニレンサルファイド樹脂(PPS樹脂)などの熱可塑性樹脂からなるケース内に設けられた絶縁基板上に半導体チップを実装した後、ゲルや液状エポキシ樹脂で封止するケースタイプのものと、絶縁基板上に実装された半導体チップを樹脂でモールド成形するモールドタイプのものとに大別される。
また、モールドタイプの半導体装置には、熱硬化性樹脂をトランスファモールド成形して構成されるものと、固化時間が比較的短い熱可塑性樹脂をインジェクションモールド成形して実現しているもの(たとえば、特許文献1)とがある。
特開平11−330317号公報
上記のようなパワー半導体装置にあっては、電気特性などの信頼性を確保するために、回路基板を樹脂で封止する必要がある。ケースタイプの半導体装置では、PPS樹脂などの熱可塑性樹脂からなるケース内に設けられた絶縁基板上に半導体チップを実装した後、ゲルによる封止や液状のエポキシ樹脂などによる封止が行なわれるが、ゲルによる封止は、ゲルが低弾性であることから、封止後の反りが発生しないというメリットがある一方で、ゲルが透湿性を有することから、絶縁層としてエポキシ樹脂などに熱伝導性の無機粉末を充填した絶縁シートを用いた場合には、絶縁層の吸湿による信頼性低下が懸念される。
また、モールドタイプの半導体装置では、特許文献1のように、PPS樹脂などの熱可塑性樹脂によるインジェクションモールド成形を行なうことで全体を封止する方法が一般的である。熱可塑性樹脂によるインジェクションモールド成形を行なうことで、熱硬化性樹脂によるトランスファモールド成形に比べて固化時間を短くすることができ、生産性を向上させて低コスト化を図ることができるというメリットがある。しかしながら、この場合、成形時の樹脂粘度が非常に高いことから、熱可塑性樹脂を射出成形する際に金型内で回路パターンに接合された主電極や信号端子などにかかる圧力が大きくなり、この結果、クラックが発生して半導体装置の信頼性に影響するという問題があった。
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、低コスト化および信頼性の向上が図られた半導体装置を提供することにある。
本発明に係る半導体装置は、基板と、基板上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された回路パターンと、回路パターン上に実装された複数の半導体素子と、複数の半導体素子どうしを接続する接続部と、回路パターンに対して電気的に接続された電極端子と、熱硬化性樹脂からなり、少なくとも回路パターンを封止する第1樹脂部と、熱可塑性樹脂からなり、基板および第1の樹脂部を封止する第2樹脂部とを備える。
本発明によれば、半導体素子などが実装された基板を熱可塑樹脂によって封止しても、半導体素子などは熱硬化性樹脂によって強固に固定されていることから、絶縁層にクラックが入ることはなく、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
以下に、本発明の実施の形態について説明する。なお、同一または相当する部分に同一の参照符号を付し、その説明を繰返さない場合がある。
なお、以下に説明する実施の形態において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。また、以下の実施の形態において、各々の構成要素は、特に記載がある場合を除き、本発明にとって必ずしも必須のものではない。また、以下に複数の実施の形態が存在する場合、特に記載がある場合を除き、各々の実施の形態の構成を適宜組合わせることは、当初から予定されている。
(実施の形態1)
図1は、実施の形態1に係る半導体装置を示した断面図である。図1を参照して、本実施の形態に係るパワー半導体装置100は、金属ベース板1と、金属ベース板1の上面に設けられた熱伝導性絶縁層2と、熱伝導性絶縁層2の上面に設けられた回路パターン3と、回路パターン3上に設けられた半導体素子4A,4Bと、半導体素子4A,4Bを電気的に接続するワイヤ5と、回路パターン3上にはんだ層(図示せず)によって固着された主電極6と、半導体素子4A,4B、ワイヤ5、主電極6などを封止する熱硬化性のポッティング樹脂7と、ポッティング樹脂7の外側から全体を封止するモールド樹脂8とを含む。
図1は、実施の形態1に係る半導体装置を示した断面図である。図1を参照して、本実施の形態に係るパワー半導体装置100は、金属ベース板1と、金属ベース板1の上面に設けられた熱伝導性絶縁層2と、熱伝導性絶縁層2の上面に設けられた回路パターン3と、回路パターン3上に設けられた半導体素子4A,4Bと、半導体素子4A,4Bを電気的に接続するワイヤ5と、回路パターン3上にはんだ層(図示せず)によって固着された主電極6と、半導体素子4A,4B、ワイヤ5、主電極6などを封止する熱硬化性のポッティング樹脂7と、ポッティング樹脂7の外側から全体を封止するモールド樹脂8とを含む。
金属ベース板1は、たとえば、銅やアルミニウムなどの熱伝導性の優れた金属材料で作られた板状の部材である。必要に応じて、パワー半導体装置をフィンにねじ止めするためのねじ穴を金属ベース板1に設けてもよい。
熱伝導性絶縁層2は、エポキシ樹脂などの樹脂材料に、放熱性を高めるために、たとえばシリカやアルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミニウムなどの熱伝導性に優れる無機粉末フィラーを約50〜85体積%充填したものである。熱伝導性絶縁層2は、金属ベース板1および回路パターン3に接着され、金属ベース板1と回路パターン3との間の絶縁性を確保している。熱伝導性絶縁層2を構成する樹脂材料は、たとえば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂および液状フェノール樹脂からなる群から選択した少なくともひとつを用いればよい。また、熱伝導性絶縁層2に含まれる無機粉末フィラーは、2種以上の素材を混合したものであってもよい。後述するが、充填するフィラーに窒化ホウ素を含めた場合、絶縁層のピール強度が非常に低くなり、電極パターンとの接着強度が弱くなる傾向がある。(窒化ホウ素を含むフィラーをたとえば50体積%程度充填した場合、アルミナやシリカを充填した場合に比べ、ピール強度が1/2〜1/10程度にまで低下する。)本実施の形態の思想は、このようなピール強度が低い熱伝導性絶縁層2を用いた基板を熱可塑性樹脂によってインジェクション成形を行なう場合に、特に有効なものである。
回路パターン3は、金属ベース板1と熱伝導性絶縁層2との積層板作製後、エッチング処理によって形成する方法や、パターン形状にあらかじめ形成した銅などの金属板を熱伝導性絶縁層2上にプレス加圧などによって設ける方法などがあり、どちらの方法を選択してもよい。回路パターン3の形成方法は、その厚さによって選択することもできる。たとえば、銅箔や0.5mm厚以下の銅板で回路パターン3を形成するのであれば、エッチング処理による方法を選択することが好ましい。この理由としては、エッチング処理を行なうことで、パターン形状の銅板をプレス加圧によって設ける方法に比べて、基板作製プロセスが簡便になることや、パターン位置精度が向上することが挙げられる。
ポッティング樹脂7としては、たとえば、酸無水物硬化の液状エポキシ樹脂などにシリカやアルミナ、水酸化アルミニウムなどの無機粉末フィラーが充填された液状封止樹脂を用いることができる。ポッティング樹脂7におけるフィラー充填量は、金属ベース板1の材料の熱膨張係数によって変えることが望ましく、たとえば、金属ベース板1に銅を用いた場合は、ポッティング樹脂7の熱膨張係数が25ppm以下、好ましくは20ppm以下となるように無機粉末フィラーを充填するとよい。また、ポッティング樹脂7の粘度は、図1に示したように、半導体素子4A,4Bおよび主電極6と回路パターン3との接合部分の全体をポッティング樹脂7で封止し、かつ、金属ベース板1の外周へのポッティング樹脂7の漏れを防止するために、ポッティング時の混合状態で50000mPa・s以上程度であることが好ましい。
ポッティング樹脂7の硬化後の弾性率は、インジェクションモールド成形を行う温度において、1GPa以上程度であることが好ましい。また、ポッティング樹脂7は、インジェクションモールド成形時に成形樹脂から圧力を受ける主電極6などの接合面(回路パターン3の上面)から少なくとも0.5mm以上程度の高さまでを覆うように形成することが好ましい。たとえば、180℃の金型内においてPPS樹脂などの熱可塑性樹脂を用いてインジェクションモールド成形を行なう場合、180℃での弾性率が1GPa以上のポッティング樹脂7によって、接合面(回路パターン3の上面)から少なくとも0.5mm以上の高さを覆うことが好ましい。
図5は、比較例に係る半導体装置を示した断面図である。図5の例では、熱伝導性絶縁層2を介して金属ベース板1に固着された回路パターン3を持つ回路基板に、金型10を用いたインジェクションモールド成形を行なう場合、矢印DR8方向に流入するモールド樹脂8から主電極6や信号端子(図示せず)などにかかる圧力によって、回路パターン3の端に応力が集中し(図5中のA部)、熱伝導性絶縁層2にクラックが入りやすくなる。熱伝導性絶縁層2にクラックが入ることで、回路基板の電気特性(部分放電開始電圧、絶縁破壊電圧など)が低下し、半導体装置の信頼性低下に繋がる。
これに対し、本実施の形態に係る半導体装置では、上述のように、接合面(回路パターン3の上面)の上部を所定の弾性率を有する熱硬化性樹脂(ポッティング樹脂7)で覆った上でインジェクションモールド成形を行なうことにより、主電極6などが接合されている回路パターン3の端にかかる応力が低減され、熱伝導性絶縁層2にクラックが入ることを防ぐことができる。これによりパワー半導体装置の電気特性などの信頼性を確保することができる。熱伝導性絶縁層2は、近年、熱伝導性を向上させるために無機粉末フィラーをより高充填する傾向にあり、回路パターン3に発生する応力によってクラックが入りやすい状態となっている。特に、無機粉末フィラーの中でも、窒化ホウ素を充填した場合、放熱性向上は期待できるものの、ピール強度が非常に低くなる。本実施の形態の思想は、この窒化ホウ素を少なくとも含んだ熱伝導性絶縁層2を用いた場合に特に有効であり、パワー半導体の信頼性が飛躍的に向上する。さらに好ましくは、インジェクションモールド成形時の温度におけるポッティング樹脂7の弾性率がたとえば5GPa以上程度であれば、ポッティング樹脂7のポッティング量を、たとえば回路パターン3の上面から0.3mm程度の高さにまで減らすことも可能であり、半導体装置全体の低コスト化につながる。このような条件を満たすポッティング樹脂7としては、たとえば、液状エポキシ樹脂の場合にはガラス転移点がたとえば150℃程度の比較的高い樹脂を選択することが考えられる。ポッティング樹脂の厚みの上限は、特に限定されることはないが、高くすることでポッティング樹脂7の使用量が増えることから、全体のコストが高くなること、また、パワー半導体装置そのもののサイズが大きくなってしまうというデメリットに加え、インジェクションモールド成形時の金型サイズを考え、高さ方向で、金型との隙間が0.1mmよりも狭くなってしまうと、熱可塑性樹脂(モールド樹脂8)の回り込みがうまくいかなくなり、熱可塑性樹脂による封止が良好に行なえないというデメリットがあるため、ポッティング樹脂7の厚みは2mm以下にしておくことが好ましい。
本実施の形態によれば、低コスト化が可能な熱可塑性樹脂でのインジェクション成形を行なう半導体装置において、回路パターン3および該回路パターン3に実装された主電極6などを、弾性率の高い熱硬化性樹脂からなるポッティング樹脂7で封止することにより、モールド樹脂8の成形時の圧力による熱伝導性絶縁層2におけるクラックの発生を抑制することができる。この結果、半導体装置の電気特性(部分放電開始電圧や絶縁破壊電圧など)が安定する。
また、ポッティング樹脂7の厚みを、回路パターン3の上面からみて0.5mm以上確保することにより、モールド樹脂8をインジェクション成形する際に発生する熱伝導性絶縁層2への応力を低減することができ、クラックの発生をさらに確実に防止することができる。
また、ポッティング樹脂7の弾性率を、モールド樹脂8のインジェクション成形時の金型温度において1GPa以上程度とすることにより、モールド樹脂8をインジェクション成形する際に発生する熱伝導性絶縁層2への応力をさらに低減することができる。
また、熱伝導性絶縁層2が、熱硬化性樹脂だけでなく、そこに、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素などの熱伝導性無機粉末フィラーを含むことにより、放熱性の高い半導体装置が得られる。
上述した内容について要約すると、以下のようになる。すなわち、本実施の形態に係る半導体装置は、「基板」としての金属ベース板1と、金属ベース板1上に形成された熱伝導性絶縁層2と、熱伝導性絶縁層2上に形成された回路パターン3と、回路パターン3上に実装された複数の半導体素子4A,4Bと、複数の半導体素子4A,4Bどうしを接続する「接続部」としてのワイヤ5と、回路パターン3に対して電気的に接続された「電極端子」としての主電極6と、熱硬化性樹脂からなり、少なくとも回路パターン3を封止する「第1樹脂部」としてのポッティング樹脂7と、熱可塑性樹脂からなり、金属ベース板1およびポッティング樹脂7を封止する「第2樹脂部」としてのモールド樹脂8とを備える。
(実施の形態2)
図2は、実施の形態2に係る半導体装置を示す断面図である。図2を参照して、本実施の形態に係る半導体装置は、実施の形態1に係る半導体装置の変形例であって、回路パターン3が形成された基板(金属ベース板1および熱伝導性絶縁層2)にエポキシ樹脂(ポッティング樹脂7)のポッティングを行なう前に、基板外周を囲むようにケース9を設けることを特徴とする。
図2は、実施の形態2に係る半導体装置を示す断面図である。図2を参照して、本実施の形態に係る半導体装置は、実施の形態1に係る半導体装置の変形例であって、回路パターン3が形成された基板(金属ベース板1および熱伝導性絶縁層2)にエポキシ樹脂(ポッティング樹脂7)のポッティングを行なう前に、基板外周を囲むようにケース9を設けることを特徴とする。
このように、基板の外周を囲むケース9を設けることにより、ポッティング樹脂7の粘度を低くする(数千mPa・s)ことが可能となる。ポッティング樹脂7の粘度を低下させることにより、封止時間を短縮することが可能となる。
ケース9は、PPS樹脂などの熱可塑性樹脂であらかじめ成形した成形品を用いることができ、基板からポッティング樹脂7が垂れるのを防ぐことができる。ポッティング樹脂7の粘度が低い場合や、ポッティング樹脂7の高さを厳密に限定したい場合は、本実施の形態のようなケース9を用いることにより、基板外周へ樹脂の漏れを抑制して所定量のポッティングを行なうことが有効である。また、回路パターン3からの沿面距離が短い基板を用いる場合は、熱伝導性絶縁層2を保護する観点から、回路パターン3の沿面部を確実にポッティング樹脂7で封止することが必須となるが、上記のようなケース9を用いることで、沿面部の隅々までポッティング樹脂7を回り込ませることができる。
なお、上記以外の点については、実施の形態1と同様であるので、詳細な説明は繰り返さない。
(実施の形態3)
図3は、実施の形態3に係る半導体装置を示す断面図である。図3を参照して、本実施の形態に係る半導体装置は、実施の形態1,2に係る半導体装置の変形例であって、回路パターン3に実装された複数の半導体素子4A,4Bを、ワイヤ5に代えて導電性リード板5Aにより電気的に接続することを特徴とする。
図3は、実施の形態3に係る半導体装置を示す断面図である。図3を参照して、本実施の形態に係る半導体装置は、実施の形態1,2に係る半導体装置の変形例であって、回路パターン3に実装された複数の半導体素子4A,4Bを、ワイヤ5に代えて導電性リード板5Aにより電気的に接続することを特徴とする。
導電性リード5Aは、たとえば銅などから構成される。ワイヤ5に代えて導電性リード板5Aを用いることにより、アルミニウムなどのワイヤボンドに比べて動作時の電流密度を上げることが可能となる。
なお、上記以外の点については、実施の形態1,2と同様であるので、詳細な説明は繰り返さない。
以下に、本発明の実施例について説明する。表1に示す実施例1〜6は、実施の形態1に係る半導体装置において、ポッティング樹脂としてエポキシ樹脂を用い、エポキシ樹脂の弾性率とそのポッティング量に対して、基板の部分放電開始電圧を大気中にてインジェクション成形の前後にそれぞれ測定した結果である。
表1を参照して、実施例1は、熱伝導性絶縁層2から回路パターン3の高さまでポッティング樹脂7で封止した場合(熱伝導性絶縁層2の露出部分をポッティング樹脂7で覆った状態)を示す。実施例1の結果から明らかなように、ポッティング樹脂7の弾性率が室温(25℃)で7GPaである場合、ポッティング量が回路パターン3の上面から0.5mmに満たない場合は、インジェクション後の部分放電開始電圧が0.5kVと非常に低い。インジェクションモールド後における部分放電開始電圧が2kV以上必要な場合、実施例2〜4のように、ポッティング樹脂7のポッティング量を、回路パターン3の上面から0.5mm以上確保する必要がある。他方、エポキシ樹脂(ポッティング樹脂7)の弾性率が高くなった場合、たとえば、実施例5〜6のように室温(25℃)で13GPaである場合、ポッティング量を減らすことも可能となり、インジェクションモールド後に2kV以上必要な場合は、回路パターンから0.3mmのポッティング量でよいことがわかる。
他方、比較例1のように、ポッティング樹脂7をなくした場合は、インジェクションモールド成形前の基板の状態では、部分放電開始電圧が1kV確保されているが、インジェクションモールド成形を行なった後は、電極端子にかかる圧力によって熱伝導性絶縁層2にクラックが発生し、0.1kV程度に急激に低下する。また、比較例2のように、ポッティング樹脂7に弾性率の低いシリコン樹脂を用いた場合には、回路パターン3や主電極6などが封止されることから、インジェクションモールド成形前の基板の状態では、部分放電開始電圧は4kV確保されているが、ポッティング樹脂7の弾性率が低いことから、インジェクションモールド成形時の応力に耐えることができず、インジェクションモールド成形後は急激に部分放電開始電圧が低下する。
図4は、実施の形態1に係る半導体装置において、ポッティング樹脂のポッティング量(回路パターン3の上面からの高さ)を変化させながら、インジェクション成形後の部分開始電圧を評価した結果である。ポッティング樹脂としてシリコン樹脂を用いた場合では、ポッティングを行なった効果がほとんど見られないのに対し、ポッティング樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合では、ポッティング量を増やすことで、インジェクション成形後の部分放電開始電圧が高くなっていることがわかる。目標スペック(使用環境)にもよるが、部分放電開始電圧として2kV以上必要であるとすると、ポッティング量は、回路パターンから0.5mm以上程度必要である。また、各ポッティング量ごとに10台でのばらつき評価を行なったところ、ポッティング量を0.5mm以上とすることにより評価値の下限が高くなっており、ばらつきが抑えられていることがわかる。
以上、本発明の実施の形態および実施例について説明したが、今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1 金属ベース板、2 絶縁層、3 回路パターン、4A,4B 半導体素子、5 ワイヤ、5A 導電性リード板、6 主電極、7 ポッティング樹脂、8 モールド樹脂、9 ケース、10 金型、100 パワー半導体装置。
Claims (4)
- 基板と、
前記基板上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された回路パターンと、
前記回路パターン上に実装された複数の半導体素子と、
前記複数の半導体素子どうしを接続する接続部と、
前記回路パターンに対して電気的に接続された電極端子と、
熱硬化性樹脂からなり、少なくとも前記回路パターンを封止する第1樹脂部と、
熱可塑性樹脂からなり、前記基板および前記第1の樹脂部を封止する第2樹脂部とを備えた、半導体装置。 - 前記第1樹脂部の厚みは、前記回路パターンの上面からみて0.5mm以上確保されている、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2樹脂部はインジェクション成形により形成され、
前記第1樹脂部の弾性率は、前記第2樹脂部のインジェクション成形時の金型温度において1GPa以上である、請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記絶縁層は、熱硬化性樹脂からなる第1の素材と、無機粉末からなり、前記第1の素材よりも熱伝導率が高い第2の素材とを含む、請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体装置。
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- 2008-04-02 JP JP2008096330A patent/JP2009252838A/ja not_active Withdrawn
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