JP2018098236A - 電子回路モジュール及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高い信頼性を有する電子回路モジュールを提供する。【解決手段】電子回路モジュール１は、第１主面１１を有する絶縁基材１０と、第１主面１１上に設けられた第１配線１６と、第１配線１６の一部を覆う第１ソルダレジスト層２５とを含む回路基板６と、第１の導電性接合部材２１を用いて第１配線１６に接続される第１の電子部品２０と、封止部材４０とを備える。第１主面１１の平面視における封止部材４０が回路基板６に接触する領域の周縁部７において、絶縁基材１０及び第１配線１６は第１ソルダレジスト層２５から露出している。周縁部７において、封止部材４０は絶縁基材１０及び第１配線１６の少なくとも１つに接触している。【選択図】図１

Description

本発明は、電子回路モジュール及びその製造方法に関する。

特開２０１１−１９９１１８号公報（特許文献１）は、配線基板と、導電性接合部材を用いて配線基板上に載置された電子部品と、電子部品を封止する封止部材とを備える半導体装置を開示している。配線基板は、絶縁基板と、絶縁基板上の配線パターンと、ソルダレジスト樹脂で形成されたレジスト部とを含んでいる。レジスト部は、配線基板の端部に設けられている。配線基板の端部では、封止部材はレジスト部に接触している。

特開２０１１−１９９１１８号公報

しかしながら、封止部材とレジスト部との間の密着強度は低い。半導体装置が様々な温度を有する環境において使用されると、配線基板の熱膨張係数と封止部材の熱膨張係数との差に起因して、配線基板の端部から封止部材が配線基板から剥離する。封止部材が配線基板から剥離すると、封止部材が配線基板を拘束することができなくなる。電子部品の熱膨張係数と配線基板の熱膨張係数との差に起因する応力が導電性接合部材に加わり、導電性接合部材が破壊される。そのため、特許文献１に開示された半導体装置は、低い信頼性を有している。

本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、高い信頼性を有する電子回路モジュール及びその製造方法を提供することである。

本発明の電子回路モジュールは、第１主面と第１主面とは反対側の第２主面とを有する絶縁基材と、第１主面上に設けられた第１配線と、第１配線の一部を覆う第１ソルダレジスト層とを含む回路基板と、第１の導電性接合部材を用いて第１配線に接続される第１の電子部品と、第１の電子部品を封止する封止部材とを備える。第１主面の平面視における封止部材が回路基板に接触する領域の周縁部では、絶縁基材及び第１配線は第１ソルダレジスト層から露出している。周縁部において、封止部材は絶縁基材及び第１配線の少なくとも１つに接触している。

本発明の電子回路モジュールの製造方法は、第１主面と第１主面とは反対側の第２主面とを有する絶縁基材と、第１主面上に設けられた第１配線と、第１配線の一部を覆う第１ソルダレジスト層とを含む回路基板を準備することを備える。本実施の形態の電子回路モジュールの製造方法は、第１の導電性接合部材を用いて第１の電子部品を第１配線に接続することと、第１の電子部品を封止する封止部材を形成することをさらに備える。第１主面の平面視における封止部材が回路基板に接触する領域の周縁部では、絶縁基材及び第１配線は第１ソルダレジスト層から露出している。周縁部において、封止部材は絶縁基材及び第１配線の少なくとも１つに接触している。

本発明の電子回路モジュールでは、絶縁基材及び第１配線が第１ソルダレジスト層から露出する周縁部において、封止部材は絶縁基材及び第１配線の少なくとも１つに接触している。周縁部において、封止部材は、第１ソルダレジスト層に接触していない。電子回路モジュールが様々な温度を有する環境において使用されても、封止部材は、周縁部において回路基板または絶縁基材から剥離することなく、回路基板または絶縁基材を拘束し続ける。そのため、第１の導電性接合部材が破壊されることが防止される。本発明の電子回路モジュールによれば、高い信頼性を有する電子回路モジュールが提供され得る。

本発明の電子回路モジュールの製造方法では、絶縁基材及び第１配線が第１ソルダレジスト層から露出する周縁部において、封止部材は絶縁基材及び第１配線の少なくとも１つに接触している。周縁部において、封止部材は、第１ソルダレジスト層に接触していない。電子回路モジュールが様々な温度を有する環境において使用されても、封止部材は、周縁部において回路基板または絶縁基材から剥離することなく、回路基板または絶縁基材を拘束し続ける。そのため、第１の導電性接合部材が破壊されることが防止される。本発明の電子回路モジュールの製造方法によれば、高い信頼性を有する電子回路モジュールが製造され得る。

本発明の実施の形態１に係る電子回路モジュールの概略断面図である。 本発明の実施の形態１に係る電子回路モジュールの概略平面図である。 本発明の実施の形態１の変形例に係る電子回路モジュールの概略平面図である。 本発明の実施の形態１に係る電子回路モジュールの製造方法を表すフローチャートを示す図である。 本発明の実施の形態２に係る電子回路モジュールの概略断面図である。 本発明の実施の形態２に係る電子回路モジュールの概略平面図である。 本発明の実施の形態２の変形例に係る電子回路モジュールの概略平面図である。 本発明の実施の形態２に係る電子回路モジュールの、図６及び図７に示される断面線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩにおける概略部分拡大断面図である。 本発明の実施の形態３に係る電子回路モジュールの概略断面図である。 本発明の実施の形態３に係る電子回路モジュールの概略平面図である。 本発明の実施の形態３に係る電子回路モジュールの、図１０に示される断面線ＸＩ−ＸＩにおける概略部分拡大断面図である。 本発明の実施の形態４に係る電子回路モジュールの概略断面図である。 本発明の実施の形態５に係る電子回路モジュールの概略断面図である。

以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、同一の構成には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。

実施の形態１．
図１から図３を参照して、実施の形態１に係る電子回路モジュール１を説明する。本実施の形態の電子回路モジュール１は、回路基板６と、第１の電子部品２０と、封止部材４０とを備える。本実施の形態の電子回路モジュール１は、第２の電子部品２２と、第１リード３０とをさらに備えてもよい。本実施の形態の電子回路モジュール１は、例えば、車載用の電子回路モジュールであってもよい。

回路基板６は、第１主面１１と第１主面１１とは反対側の第２主面１２とを有する絶縁基材１０と、第１主面１１上に設けられた第１配線１６と、第１ソルダレジスト層２５とを含む。絶縁基材１０は、特に限定されないが、例えば、ＦＲ−４若しくはＣＥＭ−３のようなガラスエポキシ基材であってもよいし、紙フェノール基材であってもよい。第１配線１６は、例えば、銅、金、アルミニウム、または銅−錫合金、銅−亜鉛合金若しくは銅−鉄合金のような銅基合金で構成されてもよい。

第１ソルダレジスト層２５は、第１配線１６の一部を覆う。第１配線１６の端部は、第１ソルダレジスト層２５から露出している。第１ソルダレジスト層２５は、特に限定されないが、エポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂のような絶縁樹脂材料で構成されてもよい。第１ソルダレジスト層２５は、第１主面１１に導電性異物が付着することを防止する。

第１主面１１の平面視における封止部材４０が回路基板６に接触する領域の周縁部７では、絶縁基材１０及び第１配線１６は第１ソルダレジスト層２５から露出している。周縁部７は、第１の電子部品２０が載置される回路基板６の第１中央部を囲むように延在している。第１ソルダレジスト層２５の外周は、例えば、回路基板６の外周から０．５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下の距離ｄだけ回路基板６の第１中央部に向けて後退してもよい。回路基板６が第２主面１２上に第２ソルダレジスト層２７を含まない場合には、周縁部７は、第１ソルダレジスト層２５と第１主面１１の平面視における回路基板６の外周との間の回路基板６の表面である。

図２及び図３を参照して、第１主面１１の平面視において、第１ソルダレジスト層２５は面取りされた角部２６を有してもよい。図２に示されるように、第１ソルダレジスト層２５は、丸く面取りされた角部２６を有してもよい。第１ソルダレジスト層２５は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の曲率半径ｒを有する角部２６を有してもよい。図３に示されるように、第１ソルダレジスト層２５は、直線的に面取りされた角部２６を有してもよい。

回路基板６は、第２主面１２上に設けられた第２配線１７と、第２ソルダレジスト層２７とをさらに含んでもよい。回路基板６は、第１配線１６と第２配線１７とを接続する導電ビア１８をさらに備えてもよい。第２配線１７及び導電ビア１８は、例えば、銅、金、アルミニウム、または銅−錫合金、銅−亜鉛合金若しくは銅−鉄合金のような銅基合金で構成されてもよい。

第２ソルダレジスト層２７は、第２配線１７の一部を覆う。第２配線１７の端部は、第２ソルダレジスト層２７から露出している。第２ソルダレジスト層２７は、特に限定されないが、エポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂のような絶縁樹脂材料で構成されてもよい。第２ソルダレジスト層２７は、第２主面１２に導電性異物が付着することを防止する。

周縁部７において、絶縁基材１０及び第２配線１７は第２ソルダレジスト層２７から露出してもよい。周縁部７は、第２の電子部品２２が載置される回路基板６の第２中央部を囲むように延在している。第２ソルダレジスト層２７の外周は、例えば、回路基板６の外周から０．５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下の距離だけ回路基板６の第２中央部に向けて後退してもよい。回路基板６が第２主面１２上に第２ソルダレジスト層２７を含む場合、周縁部７は、第１ソルダレジスト層２５と第２ソルダレジスト層２７との間の回路基板６の表面である。回路基板６が第２主面１２上に第２ソルダレジスト層２７を含む場合、周縁部７は、第２主面１２の平面視における封止部材４０が回路基板６に接触する領域の周縁部を含む。

第２主面１２の平面視において、第２ソルダレジスト層２７は面取りされた角部（図示せず）を有してもよい。第２ソルダレジスト層２７は、丸く面取りされた角部を有してもよい。第２ソルダレジスト層２７は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の曲率半径を有する角部を有してもよい。第２ソルダレジスト層２７は、直線的に面取りされた角部を有してもよい。

第１の電子部品２０及び第２の電子部品２２は、特に限定されないが、積層コンデンサ、積層インダクタ、積層バリスタ、積層圧電素子、積層アクチュエータ、積層サーミスタ、積層コイルまたは積層ＬＣフィルタのような、セラミック製の電子部品であってもよい。第１の電子部品２０は、第１の導電性接合部材２１を用いて第１配線１６に接続される。第１の電子部品２０は、第１主面１１上に載置される。第２の電子部品２２は、第２の導電性接合部材２３を用いて第２配線１７に接続される。第２の電子部品２２は、第２主面１２上に載置される。第１の電子部品２０及び第２の電子部品２２は、絶縁基材１０よりも小さな熱膨張係数を有してもよい。第１の導電性接合部材２１及び第２の導電性接合部材２３は、特に限定されないが、はんだ、導電性接着剤または金属微粒子焼結体によって形成された導電性接合部材であってもよい。

第１リード３０は、第１配線１６に接続される。具体的には、第１リード３０の一方の端部は、はんだのような導電接合部材（図示せず）を用いて、第１配線１６に接続される。第１リード３０の他方の端部は、封止部材４０から露出している。第１リード３０は、特に限定されないが、銅、鉄−ニッケル合金、ニッケル、白金または銅−錫合金、銅−亜鉛合金若しくは銅−鉄合金のような銅基合金で構成されてもよい。

本実施の形態の電子回路モジュール１は、特に限定されないが、パワーモジュール（図示せず）に接続されてもよい。具体的には、パワーモジュールの第２リード３１は、電子回路モジュール１の第１リード３０に接続される。具体的には、第２リード３１の一方の端部は、溶接部またははんだ接合部のような導電性接合部３３において、第１リード３０の他方の端部に接続される。

封止部材４０は、第１の電子部品２０を封止する。封止部材４０は、第２の電子部品２２をさらに封止してもよい。封止部材４０は、回路基板６または絶縁基材１０を拘束する。封止部材４０は、絶縁基材１０の第１主面１１を拘束する。封止部材４０は、絶縁基材１０の第２主面１２をさらに拘束してもよい。回路基板６は、封止部材４０の中に埋め込まれてもよい。封止部材４０は、絶縁基材１０よりも小さな熱膨張係数を有してもよい。封止部材４０の熱膨張係数は、絶縁基材１０の熱膨張係数よりも小さく、かつ、第１の電子部品２０の熱膨張係数よりも大きくてもよい。封止部材４０の熱膨張係数は、絶縁基材１０の熱膨張係数よりも小さく、かつ、第２の電子部品２２の熱膨張係数よりも大きくてもよい。封止部材４０は、特に限定されないが、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂またはシリコーン樹脂のような樹脂材料で構成されてもよい。

周縁部７において、封止部材４０は、絶縁基材１０及び第１配線１６の少なくとも１つに接触している。本実施の形態では、周縁部７において、封止部材４０は、絶縁基材１０及び第１配線１６に接触している。周縁部７において、封止部材４０は、第１ソルダレジスト層２５に接触していない。封止部材４０と絶縁基材１０との間の第１の密着強度、及び、封止部材４０と第１配線１６との間の第２の密着強度は、各々、封止部材４０と第１ソルダレジスト層２５と間の第３の密着強度よりも高い。封止部材４０と第１配線１６との間の第２の密着強度は、封止部材４０と絶縁基材１０との間の第１の密着強度よりも高くてもよい。

周縁部７において、封止部材４０は、絶縁基材１０及び第２配線１７の少なくとも１つに接触してもよい。本実施の形態では、周縁部７において、封止部材４０は、絶縁基材１０及び第２配線１７に接触している。周縁部７において、封止部材４０は、第２ソルダレジスト層２７に接触していない。封止部材４０と絶縁基材１０との間の第１の密着強度、及び、封止部材４０と第２配線１７との間の第４の密着強度は、各々、封止部材４０と第２ソルダレジスト層２７と間の第５の密着強度よりも高い。封止部材４０と第２配線１７との間の第４の密着強度は、封止部材４０と絶縁基材１０との間の第１の密着強度よりも高くてもよい。

図４を参照して、本実施の形態に係る電子回路モジュール１の製造方法を説明する。
本実施の形態に係る電子回路モジュール１の製造方法は、第１主面１１と第１主面１１とは反対側の第２主面１２とを有する絶縁基材１０と、第１主面１１上に設けられた第１配線１６と、第１配線１６の一部を覆う第１ソルダレジスト層２５とを含む回路基板６を準備すること（Ｓ１）を備える。第１主面１１の平面視において、第１ソルダレジスト層２５は面取りされた角部２６を有してもよい。回路基板６は、第２主面１２上に設けられた第２配線１７と、第２配線１７の一部を覆う第２ソルダレジスト層２７とをさらに含んでもよい。

本実施の形態の電子回路モジュール１の製造方法は、第１の導電性接合部材２１を用いて第１の電子部品２０を第１配線１６に接続すること（Ｓ２）を備える。本実施の形態の電子回路モジュール１の製造方法は、第２の導電性接合部材２３を用いて第２の電子部品２２を第２配線１７に接続すること（Ｓ３）を備えてもよい。本実施の形態の電子回路モジュール１の製造方法は、第１リード３０を第１配線１６に接続すること（Ｓ４）を備えてもよい。

本実施の形態の電子回路モジュール１の製造方法は、封止部材４０を形成すること（Ｓ５）を備える。封止部材４０は、第１の電子部品２０を封止する。封止部材４０は、特に限定されないが、トランスファーモールド法によって形成されてもよい。第１主面１１の平面視における封止部材４０が回路基板６に接触する領域の周縁部７では、封止部材４０は絶縁基材１０及び第１配線１６の少なくとも１つに接触している。周縁部７において、封止部材４０は、第１ソルダレジスト層２５に接触していない。封止部材４０を形成すること（Ｓ５）は、封止部材４０により第２の電子部品２２を封止することを含んでもよい。周縁部７において、封止部材４０は絶縁基材１０及び第２配線１７の少なくとも１つに接触している。周縁部７において、封止部材４０は、第２ソルダレジスト層２７に接触していない。封止部材４０を形成すること（Ｓ５）は、回路基板６を封止部材４０で埋め込むことを含んでもよい。

本実施の形態の電子回路モジュール１及びその製造方法の効果を説明する。
本実施の形態の電子回路モジュール１は、第１主面１１と第１主面１１とは反対側の第２主面１２とを有する絶縁基材１０と、第１主面１１上に設けられた第１配線１６と、第１配線１６の一部を覆う第１ソルダレジスト層２５とを含む回路基板６と、第１の導電性接合部材２１を用いて第１配線１６に接続される第１の電子部品２０と、第１の電子部品２０を封止する封止部材４０とを備える。第１主面１１の平面視における封止部材４０が回路基板６に接触する領域の周縁部７では、絶縁基材１０及び第１配線１６は第１ソルダレジスト層２５から露出している。周縁部７において、封止部材４０は絶縁基材１０及び第１配線１６の少なくとも１つに接触している。

本実施の形態の電子回路モジュール１では、絶縁基材１０及び第１配線１６が第１ソルダレジスト層２５から露出する周縁部７において、封止部材４０は絶縁基材１０及び第１配線１６の少なくとも１つに接触している。周縁部７において、封止部材４０は、第１ソルダレジスト層２５に接触していない。封止部材４０と絶縁基材１０との間の第１の密着強度、及び、封止部材４０と第１配線１６との間の第２の密着強度は、各々、封止部材４０と第１ソルダレジスト層２５と間の第３の密着強度よりも高い。電子回路モジュール１が様々な温度を有する環境において使用されても、封止部材４０は、周縁部７において回路基板６または絶縁基材１０の第１主面１１から剥離することなく、回路基板６または絶縁基材１０の第１主面１１を拘束し続ける。そのため、第１の導電性接合部材２１が破壊されることが防止され得る。本実施の形態の電子回路モジュール１によれば、高い信頼性を有する電子回路モジュール１が提供され得る。

本実施の形態の電子回路モジュール１において、回路基板６は、封止部材４０の中に埋め込まれてもよい。封止部材４０は、回路基板６全体または絶縁基材１０全体を拘束する。そのため、電子回路モジュール１が様々な温度を有する環境において使用されても、第１の導電性接合部材２１が破壊されることが防止され得る。本実施の形態の電子回路モジュール１によれば、高い信頼性を有する電子回路モジュール１が提供され得る。

本実施の形態の電子回路モジュール１は、封止部材４０によって封止される第２の電子部品２２をさらに備える。本実施の形態の電子回路モジュール１において、回路基板６は、第２主面１２上に設けられた第２配線１７と、第２配線１７の一部を覆う第２ソルダレジスト層２７とを含んでもよい。第２の電子部品２２は、第２の導電性接合部材２３を用いて第２配線１７に接続されてもよい。周縁部７において、絶縁基材１０及び第２配線１７は第２ソルダレジスト層２７から露出してもよい。周縁部７において、封止部材４０は絶縁基材１０及び第２配線１７の少なくとも１つに接触してもよい。

本実施の形態の電子回路モジュール１では、絶縁基材１０及び第２配線１７が第２ソルダレジスト層２７から露出する周縁部７において、封止部材４０は絶縁基材１０及び第２配線１７の少なくとも１つに接触している。周縁部７において、封止部材４０は、第２ソルダレジスト層２７に接触していない。封止部材４０と絶縁基材１０との間の第１の密着強度、及び、封止部材４０と第２配線１７との間の第４の密着強度は、各々、封止部材４０と第２ソルダレジスト層２７と間の第５の密着強度よりも高い。電子回路モジュール１が様々な温度を有する環境において使用されても、封止部材４０は、周縁部７において回路基板６または絶縁基材１０の第２主面１２から剥離することなく、回路基板６または絶縁基材１０の第２主面１２を拘束し続ける。そのため、第２の導電性接合部材２３が破壊されることが防止され得る。本実施の形態の電子回路モジュール１によれば、高い信頼性を有する電子回路モジュール１が提供され得る。

本実施の形態の電子回路モジュール１では、第１主面１１の平面視において、第１ソルダレジスト層２５は面取りされた角部２６を有してもよい。第１ソルダレジスト層２５は面取りされた角部２６を有するため、封止部材４０の熱膨張係数と絶縁基材１０の熱膨張係数との間の差に起因して第１ソルダレジスト層２５の角部２６に印加される応力が緩和される。封止部材４０は、周縁部７において回路基板６または絶縁基材１０の第１主面１１から剥離することなく、回路基板６または絶縁基材１０の第１主面１１を拘束し続ける。そのため、第１の導電性接合部材２１が破壊されることが防止され得る。本実施の形態の電子回路モジュール１によれば、高い信頼性を有する電子回路モジュール１が提供され得る。

本実施の形態の電子回路モジュール１において、封止部材４０は、絶縁基材１０よりも小さな熱膨張係数を有してもよい。封止部材４０は、回路基板６または絶縁基材１０の第１主面１１を拘束し続ける。そのため、電子回路モジュール１が様々な温度を有する環境において使用されても、第１の導電性接合部材２１が破壊されることが防止され得る。本実施の形態の電子回路モジュール１によれば、高い信頼性を有する電子回路モジュール１が提供され得る。

本実施の形態の電子回路モジュール１の製造方法は、第１主面１１と第１主面１１とは反対側の第２主面１２とを有する絶縁基材１０と、第１主面１１上に設けられた第１配線１６と、第１配線１６の一部を覆う第１ソルダレジスト層２５とを含む回路基板６を準備することを備える。本実施の形態の電子回路モジュール１の製造方法は、第１の導電性接合部材２１を用いて第１の電子部品２０を第１配線１６に接続することと、第１の電子部品２０を封止する封止部材４０を形成することをさらに備える。第１主面１１の平面視における封止部材４０が回路基板６に接触する領域の周縁部７では、絶縁基材１０及び第１配線１６は第１ソルダレジスト層２５から露出している。周縁部７において、封止部材４０は絶縁基材１０及び第１配線１６の少なくとも１つに接触している。

本実施の形態の電子回路モジュール１の製造方法では、絶縁基材１０及び第１配線１６は第１ソルダレジスト層２５から露出する周縁部７において、封止部材４０は絶縁基材１０及び第１配線１６の少なくとも１つに接触している。周縁部７において、封止部材４０は、第１ソルダレジスト層２５に接触していない。封止部材４０と絶縁基材１０との間の第１の密着強度、及び、封止部材４０と第１配線１６との間の第２の密着強度は、各々、封止部材４０と第１ソルダレジスト層２５と間の第３の密着強度よりも高い。電子回路モジュール１が様々な温度を有する環境において使用されても、封止部材４０は、周縁部７において回路基板６または絶縁基材１０の第１主面１１から剥離することなく、回路基板６または絶縁基材１０の第１主面１１を拘束し続ける。そのため、第１の導電性接合部材２１が破壊されることが防止され得る。本実施の形態の電子回路モジュール１の製造方法によれば、高い信頼性を有する電子回路モジュール１が製造され得る。

本実施の形態の電子回路モジュール１の製造方法において、封止部材４０を形成することは、回路基板６を封止部材４０で埋め込むことを含んでもよい。封止部材４０は、回路基板６全体または絶縁基材１０全体を拘束する。そのため、電子回路モジュール１が様々な温度を有する環境において使用されても、第１の導電性接合部材２１が破壊されることが防止され得る。本実施の形態の電子回路モジュール１の製造方法によれば、高い信頼性を有する電子回路モジュール１が製造され得る。

本実施の形態の電子回路モジュール１の製造方法では、第１主面１１の平面視において、第１ソルダレジスト層２５は面取りされた角部２６を有してもよい。第１ソルダレジスト層２５は面取りされた角部２６を有するため、封止部材４０の熱膨張係数と絶縁基材１０の熱膨張係数との間の差に起因して第１ソルダレジスト層２５の角部２６に印加される応力が緩和される。封止部材４０は、周縁部７において回路基板６または絶縁基材１０の第１主面１１から剥離することなく、回路基板６または絶縁基材１０の第１主面１１を拘束し続ける。そのため、第１の導電性接合部材２１が破壊されることが防止され得る。本実施の形態の電子回路モジュール１の製造方法によれば、高い信頼性を有する電子回路モジュール１が製造され得る。

実施の形態２．
図５から図８を参照して、実施の形態２に係る電子回路モジュール２を説明する。本実施の形態の電子回路モジュール２は、実施の形態１の電子回路モジュール１と同様の構成を備えるが、主に以下の点で異なる。

本実施の形態に係る電子回路モジュール２では、絶縁基材１０は、第１主面１１と第２主面１２とを接続する少なくとも１つの貫通孔１３を有している。少なくとも１つの貫通孔１３は、周縁部７に設けられてもよい。少なくとも１つの貫通孔１３は、第１主面１１の角部及び第２主面１２の角部であってもよい。少なくとも１つの貫通孔１３は、封止部材４０で充填されている。

図６及び図７に示されるように、少なくとも１つの貫通孔１３は、複数の貫通孔１３であってもよい。図７に示されるように、複数の貫通孔１３は、０．５ｍｍ以上２．５４ｍｍ以下のピッチｐで、絶縁基材１０に形成されてもよい。複数の貫通孔１３を０．５ｍｍ以上のピッチｐで形成することによって、複数の貫通孔１３の数の増加が抑制され、そのため、電子回路モジュール２の製造コストの上昇が抑制され得る。複数の貫通孔１３を２．５４ｍｍ以下のピッチｐで形成することによって、電子回路モジュール２は小型化され得る。少なくとも１つの貫通孔１３は、特に限定されないが、円形、楕円形または三角形若しくは四角形のような多角形であってもよい。

本実施の形態に係る電子回路モジュール２の製造方法を説明する。本実施の形態の電子回路モジュール２の製造方法は、実施の形態１の電子回路モジュール１の製造方法と同様の工程を備えるが、主に以下の点で異なる。本実施の形態の電子回路モジュール２の製造方法では、絶縁基材１０は、第１主面１１と第２主面１２とを接続する少なくとも１つの貫通孔１３を有する。封止部材４０を形成することは、少なくとも１つの貫通孔１３を封止部材４０で充填することを含む。

本実施の形態の電子回路モジュール２及びその製造方法の効果は、実施の形態１の電子回路モジュール１及びその製造方法の効果に加えて、以下の効果を奏する。

本実施の形態の電子回路モジュール２では、絶縁基材１０は、第１主面１１と第２主面１２とを接続する少なくとも１つの貫通孔１３を有している。少なくとも１つの貫通孔１３は、封止部材４０で充填されている。そのため、封止部材４０と絶縁基材１０との間の接触面積が増加する。少なくとも１つの貫通孔１３に充填された封止部材４０は、絶縁基材１０に対する封止部材４０のアンカーとして機能し得る。電子回路モジュール２が様々な温度を有する環境において使用されても、封止部材４０は、周縁部７において回路基板６または絶縁基材１０の第１主面１１から剥離することなく、回路基板６または絶縁基材１０の第１主面１１を拘束し続ける。そのため、第１の導電性接合部材２１が破壊されることが防止され得る。本実施の形態の電子回路モジュール２によれば、高い信頼性を有する電子回路モジュール２が提供され得る。

本実施の形態の電子回路モジュール２の製造方法では、絶縁基材１０は、第１主面１１と第２主面１２とを接続する少なくとも１つの貫通孔１３を有する。封止部材４０を形成することは、少なくとも１つの貫通孔１３を封止部材４０で充填することを含む。そのため、封止部材４０と絶縁基材１０との間の接触面積が増加する。少なくとも１つの貫通孔１３に充填された封止部材４０は、絶縁基材１０に対する封止部材４０のアンカーとして機能し得る。電子回路モジュール２が様々な温度を有する環境において使用されても、封止部材４０は、周縁部７において回路基板６または絶縁基材１０の第１主面１１から剥離することなく、回路基板６または絶縁基材１０の第１主面１１を拘束し続ける。そのため、第１の導電性接合部材２１が破壊されることが防止され得る。本実施の形態の電子回路モジュール２の製造方法によれば、高い信頼性を有する電子回路モジュール２が製造され得る。

実施の形態３．
図９から図１１を参照して、実施の形態３に係る電子回路モジュール３及びその製造方法を説明する。本実施の形態の電子回路モジュール３は実施の形態１の電子回路モジュール１と同様の構成を備え、本実施の形態の電子回路モジュール３の製造方法は実施の形態１の電子回路モジュール１の製造方法と同様の工程を備えるが、主に以下の点で異なる。

本実施の形態の電子回路モジュール３及びその製造方法では、回路基板６は、周縁部７に金属層１９をさらに含む。金属層１９は第１配線１６から電気的に分離されている。金属層１９は、銅、金、アルミニウム、または銅−錫合金、銅−亜鉛合金若しくは銅−鉄合金のような銅基合金で構成されてもよい。金属層１９は、第１配線１６と同じ材料で構成されてもよい。

周縁部７において、絶縁基材１０、金属層１９及び第１配線１６は第１ソルダレジスト層２５から露出している。周縁部７において、封止部材４０は、絶縁基材１０、第１配線１６及び金属層１９に接触している。周縁部７において、封止部材４０は、第１ソルダレジスト層２５に接触していない。封止部材４０と金属層１９との間の第６の密着強度は、封止部材４０と絶縁基材１０との間の第１の密着強度、及び、封止部材４０と第１ソルダレジスト層２５と間の第３の密着強度よりも大きい。

本実施の形態に係る電子回路モジュール３の製造方法において、回路基板６を準備することは、第１配線１６と金属層１９とを同一工程でパターニングすることを含んでもよい。第１配線１６と金属層１９とは、第１主面１１上の導電層をエッチングするという一工程で形成されてもよい。

本実施の形態の電子回路モジュール３及びその製造方法の効果は、実施の形態１の電子回路モジュール１及びその製造方法の効果に加えて、以下の効果を奏する。

本実施の形態の電子回路モジュール３では、回路基板６は、周縁部７に金属層１９をさらに含む。金属層１９は第１配線１６から電気的に分離される。周縁部７において、絶縁基材１０、金属層１９及び第１配線１６は第１ソルダレジスト層２５から露出している。周縁部７において、封止部材４０は、絶縁基材１０、第１配線１６及び金属層１９に接触している。

本実施の形態の電子回路モジュール３では、絶縁基材１０、第１配線１６及び金属層１９が第１ソルダレジスト層２５から露出する周縁部７において、封止部材４０は絶縁基材１０、第１配線１６及び金属層１９の少なくとも１つに接触している。周縁部７において、封止部材４０は、第１ソルダレジスト層２５に接触していない。封止部材４０と金属層１９との間の第６の密着強度は、封止部材４０と絶縁基材１０との間の第１の密着強度、及び、封止部材４０と第１ソルダレジスト層２５と間の第３の密着強度よりも大きい。電子回路モジュール３が様々な温度を有する環境において使用されても、封止部材４０は、周縁部７において回路基板６または絶縁基材１０の第１主面１１から剥離することなく、回路基板６または絶縁基材１０の第１主面１１を拘束し続ける。そのため、第１の導電性接合部材２１が破壊されることが防止され得る。本実施の形態の電子回路モジュール３によれば、高い信頼性を有する電子回路モジュール３が提供され得る。

本実施の形態の電子回路モジュール３では、回路基板６は、周縁部７に金属層１９をさらに含む。第１の電子部品２０において発生した熱は、金属層１９を通して、電子回路モジュール３の外部に放散され得る。本実施の形態の電子回路モジュール３は、優れた放熱特性を有する。

本実施の形態の電子回路モジュール３の製造方法では、回路基板６は、周縁部７に金属層１９をさらに含む。金属層１９は第１配線１６から電気的に分離される。周縁部７において、絶縁基材１０、金属層１９及び第１配線１６は第１ソルダレジスト層２５から露出している。周縁部７において、封止部材４０は、絶縁基材１０、第１配線１６及び金属層１９に接触している。

本実施の形態の電子回路モジュール３の製造方法では、絶縁基材１０、第１配線１６及び金属層１９が第１ソルダレジスト層２５から露出する周縁部７において、封止部材４０は絶縁基材１０、第１配線１６及び金属層１９の少なくとも１つに接触している。周縁部７において、封止部材４０は、第１ソルダレジスト層２５に接触していない。封止部材４０と金属層１９との間の第６の密着強度は、封止部材４０と絶縁基材１０との間の第１の密着強度、及び、封止部材４０と第１ソルダレジスト層２５と間の第３の密着強度よりも大きい。電子回路モジュール３が様々な温度を有する環境において使用されても、封止部材４０は、周縁部７において回路基板６または絶縁基材１０の第１主面１１から剥離することなく、回路基板６または絶縁基材１０の第１主面１１を拘束し続ける。そのため、第１の導電性接合部材２１が破壊されることが防止され得る。本実施の形態の電子回路モジュール３によれば、高い信頼性を有する電子回路モジュール３が提供され得る。

本実施の形態の電子回路モジュール３の製造方法では、回路基板６は、周縁部７に金属層１９をさらに含む。第１の電子部品２０において発生した熱は、金属層１９を通して、電子回路モジュール３の外部に放散され得る。本実施の形態の電子回路モジュール３の製造方法によれば、優れた放熱特性を有する電子回路モジュール３が製造され得る。

実施の形態４．
図１２を参照して、実施の形態４に係る電子回路モジュール４を説明する。本実施の形態の電子回路モジュール４は、実施の形態１の電子回路モジュール１と同様の構成を備えるが、主に以下の点で異なる。

本実施の形態に係る電子回路モジュール４では、絶縁基材１０は可撓性を有してもよい。電子回路モジュール４は、リードフレーム５０をさらに備える。リードフレーム５０は、絶縁基材１０を支持する。リードフレーム５０は、絶縁基材１０の第２主面１２に接合される。リードフレーム５０の一部は、封止部材４０から露出している。具体的には、回路基板６に面するリードフレーム５０の第３主面５３とは反対側のリードフレーム５０の第４主面５４は、封止部材４０から露出している。リードフレーム５０は、銅、鉄−ニッケル合金、ニッケル、白金または銅−錫合金、銅−亜鉛合金若しくは銅−鉄合金のような銅基合金で構成されてもよい。第１リード３０は、導電ワイヤ３５を介して第１配線１６に接続されてもよい。本実施の形態に係る電子回路モジュール４では、第２の電子部品２２、第２配線１７、導電ビア１８、第２の導電性接合部材２３及び第２ソルダレジスト層２７が省略されている。

本実施の形態に係る電子回路モジュール４の製造方法を説明する。本実施の形態の電子回路モジュール４の製造方法は、実施の形態１の電子回路モジュール１の製造方法と同様の工程を備えるが、主に以下の点で異なる。

本実施の形態の電子回路モジュール４の製造方法は、絶縁基材１０の第２主面１２をリードフレーム５０に接合することをさらに備える。絶縁基材１０は可撓性を有する。封止部材４０を形成することは、リードフレーム５０の一部が封止部材４０から露出するように封止部材４０を形成することを含む。本実施の形態の電子回路モジュール４の製造方法において、第１リード３０を第１配線１６に接続することは、導電ワイヤ３５を介して第１リード３０を第１配線１６に接続することであってもよい。本実施の形態の電子回路モジュール４の製造方法では、第２配線１７、導電ビア１８、第２の電子部品２２、第２の導電性接合部材２３及び第２ソルダレジスト層２７を形成することが省略されている。例えば、本実施の形態に係る電子回路モジュール４の製造方法は、第２の電子部品２２を第２配線１７に接続すること（Ｓ３）を備えていない。

本実施の形態の電子回路モジュール４及びその製造方法の効果は、実施の形態１の電子回路モジュール１及びその製造方法の効果に加えて、以下の効果を奏する。

本実施の形態の電子回路モジュール４は、第２主面１２に接合されるリードフレーム５０をさらに備える。絶縁基材１０は可撓性を有する。そのため、可撓性を有する絶縁基材１０は、リードフレーム５０によって機械的に補強され得る。さらに、第１の電子部品２０において発生した熱は、リードフレーム５０を通して、電子回路モジュール４の外部に放散され得る。本実施の形態の電子回路モジュール４は、優れた放熱特性を有する。

本実施の形態の電子回路モジュール４は、第２主面１２に接合されるリードフレーム５０をさらに備える。リードフレーム５０の一部は、封止部材４０から露出している。そのため、第１の電子部品２０において発生した熱は、リードフレーム５０を通して、電子回路モジュール４の外部に放散され得る。本実施の形態の電子回路モジュール４は、優れた放熱特性を有する。

本実施の形態の電子回路モジュール４の製造方法は、第２主面１２をリードフレーム５０に接合することをさらに備える。絶縁基材１０は可撓性を有する。そのため、可撓性を有する絶縁基材１０は、リードフレーム５０によって機械的に補強され得る。さらに、第１の電子部品２０において発生した熱は、リードフレーム５０を通して、電子回路モジュール４の外部に放散され得る。本実施の形態の電子回路モジュール４の製造方法によれば、優れた放熱特性を有する電子回路モジュール４が製造され得る。

本実施の形態の電子回路モジュール４の製造方法は、絶縁基材１０をリードフレーム５０に接合することを備えている。封止部材４０を形成することは、リードフレーム５０の一部が封止部材４０から露出するように封止部材４０を形成することを含む。そのため、第１の電子部品２０において発生した熱は、リードフレーム５０を通して、電子回路モジュール４の外部に放散され得る。本実施の形態の電子回路モジュール４の製造方法によれば、優れた放熱特性を有する電子回路モジュール４が製造され得る。

実施の形態５．
図１３を参照して、実施の形態５に係る電子回路モジュール５を説明する。本実施の形態の電子回路モジュール５は、実施の形態１の電子回路モジュール１と同様の構成を備えるが、主に以下の点で異なる。

本実施の形態の電子回路モジュール５は、実施の形態１の電子回路モジュール１に含まれる第２配線１７、導電ビア１８、第２の電子部品２２、第２の導電性接合部材２３及び第２ソルダレジスト層２７が省略されている。さらに、封止部材４０は、絶縁基材１０の第１主面１１側にのみ設けられている。回路基板６は、封止部材４０の中に埋め込まれていない。

本実施の形態の電子回路モジュール５の製造方法は、実施の形態１の電子回路モジュール１の製造方法と同様の工程を備えるが、主に以下の点で異なる。本実施の形態の電子回路モジュール５の製造方法では、第２配線１７、導電ビア１８、第２の電子部品２２、第２の導電性接合部材２３及び第２ソルダレジスト層２７を形成することが省略されている。例えば、本実施の形態に係る電子回路モジュール５の製造方法は、第２の電子部品２２を第２配線１７に接続すること（Ｓ３）を備えていない。本実施の形態の電子回路モジュール５の製造方法では、封止部材４０を形成すること（Ｓ５）は、封止部材４０を絶縁基材１０の第１主面１１側にのみ設けることを含んでいる。

本実施の形態の電子回路モジュール５及びその製造方法は、実施の形態１の電子回路モジュール１及びその製造方法と、同様の効果を奏する。

今回開示された実施の形態１から実施の形態５はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。矛盾のない限り、今回開示された実施の形態１から実施の形態５の少なくとも２つを組み合わせてもよい。例えば、実施の形態４の電子回路モジュール４の絶縁基材１０に、実施の形態２の少なくとも１つの貫通孔１３が設けられてもよい。実施の形態４の電子回路モジュール４の絶縁基材１０に、実施の形態３の金属層１９が設けられてもよい。本発明の範囲は、上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。

１，２，３，４，５ 電子回路モジュール、６ 回路基板、７ 周縁部、１０ 絶縁基材、１１ 第１主面、１２ 第２主面、１３ 貫通孔、１６ 第１配線、１７ 第２配線、１８ 導電ビア、１９ 金属層、２０ 第１の電子部品、２１ 第１の導電性接合部材、２２ 第２の電子部品、２３ 第２の導電性接合部材、２５ 第１ソルダレジスト層、２６ 角部、２７ 第２ソルダレジスト層、３０ 第１リード、３１ 第２リード、３３ 導電性接合部、３５ 導電ワイヤ、４０ 封止部材、５０ リードフレーム、５３ 第３主面、５４ 第４主面。

Claims (16)

1. 第１主面と前記第１主面とは反対側の第２主面とを有する絶縁基材と、前記第１主面上に設けられた第１配線と、前記第１配線の一部を覆う第１ソルダレジスト層とを含む回路基板と、
   第１の導電性接合部材を用いて前記第１配線に接続される第１の電子部品と、
   前記第１の電子部品を封止する封止部材とを備え、
   前記第１主面の平面視における前記封止部材が前記回路基板に接触する領域の周縁部では、前記絶縁基材及び前記第１配線は前記第１ソルダレジスト層から露出しており、
   前記周縁部において、前記封止部材は前記絶縁基材及び前記第１配線の少なくとも１つに接触している、電子回路モジュール。
2. 前記回路基板は、前記封止部材の中に埋め込まれている、請求項１に記載の電子回路モジュール。
3. 前記封止部材によって封止される第２の電子部品をさらに備え、
   前記回路基板は、前記第２主面上に設けられた第２配線と、前記第２配線の一部を覆う第２ソルダレジスト層とを含み、
   前記第２の電子部品は第２の導電性接合部材を用いて前記第２配線に接続され、
   前記周縁部において、前記絶縁基材及び前記第２配線は前記第２ソルダレジスト層から露出しており、
   前記周縁部において、前記封止部材は前記絶縁基材及び前記第２配線の少なくとも１つに接触している、請求項１または請求項２に記載の電子回路モジュール。
4. 前記絶縁基材は、前記第１主面と前記第２主面とを接続する少なくとも１つの貫通孔を有し、
   前記少なくとも１つの貫通孔は、前記封止部材で充填されている、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電子回路モジュール。
5. 前記回路基板は前記周縁部に金属層をさらに含み、前記金属層は前記第１配線から電気的に分離され、
   前記周縁部において、前記絶縁基材、前記金属層及び前記第１配線は前記第１ソルダレジスト層から露出している、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電子回路モジュール。
6. 前記第２主面に接合されるリードフレームをさらに備え、
   前記絶縁基材は可撓性を有する、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の電子回路モジュール。
7. 前記第２主面に接合されるリードフレームをさらに備え、
   前記リードフレームの一部は、前記封止部材から露出している、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の電子回路モジュール。
8. 前記第１主面の前記平面視において、前記第１ソルダレジスト層は面取りされた角部を有する、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の電子回路モジュール。
9. 前記封止部材は、前記絶縁基材よりも小さな熱膨張係数を有する、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の電子回路モジュール。
10. 第１主面と前記第１主面とは反対側の第２主面とを有する絶縁基材と、前記第１主面上に設けられた第１配線と、前記第１配線の一部を覆う第１ソルダレジスト層とを含む回路基板を準備することと、
    第１の導電性接合部材を用いて第１の電子部品を前記第１配線に接続することと、
    前記第１の電子部品を封止する封止部材を形成することを備え、
    前記第１主面の平面視における前記封止部材が前記回路基板に接触する領域の周縁部では、前記絶縁基材及び前記第１配線は前記第１ソルダレジスト層から露出しており、
    前記周縁部において、前記封止部材は前記絶縁基材及び前記第１配線の少なくとも１つに接触している、電子回路モジュールの製造方法。
11. 前記封止部材を形成することは、前記回路基板を前記封止部材で埋め込むことを含む、請求項１０に記載の電子回路モジュールの製造方法。
12. 前記絶縁基材は、前記第１主面と前記第２主面とを接続する少なくとも１つの貫通孔を有し、
    前記封止部材を形成することは、前記少なくとも１つの貫通孔を前記封止部材で充填することを含む、請求項１０または請求項１１に記載の電子回路モジュールの製造方法。
13. 前記回路基板は前記周縁部に金属層をさらに含み、前記金属層は前記第１配線から電気的に分離され、
    前記周縁部において、前記絶縁基材、前記金属層及び前記第１配線は前記第１ソルダレジスト層から露出している、請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載の電子回路モジュールの製造方法。
14. 前記第２主面をリードフレームに接合することをさらに備え、
    前記絶縁基材は可撓性を有する、請求項１０から請求項１３のいずれか１項に記載の電子回路モジュールの製造方法。
15. 前記第２主面をリードフレームに接合することをさらに備え、
    前記封止部材を形成することは、前記リードフレームの一部が前記封止部材から露出するように前記封止部材を形成することを含む、請求項１０から請求項１３のいずれか１項に記載の電子回路モジュールの製造方法。
16. 前記第１主面の前記平面視において、前記第１ソルダレジスト層は面取りされた角部を有する、請求項１０から請求項１５のいずれか１項に記載の電子回路モジュールの製造方法。
    

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