JPH06334091A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH06334091A JPH06334091A JP12262793A JP12262793A JPH06334091A JP H06334091 A JPH06334091 A JP H06334091A JP 12262793 A JP12262793 A JP 12262793A JP 12262793 A JP12262793 A JP 12262793A JP H06334091 A JPH06334091 A JP H06334091A
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- lead frame
- semiconductor device
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Abstract
(57)【要約】
【目的】リードフレームのリードに放熱体を載置するこ
とにより高効率な放熱性を得ることの出来る半導体装置
を提供する。 【構成】半導体チップ１に金属細線４を介して半導体チ
ップ１の電極から外部端子への電気伝導の役割を果たし
ているリードフレームのリード５を固着する。また、固
着されたリードフレームのリード５に放熱体６を載しそ
の後これら各構成部品をモールド樹脂７で封止する。ま
た放熱体を半導体装置に内蔵あるいは半導体装置表面よ
り露出する。あるいは放熱体を半導体チップ側より露出
側の方が小さくなるような形状にする。あるいは放熱体
の表面に凹凸あるいは凹型にする。あるいはリードフレ
ームのリードの半導体チップとは反対側上部に載置され
た放熱体を金属細線が直接接続される部分より外側にま
で突出させる等。
とにより高効率な放熱性を得ることの出来る半導体装置
を提供する。 【構成】半導体チップ１に金属細線４を介して半導体チ
ップ１の電極から外部端子への電気伝導の役割を果たし
ているリードフレームのリード５を固着する。また、固
着されたリードフレームのリード５に放熱体６を載しそ
の後これら各構成部品をモールド樹脂７で封止する。ま
た放熱体を半導体装置に内蔵あるいは半導体装置表面よ
り露出する。あるいは放熱体を半導体チップ側より露出
側の方が小さくなるような形状にする。あるいは放熱体
の表面に凹凸あるいは凹型にする。あるいはリードフレ
ームのリードの半導体チップとは反対側上部に載置され
た放熱体を金属細線が直接接続される部分より外側にま
で突出させる等。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は, 半導体チップと前記半
導体チップの能動面にある電極から金属細線を介して前
記半導体チップの能動面に絶縁膜を介して固着されたリ
ードフレームのリードと前記半導体チップと前記金属細
線、リードフレームのリードを樹脂封止してなる半導体
装置において前記リードの前記半導体チップとは反対側
上部に放熱体を載置することを特徴とする半導体装置に
関する。
導体チップの能動面にある電極から金属細線を介して前
記半導体チップの能動面に絶縁膜を介して固着されたリ
ードフレームのリードと前記半導体チップと前記金属細
線、リードフレームのリードを樹脂封止してなる半導体
装置において前記リードの前記半導体チップとは反対側
上部に放熱体を載置することを特徴とする半導体装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の各構成部品がモールド樹脂で封止
される半導体装置の構造を図５において説明する。
される半導体装置の構造を図５において説明する。
【０００３】ポリイミドでウェーハコートされた半導体
チップ１３に低弾性率の接着剤層１４が両面に塗布して
あるポリイミド製フィルム１５を搭載する。 また、金
属細線１６を介して半導体チップ１３の能動面にある電
極から各部端子への電気伝導の役割を果たしているリー
ドフレームのリード１７を接着剤層１４が両面に塗布し
てあるポリイミド製フィルム１５に固着する。
チップ１３に低弾性率の接着剤層１４が両面に塗布して
あるポリイミド製フィルム１５を搭載する。 また、金
属細線１６を介して半導体チップ１３の能動面にある電
極から各部端子への電気伝導の役割を果たしているリー
ドフレームのリード１７を接着剤層１４が両面に塗布し
てあるポリイミド製フィルム１５に固着する。
【０００４】放熱経路としては、半導体チップ１３から
発生する熱がリードフレームのリード１７、基板、また
は半導体チップ１３からモールド樹脂１８、リードフレ
ームのリード１７、基板へと伝わり放散される。
発生する熱がリードフレームのリード１７、基板、また
は半導体チップ１３からモールド樹脂１８、リードフレ
ームのリード１７、基板へと伝わり放散される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した従来
の技術のようにリードフレームのリードから基板へ熱の
放散が主たる放熱経路でありモールド樹脂からは放熱が
少なく放熱効果が悪かった。そのために半導体装置の熱
抵抗を下げる、すなわち放熱性を上げるために、リード
フレームのリードに放熱体を載置したことを特徴とす
る。
の技術のようにリードフレームのリードから基板へ熱の
放散が主たる放熱経路でありモールド樹脂からは放熱が
少なく放熱効果が悪かった。そのために半導体装置の熱
抵抗を下げる、すなわち放熱性を上げるために、リード
フレームのリードに放熱体を載置したことを特徴とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため、次の手段をとることを特徴とする。
するため、次の手段をとることを特徴とする。
【０００７】手段１．半導体チップと半導体チップの能
動面にある電極から金属細線を介して、半導体チップの
能動面に絶縁膜を介して固着されたリードフレームのリ
ードと半導体チップと金属細線、リードフレームのリー
ドを樹脂封止してなる半導体装置において、リードフレ
ームのリードの半導体チップとは反対側上部に放熱体を
載置する。
動面にある電極から金属細線を介して、半導体チップの
能動面に絶縁膜を介して固着されたリードフレームのリ
ードと半導体チップと金属細線、リードフレームのリー
ドを樹脂封止してなる半導体装置において、リードフレ
ームのリードの半導体チップとは反対側上部に放熱体を
載置する。
【０００８】手段２．手段１の半導体装置において、リ
ードフレームのリードの半導体チップとは反対側上部に
載置された放熱体を半導体装置に内蔵する。
ードフレームのリードの半導体チップとは反対側上部に
載置された放熱体を半導体装置に内蔵する。
【０００９】手段３．手段１の半導体装置において、リ
ードフレームのリードの半導体チップとは反対側上部に
載置された放熱体を半導体装置表面より露出する。
ードフレームのリードの半導体チップとは反対側上部に
載置された放熱体を半導体装置表面より露出する。
【００１０】手段４．手段１、及び手段３の半導体装置
において、リードフレームのリードの半導体チップとは
反対側上部に載置された放熱体を半導体チップ側より露
出側の方が小さくなるような形状にする。
において、リードフレームのリードの半導体チップとは
反対側上部に載置された放熱体を半導体チップ側より露
出側の方が小さくなるような形状にする。
【００１１】手段５．手段１、及び手段３の半導体装置
において、リードフレームのリードの半導体チップとは
反対側上部に載置された放熱体の表面に凹凸を設ける。
において、リードフレームのリードの半導体チップとは
反対側上部に載置された放熱体の表面に凹凸を設ける。
【００１２】手段６．手段１、及び手段３の半導体装置
において、リードフレームのリードの半導体チップとは
反対側上部に載置された放熱体を凹型にする。
において、リードフレームのリードの半導体チップとは
反対側上部に載置された放熱体を凹型にする。
【００１３】手段７．手段１、及び手段３の半導体装置
において、リードフレームのリードの半導体チップとは
反対側上部に載置された放熱体を金属細線が直接接続さ
れる部分より外側にまで突出させる。
において、リードフレームのリードの半導体チップとは
反対側上部に載置された放熱体を金属細線が直接接続さ
れる部分より外側にまで突出させる。
【００１４】手段８．手段１、及び手段３の半導体装置
において、リードフレームのリードの半導体チップとは
反対側上部に載置された放熱体を少なくとも一つ設け
る。
において、リードフレームのリードの半導体チップとは
反対側上部に載置された放熱体を少なくとも一つ設け
る。
【００１５】
【実施例】以下、本発明について実施例に基づき詳細に
説明する。
説明する。
【００１６】図１は本発明の実施例を示す断面構造図で
ある。半導体装置内部の応力バランスの整合を図るため
にポリイミドでウェーハコートされた半導体チップ１に
低弾性率の接着剤層２が両面に塗布してあるポリイミド
製フィルム３を搭載する。ポリイミド製フィルム３付き
のリードフレームと半導体チップ１をチップ制御ステー
ジとボンディングツールによって加熱、加圧する。ポリ
イミド製フィルム３は薄いためにリードフレームは半導
体チップ１に直接接触しているのに近い状態になってい
る。また、金属細線４を介して半導体チップ１の能動面
にある金属被膜による電極から外部端子への電気伝導の
役割を果たしているリードフレームのリード５を接着剤
層２が両面に塗布してあるポリイミド製フィルム３に固
着する。固着されたリードフレームのリード５に半導体
チップ１の能動面にある金属被膜による電極と直接接続
されるリードフレームのリード５部分をさけるように接
着剤層２が両面に塗布してあるポリイミド製フィルム３
を介して放熱体６を載置する。その後これら各構成部品
をモールド樹脂７で封止する。その場合半導体チップ１
が直接モールド樹脂７と接着する構造となっている。熱
の放散経路という点では半導体チップ１から発生する熱
がリードフレームのリード５を介して基板へ、また放熱
体６を介して大気へと放散される。
ある。半導体装置内部の応力バランスの整合を図るため
にポリイミドでウェーハコートされた半導体チップ１に
低弾性率の接着剤層２が両面に塗布してあるポリイミド
製フィルム３を搭載する。ポリイミド製フィルム３付き
のリードフレームと半導体チップ１をチップ制御ステー
ジとボンディングツールによって加熱、加圧する。ポリ
イミド製フィルム３は薄いためにリードフレームは半導
体チップ１に直接接触しているのに近い状態になってい
る。また、金属細線４を介して半導体チップ１の能動面
にある金属被膜による電極から外部端子への電気伝導の
役割を果たしているリードフレームのリード５を接着剤
層２が両面に塗布してあるポリイミド製フィルム３に固
着する。固着されたリードフレームのリード５に半導体
チップ１の能動面にある金属被膜による電極と直接接続
されるリードフレームのリード５部分をさけるように接
着剤層２が両面に塗布してあるポリイミド製フィルム３
を介して放熱体６を載置する。その後これら各構成部品
をモールド樹脂７で封止する。その場合半導体チップ１
が直接モールド樹脂７と接着する構造となっている。熱
の放散経路という点では半導体チップ１から発生する熱
がリードフレームのリード５を介して基板へ、また放熱
体６を介して大気へと放散される。
【００１７】図２（ａ）は本発明の一実施例を示す断面
構造図である。放熱体８は半導体装置に内蔵されてお
り、放熱体単位体積あたりの表面積が大きい。このこと
により効率の良い放熱性を得ることが出来る。
構造図である。放熱体８は半導体装置に内蔵されてお
り、放熱体単位体積あたりの表面積が大きい。このこと
により効率の良い放熱性を得ることが出来る。
【００１８】図２（ｂ）は本発明の一実施例を示す断面
構造図である。放熱体９は半導体チップ１側より露出側
の方が小さくなるような断面図で示した場合、台形をし
た形状になっている。このような形状の放熱体を設ける
ことにより放熱体９とモールド樹脂７との密着性、また
リードフレームとモールド樹脂７との密着性を向上さ
せ、リードフレームとモールド樹脂７の界面を透過して
浸入してくる水分を防止するとともに放熱体９の安定性
を向上させることが出来る。この結果として、半導体チ
ップ１の腐食、金属細線４の腐食、半導体チップ１の剥
離といった不良を防止することが出来る。また放熱体９
のような形状の加工方法としてはシボリ、エッチング、
プレス加工を用いる。
構造図である。放熱体９は半導体チップ１側より露出側
の方が小さくなるような断面図で示した場合、台形をし
た形状になっている。このような形状の放熱体を設ける
ことにより放熱体９とモールド樹脂７との密着性、また
リードフレームとモールド樹脂７との密着性を向上さ
せ、リードフレームとモールド樹脂７の界面を透過して
浸入してくる水分を防止するとともに放熱体９の安定性
を向上させることが出来る。この結果として、半導体チ
ップ１の腐食、金属細線４の腐食、半導体チップ１の剥
離といった不良を防止することが出来る。また放熱体９
のような形状の加工方法としてはシボリ、エッチング、
プレス加工を用いる。
【００１９】図３（ａ）は本発明の一実施例を示す断面
構造図である。放熱体１０は放熱体の表面に凹凸を設け
ることにより放熱体表面が平坦である時より表面積を大
きくすることが出来る。このことにより放熱体表面が平
坦である時よりも効率の良い放熱性を得ることが出来
る。またファン等のエアーで強制冷却することでより効
率的な放熱性を得ることが出来る。
構造図である。放熱体１０は放熱体の表面に凹凸を設け
ることにより放熱体表面が平坦である時より表面積を大
きくすることが出来る。このことにより放熱体表面が平
坦である時よりも効率の良い放熱性を得ることが出来
る。またファン等のエアーで強制冷却することでより効
率的な放熱性を得ることが出来る。
【００２０】図３（ｂ）は本発明の一実施例を示す断面
構造図である。放熱体１１は放熱体を凹型にすることに
より図２（ａ）の放熱体８と同様に放熱体単位体積あた
りの表面積が増加する。このことにより熱伝達率が上昇
し放熱量が増大する。また放熱体１１は半導体装置表面
より露出しているので図２（ａ）の放熱体８より効率の
良い放熱性を得ることが出来る。
構造図である。放熱体１１は放熱体を凹型にすることに
より図２（ａ）の放熱体８と同様に放熱体単位体積あた
りの表面積が増加する。このことにより熱伝達率が上昇
し放熱量が増大する。また放熱体１１は半導体装置表面
より露出しているので図２（ａ）の放熱体８より効率の
良い放熱性を得ることが出来る。
【００２１】図４は本発明の一実施例を示す断面構造図
である。放熱体１２は、半導体チップ１の能動面にある
金属被膜による電極が金属細線４によって直接接続され
るリードフレームのリード５部分より外側に突出するこ
とにより、図３（ｂ）の放熱体１０と同様に放熱体単位
体積あたりの表面積が増加し放熱体１０と同様の効果を
得ることが出来る。なお放熱体１１は金属細線４とショ
ートしない高さ、またポリイミド製フィルム３を厚くす
ることにより金属細線４と放熱体１１のショートを防
ぐ。
である。放熱体１２は、半導体チップ１の能動面にある
金属被膜による電極が金属細線４によって直接接続され
るリードフレームのリード５部分より外側に突出するこ
とにより、図３（ｂ）の放熱体１０と同様に放熱体単位
体積あたりの表面積が増加し放熱体１０と同様の効果を
得ることが出来る。なお放熱体１１は金属細線４とショ
ートしない高さ、またポリイミド製フィルム３を厚くす
ることにより金属細線４と放熱体１１のショートを防
ぐ。
【００２２】また放熱体を少なくとも一つ設けることに
より、半導体チップ１の能動面にある金属被膜による電
極の任意の配置に対しても対応することが出来る。尚、
ここに挙げた実施例はあくまでも一実施例にしかすぎな
い。
より、半導体チップ１の能動面にある金属被膜による電
極の任意の配置に対しても対応することが出来る。尚、
ここに挙げた実施例はあくまでも一実施例にしかすぎな
い。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によればリー
ドフレームのリードに放熱体を載置することにより熱が
リードフレームのリードから基板へ、また放熱体から大
気へと放散されることになり、熱の放散経路が拡大され
る。そのことにより高効率な放熱性を得ることが出来る
という効果がある。
ドフレームのリードに放熱体を載置することにより熱が
リードフレームのリードから基板へ、また放熱体から大
気へと放散されることになり、熱の放散経路が拡大され
る。そのことにより高効率な放熱性を得ることが出来る
という効果がある。
【図１】本発明の実施例を示す断面構造図。
【図２】本発明の一実施例を示す断面構造図。
【図３】本発明の一実施例を示す断面構造図。
【図４】本発明の一実施例を示す断面構造図。
【図５】従来の構造を示す断面構造図。
１、１３・・・・・・・・・・・・半導体チップ ２、１４・・・・・・・・・・・・接着剤層 ３、１５・・・・・・・・・・・・ポリイミド製フィル
ム ４、１６・・・・・・・・・・・・金属細線 ５、１７・・・・・・・・・・・・リードフレームのリ
ード ６、８、９、１０、１１、１２・・放熱体 ７、１８・・・・・・・・・・・・モールド樹脂
ム ４、１６・・・・・・・・・・・・金属細線 ５、１７・・・・・・・・・・・・リードフレームのリ
ード ６、８、９、１０、１１、１２・・放熱体 ７、１８・・・・・・・・・・・・モールド樹脂
Claims (8)
- 【請求項１】半導体チップと前記半導体チップの能動面
にある電極から金属細線を介して、前記半導体チップの
能動面に絶縁膜を介して固着されたリードフレームのリ
ードと前記半導体チップと前記金属細線、リードフレー
ムのリードを樹脂封止してなる前記半導体装置におい
て、前記リードフレームのリードの前記半導体チップと
は反対側上部に放熱体を載置することを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】前記リードフレームのリードの前記半導体
チップとは反対側上部に載置された放熱体を半導体装置
に内蔵したことを特徴とする前記請求項１記載の半導体
装置。 - 【請求項３】前記リードフレームのリードの前記半導体
チップとは反対側上部に載置された放熱体を半導体装置
表面より露出することを特徴とする前記請求項１記載の
半導体装置。 - 【請求項４】前記リードフレームのリードの前記半導体
チップとは反対側上部に載置された放熱体を半導体チッ
プ側より露出側の方が小さくなるような形状にすること
を特徴とする前記請求項１及び３記載の半導体装置。 - 【請求項５】前記リードフレームのリードの前記半導体
チップとは反対側上部に載置された放熱体の表面に凹凸
を設けることを特徴とする前記請求項１及び３記載の半
導体装置。 - 【請求項６】前記リードフレームのリードの前記半導体
チップとは反対側上部に載置された放熱体を凹型にする
ことを特徴とする前記請求項１及び３記載の半導体装
置。 - 【請求項７】前記リードフレームのリードの前記半導体
チップとは反対側上部に載置された放熱体を金属細線が
直接接続される部分より外側にまで突出したこと特徴と
する前記請求項１及び３記載の半導体装置。 - 【請求項８】前記リードフレームのリードの前記半導体
チップとは反対側上部に載置された放熱体を少なくとも
一つ設けることを特徴とする前記請求項１及び３記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12262793A JPH06334091A (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12262793A JPH06334091A (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06334091A true JPH06334091A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14840652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12262793A Pending JPH06334091A (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06334091A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7551053B2 (en) | 2003-11-05 | 2009-06-23 | Tdk Corporation | Coil device |
| JP2009267154A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Powertech Technology Inc | リードオンパドル型半導体パッケージ |
| JP2009289770A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Koa Corp | 抵抗器 |
| US7746207B2 (en) | 2003-11-05 | 2010-06-29 | Tdk Corporation | Coil device |
| JP2010165951A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | リアクトル及びコイル成形体 |
-
1993
- 1993-05-25 JP JP12262793A patent/JPH06334091A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7551053B2 (en) | 2003-11-05 | 2009-06-23 | Tdk Corporation | Coil device |
| US7746207B2 (en) | 2003-11-05 | 2010-06-29 | Tdk Corporation | Coil device |
| JP2009267154A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Powertech Technology Inc | リードオンパドル型半導体パッケージ |
| JP2009289770A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Koa Corp | 抵抗器 |
| JP2010165951A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | リアクトル及びコイル成形体 |
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