JPS6311735Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6311735Y2 JPS6311735Y2 JP10586283U JP10586283U JPS6311735Y2 JP S6311735 Y2 JPS6311735 Y2 JP S6311735Y2 JP 10586283 U JP10586283 U JP 10586283U JP 10586283 U JP10586283 U JP 10586283U JP S6311735 Y2 JPS6311735 Y2 JP S6311735Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- power transistor
- integrated circuit
- hybrid integrated
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は混成集積回路、特にパワートランジス
タを組込んだ混成集積回路の封止構造の改良に関
する。
タを組込んだ混成集積回路の封止構造の改良に関
する。
(ロ) 従来技術
従来の混成集積回路は第１図に示す如く、セラ
ミツクスあるいは表面を陽極酸化したアルミニウ
ム等の絶縁基板１と、該基板１上に任意の形状を
設けた導電路２と、該導電路２上に半田で固着さ
れたヒートシンク３と、ヒートシンク３に固着さ
れたパワートランジスタ４と、パワートランジス
タ４を薄く保護するシリコン樹脂５と、基板１の
周端に接着シート６で接着され全体を覆う蓋体７
とで構成されている。
ミツクスあるいは表面を陽極酸化したアルミニウ
ム等の絶縁基板１と、該基板１上に任意の形状を
設けた導電路２と、該導電路２上に半田で固着さ
れたヒートシンク３と、ヒートシンク３に固着さ
れたパワートランジスタ４と、パワートランジス
タ４を薄く保護するシリコン樹脂５と、基板１の
周端に接着シート６で接着され全体を覆う蓋体７
とで構成されている。
斯る構造の混成集積回路はテレビ、ラジオ、ス
テレオ等の比較的良好な使用環境を有する電子機
器では十分な封止と評価されていた。しかしなが
ら自動車の電装部品等の如くきわめて使用環境の
悪いものにおいては十分な封止構造とは言えず、
特に電力を消費するパワートランジスタの劣化が
きわめて問題となつていた。
テレオ等の比較的良好な使用環境を有する電子機
器では十分な封止と評価されていた。しかしなが
ら自動車の電装部品等の如くきわめて使用環境の
悪いものにおいては十分な封止構造とは言えず、
特に電力を消費するパワートランジスタの劣化が
きわめて問題となつていた。
そこで本考案は第２図および第３図に示す如
く、混成集積回路に改良を加えた。すなわち、セ
ラミツクスあるいは表面を陽極酸化したアルミニ
ウム等の絶縁基板１１と、該基板１１上に任意の
形状に設けた銅箔より成る導電路１２と、導電路
１２上に半田で固着されたヒートシンク１３と、
ヒートシンク１３上に固着したパワートランジス
タ１４と、樹脂整形された枠体１５と、枠体１５
内に充填された封止樹脂層１６と、基板１１の周
端に接着シート１７で接着された全体を封止する
蓋体１８より構成されている。
く、混成集積回路に改良を加えた。すなわち、セ
ラミツクスあるいは表面を陽極酸化したアルミニ
ウム等の絶縁基板１１と、該基板１１上に任意の
形状に設けた銅箔より成る導電路１２と、導電路
１２上に半田で固着されたヒートシンク１３と、
ヒートシンク１３上に固着したパワートランジス
タ１４と、樹脂整形された枠体１５と、枠体１５
内に充填された封止樹脂層１６と、基板１１の周
端に接着シート１７で接着された全体を封止する
蓋体１８より構成されている。
しかしながら斯る改良された混成集積回路に於
いても、枠体１５とヒートシンク１３の離間部分
から封止樹脂層１６が流出するおそれがあり、パ
ワートランジスタ１４の完全な封止が望めない欠
点がある。
いても、枠体１５とヒートシンク１３の離間部分
から封止樹脂層１６が流出するおそれがあり、パ
ワートランジスタ１４の完全な封止が望めない欠
点がある。
(ハ) 考案の目的
本考案は斯上した欠点に鑑みてなされ、更にパ
ワートランジスタの良好な封止構造を有する混成
集積回路を実現するものである。
ワートランジスタの良好な封止構造を有する混成
集積回路を実現するものである。
(ニ) 考案の構成
本考案による混成集積回路は第４図および第５
図に示す如く、絶縁基板１１と、該基板１１上に
設けた導電路１２と、導電路１２上に固着されヒ
ートシンク１３と、ヒートシンク１３上に固着し
たパワートランジスタ１４と、本考案の特徴とす
る枠体１５と、枠体１５内に充填された封止樹脂
層１６と、基板１１の周端に接着シート１７で接
着された全体を封止する蓋体１８より構成されて
いる。
図に示す如く、絶縁基板１１と、該基板１１上に
設けた導電路１２と、導電路１２上に固着されヒ
ートシンク１３と、ヒートシンク１３上に固着し
たパワートランジスタ１４と、本考案の特徴とす
る枠体１５と、枠体１５内に充填された封止樹脂
層１６と、基板１１の周端に接着シート１７で接
着された全体を封止する蓋体１８より構成されて
いる。
(ホ) 実施例
第２図乃至第４図に於いて同一構成要素には同
一図番を付した説明する。
一図番を付した説明する。
絶縁基板１１としてはセラミツクスあるいは表
面を陽極酸化したアルミニウム等を用いる。
面を陽極酸化したアルミニウム等を用いる。
導電路１２は基板１１上に銅箔を貼り、任意の
形状にエツチングして形成する。
形状にエツチングして形成する。
ヒートシンク１３は13mm角で厚さ３mmの銅片を
用い、導電路１２上に半田で固着される。
用い、導電路１２上に半田で固着される。
パワートランジスタ１４はペレツトのままヒー
トシンク１３の上面に半田で固着される。
トシンク１３の上面に半田で固着される。
本考案の特徴とする枠体１５は樹脂の一体整形
で形成され、ヒートシンク１３より１mm程度全周
で離間できる大きさである。また枠体１５には内
側に約１mm突出した複数の間隔片２０を設け、第
４図の如くどの部分ではヒートシンク１３との間
に均一なすき間を形成する様に配慮している。更
に枠体１５の下部にはヒートシンク１３の近傍ま
で突出したひさし部２２を設け、ヒートシンク１
３と枠体１５で形成されるすき間をほぼふさいで
いる。更にまた枠体１５の高さはヒートシンク１
３およびパワートランジスタ１４の厚みの和より
若干高くなる様に設計される。
で形成され、ヒートシンク１３より１mm程度全周
で離間できる大きさである。また枠体１５には内
側に約１mm突出した複数の間隔片２０を設け、第
４図の如くどの部分ではヒートシンク１３との間
に均一なすき間を形成する様に配慮している。更
に枠体１５の下部にはヒートシンク１３の近傍ま
で突出したひさし部２２を設け、ヒートシンク１
３と枠体１５で形成されるすき間をほぼふさいで
いる。更にまた枠体１５の高さはヒートシンク１
３およびパワートランジスタ１４の厚みの和より
若干高くなる様に設計される。
封止樹脂層１６は枠体１５内にエポキシ樹脂を
充填して形成する。この際エポキシ樹脂は枠体１
５下部のひさし部２２で流出を阻止されるので、
パワートランジスタ１４を完全に被覆できる。な
おパワートランジスタ１４は必要があれば予じめ
シリコン樹脂２１で薄く被覆しても良い。
充填して形成する。この際エポキシ樹脂は枠体１
５下部のひさし部２２で流出を阻止されるので、
パワートランジスタ１４を完全に被覆できる。な
おパワートランジスタ１４は必要があれば予じめ
シリコン樹脂２１で薄く被覆しても良い。
蓋体１８はFRペツト（商品名）を整形して形
成され、基板１１の周端に接着シート１７で接着
され全体を封止する。
成され、基板１１の周端に接着シート１７で接着
され全体を封止する。
(ヘ) 本考案の効果
本考案に依れば厚いヒートシンク１３上に固着
されたパワートランジスタ１４も選択的に封止樹
脂層１６により封止を行なえる。またひさし部２
２により封止樹脂層１６の流出がないので、一定
の量でパワートランジスタ１４を解実に封止でき
る。更に完全な封止を求められない小信号回路部
分については従来の簡便な封止構造を適用でき
る。この結果極めて量産性に富み且つ良好な封止
構造の混成集積回路を実現でき、その応用範囲も
きわめて広い。
されたパワートランジスタ１４も選択的に封止樹
脂層１６により封止を行なえる。またひさし部２
２により封止樹脂層１６の流出がないので、一定
の量でパワートランジスタ１４を解実に封止でき
る。更に完全な封止を求められない小信号回路部
分については従来の簡便な封止構造を適用でき
る。この結果極めて量産性に富み且つ良好な封止
構造の混成集積回路を実現でき、その応用範囲も
きわめて広い。
第１図は従来例を説明する断面図、第２図およ
び第３図は本考案による従来の改良例を説明する
上面図および断面図、第４図および第５図は本考
案を説明する上面図および断面図である。 主な図番の説明、１１は基板、１３はヒートシ
ンク、１４はパワートランジスタ、１５は枠体、
１６は封止樹脂層、１８は蓋体、２０は間隔片、
２２はひさし部である。
び第３図は本考案による従来の改良例を説明する
上面図および断面図、第４図および第５図は本考
案を説明する上面図および断面図である。 主な図番の説明、１１は基板、１３はヒートシ
ンク、１４はパワートランジスタ、１５は枠体、
１６は封止樹脂層、１８は蓋体、２０は間隔片、
２２はひさし部である。
Claims (1)
- 絶縁基板上にヒートシンクを介して固着したパ
ワートランジスタを具備する混成集積回路に於い
て、前記ヒートシンクを取り囲み且つ内側に突出
した間隔片と下部に設け前記ヒートシンク近傍ま
で突出されたひさし部とを備え前記ヒートシンク
より離間して配置した枠体と、該枠体内に充填さ
れ前記パワートランジスタを完全に被覆する封止
樹脂層とを有することを特徴とする混成集積回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10586283U JPS6013745U (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10586283U JPS6013745U (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 混成集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6013745U JPS6013745U (ja) | 1985-01-30 |
| JPS6311735Y2 true JPS6311735Y2 (ja) | 1988-04-05 |
Family
ID=30247967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10586283U Granted JPS6013745U (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013745U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2536626Y2 (ja) * | 1988-08-12 | 1997-05-21 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路 |
-
1983
- 1983-07-06 JP JP10586283U patent/JPS6013745U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6013745U (ja) | 1985-01-30 |
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