JPS629729Y2 - - Google Patents

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JPS629729Y2
JPS629729Y2 JP2203382U JP2203382U JPS629729Y2 JP S629729 Y2 JPS629729 Y2 JP S629729Y2 JP 2203382 U JP2203382 U JP 2203382U JP 2203382 U JP2203382 U JP 2203382U JP S629729 Y2 JPS629729 Y2 JP S629729Y2
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JP
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semiconductor element
resin layer
substrate
lid
integrated circuit
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JP2203382U
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JPS58124958U (ja
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は混成集積回路の封止構造に関する。
従来の混成集積回路は第1図に示す如く、表面
をアルマイト処理したアルミニウム基板等の混成
集積回路基板1と、該基板1上に設けた銅箔より
成る所望の導電路2と、導電路2上に銀ペースト
等で固着した半導体素子3と、所望の導電路2間
に設けたチツプコンデンサー4やスクリーン印刷
したカーボン抵抗体5と、半導体素子3を保護す
るエポキシ樹脂層6と、基板1を覆い基板1の周
端部に接着樹脂7により接着された樹脂製の蓋体
8より構成されている。
斯上した封止構造では基板1の周端部に蓋体8
を接着するスペースが必要であり、小型化する場
合の障害となる。特にカーボン抵抗体5等を保護
するシリコンレジン9が基板1の周端部にまで流
れると蓋体8との接着が不可能となるので、カー
ボン抵抗体5等の設ける位置を基板1の内部にし
なければならず、設計上の制約となり小型化の障
害となつている。
この欠点を改善するために本考案者は第2図に
示す構造を提案した。すなわち半導体素子3を封
止するエポキシ樹脂層6を高くポツテイングし蓋
体8と基板1との固着にも利用することを考案し
た。しかしながら封止と固着の両効果を得るため
には封止樹脂層6の量と高さと蓋体8の高さの関
係が極めて重要である。特に封止樹脂層6が図示
の如く蓋体8の平担な裏面に接触して広がると、
半導体素子3あるいはそのボンデイングワイヤー
が露出して半導体素子3の封止が不完全となる。
本考案は斯点に鑑みてなされ、従来の欠点を完
全に除去した混成集積回路の封止構造を実現する
ものである。以下に第3図乃至第5図を参照して
本考案の一実施例を詳述する。
本考案は第3図に示す如く、表面をアルマイト
処理したアルミニウム基板等の混成集積回路基板
11と、該基板11上に設けた銅箔より成る所望
瞳の導電路12と、導電路12上に銀ペースト等
で固着した半導体素子13と、所望の導電路12
間に設けたチツプコンデンサー14やスクリーン
印刷したカーボン抵抗体15と、半導体素子13
を保護するエポキシ樹脂等の封止樹脂層16と、
基板11を覆う樹脂製等の蓋体17より構成され
ている。
本考案の特徴は封止樹脂層16および蓋体17
の裏面構造にある。この封止樹脂層16は半導体
素子13を被覆して約2.0mmの高さになる様にポ
ツテイングされる。なお封止樹脂層16の周囲へ
の流れを防止するために半導体素子13を囲む様
にシリコンレジン層18をスクリーン印刷して基
板11表面に付着する。この際にカーボン抵抗体
15などの上にも保護のためにシリコンレジン層
18を設けるとよい。
更に蓋体17の裏面にはすりばち状の凹凸19
を多数設けている。具体的な実例として第4図お
よび第5図に示す様にローレツト加工する。1つ
のセルの一辺を約1mmの正方形状にした。
斯上した本考案の構造に依れば、封止樹脂層1
6は蓋体17の多数の凹凸19により接触部分以
上に横方向に広がらず、蓋体17の基板11への
接着と半導体素子13の封止の両機能を十分に達
成できる。この結果基板11の周端部まで部品を
配置することができ、回路を自由に設計でき小型
化に寄与できる。また封止樹脂層16も適量ポツ
テイングするだけで確実に半導体素子13を封止
でき、且つ従来では封止樹脂層の硬化と蓋体の接
着を別工程で行つていたのを同時に行なえるので
量産性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は従来例を説明する断面
図、第3図は本考案を説明する断面図、第4図お
よび第5図は本考案に用いた蓋体の裏面を説明す
る上面図およびV−V′線断面図である。 主な図番の説明、11は混成集積回路基板、1
2は導電路、13は半導体素子、16は封止樹脂
層、17は蓋体である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 混成集積回路基板上に所望の導電路を設け該導
    電路上に半導体素子を固着した混成集積回路に於
    いて、前記基板を覆う蓋体の裏面を凹凸状にし、
    前記半導体素子を保護する封止樹脂層を前記蓋体
    の裏面と接触させて前記基板と一体化することを
    特徴とする混成集積回路の封止構造。
JP2203382U 1982-02-17 1982-02-17 混成集積回路の封止構造 Granted JPS58124958U (ja)

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JP2203382U JPS58124958U (ja) 1982-02-17 1982-02-17 混成集積回路の封止構造

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JP2203382U JPS58124958U (ja) 1982-02-17 1982-02-17 混成集積回路の封止構造

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Publication Number Publication Date
JPS58124958U JPS58124958U (ja) 1983-08-25
JPS629729Y2 true JPS629729Y2 (ja) 1987-03-06

Family

ID=30034130

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JPS58124958U (ja) 1983-08-25

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