JPH0561780B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0561780B2 JPH0561780B2 JP19931687A JP19931687A JPH0561780B2 JP H0561780 B2 JPH0561780 B2 JP H0561780B2 JP 19931687 A JP19931687 A JP 19931687A JP 19931687 A JP19931687 A JP 19931687A JP H0561780 B2 JPH0561780 B2 JP H0561780B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating substrate
- bottom plate
- side wall
- metal bottom
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 34
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 26
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、１個または複数個の半導体チツプを
含む電気回路を搭載したセラミツクなどの絶縁基
板を、金属底板とその周縁部に固着された樹脂側
壁とからなる容器内の金属底板上に固着し樹脂で
封止した半導体装置に関する。
含む電気回路を搭載したセラミツクなどの絶縁基
板を、金属底板とその周縁部に固着された樹脂側
壁とからなる容器内の金属底板上に固着し樹脂で
封止した半導体装置に関する。
この種の半導体装置の一例の断面図を第４図に
示す。第４図において、１は容器の底を形成する
金属底板であり、熱良伝導性の金属例えば銅から
なり、半導体装置の放熱の役目を有し外部冷却体
への取り付けに用いられる。この金属底板１上に
例えばセラミツクからなる絶縁基板２がろう付け
され、その上に金属ブロツク３、半導体チツプ
４、外部接続リード５などにより構成された電気
回路部品がろう付けされ、金属底板１の周縁部に
固着された樹脂側壁６内に充填された封止樹脂
７、例えばエポキシ樹脂で封止されている。
示す。第４図において、１は容器の底を形成する
金属底板であり、熱良伝導性の金属例えば銅から
なり、半導体装置の放熱の役目を有し外部冷却体
への取り付けに用いられる。この金属底板１上に
例えばセラミツクからなる絶縁基板２がろう付け
され、その上に金属ブロツク３、半導体チツプ
４、外部接続リード５などにより構成された電気
回路部品がろう付けされ、金属底板１の周縁部に
固着された樹脂側壁６内に充填された封止樹脂
７、例えばエポキシ樹脂で封止されている。
このような従来の半導体装置の構造において
は、絶縁基板２と樹脂側壁６とは接触しておらず
離れており、その間に金属底板１の一部が露出し
ている。このとき、絶縁基板２の表面での沿面放
電による金属ブロツク３と金属底板１との間の短
絡が問題となるが、封止樹脂７を絶縁基板２の表
面に密着させることによりこのような沿面放電を
防止している。
は、絶縁基板２と樹脂側壁６とは接触しておらず
離れており、その間に金属底板１の一部が露出し
ている。このとき、絶縁基板２の表面での沿面放
電による金属ブロツク３と金属底板１との間の短
絡が問題となるが、封止樹脂７を絶縁基板２の表
面に密着させることによりこのような沿面放電を
防止している。
ところが、封止樹脂としてエポキシ樹脂などの
硬い樹脂を用いると、半導体装置に熱サイクルな
どが加わつたとき封止樹脂と絶縁基板との剥離が
生じ沿面放電が起き易くなるという欠点があつ
た。第３図は絶縁基板２を上方から見た図であ
り、２ａは金属ブロツクで覆われた部分であり２
ｂは周縁部の表面が露出した部分であるが、この
２ｂの幅を大きくし、また絶縁基板の厚さを厚く
して沿面距離を長くすると放電は起きにくくなる
が、半導体装置が大型になるという問題点があ
る。
硬い樹脂を用いると、半導体装置に熱サイクルな
どが加わつたとき封止樹脂と絶縁基板との剥離が
生じ沿面放電が起き易くなるという欠点があつ
た。第３図は絶縁基板２を上方から見た図であ
り、２ａは金属ブロツクで覆われた部分であり２
ｂは周縁部の表面が露出した部分であるが、この
２ｂの幅を大きくし、また絶縁基板の厚さを厚く
して沿面距離を長くすると放電は起きにくくなる
が、半導体装置が大型になるという問題点があ
る。
また、封止樹脂としてシリコンゴムなどのよう
に密着性が良く軟らかなものを用いると絶縁基板
との剥離は生じにくくなるが、このような樹脂は
一般的に熱膨張係数が大きいため、高温になると
外部接続リードなどを介して半導体チツプにスト
レスを加えてこれを機械的に破壊してしまうなど
の欠点があつた。
に密着性が良く軟らかなものを用いると絶縁基板
との剥離は生じにくくなるが、このような樹脂は
一般的に熱膨張係数が大きいため、高温になると
外部接続リードなどを介して半導体チツプにスト
レスを加えてこれを機械的に破壊してしまうなど
の欠点があつた。
本発明は、上述の欠点を除去して、絶縁耐圧を
保持するため絶縁基板の周縁部の幅を広くして沿
面距離を長くすることを必要とせず、しかも絶縁
基板表面から封止樹脂が剥離しても沿面距離が十
分確保できて沿面放電が起きず絶縁耐圧の低下し
ない半導体装置を提供することを目的とする。
保持するため絶縁基板の周縁部の幅を広くして沿
面距離を長くすることを必要とせず、しかも絶縁
基板表面から封止樹脂が剥離しても沿面距離が十
分確保できて沿面放電が起きず絶縁耐圧の低下し
ない半導体装置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明によれ
ば、絶縁基板上に外部接続リード、金属ブロツク
及び半導体チツプからなる電気回路部品を搭載
し、該絶縁基板を放熱板を兼ねた金属底板に固着
し、該金属底板の周縁部に樹脂側壁を固着し、該
樹脂側壁に囲まれた容器内を樹脂封止してなるも
のにおいて、前記樹脂側壁の内面側に前記絶縁基
板の周縁部と金属底板とを覆つて固着される凸部
を有する構成の半導体装置とする。
ば、絶縁基板上に外部接続リード、金属ブロツク
及び半導体チツプからなる電気回路部品を搭載
し、該絶縁基板を放熱板を兼ねた金属底板に固着
し、該金属底板の周縁部に樹脂側壁を固着し、該
樹脂側壁に囲まれた容器内を樹脂封止してなるも
のにおいて、前記樹脂側壁の内面側に前記絶縁基
板の周縁部と金属底板とを覆つて固着される凸部
を有する構成の半導体装置とする。
このように樹脂側壁の内面側に絶縁基板の周縁
部と金属底板とを覆つて固着される凸部を有する
ことで、樹脂側壁と絶縁基板の周縁部とが直接固
着することになり、金属底板が容器内面に露出す
ることはなくなる。従つて、金属ブロツクと金属
底板との間の沿面距離は側壁の固着部を除いた側
壁表面が加わることになるので非常に長くなり、
絶縁基板面より封止樹脂が剥離しても沿面放電は
起きなくなる。また絶縁基板の周縁部の幅を広く
することも必要でなくなる。
部と金属底板とを覆つて固着される凸部を有する
ことで、樹脂側壁と絶縁基板の周縁部とが直接固
着することになり、金属底板が容器内面に露出す
ることはなくなる。従つて、金属ブロツクと金属
底板との間の沿面距離は側壁の固着部を除いた側
壁表面が加わることになるので非常に長くなり、
絶縁基板面より封止樹脂が剥離しても沿面放電は
起きなくなる。また絶縁基板の周縁部の幅を広く
することも必要でなくなる。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置を第４
図に示した従来例と同様に示すもので、両図に共
通の部分には同一の符号が付されている。実施例
においては、絶縁基板２の周縁部は樹脂側壁６の
内面側に突出している凸部と金属底板１とによつ
て挟着されており、金属底板１は従来例の様に容
器内面に露出している部分はない。第２図はこの
挾着されている部分の拡大図であつて、樹脂側壁
６と絶縁基板２、金属底板１とは接着剤８で固着
されている。
図に示した従来例と同様に示すもので、両図に共
通の部分には同一の符号が付されている。実施例
においては、絶縁基板２の周縁部は樹脂側壁６の
内面側に突出している凸部と金属底板１とによつ
て挟着されており、金属底板１は従来例の様に容
器内面に露出している部分はない。第２図はこの
挾着されている部分の拡大図であつて、樹脂側壁
６と絶縁基板２、金属底板１とは接着剤８で固着
されている。
このような構成の半導体装置においては、金属
ブロツク３と金属底板１との間の沿面距離は絶縁
基板２の周縁部の露出している部分Ａの幅に樹脂
側壁６の固着部を除いた表面長さが加わつたもの
となるが、前者に比して後者の方がはるかに長い
ので沿面距離は後者すなわち樹脂側壁６の表面長
さによつて十分確保することができる。従つて、
絶縁基板２の露出部Ａの幅を沿面距離を考えて広
くするなどの配慮は必要でなくなり、絶縁基板２
の周縁部の幅を狭くすることができ、半導体装置
の小形化が図れる。また、封止樹脂７が絶縁基板
２の表面から剥離しても、沿面距離は樹脂側壁６
により十分確保されているので、沿面放電による
半導体装置の絶縁耐圧の低下は起こらない。
ブロツク３と金属底板１との間の沿面距離は絶縁
基板２の周縁部の露出している部分Ａの幅に樹脂
側壁６の固着部を除いた表面長さが加わつたもの
となるが、前者に比して後者の方がはるかに長い
ので沿面距離は後者すなわち樹脂側壁６の表面長
さによつて十分確保することができる。従つて、
絶縁基板２の露出部Ａの幅を沿面距離を考えて広
くするなどの配慮は必要でなくなり、絶縁基板２
の周縁部の幅を狭くすることができ、半導体装置
の小形化が図れる。また、封止樹脂７が絶縁基板
２の表面から剥離しても、沿面距離は樹脂側壁６
により十分確保されているので、沿面放電による
半導体装置の絶縁耐圧の低下は起こらない。
本発明によれば、絶縁基板の周縁部と樹脂側壁
の内面側の凸部とを直接固着させ、容器内面に金
属底板が露出しない構成とする。
の内面側の凸部とを直接固着させ、容器内面に金
属底板が露出しない構成とする。
このような構成とすることにより、半導体装置
の絶縁耐圧を決める金属ブロツクと金属底板との
間の沿面距離は樹脂側壁で十分確保できるように
なるので、絶縁耐圧を保持するために絶縁基板の
周縁部の幅を広くして沿面距離を長くすることを
考える必要はなくなり、半導体装置を小形化する
ことが可能となる。また、絶縁基板表面から封止
樹脂が剥離しても沿面距離は十分確保されている
ので沿面放電は起きず絶縁耐圧の低下は認められ
ない。従つて封止樹脂の選択の自由度が大きくな
る利点も生じてくる。
の絶縁耐圧を決める金属ブロツクと金属底板との
間の沿面距離は樹脂側壁で十分確保できるように
なるので、絶縁耐圧を保持するために絶縁基板の
周縁部の幅を広くして沿面距離を長くすることを
考える必要はなくなり、半導体装置を小形化する
ことが可能となる。また、絶縁基板表面から封止
樹脂が剥離しても沿面距離は十分確保されている
ので沿面放電は起きず絶縁耐圧の低下は認められ
ない。従つて封止樹脂の選択の自由度が大きくな
る利点も生じてくる。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置の断面
図、第２図は第１図の金属底板、絶縁基板、樹脂
側壁相互の固着部の部分拡大断面図、第３図は絶
縁基板の上面図、第４図は従来例の半導体装置の
断面図である。 １……金属底板、２……絶縁基板、３……金属
ブロツク、４……半導体チツプ、５……外部接続
リード、６……樹脂側壁、７……封止樹脂。
図、第２図は第１図の金属底板、絶縁基板、樹脂
側壁相互の固着部の部分拡大断面図、第３図は絶
縁基板の上面図、第４図は従来例の半導体装置の
断面図である。 １……金属底板、２……絶縁基板、３……金属
ブロツク、４……半導体チツプ、５……外部接続
リード、６……樹脂側壁、７……封止樹脂。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上に外部接続リード、金属ブロツク
及び半導体チツプからなる電気回路部品を搭載
し、該絶縁基板を放熱板を兼ねた金属底板に固着
し、該金属底板の周縁部に樹脂側壁を固着し、該
樹脂側壁に囲まれた容器内を樹脂封止してなるも
のにおいて、前記樹脂側壁の内面側に前記絶縁基
板の周縁部と金属底板とを覆つて固着される凸部
を有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19931687A JPS6442843A (en) | 1987-08-10 | 1987-08-10 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19931687A JPS6442843A (en) | 1987-08-10 | 1987-08-10 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6442843A JPS6442843A (en) | 1989-02-15 |
| JPH0561780B2 true JPH0561780B2 (ja) | 1993-09-07 |
Family
ID=16405776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19931687A Granted JPS6442843A (en) | 1987-08-10 | 1987-08-10 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6442843A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2793330B2 (ja) * | 1990-06-11 | 1998-09-03 | 株式会社東芝 | 封止型ハイブリッド回路装置 |
| JP3550243B2 (ja) * | 1996-01-30 | 2004-08-04 | 株式会社東芝 | 内部圧接型半導体装置 |
| JP6065089B2 (ja) * | 2015-11-05 | 2017-01-25 | 住友電気工業株式会社 | 半導体モジュール |
-
1987
- 1987-08-10 JP JP19931687A patent/JPS6442843A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6442843A (en) | 1989-02-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |