JPS6127909B2 - - Google Patents
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- JPS6127909B2 JPS6127909B2 JP10729380A JP10729380A JPS6127909B2 JP S6127909 B2 JPS6127909 B2 JP S6127909B2 JP 10729380 A JP10729380 A JP 10729380A JP 10729380 A JP10729380 A JP 10729380A JP S6127909 B2 JPS6127909 B2 JP S6127909B2
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 22
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49568—Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は放熱板付樹脂製封止型半導体装置の改
良に関する。
良に関する。
従来、電力用トランジスタのような電力用半導
体装置は、金属製の大きなステムに半導体素子を
取付け、金属製のキヤツプをかぶせ気密封じされ
ており、ステムの両端に設けられた取付け穴によ
り放熱板に取付けて使用されていたが、近年半導
体素子の安定化技術および樹脂封じ技術が進むに
つれて、放熱板の１部に半導体素子を取付けてそ
れを樹脂で固めて一体構成となした、いわゆる放
熱板付樹脂封止型半導体装置が大量に生産される
に至つている。
体装置は、金属製の大きなステムに半導体素子を
取付け、金属製のキヤツプをかぶせ気密封じされ
ており、ステムの両端に設けられた取付け穴によ
り放熱板に取付けて使用されていたが、近年半導
体素子の安定化技術および樹脂封じ技術が進むに
つれて、放熱板の１部に半導体素子を取付けてそ
れを樹脂で固めて一体構成となした、いわゆる放
熱板付樹脂封止型半導体装置が大量に生産される
に至つている。
第１図はかかる放熱板付樹脂封止型トランジス
タの一例を示したもので、同図Ａは下面図、同図
ｂは同図ａのＡ―Ａ断面図である。ベース、コレ
クタおよびエミツタ各電極の外部導出リード５，
６，７がそれぞれ接続された半導体素子１をその
一主面に取付けた放熱板２が、外部放熱板への取
付け穴３のある部分を除いて樹脂製封止部材４で
もつて固められ一体構成となつている。なお放熱
板２はコレクタと接続されている。
タの一例を示したもので、同図Ａは下面図、同図
ｂは同図ａのＡ―Ａ断面図である。ベース、コレ
クタおよびエミツタ各電極の外部導出リード５，
６，７がそれぞれ接続された半導体素子１をその
一主面に取付けた放熱板２が、外部放熱板への取
付け穴３のある部分を除いて樹脂製封止部材４で
もつて固められ一体構成となつている。なお放熱
板２はコレクタと接続されている。
実際の使用時には前記取付け穴３によりマイカ
などの薄い絶縁物を介して外部放熱板（図示して
いない）に取付けて使用される。この取付けに際
しては取付け穴３にテフロンなど作られた絶縁性
のプツシングを介してねじにより規定の締付けト
ルクで締付けられる。
などの薄い絶縁物を介して外部放熱板（図示して
いない）に取付けて使用される。この取付けに際
しては取付け穴３にテフロンなど作られた絶縁性
のプツシングを介してねじにより規定の締付けト
ルクで締付けられる。
このように半導体装置を外部放熱板に取付ける
のに、いちいち絶縁性のプツシングをはめること
は煩わしいことと、若し忘れたりすると半導体装
置を破壊したり、使用装置全体に高電圧がかかり
危険を生じるなど問題が多い。そこで予め取付け
穴３の内部を樹脂で内張りした構造にすれば、取
付け時にことさら絶縁性のプツシングをはめなく
ても良い訳である。実際にこの考えによる製品が
一部製造販売されている。しかしながら比較的小
型の半導体装置例えば日本電子機械工業会
（EIAJ）規格SC―46で規定されている外形寸法
を見ると、取付け穴３と放熱板２の先端との間隔
（第１図ａ中ｄで示す寸法）は1.5mmと小さく樹脂
を内張りする余裕がないのでそのままの形では取
付け穴３の内部に樹脂を内張りした構造にするこ
とができない。
のに、いちいち絶縁性のプツシングをはめること
は煩わしいことと、若し忘れたりすると半導体装
置を破壊したり、使用装置全体に高電圧がかかり
危険を生じるなど問題が多い。そこで予め取付け
穴３の内部を樹脂で内張りした構造にすれば、取
付け時にことさら絶縁性のプツシングをはめなく
ても良い訳である。実際にこの考えによる製品が
一部製造販売されている。しかしながら比較的小
型の半導体装置例えば日本電子機械工業会
（EIAJ）規格SC―46で規定されている外形寸法
を見ると、取付け穴３と放熱板２の先端との間隔
（第１図ａ中ｄで示す寸法）は1.5mmと小さく樹脂
を内張りする余裕がないのでそのままの形では取
付け穴３の内部に樹脂を内張りした構造にするこ
とができない。
一方放熱板２としては普通例えば約1.0mm程度
の厚さの銅板を素材として銀めつきなどを施した
ものを用いているので省資源、材料費節減の点か
らその節約が望まれている。
の厚さの銅板を素材として銀めつきなどを施した
ものを用いているので省資源、材料費節減の点か
らその節約が望まれている。
本発明の目的は、放熱板の形状を特定化するこ
とにより、放熱特性を損わずにかかる問題点を合
理的に解決した放熱板付樹脂封止型半導体装置を
提供することにある。
とにより、放熱特性を損わずにかかる問題点を合
理的に解決した放熱板付樹脂封止型半導体装置を
提供することにある。
本発明の放熱板付樹脂封止型半導体装置は半導
体素子と該半導体素子が一主面に取付けられてお
り、かつ少くとも一側面に切欠き部を有する放熱
板と、前記半導体素子の電極部に接続された外部
導出リードと、取付け穴を有し、かつ前記半導体
素子と前記放熱板の少くとも前記一主面と半導体
素子外部導出リードの前記半導体素子電極部との
接続部を含む半導体素子外部導出リードとを封止
する樹脂製封止部材とを有し、前記樹脂製封止部
材の前記取付け穴は前記放熱板とは接することな
く前記切欠き部に少くともその一部が存在するこ
とを特徴として構成される。
体素子と該半導体素子が一主面に取付けられてお
り、かつ少くとも一側面に切欠き部を有する放熱
板と、前記半導体素子の電極部に接続された外部
導出リードと、取付け穴を有し、かつ前記半導体
素子と前記放熱板の少くとも前記一主面と半導体
素子外部導出リードの前記半導体素子電極部との
接続部を含む半導体素子外部導出リードとを封止
する樹脂製封止部材とを有し、前記樹脂製封止部
材の前記取付け穴は前記放熱板とは接することな
く前記切欠き部に少くともその一部が存在するこ
とを特徴として構成される。
次に図面を用い本発明の一実施例について詳述
する。
する。
第２図は本発明の一実施例である放熱板付樹脂
封止型電力トランジスタを示すもので同図ａは下
面図、同図ｂは同図ａに示すＡ―Ａ断面図であ
る。
封止型電力トランジスタを示すもので同図ａは下
面図、同図ｂは同図ａに示すＡ―Ａ断面図であ
る。
半導体素子１と、この半導体素子１が一主面に
取付けられており、一側面に切欠き部９を有する
銀めつきされた厚さ約0.5mmの放熱板２と、半導
体素子１のベース、コレクタおよびエミツタ各電
極の外部導出リード５，６，７と、取付け穴３を
有し、かつ半導体素子１と放熱板２のこの半導体
素子が取付けられて一主面と前記各電極の外部導
出リード５，６，７の半導体素子電極部との接続
部８を含む外部導出リードの一部とを、樹脂製封
止部材４として例えばシリコンなどの樹脂を用い
て封止し一体構成となす。この場合、樹脂製封止
部材４の取付け穴３は第２図ｂに示すように放熱
板２と接することなくかつ放熱板２切欠き部９に
少くともその一部が存在する形になるよう予め設
計されている。かくして本発明の放熱板付樹脂封
止型電力トランジスタは出来上る。
取付けられており、一側面に切欠き部９を有する
銀めつきされた厚さ約0.5mmの放熱板２と、半導
体素子１のベース、コレクタおよびエミツタ各電
極の外部導出リード５，６，７と、取付け穴３を
有し、かつ半導体素子１と放熱板２のこの半導体
素子が取付けられて一主面と前記各電極の外部導
出リード５，６，７の半導体素子電極部との接続
部８を含む外部導出リードの一部とを、樹脂製封
止部材４として例えばシリコンなどの樹脂を用い
て封止し一体構成となす。この場合、樹脂製封止
部材４の取付け穴３は第２図ｂに示すように放熱
板２と接することなくかつ放熱板２切欠き部９に
少くともその一部が存在する形になるよう予め設
計されている。かくして本発明の放熱板付樹脂封
止型電力トランジスタは出来上る。
上述のように本発明の一実施例であるトランジ
スタにおいては、従来の放熱板２の取付け穴３側
の長さを短くし、取付け穴３の一部分が形成され
る部分に切欠き部９を設け、この放熱板２と樹脂
製封止部材４に形成される取付け穴３とは直接接
することがないようかつ取付け穴３の一部がこの
切欠き部９にあるようにしてあるので、取付け穴
３は第２図ｂに示すように樹脂で取囲まれた形と
なり、トランジスタを外部放熱板に取付けるに際
して従来必要とされていた絶縁物のプツシングを
用いる必要がなくなる。
スタにおいては、従来の放熱板２の取付け穴３側
の長さを短くし、取付け穴３の一部分が形成され
る部分に切欠き部９を設け、この放熱板２と樹脂
製封止部材４に形成される取付け穴３とは直接接
することがないようかつ取付け穴３の一部がこの
切欠き部９にあるようにしてあるので、取付け穴
３は第２図ｂに示すように樹脂で取囲まれた形と
なり、トランジスタを外部放熱板に取付けるに際
して従来必要とされていた絶縁物のプツシングを
用いる必要がなくなる。
又、放熱板２を短くすると取付け穴３部分を含
む樹脂製封止部材４が外部放熱板への取付けによ
る機械的ストレスにより破損することが心配され
るが、上述のようにこの取付け穴３の一部が放熱
板２の切欠き部９に存在する形になつているの
で、取付けによる機械的ストレスは放熱板２でも
その一部分を負担する形となるのでその恐れは無
い。なお第２図に示した一実施例のように取付け
穴３の約半分以上が切欠き部９に存在する形にす
ればより安全である。
む樹脂製封止部材４が外部放熱板への取付けによ
る機械的ストレスにより破損することが心配され
るが、上述のようにこの取付け穴３の一部が放熱
板２の切欠き部９に存在する形になつているの
で、取付けによる機械的ストレスは放熱板２でも
その一部分を負担する形となるのでその恐れは無
い。なお第２図に示した一実施例のように取付け
穴３の約半分以上が切欠き部９に存在する形にす
ればより安全である。
更に、従来は第１図に示すように取付け穴３部
分を除いて樹脂製封止部材４で固めていたのを第
２図に示すようにトランジスタ全体を（放熱板２
の下面と取付け穴３を形成すべき部分を除いて）
樹脂製封止部材４で固めているので、放熱板２の
厚さを従来の約1/2としても十分に機械的強度を
保つことができる。
分を除いて樹脂製封止部材４で固めていたのを第
２図に示すようにトランジスタ全体を（放熱板２
の下面と取付け穴３を形成すべき部分を除いて）
樹脂製封止部材４で固めているので、放熱板２の
厚さを従来の約1/2としても十分に機械的強度を
保つことができる。
更に又、最も大切な放熱特性であるが、これは
半導体素子１の消費電力による発熱が放熱板２を
通し直下の外部放熱板に熱伝導で逃げるのが大部
分であることから、前述のように放熱板２の厚さ
を薄すくしたことにより放熱板２から外部放熱板
への熱伝導が良くなり、放熱板２を従来のものよ
り小さくしたことによる熱放散の減少を補償する
結果、従来と同等以上の放熱特性を有している。
半導体素子１の消費電力による発熱が放熱板２を
通し直下の外部放熱板に熱伝導で逃げるのが大部
分であることから、前述のように放熱板２の厚さ
を薄すくしたことにより放熱板２から外部放熱板
への熱伝導が良くなり、放熱板２を従来のものよ
り小さくしたことによる熱放散の減少を補償する
結果、従来と同等以上の放熱特性を有している。
上述の説明は半導体装置としてトランジスタを
あげたが、集積回路及び制御整流素子などの半導
体装置についても本発明が適用できることは言う
までもない。
あげたが、集積回路及び制御整流素子などの半導
体装置についても本発明が適用できることは言う
までもない。
以上詳述したように、本発明の放熱板付樹脂封
止型半導体装置は、放熱板の形状を特定化するこ
とにより、従来不可能であつた外形寸法の比較的
小さい放熱板付樹脂封止型半導体装置の取付け穴
を樹脂で内張りすることができ、かつ半導体装置
の放熱特性を損うことなく放熱板の大きさと厚み
を小さくできるので、外部放熱板取付用の絶縁性
プツシングが不必要となり部品の節約と工程の簡
素化が計れるとともに、銅板などの高価な材料を
用いている放熱板の省資源的材料節約が達成でき
るのでその効果は大である。
止型半導体装置は、放熱板の形状を特定化するこ
とにより、従来不可能であつた外形寸法の比較的
小さい放熱板付樹脂封止型半導体装置の取付け穴
を樹脂で内張りすることができ、かつ半導体装置
の放熱特性を損うことなく放熱板の大きさと厚み
を小さくできるので、外部放熱板取付用の絶縁性
プツシングが不必要となり部品の節約と工程の簡
素化が計れるとともに、銅板などの高価な材料を
用いている放熱板の省資源的材料節約が達成でき
るのでその効果は大である。
第１図ａは従来の一例を示す放熱板付樹脂封止
型半導体装置の下面図、第１図ｂは第１図ａのＡ
―Ａ断面図、第２図ａは本発明の一実施例である
放熱板付樹脂封止型電力トランジスタの下面図、
第２図ｂは第２図ａのＡ―Ａ断面図である。図
で、 １…半導体素子、２…放熱板、３…取付け穴、
４…樹脂製封止部材、５…ベース外部導出リー
ド、６…コレクタ外部導出リード、７…エミツタ
外部導出リード、８…接続部、９…切欠け部。
型半導体装置の下面図、第１図ｂは第１図ａのＡ
―Ａ断面図、第２図ａは本発明の一実施例である
放熱板付樹脂封止型電力トランジスタの下面図、
第２図ｂは第２図ａのＡ―Ａ断面図である。図
で、 １…半導体素子、２…放熱板、３…取付け穴、
４…樹脂製封止部材、５…ベース外部導出リー
ド、６…コレクタ外部導出リード、７…エミツタ
外部導出リード、８…接続部、９…切欠け部。
Claims (1)
- １ 半導体素子と、該半導体素子一主面に取付け
られており、かつ少くとも一辺に切欠き部を有す
る放熱板と、前記半導体素子の電極部に接続され
た外部導出リードと、前記半導体素子と前記放熱
板の少くとも前記一主面と前記外部導出リードの
前記半導体素子電極部との接続部を含む前記外部
導出リードの一部と前記一辺とを封止する樹脂製
封止部材とを有し、前記樹脂製封止部材は前記一
辺から延在して設けられ、この延在した先端と前
記切欠き部との間に該切欠き部とは接することな
くこの切欠き部内に一部が存在する取付け穴が設
けられていることを特徴とする放熱板付樹脂封止
型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10729380A JPS5732658A (en) | 1980-08-05 | 1980-08-05 | Resin sealing type semiconductor device with radiator plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10729380A JPS5732658A (en) | 1980-08-05 | 1980-08-05 | Resin sealing type semiconductor device with radiator plate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5732658A JPS5732658A (en) | 1982-02-22 |
| JPS6127909B2 true JPS6127909B2 (ja) | 1986-06-27 |
Family
ID=14455423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10729380A Granted JPS5732658A (en) | 1980-08-05 | 1980-08-05 | Resin sealing type semiconductor device with radiator plate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5732658A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59112951U (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-30 | サンケン電気株式会社 | 絶縁物封止半導体装置 |
| JPS59157752U (ja) * | 1983-04-08 | 1984-10-23 | 外山鋳造株式会社 | 鋳造用消失性模型を成形する装置 |
| JPS63160825A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-04 | Yoshihiko Seki | 合成樹脂発泡成形体の製造方法 |
| CN103646940A (zh) * | 2013-12-12 | 2014-03-19 | 南通华隆微电子有限公司 | 一种to-220防水密封引线框架 |
-
1980
- 1980-08-05 JP JP10729380A patent/JPS5732658A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5732658A (en) | 1982-02-22 |
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